「buffer region」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve controlling to allot a buffer storage region for a bit map and compressed data in an imaging apparatus which develops to the bit map in units of bands and stores the bit map by compressing the bit map.例文帳に追加

バンド単位でビットマップ展開し、ビットマップを圧縮して蓄積する画像形成装置において、ビットマップ及び圧縮データのためのバッファ記憶域の割当て制御を改善する。 - 特許庁

Subsequently, dot pattern data stored in the print buffer region 27A is printed entirely and after one label is formed, driving of the thermal head 9 is stopped and the tape is carried to a cutting position (S55).例文帳に追加

その後、印字バッファ領域２７Ａに格納されたドットパターンデータを全て印字して、１つのラベルを作成後、サーマルヘッド９の駆動を停止して、テープを切断位置まで搬送する（Ｓ５５）。 - 特許庁

A first conductivity type buffer layer 15 is formed on the principal plane 13a of the semiconductor region 13, and the principal plane 13a forms an angle of 10° or more relative to the reference plane RC.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。 - 特許庁

In the hollow region 105, reinforcing adhesive layers 104 are formed as a buffer part at positions that correspond to respective bumps 106 disposed at equal intervals on the rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

中空領域１０５には、半導体基板の裏面で等間隔に配置されたバンプ１０６のそれぞれと対応する位置に補強用接着層１０４が緩衝部として形成される。 - 特許庁

A semiconductor region having optical gain such as an active layer is not provided between the GaN wafer 11 and In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。 - 特許庁

Thus, the loudspeaker apparatus can be designed so that the connection member and the pot-type yoke are collided with each other via a buffer member at e.g., a region E1 at the movement of the voice coil or the like to the lower side with a large amplitude.例文帳に追加

このため、ボイスコイル等の下側への大振幅移動時に、例えば、領域Ｅ１にて連結部材とツボ型ヨークとが緩衝部材を介して衝突するように設計する。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein test signals are inputted into an I/O buffer located in an internal circuit region by means of a wiring which usually does not interfere with a signal wiring.例文帳に追加

半導体装置の内部回路領域に設けたＩ／Ｏバッファに、通常信号配線に干渉しない配線によってテスト信号を入力する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the concentration of an electric field generated in the vicinity of the bottom surface of the buffer region 113 is eased by the configuration, voltage resistance between the collector and the emitter can be further increased.例文帳に追加

当該構成により、バッファ領域１１３の底面近傍で発生する電界集中が緩和されることとなるため、コレクタ−エミッタ間の耐圧を更に高くすることが可能となる。 - 特許庁

When the above-described data is read out, if the data is within a predetermined length from the end of the application data, a copy of the read data is stored in a temporary buffer region of the data storage part.例文帳に追加

当該データを読み出した際、そのデータがアプリケーションデータの終端から所定の長さ以内のデータの場合、読み出したデータのコピーをデータ記憶部の一時バッファ領域に保存する。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

The optical disk D having a bar code region 6 formed along a track direction is provided with buffer regions 8 and 10 on the inner peripheral side and outer peripheral side of the bar code regions.例文帳に追加

トラック方向に沿って形成されたバーコード領域６を有する光ディスクＤにおいて、前記バーコード領域の内周側と外周側とに緩衝領域８，１０を設ける。 - 特許庁

The moving image data are successively sent from the frame buffer 7 to a display circuit and the image data for one frame saved in the storage region 7a for saving are also sent.例文帳に追加

そして、フレームバッファ７から表示回路に対し、動画像データを順次送出すると共に退避用記憶領域７ａに退避させた１フレーム分の画像データをも送出する。 - 特許庁

The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region.例文帳に追加

前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

The image data conversion circuit comprises a means for inputting data of raster formant, and changes a region being stored in an image conversion buffer depending on the bit width of data being inputted by the input means.例文帳に追加

ラスタ形式のデータを入力する入力手段と、前記入力手段により入力される前記データのビット幅に応じて、画像変換バッファに格納する領域を変化させる。 - 特許庁

To realize inhibition of CG drawing for a complexion region not using a stencil buffer, and at the same time, to improve image quality in a boundary of a real photographed image and a CG image.例文帳に追加

ステンシルバッファを使用しないで、肌色領域に対するＣＧ描画の禁止を実現するとともに、実写映像とＣＧ映像との境界における画像品質の向上を図る。 - 特許庁

When the reading means 3 is moved to a specified defective region during reduction of data stored in the buffer 10, movement start timing of the reading means 3, at which data quantity stored in the buffer 10 becomes substantially a prescribed quantity, is detected by a movement start timing detecting means P4.例文帳に追加

バッファ１０に格納されているデータの減少中に、前記特定した欠陥領域に読み取り手段３が移動したときに、バッファ１０に格納されるデータ量が所定量近傍となる読み取り手段３の移動開始タイミングを移動開始タイミング検出手段Ｐ４によって検出する。 - 特許庁

The cooling medium flow channel 46 regulates inflow of the cooling medium by providing flow channel wall parts 48a, 50a in a region corresponding to an inlet buffer part 44a of oxidant gas, while on the other hand, allows inflow of the cooling medium at an outlet buffer part 44b of the oxidant gas.例文帳に追加

冷却媒体流路４６は、酸化剤ガスの入口バッファ部４４ａに対応する領域に流路壁部４８ａ、５０ａを設けて冷却媒体の流入を規制する一方、酸化剤ガスの出口バッファ部４４ｂには、前記冷却媒体の流入を許容する。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

This GUI drawing is temporarily operated to a hook destination buffer 520, and the content of a rectangular region of a prescribed size at this predetermined position is copied to overlap screen buffers 501 to 504, and the image of the overlap object is rendered to those screen buffer 501 to 504.例文帳に追加

ＧＵＩ描画は一旦、フック先バッファ５２０に対して行い、この所定位置の所定サイズの矩形領域の内容を重ね合わせスクリーンバッファ５０１〜５０４にコピーするとともに、これらのスクリーンバッファ５０１〜５０４上に重ね合わせ対象の画像をレンダリングする。 - 特許庁

A phase control valve device is installed between a heat buffer device of the gas circuit breaker and an arc region between opening/fitting contacts, and opened by a timing based on a phase of a breaking current, and a gas pressure in the heat buffer device is made to be maintained even at a current zero.例文帳に追加

ガス遮断器の熱パッファ装置と開離コンタクト間のアーク領域との間に位相制御弁装置を設け、遮断電流の位相に基づいたタイミングで開放し、電流零点においても熱パッファ装置内のガス圧力を維持するようにしたガス遮断器。 - 特許庁

During the foregoing process, an aberration calculation portion 22 calculates an absolute value of the aberration of the chromatic aberration of magnification of each pixel in the image data R, B of the buffer 21, and a region determining portion 23 compares the absolute value of the aberration with a threshold value TH of the maximum aberration which is corrected by the buffer 21 at one time.例文帳に追加

その時、収差量算出部２２は、バッファ２１のＲ，Ｂの画像データの各画素の倍率色収差の収差量の絶対値を算出し、領域決定部２３はバッファ２１により１回で補正可能な最大収差量の閾値ＴＨと比較する。 - 特許庁

Terminal equipment to which a portion of a DRAM 20 is assigned as a packet buffer for storing a packet is provided with an SRAM whose reading/writing is more quickly performed than the DRAM, and configured to assign the storage region of the leading section of the packet of the packet buffer to the SRAM.例文帳に追加

パケットを格納するパケットバッファとして、ＤＲＡＭ２０の一部が割り当てられた端末装置において、ＤＲＡＭよりも読み書きが高速で行われるＳＲＡＭを設けて、前記パケットバッファにおける前記パケットの先頭部分の格納領域を、該ＳＲＡＭに割り当てる。 - 特許庁

Buffer materials 72-74 made of an elastic body are provided between a rotary spindle 31 for automatically winding up a spring and a movement 60, thus absorbing vibration that is generated when a rotary spindle 31 deviates from the rotary region of the rotary spindle 31 and collides with the movement 60 using the buffer materials 72 and 74.例文帳に追加

ゼンマイを自動的に巻き上げるための回転錘31と、ムーブメント60との間に、弾性体からなる緩衝材72〜74を設け、回転錘31の回転領域から回転錘31が逸脱してムーブメント60と衝突した際に発生する振動を、緩衝材72〜74で吸収する。 - 特許庁

When a moving image is recorded, the photographed moving image data are successively and temporarily stored in a frame buffer 7 and when an ON signal is sent from a still picture recording button 15a, image data for one frame are temporarily saved/stored in a storage region 7a for saving in the frame buffer 7 (S21).例文帳に追加

動画像の記録期間中、撮影した動画像データを順次一時的にフレームバッファ７に記憶するとともに、静止画記録ボタン１５ａからＯＮ信号が送出されると、１フレーム分の画像データをフレームバッファ７の退避用記憶領域７ａに一時的に退避・記憶させる（Ｓ２１）。 - 特許庁

The semiconductor layer (buffer layer) 9 has a gate impurity region 12, which contains an added impurity of conductivity which is opposite to that of the channel in its contacting part with the gate electrode 1, and the percentage composition of the Al element of the compound constituting the buffer layer 9 is changed halfway in the thickness direction.例文帳に追加

半導体層（バッファ層９）は、ゲート電極１３に接する部分にチャネルとは逆導電型の不純物が添加されたゲート不純物領域１２を有し、当該バッファ層９を構成する化合物の特定の元素（Ａｌ）の組成比が厚さ方向の途中で変えてある。 - 特許庁

After the buffer layer material 6A is coated, this undergoes a heating and melting process and furthermore a drying process, thereby a flat buffer layer 6 is formed on a first electrode 2 in the light-emitting region 1A which is insulation-divided by an insulating membrane or an insulating barrier rib 4.例文帳に追加

緩衝層材料６Ａを塗布した後、これを加熱溶融処理し、更には乾燥処理することによって、絶縁膜３又は絶縁隔壁４によって絶縁区画された発光領域１Ａ内の第１電極２上に平坦な緩衝層６を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an AlSb buffer layer 31 is formed on an Si substrate 30 which makes little absorption in a terahertz region and an InAs layer 32 is epitaxially grown on the buffer layer 31 as a crystalline semiconductor layer used for generating a terahertz wave L2.例文帳に追加

テラヘルツ領域でほとんど吸収がないＳｉ基板３０を用い、このＳｉ基板３０上に、ＡｌＳｂバッファ層３１を形成し、さらにバッファ層３１上に、テラヘルツ波の発生に用いられる半導体結晶層としてＩｎＡｓ層３２をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

Then, the CPU 184 stores the PES header and the TS header and the data in the control information section into an output buffer 185, notifies an output control section 186 of the content information existing region in the shared memory 183, and stores the data of the content information into the output buffer 185.例文帳に追加

以後、ＣＰＵ１８４は、ＰＥＳヘッダ、ＴＳヘッダ、制御情報部のデータを出力バッファ１８５に格納し、出力制御部１８６に対し共有メモリ１８３上のコンテンツ情報存在領域を通知し、出力バッファ１８５にコンテンツ情報部のデータを格納させる。 - 特許庁

A CPU 120 sets data whose kinds are different for each communication in regions B1-Bn of a communication buffer 131 synchronously with each communicating timing, and sets data whose kind is the same for each communication in a region A of the communication buffer 131 in a longer cycle thanwiring address counter part 13 by the 21.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、各通信タイミングに同期して通信毎に種類の異なるデータを通信バッファ１３１の領域Ｂ１〜Ｂｎにセットするとともに、通信タイミングよりも長い周期にて通信毎の種類が同じデータを通信バッファ１３１の領域Ａにセットする。 - 特許庁

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21.例文帳に追加

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 - 特許庁

The graphic processing unit 16 is composed so that various drawing objects arranged in the graphic plane are stored in the intermediate buffer 13B as the drawing data so as to extract the drawing data from the intermediate buffer 13B for each rectangular region after dividing a drawing region in the graphic plane occupied by the drawing data into a plurality of the rectangular regions that are not overlapped with each other.例文帳に追加

グラフィック処理ユニット１６はグラフィック平面内に配置される様々な描画オブジェクトを描画データとして中間バッファ１３Ｂに格納し、描画データによって占有されるグラフィック平面内の描画領域を互いに重複しない複数の矩形領域に区分し、描画データを各矩形領域毎に中間バッファ１３Ｂから抽出するように構成される。 - 特許庁

The transfer 4 completes the formation of the decoding image data based on the motion compensation decoder 2 of the reference image data stored in this frame buffer 1, and overwrites decoding image data stored in the TMP buffer 3 arbitrarily to a region which does not include a motion vector searching range Vp in a band-like region which performs extending in the shift direction, and transfers so that it may store the decoding image data.例文帳に追加

転送部４は、このフレームバッファ１に格納されている参照画像データのうち、動き補償復号部２による復号画像データの生成が完了し、かつ、シフト方向に延在した帯状の領域に、動きベクトル探索範囲Ｖpが含まれない領域に対して、ＴＭＰバッファ３に保存されている復号画像データを随時、上書きして格納するように転送する。 - 特許庁

The terminal part 4 includes a normal terminal 5 for connecting with a cell existing in an internal region 7 of the IO, wiring 6 as power supply wiring or ground wiring, the internal region 7 of the IO buffer, and a plurality of dummy terminals 8 connected with the wiring 6.例文帳に追加

端子部分４は、ＩＯの内部領域７に存在するセルと接続するためのノーマル端子５と、電源配線又はグランド配線である配線６と、ＩＯバッファの内部領域７と、配線６に接続された複数のダミー端子８とを有する。 - 特許庁

A second rearrangement 204 reads out the compressed image data for each compression unit of one block line written into the first storage region 105a for each writing area corresponding to a code buffer, and writes them into a second storage region 105b of the storage device 105.例文帳に追加

第２の並び替え部２０４は、第１の記憶領域１０５ａに書き込まれた１ブロックライン分の圧縮単位毎の圧縮画像データを符号バッファに対応する書き込みエリア毎に読み出して、記憶装置１０５の第２の記憶領域１０５ｂに書き込む。 - 特許庁

A thin film transistor having a floating island region and a base region between the source and drain regions of an active layer is disposed in a buffer circuit for requesting a high withstand voltage and a rapid operating speed of various type circuits for constituting peripheral drive circuits 101, 102.例文帳に追加

また、周辺駆動回路１０１、１０２を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース／ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.例文帳に追加

炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of: receiving digital video data; parsing the digital video data to identify macroblocks included in the digital video data; discarding from the digital video data those macroblocks 315 which are not associated with a picture region that substantially corresponds to one of a safe-title picture region and safe-action picture region; and storing the digital video data in a decoder input buffer.例文帳に追加

デジタルビデオデータを受取るステップ、デジタルビデオデータに含まれるマクロブロックを識別するようにデジタルビデオデータを分析するステップ、セーフタイトルのピクチャ領域とセーフアクションのピクチャ領域の１つに実質的に該当するピクチャ領域に関連しないマクロブロックをデジタルビデオデータから切捨てるステップ、及びデジタルビデオデータをデコーダの入力バッファへ格納するステップ、を含む。 - 特許庁

An optical disk recording method for recoding information on an information recording medium including a data region provided with a buffer area and a user data recording/reproducing area and a system region wherein management information for managing the data region is recorded, includes: a user data recording step; an adjustment step; a securing step; and an adjustment signal recording step.例文帳に追加

光ディスク記録方法は、緩衝領域とユーザデータ記録再生領域とを備えるデータ領域と、データ領域を管理するための管理情報が記録されるシステム領域とを具備する情報記録媒体に情報を記録する光ディスク記録方法であり、ユーザデータ記録ステップと調整ステップと確保ステップと調整信号記録ステップとを具備する。 - 特許庁

When information such as CBW and data is allocated so as to be transferred through an end point EP1, a buffer in which a CBW region 12 (randomly accessable command storage area) and an EP1 region 10 (FIFO data storage area) are prepared is provided.例文帳に追加

１つのエンドポイントＥＰ１を介して転送される情報としてＣＢＷとデータとが割り当てられている場合に、ＣＢＷ領域１２（ランダムアクセス可能なコマンド記憶領域）とＥＰ１領域１０（ＦＩＦＯ設定のデータ記憶領域）とが用意されるバッファを設ける。 - 特許庁

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 that is a vertical IGBT includes a collector electrode 2, a p^+-type collector layer 4, an n^+-type buffer layer 6, an n^--type drift layer 8, a p-type body region 10, an n^+-type emitter region 12, a gate electrode 18, and an emitter electrode 14.例文帳に追加

縦型のＩＧＢＴである半導体装置１００は、コレクタ電極２と、ｐ^+型のコレクタ層４と、ｎ^+型のバッファ層６と、ｎ^−型のドリフト層８と、ｐ型のボディ領域１０と、ｎ^+型のエミッタ領域１２と、ゲート電極１８と、エミッタ電極１４を備えている。 - 特許庁

When information such as CSW and data is allocated so as to be transferred through an end point EP2, a buffer in which an EP2 region 14 (FIFO data storage area) and a CSW region 16 (randomly accessable status storage area) are prepared is provided.例文帳に追加

１つのエンドポイントＥＰ２を介して転送される情報としてデータとＣＳＷとが割り当てられている場合に、ＥＰ２領域１４（ＦＩＦＯ設定のデータ記憶領域）とＣＳＷ領域１６（ランダムアクセス可能なステータス記憶領域）とが用意されるバッファを設ける。 - 特許庁