「diffusion electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the fuel cell which uses a high polymer molecule film for an electrolyte and is equipped with an electrode having a catalyst layer on both sides of the above electrolyte and with a gas diffusion layer at the external surface of the catalyst layer, the electrode for fuel cells and the fuel cell using it, use a water repellent material which is not made fibrous to the above gas diffusion layer at least for one of the electrodes.例文帳に追加

電解質に高分子膜を用い、前記電解質の両面に触媒層とその触媒層の外面にガスス拡散層を有する電極を備えた燃料電池において、少なくとも一方の電極において前記ガス拡散層に繊維化しない撥水材を用いることを特徴とする燃料電池用電極およびそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4.例文帳に追加

太陽電池１００においては、第一導電型の半導体太陽電池基板１の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層６５が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極４が複数形成され、該フィンガー電極４の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

The fuel battery cell has a cell structure in which a membrane electrode assembly 10 having electrodes 12A, 12B installed on both sides of a polymer electrolyte membrane 11 is interposed by two adjoining separators 20, 30 through a gas diffusion layer which is arranged contacting the electrodes, and has a gasket arranged between each separator on the surrounding of the electrode and the electrolyte membrane.例文帳に追加

高分子電解質膜１１の両面に電極１２Ａ，１２Ｂが設けられた膜電極接合体１０を電極に当接して配置されたガス拡散層を介して隣接する２つのセパレータ２０，３０で挟持してなるセル構造を備え、電極の周囲における各セパレータと電解質膜との間に配置されたガスケットを備える燃料電池セルである。 - 特許庁

A sealing material 31 having a projection at the location opposed to each other on both top and bottom surfaces of the periphery of the electrolyte membrane 1 is arranged to contact the both gas diffusion electrodes 2, 3 provided on both sides of the electrolyte membrane 1 and to be integrated with the electrolyte membrane 1.例文帳に追加

電解質膜１の周縁部の上下表面に対向する位置に突起が形成されたシール材３１を、前記電解質膜１の上下両側に配設された両ガス拡散電極２、３と接し、且つ電解質膜１と一体化して配設する。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加

従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device at least having a portion of capacitor electrodes 14, 16 or an information memory part above a gate electrode 5, a MISFET has at least one first plug 9 respectively connected to each of source/drain diffusion layers 7.例文帳に追加

ゲート電極５より上方に少なくともキャパシタ電極１４，１６または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層７に接続する少なくとも１つずつの第１のプラグ９を有する。 - 特許庁

Like this, since the anode 31 side and the cathode 32 side become in a pressurized state, diffusion of oxygen from the outside of the fuel cell stack 3 into the anode 31 side and the cathode 32 side is suppressed and deterioration of electrodes of the fuel cell stack 3 can be controlled.例文帳に追加

このように、アノード３１側およびカソード３２側が加圧状態となるため、燃料電池スタック３の外部からアノード３１およびカソード３２内への酸素の拡散が抑制され、燃料電池スタック３の電極の劣化を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition and the structure of the diffusion layers 13 and 16 of the electrodes 14 and 17 are also made to differ in the reaction gas flow direction upstream side from the downstream side so as to improve the dry-up resistance in the upstream side of the reaction gas flow direction and the flooding resistance in the downstream side.例文帳に追加

電極１４、１７の拡散層１３、１６の組成、構造も、反応ガス流れ方向上流側で耐ドライアップ性向上、下流側で耐フラッディング性向上となるように、反応ガス流れ方向上流側と下流側で異ならせた燃料電池１０。 - 特許庁

To improve accuracy in rich/lean determination in an oxygen sensor for measuring a diffusion limiting current when a voltage is impressed between pumping electrodes and performing the rich/lean determination on the basis of an electromotive force generated between one pumping electrode and a reference electrode.例文帳に追加

ポンピング電極間に電圧を印加したときの拡散限界電流を計測すると共に、一方のポンピング電極と基準電極との間に生じる起電力によってリッチ・リーン判定を行う酸素センサにおいて、前記リッチ・リーン判定の精度を向上させる。 - 特許庁

Since diffusion absorption layers 50 and 52, where silver that is the component of wiring 32 and 34 is diffused, are overlapped to an area near the overlapping portion of the wiring 32 and 33 and electrodes 38 and 40, silver is directed also toward the inside of the diffusion absorption layers 50 and 52, when the silver is diffused from the surface of the wiring 32 and 34 to the outside.例文帳に追加

配線３２、３４の構成材料である銀が拡散させられる拡散吸収層５０、５２が、その配線３２、３４と電極３８、４０との重なり部分の近傍においてそれらに重ねて設けられていることから、厚膜銀や絶縁層の形成のための加熱処理によって、配線３２、３４に銀がその表面から外側に拡散する際には、その銀が拡散吸収層５０、５２内にも向かわせられる。 - 特許庁

A semiconductor memory is equipped with: a semiconductor substrate 20; a gate electrode 34; first and second impurity diffusion regions 24a, 24b; first and second resistance change portions 22a, 22b; first and second main electrodes 36a, 36b; and first and second charge storage sections 40a, 40b.例文帳に追加

半導体基板２０と、ゲート電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２主電極３６ａ及び３６ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

To obtain a thick film type thermal head having the heat generating part of a heating resistor accompanied by the supply of power to electrodes on its surface side, improved in perforation characteristics by suppressing the diffusion of heat up to the perforation and heating of a master and reducing a perforation diameter, enhancing heat response and enabled in cost reduction.例文帳に追加

電極への通電に伴う発熱抵抗体の発熱部分を表面側とし、マスターの穿孔加熱までの熱拡散を抑制し、穿孔径を小さくすると共に熱応答性を向上して穿孔特性を改善した、低コスト化が可能な厚膜式サーマルヘッドを得る。 - 特許庁

In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加

基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁

Then, the individual electrodes 4 and the common electrode 5 are extended on the insulation film 7, and its end forms an electrode 5 for external connection being the connecting electrode with an external circuit, and this electrode 6 for external connection is provided in the diffusion region 9 of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

そして、個別電極４と共通電極５を絶縁膜７上を通して延在して、その端部を外部回路との接続電極である外部接続用電極６と成し、この外部接続用電極６を単結晶基板１の拡散領域９に設けている。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

Lead electrodes 17, 18 of a sensing element 10 and an electrode terminal of a base body 19 are connected by a contacting member 23, and the variation of resistance caused by the diffusion of metal at the connection region and the deterioration of the bond strength are prevented, and thereby the gas sensor capable of being used stably for a long time is obtained.例文帳に追加

センサ素子１０のリード電極１７、１８とベース体１９の電極端子を接触部材２３部材で接続することにより、接続部での金属の拡散による抵抗変化や接合強度の劣化を防止して長期間安定に使用できるガスセンサを得る。 - 特許庁

To provide a more reliable high-stability crystal resonator that eliminates potential harmful effects caused by diffusion of brazing filler metal to excitation electrodes, has improved joining characteristics in joining a metal support and a crystal resonator plate by use of the brazing filler metal, and has improved aging characteristics.例文帳に追加

金属ろう材が励振電極へ拡散することの悪影響をなくし、金属ろう材を用いて金属サポートと水晶振動板を接合する際の接合性が良好で、エージング特性が良好なより信頼性の高い高安定向け水晶振動子を提供する。 - 特許庁

A memory cell is provided with a floating gate electrode 8 formed on a first channel region between first and second diffusion layers through a first gate insulating film 7, and control gate electrodes 2 and 11 formed on the floating gate electrode 8 through a first inter-electrode dielectric 10.例文帳に追加

メモリセルは、第１及び第２拡散層間の第１チャネル領域上に第１ゲート絶縁膜７を介して形成されるフローティングゲート電極８と、フローティングゲート電極８上に第１電極間絶縁膜１０を介して形成されるコントロールゲート電極２，１１とを有する。 - 特許庁

Gate electrodes 22A to 22E formed on a semiconductor substrate interposing a gate insulation film and diffusion regions 24A to 24F formed at both sides with a gate electrode therebetween are provided for constituting a plurality of transistors Qp1 to Qp7 arranged in an output cell.例文帳に追加

出力セル４Ａに配置される複数のトランジスタＱｐ１〜Ｑｐ７を構成するために、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極２２Ａ〜２２Ｅと、そのゲート電極を挟んだ両側に形成された拡散領域２４Ａ〜２４Ｆとが設けられている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side.例文帳に追加

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。 - 特許庁

As for the electrodes 3, 4 for the solid polymer fuel cell, after the gas diffusion layers 3a, 4a and the catalyst layers 3b, 4b are jointed, plasma treatments are applied thereto, and proton deviation groups 22 are introduced to catalysts 21 on surfaces of the catalyst layers 3b, 4b and around surfaces of the catalyst layers 3b, 4b.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極３，４では、ガス拡散層３ａ，４ａと触媒層３ｂ，４ｂとを接合した後にプラズマ処理が施されて、触媒層３ｂ，４ｂ表面および触媒層３ｂ，４ｂ表面付近の触媒２１にプロトン乖離基２２が導入されている。 - 特許庁

This process of using two exposures with diffusion light achieves the material use efficiency, costs, responses to various substrate sizes and high-definition electrode patterning that is not successful in the ink jet method, for instance, in manufacturing wiring electrodes, which the traditional manufacturing method cannot achieve.例文帳に追加

拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばタッチパネルの配線電極作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細電極パターニングを解決するものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of trenches 105, a plurality of gate electrodes 102, a plurality of diffusion layers 107, an interlayer insulating film 103, an electrode layer 110, a plurality of concave parts 108, 109 formed on the electrode layer 110, a solder layer 111, and a conductive plate 113.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、複数のトレンチ１０５、複数のゲート電極１０２、複数の拡散層１０７、層間絶縁膜１０３、電極層１１０、電極層１１０に形成された複数の凹部１０８，１０９、半田層１１１、並びに導電板１１３を備える。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

Hence an electrode produced from a composite made of conductive, nanoparticulate polymer, electronically active material, and sacrificial polymer, wherein the sacrificial polymer has been removed leaving pores, has improved electrolyte and ion diffusion properties, and allows the production of thicker electrodes.例文帳に追加

したがって、導電性ナノ粒子状ポリマー、電子活性材料および犠牲ポリマーから作製された複合材から生成され、犠牲ポリマーが除去されて細孔が残された電極は、改善された電解質およびイオン拡散特性を有し、より厚い電極の生成を可能とする。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

The mutual connection recessed part connecting upper and lower electrodes is filled with mutual connection conductors 3, consisting of metal whose resistance is lower than polycrystalline silicon including impurity; the diffusion-preventing films 4, consisting of electroless plating films are arranged between the inner walls of the mutual connection recessed part and the mutual connection conductors 3.例文帳に追加

上下の電極を接続する相互接続用凹部を不純物含有多結晶シリコンより低抵抗の金属からなる相互接続導体３で埋め込むとともに、相互接続用凹部の内側壁と相互接続導体３との間に無電解メッキ膜からなる拡散防止膜４を設ける。 - 特許庁

The fuse electrodes, the electrode pads and the wirings are embedded conductors made of copper formed by the buried wiring forming method, such as damascene, and the electrode pads and the wirings have the same TiN film as the fuse, as a Cu diffusion protecting film on the embedded body of Cu.例文帳に追加

ヒューズ電極、電極パッド、及び配線は、ダマシン法等の埋め込み配線形成方法によって、Ｃｕで形成された埋め込み導体であって、電極パッド及び配線はＣｕで埋め込み形成された本体上に、ヒューズと同じＴｉＮ膜をＣｕの拡散保護膜として備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

The memory elements are formed on parts of word lines 1104 formed as gate electrodes on a semiconductor substrate 1101 through gate insulating films 1103 and on the lateral sides of the gate electrodes; and contain memory function groups 1105a and 1105b having charge holding functions, channel regions 1110 disposed under the gate insulating films 1103, and diffusion regions 1107 disposed on both sides of the channel regions 1110.例文帳に追加

メモリ素子は、半導体基板１１０１上にゲート絶縁膜１１０３を介して形成されたゲート電極としてのワード線１１０４の一部と、このゲート電極の側方に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１１０５ａ，１１０５ｂと、ゲート絶縁膜１１０３下に配置されたチャネル領域１１１０と、チャネル領域の両側に配置された拡散領域１１０７とを含んでいる。 - 特許庁

By making an electrode catalyst layer with the use of the ionic conductivity imparting agent, a dispersion state of dispersion solution for making the electrode catalyst layer is improved, so that proton conduction, electron conduction and catalyst activity of gas diffusion electrodes 4, 5 each containing the electrode catalyst layer are superbly maintained to have an output of the fuel cell improved.例文帳に追加

該イオン伝導性付与剤を使用して、電極触媒層を作製することにより、電極触媒層を作製するための分散溶液の分散状態が向上し、電極触媒層を含むガス拡散電極４，５のプロトン伝導、電子伝導、触媒活性が良好に保たれ、燃料電池の出力が向上できる。 - 特許庁

A semiconductor device is provided that has a primary diffusion area (501) where multiple source regions (S), channel regions, and drain regions (D) are formed into a ring shape; and multiple primary gate electrodes (502), which are each formed on the multiple channel regions via a gate insulating film, and that in a radial shape.例文帳に追加

それぞれ複数のソース領域（Ｓ）、チャネル領域及びドレイン領域（Ｄ）がリング状に形成される第１の拡散領域（５０１）と、それぞれが複数のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成され、かつ放射状に形成される複数の第１のゲート電極（５０２）とを有する半導体装置が提供される。 - 特許庁

Above the first non-movable electrode 7a, the second non-movable electrode 9a made from impurity diffusion polysilicon is provided through the first non-movable electrode 7a and an auxiliary insulated separation film 8 so that a facing area against the movable electrodes 6d changes according to the displacement of the beam structure 4.例文帳に追加

この第１の固定電極７ａの上方には、梁構造体４の変位に応じて可動電極６ｄとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第２の固定電極９ａが第１の固定電極７ａと補助絶縁分離膜８を介した状態で支持される。 - 特許庁

This gas sensor 10 to be provided is equipped with the gas diffusion rate determining section 14, carrying a catalyst for accelerating a reaction between a combustible component and oxygen, a solid electrolyte 18 having oxide ion conductivity, and electrodes 16, 21 formed on positions facing to both the surfaces of the solid electrolyte 18.例文帳に追加

本発明によって提供されるガスセンサ１０は、可燃性成分と酸素の反応を促進する触媒を担持しているガス拡散律速体１４と、酸化物イオン導電性を有する固体電解質１８と、その固体電解質１８の両面に向かい合う位置に形成されている電極１６，２１を備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for the fuel cell has a pair of electrodes having a gas diffusion layer and a catalyst layer installed on both sides of a solid polyelectrolyte membrane so that the catalyst layer side may contact it, and the solid polyelectrolyte membrane includes sulfonated polyarylene having a component as expressed by the following general formula (1).例文帳に追加

本発明の燃料電池用膜−電極接合体は、ガス拡散層および触媒層を有する一対の電極が固体高分子電解質膜の両面に該触媒層側が接するように設けられ、該固体高分子電解質膜が下記一般式（１）で表される構成単位を有するスルホン化ポリアリーレンを含む。 - 特許庁

In the high dielectric capacitor having the metallic storage electrode 18, the metallic plate electrode 20, and a high dielectric film 19 formed between the electrodes 18 and 20, the diffusion preventing films 16 and 21 are respectively formed on the side section of the storage electrode 18 and the upper part of the plate electrode 20 for preventing the penetration of gas ions.例文帳に追加

金属からなるストレージ電極１８及びプレート電極２０、前記電極間に形成された高誘電体膜１９を有するキャパシタにおいて、ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部にガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜１６，２１をそれぞれ形成した高誘電体キャパシタ。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁