「diffused-junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce a junction leakage current between silicon substrate and impurity diffused layer, in a semiconductor device equipped with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を備える半導体装置において、シリコン基板と不純物拡散層との間の接合リーク電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

Then, the impurities are diffused into the semiconductor substrate by rapid heat treatment by a solid-state diffusion method for the formation of a shallow junction.例文帳に追加

次いで、急速熱処理を通じて半導体基板に固体状態拡散法でｉｍｐｕｒｉｔｙを拡散させて浅い接合を形成する。 - 特許庁

The porous plate is connected to the parent material 1 by diffused junction after forming the through hole by using a photolithographic method.例文帳に追加

多孔板は、フォトリソグラフィ法を用いて貫通孔を形成した後、拡散接合によって母材１に接合されている。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

The second metal surface layer 14 of the board body 12 and a heat sink 15 are joined by diffused junction.例文帳に追加

基板本体１２の第２金属表層１４と、放熱板１５とは、拡散接合によって接合されている。 - 特許庁

The opening constituting member 22 is fixed to the combination window main body 21 by diffused junction or brazing or the like.例文帳に追加

開口部構成部材２２は、拡散接合あるいはろう付け等によって結合窓本体２１に固定される。 - 特許庁

In this state, a heat treatment is performed, whereby phosphorus is diffused extending over from the parts 7 to the parts of the surface of the substrate 1 and a shallow junction of source and drain diffused regions 5 are formed.例文帳に追加

この状態で、熱処理を行うことにより、ライズドソース・ドレイン部７から基板１の表面にリンを拡散させ、浅い接合のソース・ドレイン拡散領域５を形成する。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

In other words, the depth of the junction of the source/drain diffused layer 6 can be controlled with the depth of the crystal confused layer, and a shallow junction can be obtained easily.例文帳に追加

即ち、結晶状態が乱された領域の深さでソース／ドレイン拡散層の接合の深さを制御することができ、容易に浅い接合が得られる。 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The silicon substrate and source/drain diffused layers of the same conductivity-type as with the silicon substrate 1 are isolated electrically from each other by a P-N junction, so that the silicon substrate 1 and the source/drain diffused layers can be prevented from being short-circuited through the intermediary of metal wiring layers 14-1 and 14-2.例文帳に追加

シリコン基板と、この基板と同じ導電型のソース・ドレイン拡散層とをＰＮ接合によって電気的に分離できるので、金属配線層１４−１，１４−２を介してシリコン基板とソース・ドレイン拡散層とが短絡するのを防止できる。 - 特許庁

By causing the potential at the area where the impurity is diffused to float, the charges generated by the light made incident to the scribe of the sensor can be stored efficiently in the P-N junction, constituted of the area containing the diffused dopant and semiconductor substrate.例文帳に追加

前記半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域の電位をフローティングとすることで、半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域と半導体基板で構成するPN接合に、スクライブに入射した光により発生する電荷を効率良く蓄積することができる。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加

Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a high heat resistant silicide film on gate electrodes and a silicide film, providing a satisfactory junction leakage characteristic on a diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極上には耐熱性の高いシリサイド膜を、拡散層上には良好な接合リーク特性が得られるシリサイド膜を有する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent the occurrence of crystal failure in a diffused layer after laser light is given for laser trimming without dropping the degree of integration of an element subject to laser trimming, and to suppress leakage current at a PN junction.例文帳に追加

レーザートリミング対象素子の集積度を低下させないで、レーザートリミングのレーザー光照射による拡散層の結晶欠陥発生を防止して、ＰＮ接合部のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

The low-temperature diffused junction of the electrode to the substrate is carried out by pressure heating at low temperature the substrate with the electrode in which the electrode of the metal thin film is formed in the insulative substrate.例文帳に追加

絶縁性の基板上に金属薄膜の電極が形成された電極付き基板を低温で加圧加熱して基板に電極を低温拡散接合する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an impeller with a shroud that facilitates a cutting process for a blade (that is, passage processing), and that allows the diffused junction.例文帳に追加

翼の削りだし加工（すなわち流路の加工）を容易にするとともに、拡散接合をすることができるシュラウド付インペラーの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a flashlight 3 heats the whole top surface of an object 50 to be inspected, the heat is conducted toward the inside of an upper metal plate, passes through a junction, and is conducted to and diffused in a lower metal plate.例文帳に追加

フラッシュライト３により検査対象物５０の上面全体を加熱すると、その熱が上側の金属板の内部に向かって伝導し、接合部を通過して、下側の金属板へ伝導し拡散する。 - 特許庁

The heat generated at the pn junction of the ESD protective element and conducted through the contact 12 is simultaneously diffused in three directions through the first metal wiring 21 and the second metal wiring 22 in the metal layer 13 and radiated to the pad.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子のｐｎ接合部で発生し、コンタクト１２を伝導してきた熱は、金属層１３において第１金属配線２１と第２金属配線２２を通って３方向に同時に拡散され、パッドに放熱される。 - 特許庁

The titanium monosilicide part 106 has a curvature which is smaller than that of a titanium monosilicide part which is formed in conventional cases, and a junction leakage is not generated between the titanium monosilicide part 106 and the diffused layer 102.例文帳に追加

このチタンモノシリサイド１０６は、従来形成されていたチタンダイシリサイドよりも曲率が小さく、拡散層１０２との間接合リークを発生させない。 - 特許庁

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

To remedy the junction leakage current of a MOSFET against which the depth reduction of a diffused layer is contrived.例文帳に追加

本発明は、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴにおいて、接合リーク電流を改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The n-type layer has a charge output portion which is diffused from the pn junction to the substrate surface, and the charge output is connected in a circuit to an MOS transistor for charge read-out.例文帳に追加

Ｎ型層はＰＮ接合部分から基板表面まで拡散された電荷出力部分を有しており、当該部分は電荷読み出し用のＭＯＳトランジスタに回路的に接続されている。 - 特許庁

The junction wafer inspection method includes the steps for diverging a laser beam (S100); diffusing the diverged laser beam by a laser diffusion means (S200); irradiating the junction wafer with a diffused laser beam (S300); and detecting the laser beam with which the junction wafer is irradiated and which is transmitted therethrough (S400).例文帳に追加

接合ウェハ検査方法は、レーザービームを発散するステップ（Ｓ１００）、発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップ（Ｓ２００）、拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップ（Ｓ３００）、及び、接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップ（Ｓ４００）を含む。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the bearing 2 and the housing 3 can be fixed by diffused junction using a bonding material 4 composed of tin, tin alloy, silver or silver alloy and the bearing 2 and the housing 3 can be fixed with excellent strength by the fixing method.例文帳に追加

このため、錫、錫合金、銀、あるいは銀合金からなる接合材４を用いた拡散接合により、軸受２とハウジング３とを固定することができ、かかる固定方法によれば、軸受２とハウジング３とを強い強度をもって固定することができる。 - 特許庁

To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a double-probe-type flaw detector with transmission and reception probes, ultrasonic waves are directly applied to a junction surface to be diffused at 45 degrees, and a reflection wave being reflected once on the surface of a material whose flaw is to be detected is captured while changing the distance between the two probes.例文帳に追加

発信探触子と受信探触子を備えた２触子式探傷器を使用して、超音波を被拡散接合面に対して４５度の角度で直接照射し、二つの探触子間の距離を変えながら被探傷材の表面で１回反射させた反射波を捕捉する。 - 特許庁

A lower base 2 comprising metal is jointed with an upper base 3 similarly comprising metal by brazing, soldering, or diffused junction to be integrated with it, so that heat conductivity between both bases 2, 3 becomes favorable, and that the damage of a heater by local temperature rise can be prevented.例文帳に追加

金属からなる下側ベースと同じく金属からなる上側ベースとをろう付け、はんだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合し、一体化する構造とすることにより、両ベース間の熱伝導性が良くなり、局部的な昇温によるヒータの損傷をも防止できる。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A second p-type drift layer 64 is formed, that is diffused into an epitaxial semiconductor layer 51 deeper than a first drift layer 65, is extended from the lower portion of the first drift layer 65 to that of the gate electrode 54, and forms a pn junction with the body layer 63 at the lower portion of the gate electrode 54.例文帳に追加

第１のドリフト層６５より深くエピタキシャル半導体層５１の中に拡散され、第１のドリフト層６５の下方からゲート電極５４の下方へ延びて、このゲート電極５４の下方でボディ層６３とＰＮ接合を形成するＰ型の第２のドリフト層６４が形成されている。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Conductive films 10, 13 are formed on a lower surface of the outer frame of the intermediate crystal plate, metal thin films 16, 18 are formed on an upper surface of the lower crystal substrate and airtightly joined together by diffused junction after being mutually sanctified and activated by plasm processing.例文帳に追加

中間水晶板の外枠下面には導電膜１０，１３が形成され、下側水晶基板の上面には金属薄膜１６，１８が形成され、互いにプラズマ処理により清浄化・活性化した後、拡散接合により気密に接合される。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁