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diffusion electrodesの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 277



例文

After the writing is completed, a 5V voltage pulse is applied to the plane shape electrode 8 every 600 seconds, to press down again the charged particles 5 made to float up by thermal diffusion on the surfaces of the display electrodes 8, 7.例文帳に追加

書き込み終了後、600秒ごとに5Vの電圧パルスを面状電極8に印加して、熱拡散で浮き上がった帯電粒子5を再び表示電極6、7面に押さえ付ける。 - 特許庁

To provide an LED array chip, the light-emitting sections of which do not make large light quantity fluctuate, even when the sections are arranged at a high density by reducing the shape variations of the contact sections of individual electrodes respectively connected to diffusion regions.例文帳に追加

拡散領域と接続される個別電極のコンタクト部の形状ばらつきを小さくし、発光部を高密度に配列しても、光量ばらつきの小さいLEDアレイチップを提供する - 特許庁

To provide a method efficiently manufacturing a large number of flat plate type fuel cells in which the diffusion of transition metals between electrodes is suppressed and drop in the power generation performance of a fuel cell is prevented.例文帳に追加

電極間における遷移金属の拡散が抑制されており燃料電池の発電性能を低下させない平板型燃料電池セルを効率的に大量生産できる方法を提供する。 - 特許庁

The DRAM cell further includes a difference storage capacitor which has at least one node that is adjacent to the first and the second diffusion electrodes of each transfer device, and is electrically connected with the same.例文帳に追加

さらにセルは、各転送デバイスの第1および第2の拡散電極の一つに隣接し、電気的に接続される少なくとも一つノードを有する差分蓄積キャパシタを含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

On the support substrate 2, the first non-movable electrode 7a made from impurity diffusion polysilicon is provided so that a facing area against the movable electrodes 6d changes according to the displacement of the beam structure 4.例文帳に追加

支持基板2には、梁構造体4の変位に応じて可動電極6dとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第1の固定電極7aが支持される。 - 特許庁


例文

The DRAM cell is a memory cell (two-device type DRAM) including first and second transfer devices in a completely deplete state each including one body(semiconductor rail), and first and second diffusion electrodes.例文帳に追加

一つの本体(半導体レール)領域と第1および第2の拡散電極を各々含む完全に空乏状態の第1および第2の転送デバイスを有するメモリ・セル(2素子型DRAM)である。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane-electrode assembly for a polymer electrolyte fuel cell comprising a polymer electrolyte and two gas diffusion electrodes formed by interposing the membrane between the polymer electrolyte membranes and joining them is that the electrolyte membrane and the gas diffusion electrodes are joined and the joint body is immersed in hot water of 55-100°C until the electric resistance of the joint body decreases significantly.例文帳に追加

高分子電解質膜と、この高分子電解質膜に該膜を挟んで接合した2つのガス拡散電極からなる固体高分子型燃料電池用膜−電極接合体の製造方法であって、該電解質膜と各ガス拡散電極とを接合した後、得られる接合体を55〜100℃の熱水に該接合体の電気抵抗が有意に減少するまで浸漬することを特徴とする該製造方法。 - 特許庁

The catalyst electrodes 32 and 33 are applied to an electrolyte membrane 31, and separators 36 for forming fuel gas passages 37 and oxidizing gas passages 38, along with gas diffusion electrodes 34 and 35 are formed, so that fuel gas and oxidizing gas are supplied down to a boundary portion of the catalyst electrodes 32 and 33 applied to the electrolyte membrane 31, even if manufacturing errors or assembly errors are produced.例文帳に追加

製造誤差や組み付け誤差が生じても電解質膜31に塗布された触媒電極32,33の外周部まで燃料ガスや酸化ガスが供給されるように、電解質膜31に触媒電極32,33を塗布すると共にガス拡散電極34,35とにより燃料ガス流路37および酸化ガス流路38を形成するセパレータ36を形成する。 - 特許庁

A potential difference between the negative electrode of the solid electrolyte secondary cell and the diffusion layer (g) is fixed so as to be equal to or larger than a potential difference between the negative and positive electrodes of the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

固体電解質二次電池の負極に対する拡散層gの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。 - 特許庁

例文

To prevent the counter diffusion of components between electrodes and thermoelectric transducing elements, melting of the thermoelectric transducing elements, generation of impurities, and separation of junction interfaces, and stabilizes thermoelectric transducing characteristics.例文帳に追加

電極及び熱電変換素子間での成分の相互拡散を防止でき、熱電変換素子の溶解や不純物の生成、該不純物による接合界面の剥離を防止し、熱電変換特性を安定化する。 - 特許庁

例文

The pixel has: a plurality of electrodes 5a, 5b to apply voltage to the display medium layer 1; and a light absorption layer 6 and a light diffusion layer 7 formed on the display medium layer 1 side of the second substrate 3.例文帳に追加

絵素は、表示媒体層1に電圧を印加するための複数の電極5a、5bと、第2基板3の表示媒体層1側に形成された光吸収層6および光拡散層7とを有している。 - 特許庁

The A/F sensor 30 includes a solid electrolyte 31, a diffusion resistance layer 32, electrodes 33, 34 set inside and outside (at the atmosphere side and the exhaust side) of the solid electrolyte 31 and a heater 35 for heating a sensor element.例文帳に追加

A/Fセンサ30は、固体電解質31及び拡散抵抗層32と、固体電解質31の内外(大気側及び排気側)に設けられた電極33,34と、センサ素子を加熱するためのヒータ35とを備える。 - 特許庁

By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加

これにより、金属拡散が防止され、第1および第2の制御電極17、18の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁

The hydrogen gas, supplied from an entrance 12 to a supply side main passage 1, merges with an exhaust side main passage 2 through each stage of branch passages 3, where fuel diffusion electrodes 5 of a high passage resistance are arranged.例文帳に追加

入り口12から供給側主流路1へ供給された水素ガスは、高流路抵抗の燃料拡散電極5が配置された各段の支流路3を通じて排出側主流路2へ合流している。 - 特許庁

The gas to be measured thus controlled in the concentration of hydrogen is introduced into a second measuring chamber 4 through a second diffusion rate limiting part 3 and second predetermined voltage is applied across third and fourth electrodes 9 and 10.例文帳に追加

このように水素濃度が制御された被測定ガスを第2拡散律速部3を介して第2測定室4内に導入し、第3電極9と第4電極10間に第2所定電圧を印加する。 - 特許庁

Gate electrodes 40a and 40b are formed on the channel regions 38a and 38b through the intermediary of a gate insulating layer respectively, and two N-channel DMOS transistors having the drain diffusion layer in common are formed.例文帳に追加

各チャネル領域38a,38b上にはゲート絶縁膜を介してそれぞれのゲート電極40a,40bが形成されて、ドレイン拡散層を共通とする2つのNチャネルDMOSトランジスタが構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal LC based substance has the diffusion characteristics varying with an electric field of the cell, and can build inside the cell the electric field capable of modulating a continuous spectrum from optical signals in the cell by using two or more electrodes in direct vicinity of the cell.例文帳に追加

液晶LCベースの物質は、セルの電場により変化する拡散特性を持ち、セル直近の複数の電極の使用により、光信号連続スペクトルの変調の可能な電場をセル内に構築出来る。 - 特許庁

The inner tube 32 of the metal halide lamp 14 has a diffusion part 88 to diffuse the light emitted from the arc tube 30 in the region on the opposite side to the pinch seal part rather than the location corresponding to the center of the pair of electrodes.例文帳に追加

メタルハライドランプ14の内管32は、一対の電極間の中央に相当する位置よりもピンチシール部と反対側の領域に、発光管30から発せられた光を拡散する拡散部88を有する。 - 特許庁

When they are kept in contact with each other, a so-called atom diffusion phenomenon occurs, wherein metal atoms constituting the metal electrodes move to the other metal electrode from their original metal electrode.例文帳に追加

そして、接触状態となった場合、互いの金属電極において、各々の金属電極を構成する金属原子が接触状態となった金属電極に移動するいわゆる原子拡散現象が起きる。 - 特許庁

The film-electrode assembly for the solid polymer fuel cell can be manufactured, by laminating the gas diffusion electrodes 3a, 3b on both surfaces of the solid polymer electrolyte film 1 via catalyst layers 2a, 2b.例文帳に追加

このガス拡散電極3a、3bを高分子電解質膜1の両面に触媒層2a、2bを介して積層して、固体高分子型燃料電池用の膜−電極接合体を作製することができる。 - 特許庁

According to this structure, the diffusion of the hydrogen into the metal oxide ferroelectrics 25-1, 25-2 via the wiring layer 160 and the upper electrodes 26-1, 26-2 can be prevented or suppressed.例文帳に追加

この構造によれば、水素が該配線層160及び該上部電極26−1、26−2を介して該金属酸化物強誘電体25−1、25−2中に拡散するのを防止或いは抑制することができる。 - 特許庁

To provide a current detection device in which diffusion layers of the respective electrodes do not overlap with each other and which allows high-speed and precise current detection even when current detection is simultaneously performed in microelectrodes which are integrated in high density.例文帳に追加

高密度に集積した微小電極において電流検出を同時行っても、各電極の拡散層が重なり合わず、高速かつ正確な電流検出を可能とする電流検出装置を提供する。 - 特許庁

A detection element 21 of this hydrogen sensor comprises a porous layer 27 formed on the peripheral side of a heater part 22 by using a means such as curved surface printing, inside electrodes 29 and 30, a solid electrolyte layer 28, outside electrodes 31 and 32, a gas diffusion layer 33, and a dense layer 34, and is a structure formed into a circular rod shape as a whole.例文帳に追加

水素センサの検出素子21は、ヒータ部22の外周側に曲面印刷等の手段を用いて形成された多孔質層27、内側電極29,30、固体電解質層28、外側電極31,32、ガス拡散層33および緻密層34からなり、全体として円形のロッド状をなす構造とする。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、2つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

nチャネル型MOSFET1において、ゲート電極15、ソース電極9およびドレイン電極5と、半導体基板1aとの間に電位を印加して、半導体基板1aとウェル3との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域4にまで到達しない。 - 特許庁

Among the electron-hole pairs generated by the light excitation, the electrons are extracted from a buffer layer 204, an electron running layer 203 and electron extraction layer 202 to extract electrodes 105, 106, while the holes are extracted from a diffusion buffer layer 206 to ground electrodes 103, 104 and the lives of these electrons and holes are short, independent of the recombination life.例文帳に追加

光励起で発生した電子・正孔対のうちの電子は緩衝層204,電子走行層203,電子取出層202から取出電極105,106に取り出され、正孔は拡散緩衝層206から接地電極103,104に取り出され、それら電子、正孔の寿命は再結合寿命に依存せず短い。 - 特許庁

The transistor has a gate oxide film 9 formed on the surface of the silicon wafer, gate electrodes 10 and 11 formed on the gate oxide film and located adjacently to the first and third LOCOS oxide films 4 and 6, and impurity diffusion layers 12 and 13 formed on the silicon wafer under sides of the gate electrodes.例文帳に追加

上記トランジスタは、シリコン基板の表面上に形成されたゲート酸化膜9と、このゲート酸化膜上に形成され第1及び第3のLOCOS酸化膜4、6に隣接して配置されたゲート電極10、11と、このゲート電極の側部下のシリコン基板に形成された不純物拡散層12、13と、を有する。 - 特許庁

A detecting element 21 of the hydrogen sensor is made up in the form like a round rod and composed of a porous layer 27, inner electrodes 29, 30, a solid electrolyte layer 28, outer electrodes 31, 32, a gas diffusion layer 33 and a fine layer 34, which are formed on the outer circumference side of a heater section 22 by using a curved surface printing method or the like.例文帳に追加

水素センサの検出素子21は、ヒータ部22の外周側に曲面印刷等の手段を用いて形成された多孔質層27、内側電極29,30、固体電解質層28、外側電極31,32、ガス拡散層33および緻密層34からなり、全体として円形のロッド状をなす構造とする。 - 特許庁

The p-side electrodes of this nitride semiconductor element are composed of a p-side bonding pad electrode which is formed separately from a transparent electrode and a p-side diffusion electrode which is extended from the bonding pad electrode to cover at least the outer periphery of the transparent electrode.例文帳に追加

p側電極は、透明電極とp側ボンディングパッド電極とが離れて形成され、さらにp側拡散電極をp側ボンディングパッド電極から延伸して透明電極の少なくとも外周を覆って形成する。 - 特許庁

To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加

ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The spherical solar cell 1 having a semiconductor spherical crystal (for example, p-type spherical silicon 1b and n-type diffusion layer 1c), a pair of electrodes (for example, positive electrode 1e and negative electrode 1f), and so forth is provided on the dial 14.例文帳に追加

文字板14上には、半導体の球状結晶(例えば、p型球状シリコン1b、n型拡散層1c)、一対の電極(例えば、正極1e、負極1f)等を備えた球状ソーラセル1が設けられている。 - 特許庁

In designing a layout of transistors, distances from gate electrodes of the transistors to ends of diffusion layers, Lfig1, Lfig2 and Lfig3 are displayed by lines in a multiple manner while adjusting to a variation amount of characteristics of the transistors, using a CAD tool.例文帳に追加

トランジスタのレイアウト設計時において、CADツールを用いて、トランジスタの特性の変動量に合わせて、トランジスタのゲート電極から拡散層の端までの距離Lfig1、Lfig2、Lfig3を、多重にライン表示させる。 - 特許庁

A capacitance switch device is provided with a design plate 1 with transmission patterns 3A to 3C prepared, sensor electrodes 11 to 13, a sensor electrode 19 surrounding them 11 to 13, diffusion plates 2A to 2C, LEDs 51 to 53 and a circuit portion 20.例文帳に追加

静電容量式スイッチ装置は、透過パターン3A〜3Cが設けられた意匠板1と、センサ電極11〜13と、これらを囲むセンサ電極19と、拡散板2A〜2CおよびLED51〜53と、回路部20とを備える。 - 特許庁

Thereby, uniform air vents are formed between the electrodes and the separator, high contact pressure by the contact of the mesh of a narrow wire shape is secured, and thereby, the uniformity of gas diffusion and the reduction of current collection resistance can be attained.例文帳に追加

これにより、電極とセパレータとの間に均一な通気孔が形成され、幅の狭い線状の網目の接触による高い接触圧が確保され、それによりガス拡散の均一化と集電抵抗の軽減がともに可能となる。 - 特許庁

A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate determining part, a solid electrolyte and a pair of electrodes, and an element current flows in response to the concentration of a specified component in each time in accompaniment with voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加

A/Fセンサのセンサ素子10はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子10への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁

A pair of electrodes having a gas diffusion layer and a catalyst layer are jointed to both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane, and the solid polymer electrolyte membrane contains sulfonated polyarylene having a constituent unit expressed by general formula (1).例文帳に追加

ガス拡散層および触媒層を有する一対の電極が、固体高分子電解質膜の両面に接合され、該固体高分子電解質膜が、一般式(1)で表される構成単位を有するスルホン化ポリアリーレンを含む。 - 特許庁

Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加

エッチングを行いフォトレジストを除去すると、(a)に示すように、n型拡散層を有する領域12内にゲート電極カバー窒化膜5を有するゲート電極6の間にのみポリシリコンプラグ11を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁

With such constitution, the layout of the isolation region is properly designed by a designer without visually measuring the distances, even if the characteristics of the transistors change according to the distances from the gate electrodes of the transistors to the ends of the diffusion layers.例文帳に追加

従って、トランジスタのゲート電極から拡散層の端までの距離に応じてトランジスタ特性が変化する場合であっても、設計者が目視にて前記距離を測ることなく、分離領域を適切にレイアウト設計できる。 - 特許庁

The resistor is provided with the ceramic substrate 1, the resistor body 2 made of a copper-nickel alloy foil bonded on the ceramic substrate 1 by direct thermal diffusion, and a pair of terminal electrodes 3 connected to the resistor body 2 provided on the ceramic substrate 1.例文帳に追加

セラミックス基板1と、セラミックス基板1上に直接熱拡散で接合された銅−ニッケル合金箔の抵抗体2と、セラミックス基板1に設けられ抵抗体2に接続された一対の端子電極3と、を備えている。 - 特許庁

The conducting member 28 is provided along contact surfaces between the separator 30 and the peripheral member 27, and formed so that its end parts make contact with surfaces of two gas diffusion electrodes disposed on both sides of the separator 30.例文帳に追加

この導通部材28は、セパレータ30と外周部材27との接触面に沿って設けられており、このセパレータ30の両側に配設された2つのガス拡散電極の表面にその端部が接するように形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which a contact can be made easily in a diffusion layer located between gate electrodes of relatively narrow interval without short-circuiting the gate electrode even when a salicide process is employed.例文帳に追加

サリサイドプロセスを用いた場合でも、ゲート電極とショートすることなく、比較的間隔の狭いゲート電極の相互間に位置する拡散層に容易にコンタクトをとることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate-determining part, a solid electrolyte, and a pair of electrodes, and an element current corresponding to a specific component concentration flows in every of voltage impression in accompaniment to the voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加

A/Fセンサのセンサ素子10はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子10への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁

It is also preferable that the photoelectric conversion part includes a cell body, first and second linear electrodes arranged in the cell body, separately, a light diffusion body which diffuses the light guided from the outside of the cell body in the cell body, and an electrolyte filling the cell body, and that the light diffusion body is connected with the light guide part.例文帳に追加

上記光電変換部が、セル本体と、このセル本体内にそれぞれ配置される線状の第一電極、第二電極、セル本体外から導いた光をセル本体内で出射する光拡散体、及び、セル本体内を充填する電解質とを備え、上記光拡散体が上記導光部と接続されていることも好ましい。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と;前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と;前記半導体基板の表面付近に形成されたソース/ドレイン拡散層と;前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と;前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

This electron source base has a pair of element electrodes 2, 3 of metal formed on a glass base body 1, containing sodium with a sodium diffusion preventing layer 9 intervened and an electron emitting element of a conductive thin film 4 having an electron emitting part 5, and also has metal wirings 6, 7 to be connected to the element electrodes 2, 3 while being brought into contact with the glass base body 1.例文帳に追加

ナトリウムを含有するガラス基体1上に、ナトリウム拡散防止層9を介して形成された、金属よりなる一対の素子電極2,3と電子放出部5を有する導電性薄膜4からなる電子放出素子を有し、該ガラス基体1に接し該素子電極2,3に接続される金属配線6,7とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Here, the hypochlorous acid produced between each of the electrodes 51 and 52 is diffused by natural diffusion to the outside of an outside electrode 53 through an open part 53a and also diffused to the outside through small holes 55 and dispersion in an effective chlorine concn. is prevented.例文帳に追加

ここで、各電極51,52間に生成された次亜塩素酸は自然拡散により開口部53aを通じて外側電極53の外側に拡散するとともに、小孔55を通じて外に拡散し、有効塩素濃度のバラツキが防止される。 - 特許庁

The fuel cell comprises a membrane electrode jointed body 40 made by interposing a solid polymer electrolyte membrane 30 by gas diffusion electrodes 10, and further an anode side separator and a cathode side separator 60 that pinch the membrane electrode joint body 40 and are formed of a gas passage 61.例文帳に追加

固体高分子電解質膜30をガス拡散電極10で狭持してなる膜電極接合体40と、さらに膜電極接合体40を狭持する、ガス流路61を形成したアノード側セパレータとカソード側セパレータ60と、を備える。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置1は、溝部16と、溝部16の表面上に形成されたゲート絶縁膜17と、溝部16に埋め込まれたゲート電極18と、溝部16に隣接するように形成されたN^+型ソース拡散層15とを備えている。 - 特許庁

The gas diffusion electrodes may be of a combination of one or two or more kinds among a mixed-wool woven or nonwoven fabric of metal and organic fibers, a fluorinated metal fiber, one retaining catalyst particles, and a metal fiber plated with another metal.例文帳に追加

また、ガス拡散電極は、金属繊維と有機繊維の混毛織布または混毛不織布、金属繊維をフッ素化したもの、触媒粒子を担持したもの、金属繊維に他の金属をメッキしたもののいずれか1種または2種以上の組合せとしてもよい。 - 特許庁

例文

A micro fuel cell sensor includes a case, a first and a second gas diffusion electrode spaced mutually, a fuel cell spacer having an acidic electrolyte arranged in between the first and the second electrodes, and two gas-permeable diaphragms.例文帳に追加

マイクロ燃料電池センサは、筐体と、互いから隔たっている第1及び第2のガス拡散電極と、前記第1及び第2の電極の間に配置された酸性電解質を持つ燃料電池スペーサと、2つのガス透過性隔膜とを含んでいる。 - 特許庁




  
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