「buffer region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A buffer region for the angle α for rotating a target block is determined by using a conversion table (S201), and a ratio (weight) of region where the buffer region and the block after rotating superimpose is calculated for each pixel (S202).例文帳に追加

注目ブロックを回転させる角度αに応じたバッファ領域を変換テーブルを用いて決め（Ｓ２０１）、バッファ領域と回転後のブロックとが重なった領域の割合（重み）を画素毎に計算する（Ｓ２０２）。 - 特許庁

The USB host controller 11 includes: a buffer memory 2 for USB pipe having a first buffer memory region 41 and a second buffer memory region 42, and a buffer memory control unit 1 configured to control a data transfer between the buffer memory 2 for USB pipe and each of first and second devices 18 and 19.例文帳に追加

本発明にかかるＵＳＢホストコントローラ１１は、第１のバッファメモリ領域４１と第２のバッファメモリ領域４２とを有するＵＳＢパイプ用バッファメモリ２と、第１の機器１８と第２の機器１９とＵＳＢパイプ用バッファメモリ２の間のデータ転送を制御するバッファメモリ制御部１を備える。 - 特許庁

The process for producing the optical energy transmission medium consists controllably in forming ≥1 layer of the buffer region layer around a coated optical fiber in such a form that a desired amount of the foam 26 is formed and held in ≥1 layer of the buffer region layer 22 and/or the boundary between the coating region 16 and the buffer region 22.例文帳に追加

光エネルギー伝送媒体の製造方法は、１層以上の緩衝領域層中及び／又は被覆領域と緩衝領域との界面に、所望量の泡が生成され、保持されるような態様で、被覆光ファイバの周囲に１層以上の緩衝領域層を制御可能に形成することからなる。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

A region on the substrate 10 superposed on the second organic buffer layer 192, and a region on the substrate 10 superposed on the first organic buffer layer 191 do not correspond with each other.例文帳に追加

また、第２の有機緩衝層１９２に重なる主基板１０上の領域は、第１の有機緩衝層１９１に重なる主基板１０上の領域と一致しない。 - 特許庁

When a transaction updates a file, the file is read from a hard disk in a buffer region, and the reading and writing of data for the file is operated to the data of the file in the buffer region.例文帳に追加

トランザクションがファイルを更新する場合、そのファイルをハードディスクからバッファ領域に読み込み、ファイルに対するデータの読み書きは、バッファ領域にあるファイルのデータに対して行う。 - 特許庁

A virtual buffer calculation unit 13 resets the allowable code amount for the next prediction target region based on an occupancy amount of a buffer after storing encoded data in a transmission buffer 12.例文帳に追加

仮想バッファ算出部１３は、符号化されたデータを伝送バッファ１２に蓄積した後のバッファの占有量をもとに次の予測対象領域に対する許容符号量を再設定する。 - 特許庁

When the writing of the data in the memory in the previous cycle is completed, and any dead region is generated in the second buffer, the data stored in the first buffer this time are transferred to the second buffer.例文帳に追加

前回のサイクルにおけるデータのメモリへの書き込みが完了して第２のバッファに空きが生じたならば、第１のバッファに格納された今回のデータは第２のバッファに転送される。 - 特許庁

The first buffer layer has a cavity 110a provided over the recessed portion of the sapphire substrate, and the first buffer layer has a first region 110e and a second region 110f provided between the first region and the sapphire substrate and having higher carbon concentration than the first region.例文帳に追加

第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 - 特許庁

In accordance with timing of decoding completion or a variation amount of the display region 68, the buffer for display and the buffer for decoding are switched (S16).例文帳に追加

デコードが完了したタイミングや表示領域６８の変更量などに応じて、表示用バッファとデコード用バッファを切り替える（Ｓ１６）。 - 特許庁

Before a light emitting region is formed, the pre-stage buffer layer 2' is subjected to heat treatment for recrystallization, for forming a buffer layer 2.例文帳に追加

そして、発光領域を形成する前に、該前段バッファ層２’に対して再結晶化のための熱処理を施すことによりバッファ層２とする。 - 特許庁

A delay circuit 231 is disposed in the IO cell region 23 of an IO region 20 to fetch and delay a signal on the output side of the output buffer 231 of the IO region 20.例文帳に追加

ＩＯ領域２０のＩＯセル領域２３に遅延回路２３１を配置してＩＯ領域２０の出力バッファ２３１の出力側の信号を取り込み遅延させる。 - 特許庁

An N type buffer region 12 containing a relatively high concentration of arsenic via an anti-diffusion region 22 and having a relatively small thickness is formed on the collector region 11.例文帳に追加

コレクタ領域１１の上には、拡散防止領域２２を介して、ヒ素を比較的高濃度で含み、比較的厚みの薄いＮ型バッファ領域１２が形成されている。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

A concentration inclination region 13 where impurity concentration continuously drops from that of the n buffer region 12b is formed in the n^- semiconductor region 12a.例文帳に追加

ｎ- 半導体領域１２ａには、その不純物濃度がｎバッファ領域１２ｂの不純物濃度から連続的に低下する濃度傾斜領域１３が形成されている。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

Then, the semiconductor device 1 has, in an LDMOS region 5, an LDMOSFET (Lateral Double diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) composed of a body region 8, a drain buffer region 9, a source region 11, a gate electrode 14 etc.例文帳に追加

そして、半導体装置１は、ＬＤＭＯＳ領域５に、ボディ領域８、ドレインバッファ領域９、ソース領域１１およびゲート電極１４などからなるＬＤＭＯＳＦＥＴを備えている。 - 特許庁

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

Pedestals 31, 32 are formed on a buffer region 4 so that the height of the surface of a second metal layer 19 on the buffer region 4 is higher than that on a gate region 3 before pressure is applied to a contact terminal member 6.例文帳に追加

コンタクト端子体６の未加圧状態においては、第２金属層１９の、バッファ領域４上の表面高さがゲート領域３上の表面高さよりも高くなるように、バッファ領域４上に台座部３１，３２を設ける。 - 特許庁

The step-down circuits are arranged in a rectangular cell region different from the rectangular cell region of the buffer circuit so as not to separate a part of the step-down circuits or a clamp MOS transistor, and to disperse the same into the cell region of the buffer circuit.例文帳に追加

降圧回路は前記バッファ回路の矩形セル領域とは異なる矩形セル領域に配置し、降圧回路の一部であるクランプＭＯＳトランジスタを分離してバッファ回路のセル領域に分散させることを行わない。 - 特許庁

After the buffer memory region is secured, the broadcast processing section 33 carries out the multimedia processing operations.例文帳に追加

このバッファメモリの領域の確保の後、放送処理部３３はマルチメディア処理動作を実行する。 - 特許庁

A material of the first conductivity type buffer layer 15 is different from that of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。 - 特許庁

The resistivity of the high Al composition region 123 is the highest in the buffer layer 12.例文帳に追加

高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 - 特許庁

XdbeBackground The unobscured region of the new back buffer will be tiled with the window background.例文帳に追加

XdbeBackground新しい背面バッファの隠されていない領域が、ウィンドウの背景色で塗りつぶされる。 - XFree86

To prevent a distortion of a signal by laying a hierarchical wiring connecting buffer region and a hierarchical wiring region on a periphery of a macro block.例文帳に追加

マクロブロックの周辺に階層配線接続用バッファ領域と階層配線領域を敷設し、信号の鈍りを防止すること。 - 特許庁

The LOD structure 26 has a buffer region 44 having a lower concentration than that of the drain region 40 at a boundary part between the barrier region 42 and drain region 40 to make gentle impurity concentration variation between the barrier region 42 and drain region 40.例文帳に追加

当該ＬＯＤ構造２６には、ドレイン領域４０より低濃度のバッファ領域４４が、バリア領域４２とドレイン領域４０との境界部分に設けられ、バリア領域４２とドレイン領域４０との間の不純物濃度変化を緩やかにする。 - 特許庁

A memory access management device 3 which uses a flash memory 11 as a memory device is provided with a data operation region (access buffer 15) and a flash memory wiring region (copy buffer 17) in a RAM 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１を記憶装置として用いるメモリアクセス管理装置３であって、ＲＡＭ９にデータ操作用領域（アクセスバッファ１５）とフラッシュメモリ書き込み用領域（コピーバッファ１７）を設ける。 - 特許庁

The removing solution comprises (a) a fluorine compound such as ammonium fluoride, (b) a water-soluble organic solvent, (c) a buffer having its buffering pH region in a region of ≥pH 5, such as a good buffer, and (d) water.例文帳に追加

（ａ）フッ化アンモニウムなどのフッ素化合物、（ｂ）水溶性有機溶剤、（ｃ）グッド緩衝剤などのｐＨ５以上の領域に緩衝ｐＨ領域を有する緩衝剤、及び（ｄ）水を含有する剥離液。 - 特許庁

Therefore, the predetermined final end region C does not require a buffer having a buffer performance corresponding to the emergency stop brake operation speed in hoisting out of the predetermined final end region C.例文帳に追加

したがって、所定終端領域Ｃにおいて所定終端領域Ｃ以外を昇降するときの非常止め制動動作速度に対応した緩衝性能を有する緩衝器が不要になる。 - 特許庁

To provide a radio receiver capable of storing received RLC (Radio Link Control) PDU (Protocol Data Unit) data of variable length efficiently into a buffer without uselessly consuming a buffer region.例文帳に追加

バッファ領域を無駄に消費することなく，受信される可変長のRLC PDUデータを効率的にバッファに格納する無線受信装置を提供する。 - 特許庁

By selectively forming the buffer layer 510 in the region where the thin film active device 90 possesses, the periphery of the patterned buffer layer 510 acts as notches.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０が占める領域部分に選択的にバッファ層５１０を形成すれば、パターン化したバッファ層５１０の周囲が切り込みになる。 - 特許庁

The setting processing part determines a size related to each cache partition region associated with each database buffer based on a size related to each database buffer.例文帳に追加

設定処理部は、各データベースバッファに関するサイズを基に、該各データベースバッファに対応付ける各キャッシュパーティション領域に関するサイズを決定する。 - 特許庁

An integrated circuit is formed in an inner circuit region 2 in a semiconductor chip 1, and plural buffer circuits are formed in buffer regions 4a to 4d.例文帳に追加

半導体チップ１において内部回路領域２内に集積回路が形成され、バッファ領域４ａ〜４ｄ内に複数のバッファ回路が形成されている。 - 特許庁

One pass each of the printing data stored in this buffer region 151 is taken out at each main scanning, is apportioned to any of a first head buffer 310, and a second head buffer 320, and is forwarded.例文帳に追加

このバッファ領域１５１に記憶された印字データは、各主走査毎に、１パス分ずつ取り出されて、第１ヘッドバッファ３１０，第２ヘッドバッファ３２０のいずれかに振り分けて転送される。 - 特許庁

The printing data stored in the buffer region 151 is taken out by every amount of one pass at each main scanning, and sorted and transferred to either of a first head buffer 310 and a second head buffer 320.例文帳に追加

このバッファ領域１５１に記憶された印字データは、各主走査毎に、１パス分ずつ取り出されて、第１ヘッドバッファ３１０，第２ヘッドバッファ３２０のいずれかに振り分けて転送される。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁

In the step S25, image data in the second region of a texture buffer are added and synthesized while they are shifted in position to the image data in the first region.例文帳に追加

ステップＳ２５で、テクスチャバッファの第２の領域の画像データを第１の領域の画像データに対して、位置をずらしつつ加算合成する。 - 特許庁

The length-directional moving mechanism 34 is configured to move the workpiece 2 standing by in the supply-side buffer region 101, to the process region 102.例文帳に追加

供給側バッファ領域１０１で待機するワーク２を長さ方向移動機構３４でプロセス領域１０２へ移動可能に構成する。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

A region selection section 250 selects, as a region to be displayed, one of regions for the resolution of 768×540 in the frame buffer.例文帳に追加

領域選択部２５０は、フレームバッファにおける７６８×５４０の解像度分の１つの領域を表示対象領域として選択する。 - 特許庁

The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体領域１０とｎ型高濃度バッファ領域１２との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁

In addition, the flash memory device further includes control means for mapping an address of the flash memory from a host so as to divide structure of the buffer memory into the main region and the spare region and for controlling the flash memory and the buffer memory so as to store data of the buffer memory into the flash memory or so as to store data of the flash memory into the buffer memory.例文帳に追加

また、フラッシュメモリ装置は、バッファメモリの構造がメイン領域とスペア領域とに分離されるように、ホストから印加されたアドレスをマッピングし、そしてバッファメモリのデータがフラッシュメモリに貯蔵されるように又はフラッシュメモリのデータがバッファメモリに貯蔵されるようにフラッシュメモリとバッファメモリとを制御する手段を含む。 - 特許庁

The first inlet buffer section 52 has a first dedicated buffer region 52a contiguous to an oxidant gas inlet interconnection hole 30a and distributes the oxidant gas while regulating distribution of fuel gas on the second inlet buffer section 60 side, and a common buffer region 52b contiguous to a first oxidant gas passage 50.例文帳に追加

第１入口バッファ部５２は、酸化剤ガス入口連通孔３０ａに隣接して酸化剤ガスを流通させるとともに、第２入口バッファ部６０側で燃料ガスの流通を規制する第１専用バッファ領域５２ａと、第１酸化剤ガス流路５０に近接する共通バッファ領域５２ｂとを有する。 - 特許庁

The silicon semiconductor layer 13 includes an emitter region 14 in contact with an emitter electrode 20, a collector region 15 in contact with a collector electrode 21, and a center semiconductor region composed of a body region 17, a part of a buffer region 19, and a drift region 16.例文帳に追加

シリコン半導体層１３は、エミッタ電極２０に接しているエミッタ領域１４と、コレクタ電極２１に接しているコレクタ領域１５と、ボディ領域１７及びバッファ領域１９の一部とドリフト領域１６とからなる中央半導体領域とを備えている。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁