「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

The switching control means 11 waits until a zero-cross signal is inputted from the zero-cross detection circuit 12 after a request-for-heating signal is inputted, and starts the on/off operation of the switching element 8 at a point where the voltage of the alternate current power source 1 gets zero.例文帳に追加

スイッチング制御手段11は、加熱要求信号が入力された後、ゼロクロス検知回路12から出力されるゼロクロス信号が入力されるのを待ち、交流電源１の電圧がゼロになったところからスイッチング素子８のオン・オフ動作を開始させる。 - 特許庁

A diode D1, a resistance R2, and a coil L1 as an inductance element are connected in series as a current supply circuit between power lines on the input side of the slow start circuit, and one end on the resistance R2 side of the coil L1 is connected to the gate of the TR Q2.例文帳に追加

スロースタート回路の入力側の電力ライン間に電流供給回路としてのダイオードＤ１と抵抗Ｒ２とインダクタンス素子としてのコイルＬ１を直列に接続し、コイルＬ１の抵抗Ｒ２側の一端をトランジスタＱ２のゲートに接続する。 - 特許庁

On an inner circumferential surface of the heating element 3, a plurality of fin-like partitions 5 are provided at intervals in the circumferential direction, which are elongated vertically, pass through the current path 10 and have higher electrical conductivity and heat conductivity than those of the conductive liquid 1.例文帳に追加

発熱体３の内周面には、上下方向に細長く且つ電流パス１０を貫通させると共に導電性液体１よりも電気伝導率と熱伝導率が高いフィン状仕切り５が周方向に間隔をあけて複数設けられている。 - 特許庁

A power voltage level to be supplied to an anode line driver is adjusted, according to a difference value between an ideal voltage drop and a voltage drop, caused by the anode line driver for supplying the drive current for making each light-emitting element emit light, to the anode line of the light-emitting panel.例文帳に追加

発光素子各々を発光させる駆動電流を発光パネルの陽極線に供給する陽極線ドライバで生じる電圧降下値と、理想電圧降下値との差分値に応じて陽極線ドライバに供給すべき電源電圧の値を調整する。 - 特許庁

The secondary control circuit is so connected as to switch the switching element in response to a difference between a desired output value and an actual output value so that an electric current indicating a difference between a desired output value and an actual output value is forcibly flowed through the third winding.例文帳に追加

二次制御回路は、所望の出力値と実際の出力値との差に応答して切換素子を切換えて、所望の出力値と実際の出力値との差を表わす電流が第３の巻線に強制的に流入するように結合される。 - 特許庁

In the electro-optical device, a capacitor for charge storage is provided between a source electrode and a gate electrode of a driving transistor, which is between power sources, so that the driving transistor can control a driving current even when the electro-optical element is connected to the source side of the driving transistor.例文帳に追加

電気光学装置は、電源間であって駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に電荷保持用のキャパシタを設けて、電気光学素子が駆動トランジスタのソース側に接続されても駆動トランジスタが駆動電流を制御できるようにした。 - 特許庁

Load characteristics approximate to those of an LED where the load current rises at a desired set voltage Vset can be achieved without being affected by the temperature or the characteristic variation of an element, by providing an electronic load unit 2 which operates as a constant voltage load.例文帳に追加

定電圧負荷として動作する電子負荷部２を設けることによって、温度や素子の特性ばらつきなどの影響を受けることなく、所望の設定電圧Ｖｓｅｔで負荷電流が立ち上がるＬＥＤに近似した負荷特性を実現できる。 - 特許庁

The state that the generated electrical power is not regenerated at the power supply 152 is realized by controlling an operation of a switching element of an inverter 146 and short-circuiting between the current-carrying terminals of the motor 54 to make the inverter 146 act as the second regenerative electrical power reducing device.例文帳に追加

例えば、インバータ１４６のスイッチング素子の作動を制御して、モータ５４の通電端子間を短絡させることで、発電電力が電源１５２に回生されない状態を実現し、インバータ１４６を第２回生電力低減装置として機能させる。 - 特許庁

The current crisis showed that the stability of the financial system of each country is an important element for the stability and growth of the macro economy, and that a problem associated with one country’s financial system can destabilize the entire international financial system, as well as the global economy. 例文帳に追加

今般の危機は、各国の国内金融システムの安定がその国のマクロ経済の安定・成長の重要な要素であることに加え、一国の金融システムの問題が国際金融システム全体や世界経済の不安定化をもたらすことを明らかにしました。 - 財務省

Element conductors and cooling pipes 10 are arranged into a plurality of layers, the cooling pipes 10 are divided circumferentially, and the divided water-cooling pipes 10A and 10B are electrically insulated from each other by insulating layers to reduce eddy current losses produced in the cooling pipes.例文帳に追加

素線８及び冷却管１０を複数層に配置し、冷却管１０を周方向に分割し、分割された水冷管１０Ａと水冷管１０Ｂとの間を電気的に絶縁層で絶縁し、冷却管に発生する渦電流損を低減する。 - 特許庁

Two MOS transistors operating as the variable impedance element are connected in series, and when a voltage of a battery 1 reaches its prescribed voltage, a charging current of the battery 1 is switched to a p-channel MOS transistor 35 and n-channel MOS transistor 36 side to be bypassed.例文帳に追加

可変抵抗素子として動作するＭＯＳトランジスタを２個直列に接続し、電池１の電圧が所定の電圧に到達すると、電池１の充電電流がＰチャネルＭＯＳトランジスタ３５とＮチャネルＭＯＳトランジスタ３６側に切り替わりバイパスされる。 - 特許庁

An integrated circuit IC for power supply control generates a switching signal based on a feedback signal from a feedback circuit 25 and a voltage signal from an input terminal IS for current detection, and outputs the switching signal from an output terminal OUT to a switching element Q1.例文帳に追加

電源制御用の集積回路ＩＣは、フィードバック回路２５からのフィードバック信号と電流検出用の入力端子ＩＳからの電圧信号を基にスイッチング信号を生成して、出力端子ＯＵＴからスイッチング素子Ｑ１に出力する。 - 特許庁

An inverter circuit 3 has an inverter-circuit protective device 5 controlling the application of a high voltage to the inverter circuit 3 by making a current flow through the bypass resistance element R1 when a DC voltage input to the inverter circuit 3 reaches a threshold value or more.例文帳に追加

インバータ回路３は、インバータ回路３に入力されるＤＣ電圧が閾値以上になった場合にバイパス抵抗素子Ｒ１に電流を流すことにより、インバータ回路３に高電圧が印加されないように制御するインバータ回路保護装置５を備える。 - 特許庁

To provide a III-V nitride semiconductor laser structure which can improve the yield and reliability of elements by suppressing crystal defects and cracks, can emit laser light well shaped in a fundamental lateral mode, and has a low element resistance and threshold current.例文帳に追加

結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for an electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed easily and uniformly with good adhesiveness on a holed current collector having a top-reverse penetration hole such as, particularly, punching metal and expand metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DC-DC converter device which can perform a wide range of power control with high efficiency and low noise, while suppressing the excessive rise of the peak value of the current flowing to a switching element even in case that the range of input DC power voltage is wide.例文帳に追加

入力直流電源電圧範囲が広い場合でもスイッチング素子に流れる電流のピーク値の過剰な上昇を抑制しつつ、高効率かつ低ノイズで広範囲な電力制御を行なうことができるＤＣ−ＤＣコンバータ装置を提供する。 - 特許庁

In this image forming device having joints sealed with an adhesive, a current-carrying heating element 2 formed previously for heating an adhesive 10 is provided at a part of each bonded member tightly fitted to the adhesive 10.例文帳に追加

接着材で封着した接合部を有する画像形成装置において、接合される部材の前記接着材１０に密着する部分に、前記接着材を加熱するために予め形成された通電発熱体２を有することを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

A resistance value of a resistance array 10 is set based on the output signal of the decoder circuit 8, and a current value supplied to the organic EL element of the organic EL display 1 is controlled based on the resistance value, and the luminance of the organic EL display 1 is controlled.例文帳に追加

デコーダ回路８の出力信号に基づいて抵抗アレイ１０の抵抗値が設定され、この抵抗値に基づいて、有機ＥＬディスプレイ１の有機ＥＬ素子に供給される電流の値が制御されて、有機ＥＬディスプレイ１の輝度が制御される。 - 特許庁

Thereby, even in such a case, P-channel type MOS transistor biased by the constant current to N-channel type MOS transistor of a complementary type source follower circuit 15 of an output stage can realize an equivalent circuit, matched with a configuration which is connected as a load element.例文帳に追加

これにより、上記のような場合でも、出力段の相補型ソースフォロア回路１５のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタに、定電流バイアスされたＰチャネル型ＭＯＳトランジスタが負荷素子として接続される構成と同等の等価回路を実現することができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

This peak determining processing portion 26 makes an interrupt processing portion 27 perform an interrupt process and outputs a drive signal "drive" that turns off the switch element to a drive signal generating portion 28, for example, when the sampling value Isw(n) of the switch current is determined as having exceeded the target value Iref(n).例文帳に追加

ピーク判定処理部２６は例えば、スイッチ電流のサンプリング値Ｉsw(n)が目標値Ｉref(n)を越えたことを判定すると割込み処理部２７に割込み処理を行わせ、駆動信号生成部２８にスイッチ素子をターンオフさせる駆動信号driveを出力させる。 - 特許庁

In addition to a conventional non-oriented leak detection function of a leak ground fault detection element, phase discrimination of a leak current detected with a voltage between an electric path and ground as a reference is performed and, when it is determined as an adoption operation, an alarm output of a leak detection device is stopped.例文帳に追加

漏電地絡検出要素の従来の無方向漏電検出機能に加えて、電路対地間電圧を基準に検出した漏洩電流の位相判別を行い貰い動作状態と判定した時は漏電検出装置の警報出力を停止する。 - 特許庁

The threshold voltage of the element is prevented from varying since an impurity activating process for the source/drain area can be omitted, and no determination defect of the substrate is generated since the impurities are diffused in a solid state, so that a leak current flowing through a joint can be reduced.例文帳に追加

ソース／ドレーン領域の不純物活性化工程が省略できるので素子のスレショルド電圧変動を防止でき、固体状態で不純物を拡散させるために基板の決定欠陥が発生せず、よって接合を通じた漏れ電流を減らせる。 - 特許庁

In normal charging, when a terminal voltage of the battery 10 falls below a reference voltage, a first switching element 8 is conducted by a signal from a first comparative circuit 7, so that a second switching device 9 is also conducted to run a charging current through the battery 10.例文帳に追加

通常の充電時には、バッテリ１０の端子電圧が基準電圧よりも低下すると、第１の比較回路７からの信号で第１スイッチ素子８が導通し、これによって第２スイッチ素子９も導通してバッテリ１０に充電電流が流れる。 - 特許庁

This judgement extends and contracts a stroke by electric charge quantity that a piezoelectric element is supplied, when a load works and the stress works, the stroke cannot be freely extended and moving quantity of electric charge is reduced, and it is based on sudden lowering of the electric current.例文帳に追加

この判定は、圧電素子が供給される電荷量によってストロークを伸縮させ、負荷が作用して応力が作用すると、自由にストロークを延ばすことができなくなって電荷の移動量は少なくなり、電流が急激に低下することに基づく。 - 特許庁

In this case, the driving current of the DBR part 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is made to match with the phase matching wavelength of the light wavelength conversion element 22 and a generated higher harmonic wave P2 is adjusted to be kept constant.例文帳に追加

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。 - 特許庁

It is also preferable that the semiconductor light-emitting element includes: a first electrode electrically connected to the substrate or the n-type semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the current introducing layer, wherein an anode electrode serves as the first electrode and a cathode electrode serves as the second electrode.例文帳に追加

また、基板またはｎ型半導体層に電気的に接続する第１の電極と、電流導入層に電気的に接続する第２の電極とを含み、第１の電極がアノード電極であり、第２の電極がカソード電極であることが好ましい。 - 特許庁

The magnetic impedance effect element comprises a magnetic thin film 3 generating a variation of impedance through an external field by supplying a high frequency current, and means 4 for imparting a bias field to the magnetic thin film 3 wherein a marker 8 indicating the imparting direction (arrow B) of bias field is provided.例文帳に追加

高周波電流を通電して外部磁界によりインピーダンスの変化を発生する磁性薄膜３と、この磁性薄膜３にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段４とを備え、バイアス磁界の付与方向（矢印Ｂ方向）を表示するマーカ８を設けた。 - 特許庁

The heating face 5 of the planar heating element 1 is divided in a plurality of blocks, and a voltage drop portion by electric resistance in each block is adjusted by a distance between branch electrodes and branch electrode width so that current density is constant or almost constant on the whole heating face 5.例文帳に追加

面状発熱体１の発熱面５を複数のブロックに分け、発熱面５全体で電流密度が一定または略一定になるように、各ブロックにおける電気抵抗による電圧降下分を枝電極間距離および枝電極幅により調整する。 - 特許庁

A detection element switching circuit 25 switches the detection resistance values of the detection elements 20, based on device identification information from the device identification means 31 of a current identification signal output circuit or a device identification structure or the like disposed in a disk device section 3.例文帳に追加

検出素子切替回路２５は，ディスク装置部３に設けられた電流識別信号出力回路または装置識別構造等の装置識別手段３１からの装置識別情報に基づき，検出素子２０における検出抵抗値を切り替える。 - 特許庁

To provide a high reliability semiconductor element which uses a film made of refractory metal, alloy made of refractory metal, silicide of refractory metal, and nitride of Ti, Ta, W, and Ti-W alloy, for a contact barrier layer, a gate electrode or the like, and reduces a leakage current of itself.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, a plurality of beam spots are formed by turning toward a recording layer of the optical recording medium with light wave and the recording layer is retrieved by plotting loci at which the beam spots are not overlapped.例文帳に追加

半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給され、光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットが形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いて記録層が検索される。 - 特許庁

One current limiting element is provided commonly for an equalize-circuit for a pair of bit lines of one side and an eaualize-circuit for a pair of bit lines of the other side, and a bit line pre-charge potintial is supplied to equalize-circuits of both sides.例文帳に追加

シェアードセンスアンプにおける、一側のビット線対用のイコライズ回路と、他側のビット線対用のイコライズ回路とに対し、共通に１つの電流制限素子を設け、電流制限素子を通して、両方の側のイコライズ回路にビット線プリチャージ電位を供給する。 - 特許庁

When DC voltage Vin applied to a voltage input part 11 is monitored and flow-in of voltage surge is detected, a switch element 17 in a bypass circuit 16 is compulsorily opened, and bypassing via a current limiting resistor 15 by the bypass circuit 16 is canceled.例文帳に追加

電圧入力部１１に印加される直流電圧Ｖｉｎを監視して、電圧サージの流入を検出すると、バイパス回路１６内のスイッチ素子１７を強制的に開いて、バイパス回路１６による電流制限用抵抗１５のバイパスを解除する。 - 特許庁

A current collecting element 5, which is arranged with a positive electrode 2 and a negative electrode 3 face to face via a separator 4, is sealed with film-like laminate bodies 9 formed by covering a metal thin film 6 with an inner laminate resin 7 and an outer laminate resin 8 to form a battery device 1 of a laminate case.例文帳に追加

セパレータ４を介して陽極２と陰極３を対向させた集電素子５を、金属薄膜６を内側ラミネート樹脂７と外側ラミネート樹脂８とで被覆したフィルム状のラミネート体９で密封して、ラミネートケースの蓄電装置１を形成する。 - 特許庁

Moreover, the control circuit 4 chooses a continuing control mode which controls a switching element Q1, so that idle period does not occur in flowing current in an inductor L1 in that period, in which it is below the mode change voltage set up to the minimum voltage or lower of an electric power stopping control range.例文帳に追加

また、制御回路４は、停電力制御範囲の下限電圧以下で設定されたモード切換電圧以下である期間にはインダクタＬ１を流れる電流に休止期間が生じないようにスイッチング素子Ｑ１を制御する連続制御モードを選択する。 - 特許庁

At least one of inductance, electrostatic capacity and oscillation frequency is variably controlled to make the phase angle of impedance always constant, and a reference signal is added to a detected current signal to detect the resistance change of the resistance element 4.例文帳に追加

インピーダンスの位相角が常に一定となるようにインダクタンス、静電容量および発振周波数のうち少なくともいずれか一つを可変制御し、検出された電流信号に基準信号を加算して前記抵抗素子４の抵抗変化を検出する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device that has improved insulating characteristics and has a large on/off ratio of current flowing between source and drain electrodes, to provide a manufacturing method of the organic semiconductor device, and to provide a display element having the organic semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン／オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層４５におけるＧａ欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ１を製造することができる。 - 特許庁

Variations in distribution of the element for observation caused by current stress are microscopically observed using electron beam or X-ray, thereby the diffusion route of the wiring metal being estimated.例文帳に追加

配線を構成する原子とは異なる観察用元素をあらかじめ配線内に局所的に分布させておき、電流ストレスによる観察用元素分布の変化を電子線あるいはＸ線を用いて顕微鏡観察することにより、配線金属の拡散経路を推定する。 - 特許庁

A determination circuit 260 determines a magnitude relationship between a voltage of a determination target signal LPFO, which is obtained on the basis of a signal resulting from converting a drive current outputted from a sensor element 4 into a voltage by an I/V conversion circuit 200, and a determination voltage.例文帳に追加

判定回路２６０は、センサー素子４が出力する駆動電流がＩ／Ｖ変換回路２００により電圧に変換された信号に基づいて得られる判定対象信号ＬＰＦＯの電圧と判定電圧との大小関係を判定する。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

Moreover, the voltage detection circuit 40 includes a setting unit 52 which, when the voltage level of an output terminal of the differential amplifier 42 is at the H level for turning on the control transistor 46, turns off a measurement switch element 54 to connect a measurement current source 60 to the other end of the resistor 48.例文帳に追加

さらに、差動増幅器４２の出力端子の電圧レベルが制御トランジスタ４６をオンさせるＨレベルとなるタイミングで、測定切替素子５４をオフし、測定電流源６０を抵抗素子４８の他方端に接続するする設定部５２を含む。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are connected via the electrodes 2 for forming the connection circuit of the thermoelectric conversion element and the inner substrate 3 is set to be a heat-absorption-side substrate by allowing current to flow to the connection circuit to set the outer substrate 4 to be a heat-radiation-side substrate.例文帳に追加

これらの電極２を介して熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を接続して熱電変換素子の接続回路を形成し、該接続回路に電流を流すことにより内側基板３を吸熱側基板と成して外側基板４を放熱側基板と成す。 - 特許庁