「conduction layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, switch elements 12-1 and 12-2 are only brought into conduction, and the electric double layer capacitor 10-1 is charged with a constant current through a DC-DC converter 26 only for a time (a+k/Vm) based on the charging voltage V1.例文帳に追加

次にスイッチ素子１２−１、１２−２のみを導通し、充電電圧Ｖ１に基づいた時間（ａ＋ｋ／Ｖｍ）だけ、ＤＣ−ＤＣコンバータ２６による電流一定の充電を電気二重層キャパシタ１０−１について行う。 - 特許庁

When compared with the conventional switching elements, the switching element employing the zirconium oxide-based ion conduction layer has a larger dependence of retention time to an applied voltage and it can keep a holding resistance necessary for reconstructed LSI when the logic operation voltage is applied.例文帳に追加

酸化ジルコニウム系のイオン伝導層を用いたスイッチング素子は従来のスイッチング素子に比べて、印加電圧に対する保持時間の依存性が大きく、ロジック動作印加時には再構成ＬＳＩに必要な保持耐性を維持できる。 - 特許庁

Thereby, the conduction between the barrier rib 14 and the grid electrode 27 is cut off by the intermediate layer 30, and the reduction of the lead glass due to the oxidation of Al at baking is prevented on the interface between the barrier rib 14 and the grid electrode 27.例文帳に追加

これにより、隔壁１４とグリッド電極２７との間の導通が中間層３０で遮断され、隔壁１４とグリッド電極２７との界面において、焼成時のＡｌの酸化による鉛系ガラスの還元が防止される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a three-dimensional circuit board, capable of overcoming the occurrence of an overlap or a gap between both ends of the metal wiring layer, when manufacturing the three-dimensional circuit board by forming a metal wiring layer around an outer circumferential surface of a cylindrical body, and also capable of preventing a conduction defect caused by deposition of an adhesive without creasing the metal wiring layer.例文帳に追加

円筒体外周面に金属配線層を形成して立体的回路基板を製造する際に、金属配線層の両端部で重なりや間隙が発生する問題を解消すると共に、金属配線層にシワなどが発生することなく、また接着剤などの付着による導通不良を防ぐことができる立体的回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A sidewall layer, that is made of highly resistant oxide, nitride, fluoride, boride, sulfide, or carbide having mirror reflection effect with respective to conduction electrons, is provided to the side surface of at least a magnetized adherence layer and a non-magnetic intermediate layer in a magnetoresistance effect film, thus preventing inelastic scattering of electrons or loss of spin information on the side surface of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜のうちの少なくとも磁化固着層と非磁性中間層の側面に伝導電子に対する鏡面反射効果を有する高抵抗な酸化物、窒化物、フッ化物、ホウ化物、硫化物あるいは炭化物からなる側壁層を設けることにより、磁気抵抗効果膜の側面での電子の非弾性散乱やスピン情報の喪失を防ぐことができる。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

An organic EL element 40 includes an anode 60, a cathode 64 arranged to be opposed to the anode, an organic active layer 62 arranged between the anode 60 and the cathode 64 and a charge injection regulating layer 61 arranged between the anode 60 and the organic active layer 62 and exhibits such varistor characteristics that a conduction current due to an applied voltage changes.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、 陽極６０と、 陽極に対向して配置された陰極６４と、 陽極６０と陰極６４との間に配置された有機活性層６２と、 陽極６０と有機活性層６２との間に配置され、印加電圧による導電電流が変化するバリスタ特性を示す電荷注入調整層６１と、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The generation step of the metallization track 7 comprises an etching step of the track insulation material 1 forming a clearance 4 in the position of the track, a step for depositing a conduction barrier layer 5 in the clearance, a step for filling the clearance with copper, and a step for depositing a silicon nitride layer 8 on the predetermined metallization level.例文帳に追加

この金属トラック７の生成ステップは、前記トラックの位置に空隙４を形成するトラック間絶縁材料１のエッチング・ステップと、空隙に伝導バリア層５を堆積するステップと、銅で空隙を充填するステップと、予め定めたメタライゼーション・レベル上に窒化珪素層８を堆積するステップと、を含む。 - 特許庁

A cathode conductive layer is provided with a plurality of cathode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with a cathode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and a cathode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of cathode electrode parts.例文帳に追加

カソード導電層は、カソードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のカソード電極部と、複数のカソード電極部を位置決め保持するカソード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display and its manufacturing method wherein problems of corrosion of a transparent conduction layer and increase of contact resistance can be solved without generating disadvantage of reduction of step coverage caused by increase of the thickness of a wiring layer itself and generation of an undercut, reduction of productivity and increase of a production cost.例文帳に追加

配線層それ自体の厚さの増加及びアンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下と、生産性の低下、製造コストの上昇という難点を生じないで、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消できる液晶表示装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To make conduction with high productivity and high reliability between wirings on both sides of a double-sided flexible wiring board, ensure high adhesion between an insulation layer (esp., polyimide layer) and conductive layers (esp., Cu layers) on both sides thereof, form wiring patterns by the finable additive method and avoid curling.例文帳に追加

両面フレキシブル配線板の両面の配線間を高い生産性且つ高い信頼性で導通させ、また、絶縁層（特にポリイミド層）とその両側の導電層（特に銅層）との間に高い密着性を確保し、しかも配線パターンをファイン化可能なアディティブ法により形成できるようにし、更にカールを生じないようにする。 - 特許庁

The electroforming mold 1 comprises: a glass substrate 2 that transmits ultraviolet rays; a transparent conductive film 3 formed on one surface of the glass substrate; a metal layer 4 having light-shielding property; and a cured thick film photoresist 5 assuming an external shape, whereby the electric conduction is applied by the transparent conductive film 3 and the metal layer 4 upon the electroforming.例文帳に追加

電鋳型１は、紫外線を透過するガラス基板２とその一表面上に形成された透明導電膜３と遮光性を有する金属層４と型の外形形状となる硬化した厚膜フォトレジスト５から構成されており、電鋳時に透明導電膜３と金属層４により導通がとれるようになっている - 特許庁

In the heat conduction member to be arranged between unit cells when the unit cells are assembled to make a battery pack, a heat conductive layer having thermal conductivity of 0.5 W/mK or more is installed on both side of a base material layer having thermal conductivity of less than 0.5 W/mK.例文帳に追加

本発明の熱伝導部材は、単電池セルを組み合わせて組電池とする際に単電池セル間に配置される熱伝導部材であって、熱伝導率が０．５Ｗ／ｍＫ未満である基材層の両側に熱伝導率が０．５Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導性層を設けた構成であることを特徴とする。 - 特許庁

In the heating layer 7 formed on the outside 11 of an inner pan body 1 and simultaneously functioning as a heat conduction layer, an eddy current loss in the region facing an induction coil of an electromagnetic cooker is made larger than that in the other region, which results in that each of alloy composition ratios in both regions is set in a different extent.例文帳に追加

熱伝導層を兼ねる内鍋本体１の外側面１１に形成する発熱層７のうち、電磁誘導加熱調理器の誘導コイルと対峙する領域での渦電流損失が、他の領域よりも大きくなるように、両領域における合金の組成比を異なる範囲に設定する。 - 特許庁

The anode conductive layer is provided with a plurality of anode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with an anode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and an anode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of anode electrode parts.例文帳に追加

アノード導電層は、アノードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のアノード電極部と、複数のアノード電極部を位置決め保持するアノード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁

The anisotropic conductive connector 30 is provided with an insulating elastic body layer 32 formed on the face of the adapter main body 10 on the side where the connector electrodes 16 are formed, space regions 34 formed on the elastic body layer 32 and continued to the connector electrodes 16, and conduction sections 40 filled in the space regions 34.例文帳に追加

異方導電性コネクタ３０は、アダプタ本体１０のコネクタ電極１６が形成された側の面上に形成された絶縁性の弾性体層３２と、弾性体層３２に形成され、コネクタ電極１６と連続する空間領域３４と、空間領域３４内に充填された導電部４０と、を有する。 - 特許庁

In a liquid crystal device, a MOSFET 30 for pixel switching and a MOSFET 80 for a peripheral circuit have the same P-conduction type of the inversion area of a semiconductor layer forming a channel area when the MOSFET is turned on, and respectively have channel semiconductor layer areas 1a and 2a whose film thicknesses are different from each other.例文帳に追加

液晶装置において、画素スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３０と周辺回路用のＭＯＳＦＥＴ８０とは、ＭＯＳＦＥＴがＯＮした時のチャンネル領域を形成する半導体層の反転領域の導電型が同じＰ型であるが、チャンネル半導体層領域１ａ、２ａの膜厚が異なる。 - 特許庁

In the hydrogen gas sensor, a first electrode 3 is installed on one face of a proton conduction layer 1, a second electrode 5 and a reference electrode 7 are installed on the other face of the layer 1 so as to face the first electrode 3, and they are supported in a support 9 composed of a first support 9a and a second support 9b.例文帳に追加

水素ガスセンサは、プロトン伝導層１の一方の面に、第１電極３が設けられ、プロトン伝導層１の他方の面に、第１電極３と対向するように、第２電極５及び参照電極７が設けられて、それらは、第１支持体９ａ及び第２支持体９ｂからなる支持体９中に支持されている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device including a FET in which a short-channel effect is suppressed and at the same time the gradation of pinch-off characteristics caused by the conduction of a p-type impurity in an area other than a channel is suppressed, and the leakage between adjacent elements is suppressed in the FET with a high-concentration and thin-layer active layer.例文帳に追加

高濃度で薄層の能動層を有するＦＥＴにおいて、ショートチャネル効果を抑制しつつ、チャネル以外のｐ型不純物伝導に起因するピンチオフ特性劣化の抑制及び隣接素子間のリークの抑制を実現したＦＥＴを含む化合物半導体装置を提供すること - 特許庁

A pure interface which does not impede conduction of electrons of an oxide film etc., is formed on an interface between a superconducting layer and the normally conductive metal layer, which in turn is made much thinner than a coherent length as a featured length scale where a Cooper pair in a superconductor oozes into normally conductive metal through superconduction proximity effect.例文帳に追加

超伝導層と常伝導金属層の界面には酸化膜等電子の伝導を妨げるものがない清浄界面とし、常伝導金属層は超伝導近接効果により超伝導体中のクーパー対が常伝導金属中へ滲みだす特徴的な長さスケールであるコヒーレント長よりも十分薄くする。 - 特許庁

Further a conduction layer used for dividing the electric current and/or a layer vertical to the axis of the glow pin is preferably formed on an end part of the extrusion molding by a spraying, metal-coating, press-molding or immersion method or by a conventional welding method in a plastic technology field.例文帳に追加

また、電流を分流するのに使用される伝導層および／またはグロー・ピンの軸線に対して垂直に配置された層を、吹き付け、金属被覆加工、プレス成形によって、若しくは浸漬法によって、またはプラスチックの技術分野における従来の溶接法によって押出成形物の端部に形成するとよい。 - 特許庁

The plasma display apparatus comprises a plasma display panel 100, a chassis 30 for supporting the plasma display panel 100, and a sheet 70 which is placed between the plasma display panel 100 and the chassis 30, and comprises a heat conduction layer 71 in contact with the plasma display panel 100 and a noise reducing layer 72 in contact with the chassis 30.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル１００と、プラズマディスプレイパネル１００を支持するシャーシ３０と、プラズマディスプレイパネル１００とシャーシ３０との間に配置され、プラズマディスプレイパネル１００に接触された熱伝導層７１及び前記シャーシ３０に接触されたノイズ低減層７２を有したシート７０と、を備えたプラズマディスプレイ装置である。 - 特許庁

The multilayer substrate 10 comprises: a ground layer 12 formed on the substrate surface 10a; signal layers 14 and 16 formed in the substrate; and a conduction hole 18 connected electrically with the signal layers 14 and 16 and opening to the substrate surface 10a at a position adjacent to the ground layer 12 in non-contact therewith.例文帳に追加

多層基板１０は、基板表面１０ａに形成される接地層１２と、基板内部に形成される信号層１４、１６と、信号層１４、１６に電気的に接続されるとともに、接地層１２に非接触に隣接する位置で基板表面１０ａに開口する導通孔１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a resin-made waveguide by forming a metallic layer to a combined face of resin-made waveguide main body divisions and contriving heat inside the waveguide main body to be easily escaped externally via the metallic layer so as to attain conduction of a high output electromagnetic wave and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

この発明は、樹脂製導波管本体を分割してその組合せ面に金属層を形成し、その金属層を介して導波管本体の内部から外部に熱を逃げやすくすることで、高出力の電磁波伝導を可能とした樹脂製導波管及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the TFT impurity area 102 of the pixel part, the concentration inclination is possessed on the concentration of an impurity element giving one electrical conduction type, the concentration is low in the side of a channel formation area 101, and is large in the side of a semiconductor layer end.例文帳に追加

画素部のＴＦＴの不純物領域１０２において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域１０１側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

A material composed of two layers of an insulating base material 2 and adhesive polyimide 3 which differ in etching resistance is used as the insulating base material, and the hole 6 for conduction is formed by resin etching using a conductor layer on a higher etching-resistance side as a conformal mask.例文帳に追加

絶縁べ−ス材としてエッチング耐性が異なる絶縁べ−ス材２と接着性ポリイミド３との２層からなる材料を用い、エッチング耐性の高い側の導体層１をコンフォ−マルマスクとして樹脂エッチングして導通用孔６を形成する。 - 特許庁

By combining and using an ultrashort pulse laser and a pulse laser, a sufficient width of the division can be obtained while suppressing heat conduction in a division part, so that occurrence of the peeling of the layer of the division part, an electrical short circuit, and leak current can be suppressed.例文帳に追加

極短パルスレーザとパルスレーザを組み合わせて使用することにより、分断部における熱伝導を抑制しつつ、十分な分断の幅を得ることができ、分断部の層の剥がれや、電気的なショート、リーク電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

To provide a method of producing conductive particles with insulating particles in which a conductive layer is less susceptible to rusting, and high conductivity can be maintained over a long term, and which can enhance conduction reliability when used for inter-electrode connection.例文帳に追加

導電層に錆が生じ難く、長期間にわたり高い導電性を維持でき、従って電極間の接続に用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell separator which prevents closure of passage due to moisture in the reaction gas passage of the separator, and is capable of reduction in a contact electric resistance between a diffusion layer, improvement in thermal conduction, and uniform supply of gas to a catalyst electrode.例文帳に追加

セパレータの反応ガス流路において、水分による流路閉塞を防止し、拡散層との間の接触電気抵抗の低減および伝熱性の向上，触媒電極へ均一なガス供給を可能とした燃料電池セパレータを提供する。 - 特許庁

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０を構成する最下層のボトム絶縁膜１１は、当該ボトム絶縁膜１１と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、ＦＮ電気伝導特性を示す誘電膜を含む。 - 特許庁

The IGBT having a buffer layer is constructed so that a small-carriers concentration in forward conduction is higher than an impurity concentration in the region unaffected by an electric field when a break-down voltage is applied forward.例文帳に追加

また、バッファ層を有するＩＧＢＴにおいて、順方向にブレークダウン電圧が印加されたときに電界がかからない領域では、順方向導電時の少数キャリア濃度が当該領域の不純物濃度よりも高くなる構成とする。 - 特許庁

Then, a lead electrode 13 of an electronic component 11 is joined to the vertical conduction part 4 and the land 5a of the upper layer wiring 5 through a leakage prevention member 14 formed by a conductive adhesive including a thermosetting resin and solder 15.例文帳に追加

そして、電子部品１１のリード電極１３は、熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤からなる漏出防止部材１４および半田１５を介しても上下導通部４および上層配線５のランド５ａに接合されている。 - 特許庁

The element conduction part 71 and the connection part 61 are formed on the same layer as the power source line 15, and are located on one side in a direction (Y direction) of the width of the power source line 15 with the driver transistor Tdr interposed therebetween when seen from a direction perpendicular to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

In the ridge-type semiconductor optical device in which both sides of mesa stripes are rectangularly digged to a depth not reaching an active layer, a conduction inhibiting structure is provided on a part of the bottom of the rectangular shape.例文帳に追加

本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device suppressing the occurrence of cracks on an organic protection film when the conduction layer of an opening is cleaned by oxygen plasma treatment and improving the adhesion of the organic protection film and a sealing resin.例文帳に追加

開口部の導通層を酸素プラズマ処理により、クリーニングするに際し、有機保護膜にクラックが発生するのを抑制すると共に、この有機保護膜と封止樹脂との密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A basket 20, installed in a reactor containment 11 and constituting a canister, is supported in layer at spacer plates 21 with support rods 22 and is constituted by providing a heat conduction plate 25, formed with aluminum plates along each of the spacer plates 21.例文帳に追加

格納容器１１内に挿置されてキャニスタを構成するバスケット２０は、サポートロッド２２によってスペーサープレート２１が積層支持されると共に、各スペーサープレート２１に沿ってアルミニウム板によって形成された熱伝導板２５が設けられて構成されている。 - 特許庁

The ratio of the electric charge of the catalyst material existing in the ion conduction passage from the electrolyte membrane that is measured using the cyclic voltammetry method is made 15% or more to the electric charge quantity of all the catalyst material existing in the electrode catalyst layer.例文帳に追加

サイクリックボルタンメトリ法を用いて測定した電解質膜からのイオン伝導経路中に存在する触媒物質の電荷量の割合を、電極触媒層中に存在する全触媒物質の電荷量に対して１５％以上とする。 - 特許庁

An outside cold air layer 9 is provided between the case 8 and the exterior base 7 for greatly reducing hot air leaking from a heating chamber and its radiation and conduction, thus satisfying the power saving radio receiver 10 with temperature standards.例文帳に追加

よって、ケース８と外装ベース７の間に外部の冷たい空気層９を設けることにより、加熱室から漏れる熱気と輻射熱と熱伝導を大幅に軽減し、小電力無線受信装置１０の温度規格を満足することができる。 - 特許庁

In the thermal conduction layer, the thin film including materials of a thermal conductivity relatively lower rather than the thin film including the materials of the highest temperature conductivity among a plurality of materials is arranged between the thin films including the materials of the high temperature conductivity.例文帳に追加

そして、熱伝導層内において、高熱伝導率の材料からなる薄膜の間には、複数の材料のうち最も高熱伝導率の材料からなる薄膜よりも相対的に低熱伝導率の材料からなる薄膜を配置する。 - 特許庁

While the shield contact 20 is pressed inward to the depth, the outside face of the ring 21 in the shield contact 20 is brought into tight contact with the exposed conductive layer D1, and consequently, the shield contact 20 and the housing main body 11 are surely connected together for conduction.例文帳に追加

そして、シールドコンタクト２０が奥まで押し込まれた状態で、シールドコンタクト２０のリング部２１の外面が、前記露出した導電層Ｄ１に密着し、もって、シールドコンタクト２０とハウジング本体１１とが確実に導通接続される。 - 特許庁

The insulation and the conduction of the control layer 13 are switched based on the presence or intensity of the applied energy beam B, and the application/cutting-off of a voltage supplied between the conductive layers 11 and 14 is controlled.例文帳に追加

そして、エネルギービームＢの照射の有無または強弱により制御層１３の絶縁性・導電性を切り換え、導電層１１と導電層１４との間に供給される電圧の強誘電体層１２への印加・遮断を制御する。 - 特許庁

When the wood fitting 100 is a fitting of a flush structure, which is formed by fitting panel base materials 11, 12 to the front and back surfaces with a core base material 10 held between them, the high thermal conduction layer 1 is provided between the core base material 10 and the panel base material 11, 12.例文帳に追加

木質建具１００が、芯基材１０を挟んで表側の面と裏側の面にパネル基材１１，１２を取り付けてなるフラッシュ構造の建具の場合には、高熱伝導層１を、芯基材１０と、パネル基材１１，１２との間に設ける。 - 特許庁

According to this arrangement, erosion on the surface of the electrode pad 12, which is generated because of the protruded object 12a generated by the contact with the probe pin, is suppressed whereby poor conduction between the electrode pad 12 and the rewiring layer 31 formed thereon can be prevented.例文帳に追加

これにより、プローブピンの接触によって発生した突起物１２ａにより生じる電極パッド１２表面の腐食が抑制され、電極パッド１２と、その上に形成させた再配線層３１との導通不良を防止することができる。 - 特許庁

Further, since a recording head part 40 is disposed between the overcoat layer 21 and an MR element 20, the conduction of the generated heat to the magneto-resistance effect element 40 becomes difficult to suppress a problem caused by the temperature increase thereof.例文帳に追加

さらに、記録ヘッド部４０が、オーバーコート層２１とＧＭＲ素子２０との間に設けられているので、発生する熱が磁気抵抗効果素子４０に伝わりにくくなって磁気抵抗効果素子４０の温度上昇による不具合が抑制される。 - 特許庁

This upper layer has on its top surface a plurality of well areas 103 of a 2nd conduction type a plurality of heavily doped source areas 104 of a 1st conductivity type, and a wavy part 202 which is formed by selective etching and parallel to the source areas.例文帳に追加

この上側層表面２０１に、第２導電型の複数のウエル領域１０３、第１導電型で高濃度ドープの複数のソース領域１０４、および選択エッチングで形成したソース領域に平行な波形部分２０２とを有する。 - 特許庁