「crystallization process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes the thermoplastically casting the alloy in either a continuous or batch process by maintaining the alloy at a temperature in a thermoplastic zone, which is below at temperature, Tnose, (wherein, the resistance to crystallization is minimum) and above the glass transition temperature Tg, followed by a quenching step where the item is cooled to the ambient temperature.例文帳に追加

この方法は、結晶化抵抗が最小である温度Ｔnoseより低くガラス転移温度Ｔｇより高い熱可塑ゾーン内の温度に合金を保持して連続処理またはバッチ処理する熱可塑鋳造を行なった後に、急冷工程により外囲温度にまで冷却する。 - 特許庁

The amorphous silicon film is formed on the upper surface of an insulating substrate, the amorphous silicon film is crystallized in a sequentially solidifying process that a laser beam is partially irradiated using the poly-crystallization mask 300 having a slit for a transmission area to form a poly-crystalline silicon thin film.例文帳に追加

絶縁基板の上部に非晶質シリコン薄膜を形成し、透過領域のスリットを有する多結晶用マスク３００を利用してレーザービームを局部的に照射する順次的凝固工程で非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a polycrystal silicon film improved in performance and quality by adjusting a laser power in a laser treatment process performing crystallization from an amorphous silicon film to a polycrystal silicon film to an optimum value, and to provide a semiconductor inspection apparatus.例文帳に追加

モルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜へ結晶化を行うレーザ処理工程でのレーザパワーをより最適値に合わせて、性能品質の向上した多結晶シリコン膜を安定して製造することが可能な半導体装置の製造方法および半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a master chip improving the moldability of a polyamide resin that can simply and economically produce a master chip capable of improving the crystallization and the releasability of the polyamide resin to thereby shorten the molding cycle and impart good tensile strength to a molded article of the polyamide resin.例文帳に追加

ポリアミド樹脂の結晶化と離型性とが改良されて成形サイクルを短縮でき、かつ成形品の引張強度が良好となるマスターチップを、簡便、かつ、経済的に得ることができるポリアミド樹脂用成形性改良マスターチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for nickel hydroxide powder of high tapping density for an alkaline secondary battery to make small a tapping density reduction amount from a raw powder as much as possible by coating uniformly cobalt hydroxide having excellent crystallization property on a particle surface of nickel hydroxide raw powder.例文帳に追加

結晶性の良い水酸化コバルトを水酸化ニッケル原料粉末の粒子表面に均一に被覆して、該原料粉末からのタップ密度減少量をできるだけ少なくする、高タップ密度のアルカリ二次電池用水酸化ニッケル粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass float process which is easy to carry out and can prevent the undesirable devitrifications in the edge regions to an extent such that neither do increased strains appear in a glass ribbon nor is a glass broken in an annealing oven even in the floating of glasses prone to crystallization (namely green glasses for production of glass ceramic plates).例文帳に追加

実施が容易であり、結晶化し易いガラスのフローティング（すなわちガラスセラミックプレートを製造するための未加工ガラス）でも、ガラスリボン中で歪が増大せず、しかも徐冷炉でガラスが割れないような程度まで縁領域の好ましくない失透を防止する、フロート方法を提供する。 - 特許庁

Next, in a reduction treatment process, the laminate is heated, and reduction gas is injected into a flow passage 22, the reducing treatment is carried out to the fuel electrode layer, and assembling of a fuel cell is completed by increasing the crystallization rate up to 70 to 100%.例文帳に追加

次いで、還元処理工程にて、積層体が加熱され且つ燃料流路２２内に還元ガスが流入されて、燃料極層に対する還元処理が行われるとともに、前記結晶化率が７０〜１００％まで増大させられて燃料電池の組立が完了する。 - 特許庁

This process for preparing the crystallized glass is a method of preparing the crystallized glass obtained by making a glass containing TiO_2 subjected to a phase splitting step and a crystallization step, where the phase splitting step has heat treatment of the glass at a temperature in the range from the glass transition temperature Tg to the glass transition temperature Tg+60°C.例文帳に追加

TiO_2を含有するガラスを分相工程及び結晶化工程を経て結晶化ガラスとする方法であって、前記分相工程が前記ガラスを該ガラスの転移温度Tgから該ガラスの転移温度Tg＋60℃までの範囲の温度で加熱することで行われる結晶化ガラスの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyphenylene sulfide efficiently improving tensile strength and weld strength without deteriorating heat resistance, chemical resistance, dimensional stability and the like intrinsic to the polyphenylene sulfide, and at the same time, effectively shortening a molding cycle in molding process by having high crystallization temperature.例文帳に追加

ポリフェニレンスルフィドの本来有する耐熱性、耐薬品性、寸法安定性などを損なうこともなく、引張強度やウエルド強度を効率よく高めると同時に、高い結晶化温度を持つことで成形加工時の成形サイクルの短縮にも有効なポリフェニレンスルフィドを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing an advantageous vegetable raw material plastic molded product to enable the molded product of the vegetable raw material plastic to be crystallized without biting and to simply assemble an obtained molded product to other member and to provide a jig for the crystallization.例文帳に追加

植物原料プラスチックの型成形品を食いつかせること無く結晶化させることができ、得られた型成形品の他の部材への組付けを簡単に行なう上で有利な植物原料プラスチック成形品の製造方法および結晶化用治具を提供する。 - 特許庁

When crystallizing a semiconductor layer 14 constituting a semiconductor device so as to reform an amorphous silicon film to a microcrystal silicon film or a polycrystal silicon film, an annealing process for crystallization is repeated more than once including pre-anneal processing and anneal processing.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体層１４について、非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質する結晶化にあたり、当該結晶化を行うためのアニール処理工程として、プレアニール処理およびアニール処理といった、複数回のアニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of producing a polyester resin pellet with excellent operability, by which a polyester in which polyester resin pellets are not fused to each other can be obtained, upon starting process of continuous crystallization, drying or solid phase polymerization of uncrystallized polyester resin pellets obtained by liquid phase polymerization.例文帳に追加

液相重合で得た未結晶のポリエステル樹脂ペレットを連続して結晶化、乾燥または固相重合の処理を開始する際に、樹脂ペレット同士の融着を生じないポリエステルを得ることができる、操業性に優れたポリエステル樹脂ペレットの製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, a previously crystallized resin is molded, and thus it is not necessary to hold the mold for the crystallization for a predetermined time, which restrains the fine structure from being deformed by heat and results in the improvement of the through-put of the molding process.例文帳に追加

本発明の構成によれば、あらかじめ結晶化された樹脂に対して成形を行うため、結晶化のために金型を一定時間保持することがないこととなり、微細な構造体が熱で変形すること抑制し、成形工程のスループットを向上させることが出来る。 - 特許庁

As for the manufacturing process of another company, details for which are not necessarily clear, the control of the temperature for TCPA crystallization from the post-reaction solvent is not so difficult technologically, and it seems to be a measure that can be introduced without too much of a cost burden. 例文帳に追加

また、製造プロセスについてはその詳細が明確ではない別の社については、反応後溶媒からのＴＣＰＡ晶析温度のコントロール等は技術的にさほど困難なものではなく、かつコスト的にも過重な負担を伴うことなく導入し得る対策であると考えられる。 - 経済産業省

As described above, the cleansing of Solvent Red 135 in the post-manufact ge does not significantly reduce HCB concentration. It is inferred that post-reaction cleansing only removes HCB on the surface of Solvent Red 135 and that it is difficult by this process to reduce the HCB taken into the crystallization. 例文帳に追加

以上のように、製造後のソルベントレッド１３５を洗浄してもさほど効果的に低減できていないことから、反応後の洗浄では表面のＨＣＢしか除去できず、結晶中に取り込まれたＨＣＢを低減させることは困難であると推察される。 - 経済産業省

Since the amorphous metal oxide of BiZnNb applied as a dielectric film exhibits a high dielectric constant even without proceeding a high-temperature heat treatment process for crystallization, it can be usefully used as a thin film capacitor of a laminated layers structure of a polymer base, such as a printed circuit substrate.例文帳に追加

誘電体膜として採用されるＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物は結晶化のための高温の熱処理工程がなくても、高い誘電率を示すため、印刷回路基板のようなポリマー基盤の積層構造物の薄膜キャパシターに有益に使用できる。 - 特許庁

To provide a method of producing polyamide without deterioration in quality by partially using the used polyamide which has been wasted in the conventional process, as the newly installing cost is saved low, without change in the production process and provide a method of increasing the crystallization velocity of the polyamide produced from the raw material including the recovered polyamide.例文帳に追加

設備新設等のコストを低く抑え、製造プロセスを変更せずに従来廃棄対象となっていた回収ポリアミドを廃棄することなく原料の一部として再利用して、品質を劣化させることなくポリアミドを製造する方法を提供すること、及び、回収ポリアミドを含む原料から得られたポリアミドの結晶化速度を増加させる方法を提供すること。 - 特許庁

The LSCO conductive thin film is formed by repeating a process that the composition is applied on a heat resistant substrate and heated in the air, an oxidizing atmosphere or a steam-containing atmosphere until a film having a desirable film thickness is obtained and firing the film at least during heating or after heating in the final process at a temp. equal to or above the crystallization temp.例文帳に追加

このＬＳＣＯ導電性薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するＬＳＣＯ導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

In the longitudinal orientation process in the manufacture of a biaxially oriented thermoplastic resin film, a longitudinal orientation temperature is Tg to Tg+30°C, a longitudinal draw ratio is 2.8-3.5, the degree of crystallization of the thermoplastic resin film after being passed through the longitudinal orientation process is 5-20%, and the thickness nonuniformity is 15% or below.例文帳に追加

本発明は、二軸延伸熱可塑性樹脂フィルムの製造における縦延伸工程において、縦延伸温度がＴｇ℃以上Ｔｇ＋３０℃以下であるとともに、縦延伸倍率が２．８倍以上３．５倍以下であり、かつ、縦延伸工程を経た熱可塑性樹脂フィルムの結晶化度が５％以上２０％以下であるとともに、厚みムラが１５％以下となる条件で行う。 - 特許庁

The method for producing ammonium metavanadate includes the oxidation process for preparing slurry containing ammonium metavanadate by supplying an oxidizing gas to slurry containing vanadium and ammonium sulfate to oxidize vanadium, and the crystallization process for depositing ammonium metavanadate, wherein oxidation of vanadium is performed at 20-60°C under pressure of 0.5-2 kg/cm^2(gauge pressure).例文帳に追加

バナジウム及び硫酸アンモニウムを含有するスラリーに酸化性ガスを供給してバナジウムを酸化してメタバナジン酸アンモニウム含有スラリーを調製する酸化工程と、メタバナジン酸アンモニウムを析出させる晶析工程とを包含するメタバナジン酸アンモニウムの製造方法であって、バナジウムの酸化を温度２０〜６０℃で、圧力０．５〜２Ｋｇ／ｃｍ^２Ｇの条件下で行うことを特徴とするメタバナジン酸アンモニウムの製造方法。 - 特許庁

A method for forming a polycrystalline film on a substrate comprises a step for providing the substrate, a step for depositing an amorphous silicon film on the substrate, a step for annealing the amorphous silicon film using a lateral direction crystallization process to create a polycrystalline film principally having a crystallographic orientation of <100>, and a step for polishing the polycrystalline film to prepare a film for further process.例文帳に追加

基板上に多結晶膜を形成する方法であって、前記基板を提供する工程と、前記基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜をアニーリングし、主に＜１００＞の結晶学的配向を有する多結晶膜を生成する工程と、前記多結晶膜を研磨してさらなるプロセスのための膜を調製する工程とを包含する、方法。 - 特許庁

The gate-electrode 2 is formed by a manufacturing method of a thin film, having a deposition process of amorphous layers and crystallization (recrystallization) process of the amorphous material.例文帳に追加

この際、１回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層６の積層構造体を得る。 - 特許庁

To prevent a temperature of an object to be treated in the case of irradiation from being raised each time of the irradiation, in a crystallization process of a semiconductor thin film which forms an irradiation region overlapped partially by using two or more laser oscillators of different oscillation wavelengths, and which performs the next irradiation so as to overlap with a part of the irradiation region.例文帳に追加

発振波長の異なる複数のレーザ発振器を用いて一部を重複させて照射領域を形成し、更にその照射領域の一部に重ねるよう次の照射を行う半導体薄膜の結晶化工程において、照射時の被処理物の温度が照射を重ねるごとに上昇することを防止する。 - 特許庁

Furthermore, since the partition part 34 having a plurality of recessed parts 34a and projected parts 34b is formed by crystallizing the wax by a crystallization process, the electrophoretic display medium 10 in which the deterioration of the display quality resulting from large deviation of charged particles is suppressed is easily manufactured.例文帳に追加

さらに、結晶化工程により、ワックスを結晶化させることにより、複数の凹部３４ａと凸部３４ｂとを有する隔壁部３４が形成されるので、帯電粒子の大きな片寄りに起因する表示品質の劣化を抑制した電気泳動表示媒体１０を容易に製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for operating a blast furnace with which even in the case of increasing the blending ratio of crystallization water-containing ore, the deterioration of permeability in a shaft part and a fusion zone in the blast furnace can be suppressed and further, adjustment can be performed by the blast furnace operation process independently by using an index which can be measured at any time.例文帳に追加

高結晶水鉱石の配合比率を増加させる場合であっても、高炉シャフト部および融着帯で通気性の悪化を抑制することができ、しかも、その調整を随時測定可能な指標を用いて高炉操業プロセス単独で行える高炉の操業方法を提供する。 - 特許庁

A mixing process is constituted to mix the first amorphous soft magnetic alloy powder having 30-100 μm of average particle size, the second amorphous soft magnetic alloy powder having 1-15 μm of average particle size, zinc stearate as a lubricating resin, and low-melting point glass of which the softening point is a crystallization temperature or less of each amorphous soft magnetic alloy powder.例文帳に追加

混合工程では、平均粒径が３０〜１００μｍが第１の非晶質軟磁性合金粉末と、平均粒径が１〜１５μｍの第２の非晶質軟磁性合金粉末と、潤滑性樹脂としてステアリン酸亜鉛と、軟化点が前記非晶質軟磁性合金粉末の結晶化温度以下の低融点ガラスを混合する。 - 特許庁

To provide a process for lithium manganese compound oxide for a positive active material having high crystallization property and stable crystal structure to improve a cycle characteristic of a lithium secondary battery using as the positive active material the lithium manganese compound oxide expressed by a constitutional formula LiMnO2 or Li1-XAXMnO2 (A represents alkali metal, 0<x≤0.5).例文帳に追加

組成式ＬｉＭｎＯ_2あるいはＬｉ_1-xＡ_xＭｎＯ_2（Ａはアルカリ金属、０＜ｘ≦０．５）で表されるリチウムマンガン複合酸化物を正極活物質に用いたリチウム二次電池のサイクル特性を改善すべく、結晶性が高く、結晶構造が安定した正極活物質用リチウムマンガン複合酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sealing material in which sufficient amount of crystal is deposited in the glass during the heat treatment process for raising the evacuating temperature of a flat display device or the like and at the same time which is excellent in flowability and low heat expansion property (after crystallization), in a sealing material which contains bismuth-based glass powder and refractory filler powder.例文帳に追加

ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、平面表示装置等の排気温度を上昇させるべく、熱処理工程でガラスに十分な量の結晶が析出するとともに、流動性と低熱膨張特性（結晶化後）が良好な封着材料を得ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a polyester composition excellent in a yarn-making property which can stably manufacture fiber which expresses high strength especially in a yarn-making process of one step in which orientation crystallization is controlled when manufacturing fiber using polyester manufactured mainly using a titanium catalyst.例文帳に追加

本発明の目的は、主にチタン触媒を用いて製造されたポリエステルを用いた繊維を製造する際に、配向結晶性が抑制された、特にワンステップの製糸工程において、高い強度を発現する繊維を安定して製造することが出来る製糸性に優れたポリエステルの組成物製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyester, excellent in fiber productivity, capable of stably producing fibers suppressed with orientation crystallization and exhibiting a high strength especially in one step yarn production process in producing the fibers by using the polyester produced by using mainly a titanium catalyst.例文帳に追加

本発明の目的は、主にチタン触媒を用いて製造されたポリエステルを用いた繊維を製造する際に、配向結晶性が抑制された、特にワンステップの製糸工程において、高い強度を発現する繊維を安定して製造することが出来る製糸性に優れたポリエステルの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an improve process for safely producing 4,5-diamino-1-(2'- hydroxyethyl)pyrazole and its acid addition salt by using a necessary minimum amount of an eco-friendly recoverable solvent while dispensing with the separation of many intermediates necessitating high-temperature, low-pressure distillation, crystallization and recrystallization and other expensive operations.例文帳に追加

高温、低圧蒸留、結晶化、再結晶及びその他コストのかかる操作による多くの中間体の単離を省き、環境受容性で回収可能な必要最小限の溶媒を用いて、安全に実施できる4,5-ジアミノ-1-(2’-ヒドロキシエチル)ピラゾール及びその酸付加塩の改良された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of electric property between a storage electrode and a lower electrode connected to the electrode or the like in the process of annealing for crystallization and oxidation treatment of a capacitor dielectric film and its manufacturing method, in a semiconductor device having a DRAM storage element and its manufacturing method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ型の記憶素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ誘電体膜の結晶化アニールや酸化処理の工程における蓄積電極とこれに接続される下部電極等との間の電気特性の劣化を防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurities-including 1-mthyl N-[N-[3-(2-hydroxy-substituted phenyl)propyl]-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine derivative, in one embodiment, 1-mthyl-N-[N-[3-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl)propyl]-L-αaspartyl]-L- phenylalanine, is subjected to the crystallization process whereby the derivative is crystallized.例文帳に追加

不純物を含み、Ｎ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル等のＮ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−置換フェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル誘導体を晶析工程に付して、当該誘導体を結晶化せしめる。 - 特許庁

The method of manufacturing ferroelectric thin film comprises a process to form a fine crystal core 40 of an oxide, by irradiating an amorphous oxide thin film 30 formed on a substrate 10 with pulse layer beam or lamp beam and a process to form a ferroelectric 50, through crystallization of the oxide by irradiating the thin film including fine crystal core 40 with the pulse laser beam or a lamp beam.例文帳に追加

本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板１０上に形成された非晶質の酸化物薄膜３０にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核４０を形成する工程と、前記微結晶核４０を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体５０を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide film includes a process for depositing the precursor substance for forming the metal oxide film on the substrate 10 and forming a precursor film subjected to the treatment for accelerating the crystallization of the precursor substance or containing a seed, and a process for forming the metal oxide film 12 by crystallizing the precursor film by subjecting it to plasma treatment.例文帳に追加

また、本発明は、金属酸化物膜を形成させるための前駆体物質を基材１０に付着させ、前記前駆体物質の結晶化を促進する処理が施された、またはシードを含む前駆体膜を形成する工程と、基材１０に付着した前駆体膜を、プラズマ処理することにより、前駆体膜を結晶化させ金属酸化物膜１２とする工程とを含む金属酸化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This process comprises adding a metal hydroxide having water of crystallization such as aluminum hydroxide or magnesium hydroxide to a substantially linear ethylene/α-olefin copolymer prepared by polymerization in the presence of a single-site catalyst, kneading the mixture with a mixer, further kneading the resulting mixture by passing it through heating rolls, and pelletizing the thus obtained mixture by means of a pelletizer.例文帳に追加

シングルサイト触媒により重合して成る実質的に直鎖状であるエチレン／αオレフィン共重合体に、水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウムなどの結晶水を持つ金属水酸化物を添加し、これをミキサーにより混練した後、さらに加熱ロール間に通して混練し、かくして得られた混練物をペレタイザーにてペレット化する。 - 特許庁

To provide a processed pigment stably microparticulated at high level, wherein when the pigment is used as a color material for a wide variety of articles, the melting, agglomeration and crystallization of the pigment is prevented from occurring due to heat even during a process of manufacturing the article, and the particles dispersed is not out of shape due to the heating, thereby obtaining high-definition display device and the article having high designability.例文帳に追加

高いレベルで安定して微粒子化されており、各種製品の色材として用いた場合に、製品の製造工程においても熱による顔料の融解や凝集、結晶化がなく、熱によって分散した微粒子形状が崩れることがなく、高画質の表示機器および高意匠性の物品が得られる加工顔料の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加

短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing the plasma into contact with the amorphous silicon layer 114, and performing a crystallization process to convert the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114'.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystalline thermoplastic resin molded object improved in heat-resistant rigidity, by improving the degree of crystallization of a thermoplastic resin and fusion peak temperature due to DSC in a process for molding the crystalline thermoplastic resin, and to provide the thermoplastic resin molded object improved in heat-resistant rigidity obtained thereby.例文帳に追加

、結晶性の熱可塑性樹脂の成形工程において、熱可塑性樹脂の結晶化度、ＤＳＣによる融解ピーク温度の改良を行うことにより、耐熱剛性の改良された熱可塑性樹脂成形体を製造する方法、及び、それによって得られた耐熱剛性の改良された熱可塑性樹脂成形体の提供 - 特許庁

In order to crystallize the neck part by heating on the occasion of molding a preform, a heating device h is attached to neck part molds 7a and 7b consisting of splits, while the preform neck part made to fit to a core mold 7 is spaced minutely from the core mold to prevent excessive cooling of the preform in the process of crystallization of the neck part.例文帳に追加

プリフォームの成形時にネック部を加熱して結晶化させるために、割型からなるネック部金型７ａ、７ｂに加熱装置ｈを付設するとともに、コア金型７に被着されているプリフォームネック部の結晶化進行中にコア金型から微小間隙を空けることによりプリフォームの過冷却を防止するようにしたこと。 - 特許庁

To detect the lateral crystal growth process and lengths and widths of lateral growth crystal grains, realize uniform lateral crystal length in the predetermined region of semiconductor film through feedback control from the detecting inforamtion obtained, and continuously realize reliable growth of lateral crystal grains with the SLS (Selective Laser Sintering) method, for the crystallization of a semiconductor film by irradiation of laser.例文帳に追加

レーザ照射による半導体膜の結晶化において、横方向結晶成長過程および横方向成長結晶粒の長さや幅を検知し、得られた検知情報からフィードバック制御を行って半導体膜の所望の領域に一様な横方向結晶長さを実現し、ＳＬＳ法で確実に横方向結晶粒を引き継いで成長させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the reproduced all-solid battery includes a crystallization process of forming a reproduced solid electrolyte layer by crystallizing amorphous Li ion conductive sulfur glass by heating a solid electrolyte layer before reproduction which includes the amorphous Li ion conductive sulfur glass.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを含む再生前固体電解質層を加熱することにより、上記アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを結晶化し、再生化固体電解質層を形成する結晶化工程を有することを特徴とする再生化全固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing ammonium metavanadate includes the oxidation process for preparing slurry containing ammonium metavanadate by supplying an oxidizing gas to slurry containing vanadium and ammonium sulfate to oxidize vanadium, and the crystallization process for depositing ammonium metavanadate, the oxidizing gas is supplied by introducing pressurized slurry, in which the oxidizing gas is dissolved under pressure, to the slurry kept at 20-60°C under atmospheric pressure.例文帳に追加

バナジウムを含有するスラリーに酸化性ガスを供給してバナジウムを酸化してメタバナジン酸アンモニウム含有スラリーを調製する酸化工程と、メタバナジン酸アンモニウムを析出させる晶析工程とを包含するメタバナジン酸アンモニウムの製造方法であって、大気圧下に置かれ且つ２０〜６０℃に維持された前記スラリーに酸化性ガスが加圧溶解された加圧スラリーを導入することにより酸化性ガスの供給を行うことを特徴とするメタバナジン酸アンモニウムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁