「drain off」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

During a light emitting period when a voltage of a drain line DSL is V_cc, when a voltage of a signal line DTL is V_ofs, an on-period is set in which a voltage of a gate line WSL is raised from V_off to V_on and then lowered from V_on to V_off.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃとなっている発光期間中において、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっている時に、ゲート線ＷＳＬの電圧がＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げられたのちにＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げられるオン期間を設ける。 - 特許庁

In a normal state, a PWM signal Pa is turned on/off alternately and repeatedly in a cycle T, and switching elements Qa1, Qa2 are correspondingly turned on/off alternately, causing the drain voltage Vda of the switching elements Qa1, Qa2 to alternately display a low level and a high level in the cycle T.例文帳に追加

正常状態において、PWM信号Paは、周期Tでオン/オフを交互に繰り返し、これに従ったスイッチング素子Qa1、Qa2の交互のオン/オフによって、スイッチング素子Qa1、Qa2のドレインの電圧Vdaは、周期Tでローレベルとハイレベルを交互に表す。 - 特許庁

(3) The expansion rate is increased by changing a material of the platen absorber in the part for receiving the ink discharged and run off the recording medium, compared with the other part, and the waste ink is transferred from the run off printing region by capillarity, and the drain sheet is made to retain the waste ink.例文帳に追加

（３）記録媒体からはみ出して吐出されたインクを受ける部分のプラテン吸収体の材質を変えることによって、発泡率を他の部分よりも大きくして、毛管力により、速やかに廃インクをはみ出し印字領域から移動させ、ドレインシートに保持させる。 - 特許庁

When the voltage of a signal line DTL is V_ofs during a quenching period when the voltage of a drain line DSL is V_ini, ON periods ΔT_on1 and ΔT_on2 when the voltage of a gate line WSL is increased from V_off to V_on and decreased from V_on to V_off are disposed.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｉｎｉとなっている消光期間中において、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっている時に、ゲート線ＷＳＬの電圧がＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げられたのちにＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げられるオン期間ΔＴ_ｏｎ１，ΔＴ_ｏｎ２を設ける。 - 特許庁

This water faucet device is provided with an operation part 20 in the vicinity of the tip of the water faucet, and the valve 21 for draining and cutting off water mechanically in the lower part of the counter to transmit mechanical operation to the valve through a transmission means 22 by operating the operation part and let the valve drain and cut off water.例文帳に追加

水栓装置では、水栓の先端部近傍に操作部２０を設け、機械的に吐水，止水を行うための弁２１をカウンターの下部に設け、操作部を操作することによる機械的な動作を伝達手段２２を介して弁に伝達して、この弁が吐水，止水を行う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate that increases the length of an OFF current path by contracting a leakage region between a source electrode and a drain electrode and suppresses the creation of a carrier caused by a light irradiated to the thin film transistor, thereby enabling reduction of the OFF current, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の漏れ領域を縮小してオフ電流の経路長を増大させ、かつ薄膜トランジスタに照射された光によるキャリアの生成を抑え、それによりオフ電流を低減させる薄膜トランジスタ基板とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

During printing data with the squeezed-out ink, (1) the expansion rate of a platen absorber in a part for receiving the ink discharged and run off the edge of a recording medium, is increased, compared with the other part, and the waste ink is rapidly transferred from a run off printing region by capillarity, and a drain sheet is made to retain the waste ink.例文帳に追加

はみ出し印字時に、（１） 記録媒体からはみ出して吐出されたインクを受ける部分のプラテン吸収体の発泡率を他の部分よりも大きくして、毛管力により、速やかに廃インクをはみ出し印字領域から移動させ、ドレインシートに保持させる。 - 特許庁

Next, the upper wiring 9 and source/drain electrodes 10, 11 are formed simultaneously with lift-off, using the first and second resist patterns 7, 8 as the masks.例文帳に追加

次に，第一及び第二のレジストパターン７，８をマスクとするリフトオフにより，上層配線９及びソース・ドレイン電極１０，１１を同時に形成する。 - 特許庁

Further, a region of the semiconductor layer shielded by the source electrode or drain electrode from the ultraviolet rays has the same conductivity as before the irradiation, so that a value of an off current is made small.例文帳に追加

また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 - 特許庁

When the MOS transistor N2 is in an off-state, the zener diode ZD2 clamps the voltage between the drain and the source of the MOS transistor N2 at a predetermined value.例文帳に追加

ツェナーダイオードＺＤ２は、ＭＯＳトランジスタＮ２がオフのときに、ＭＯＳトランジスタＮ２のドレインとソースとの間の電圧を所定値にクランプする。 - 特許庁

The resistance of the resistive elements connected between the drain electrodes and the source electrodes of the FETs to which a signal voltage is applied among the FETs included in the base switch units in an off-state is selected small.例文帳に追加

オフ状態にある基本スイッチ部に含まれるＦＥＴのうち、信号電圧が印加される側のＦＥＴのドレイン電極およびソース電極間に接続された抵抗素子の抵抗値を小さくする。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an off-leak current hardly increases, even if a silicide region of nickel or nickel alloy is formed on a source and drain of an n-channel MISFET.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

The voltage detection circuit is constructed by connecting the gate terminal of PchMOSFET of the buffer circuit in the voltage detection circuit with the drain of PchMOSFET, to turn off PchMOSFET of the buffer circuit.例文帳に追加

電圧検出回路のバッファー回路のＰｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート端子にＰｃｈＭＯＳＦＥＴのドレインを接続してバッファー回路のＰｃｈＭＯＳＦＥＴをオフさせる構成とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which generates sufficient distortion in a channel region without deteriorating roll-off characteristics and has source-drain region having an epitaxial crystal embedded therein.例文帳に追加

ロールオフ特性を劣化させずにチャネル領域に十分な歪みを生じさせることのできるエピタキシャル結晶を埋め込んだソース・ドレイン領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor in a so-called normally-off operation wherein no current flows between the source electrode S and the drain electrode D when no voltage is applied to the gate electrode G.例文帳に追加

ゲート電極Ｇに電圧を加えていない状態では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れないいわゆるノーマリーオフの動作する高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。 - 特許庁

To provide a manhole inner lid that can shut off both radiation and convection heat transmitted to a manhole top lid, can reliably drain water entering the manhole and can be manufactured at a low cost due to its simple structure.例文帳に追加

マンホールの上蓋への放射伝熱および対流伝熱の両方を有効に遮断でき、且つ、マンホール内への流入水の排水が確実に行え、しかも、構造が簡単であることから製造コストが安価で済む。 - 特許庁

To suppress deterioration in the linearity of a mutual conductance (gm) and deterioration in a drain conductance (gd) of a MESFET, in a range of the gate bias caused in the vicinity of pinch-off.例文帳に追加

ピンチオフ近傍となるゲートバイアスの範囲において、ＭＥＳＦＥＴの相互コンダクタンス（ｇｍ）の線形性の劣化や、ドレインコンダクタンス（ｇｄ）の劣化を抑制する。 - 特許庁

To pattern source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする。 - 特許庁

In the active element 20, a current flowing between a source electrode 11 and a drain electrode 12 is preferably turned on/off by means of the semiconductor layer 13 by application of voltage to a gate electrode 15.例文帳に追加

前記能動素子２０は、好ましくは、半導体層１３を介してソース電極１１とドレイン電極１２との間に流れる電流のＯＮ／ＯＦＦをゲート電極１５への電圧印加によって行う。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

Therefore, a surge voltage ΔV_DS is restrained from occurring between the drain region (a first semiconductor layer 20) and the source region (a third semiconductor layer 70) when the semiconductor device is switched off.例文帳に追加

したがって、半導体装置１がオフするときにドレイン領域（第１の半導体層２０）とソース領域（第３の半導体層７０）間に発生するサージ電圧ΔＶ_ＤＳの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the bouncing of a source/drain voltage in turning off; and a DC-DC converter using the semiconductor device.例文帳に追加

ターンオフ時のソースドレイン電圧の跳ね上がりを抑えることができる半導体装置及びこの半導体装置を用いたＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。 - 特許庁

Using the semiconductor film 265a in the approximately single crystal state in the active layer of the semiconductor device (source region, drain region and channel region), the excellent semiconductor device is formed with a small off-current value and large mobility.例文帳に追加

この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process, after source and drain electrodes 16a, 16b of an FET are formed, a gate electrode 18a of the FET and the lower electrode 18b of the MIM capacitor are simultaneously formed by a lift-off method.例文帳に追加

製造工程において、ＦＥＴのソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂを形成した後に、リフトオフ法によりＦＥＴのゲート電極１８ａとＭＩＭキャパシタの下側電極１８ｂとを同時に形成する。 - 特許庁

An ignition on-off switching valve 123 interlocked with the ignition switch is arranged in a downstream of the solenoid switching valve 120, and an orifice 125 is provided in a drain port 123D thereof.例文帳に追加

電磁切換弁１２０の下流側に、イグニッションスイッチに連動するイグニッションオンオフ切換弁１２３が配置され、そのドレインポート１２３D に、オリフィス１２５が設けられる。 - 特許庁

Accordingly, the rise in the source potential reduces a gate-source voltage Vgs of the transistor Tr to turn off the transistor Tr and reduce the drain current.例文帳に追加

従って、ソース電位が上昇すると、トランジスタＴｒのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低下し、トランジスタＴｒはオフして、ドレイン電流が減少する。 - 特許庁

The start timing and end timing of the threshold detection operation of the drive transistor for the bootstrap function are determined by on/off of the switching transistor T3 connecting the drain of the drive transistor and a power source potential.例文帳に追加

そしてブートストラップ機能用ドライブトランジスタの閾値検出動作の開始タイミングと終了タイミングを、ドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタＴ３のオン／オフで決定する。 - 特許庁

To take a large on/off ratio as a transistor and to prevent a hysteresis from occurring on a current value with respect to sweep of gate voltage or source-drain voltage.例文帳に追加

トランジスタとしてのｏｎ／ｏｆｆ比を大きくとることができるとともに、ゲート電圧あるいはソース−ドレイン電圧掃引に対して電流値にヒステリシスを生じることがないようにする。 - 特許庁

An increase component of the threshold voltage (Vth) is removed by simultaneously switching on-off the gate voltage and drain voltage by an amorphous silicon TFT as a transistor for driving the OLED (Organic Light Emitting Diode).例文帳に追加

ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)の駆動用トランジスタであるアモルファスシリコンＴＦＴにて、ゲート電圧とドレイン電圧とを同時にオン・オフさせることで、スレッショルド電圧(Ｖth)の増加成分を取り除く。 - 特許庁

While the light emitting element 14 is OFF, the threshold voltage between the gate and the drain electrodes is detected by supplying the same voltage to a gate and a source of the driver element, and stored in the static capacitor 13.例文帳に追加

発光素子１４がオフの状態で、ドライバー素子のゲートとソースに同一の電圧を供給してゲート・ドレイン電極間の閾値電圧を検出し、これを静電容量１３に蓄える。 - 特許庁

To enhance a source-drain breakdown voltage at turning off of a transistor, while reducing the leakage current, when a body layer is formed through oblique ion implantation in a DMOS transistor.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタにおいて、斜めイオン注入によりボディ層を形成する際に、リーク電流を低減するとともに、トランジスタのオフ時のソースドレイン間耐圧を向上する。 - 特許庁

To prevent noises by suppressing a sharp change in the rotating speed of a fan with on-off operation of a pump which delivers drain water to be evaporated to a condenser.例文帳に追加

ドレン水を蒸発させるために凝縮器に送出するポンプのオンオフに伴う急激なファンの回転数の変動を抑えて、騒音の発生を防ぐ。 - 特許庁

In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加

さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁

To detect the drain-source voltage generated when a power MOSFET is turned off and to suppress the voltage to be zero in a PWM control circuit provided with the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴを備えたＰＷＭ制御回路において、パワーＭＯＳＦＥＴがオフとなった時に発生するドレイン〜ソース間電圧を検出して零ボルトに抑制する。 - 特許庁

To provide a drain hose made of synthetic resin having superior flexibility though it has superior pressure tightness, and easily and surely cleaning off dusts or the like attached to its surface.例文帳に追加

耐圧性に優れているにもかかわらず、良好な屈曲性を有すると共に表面に付着した塵埃等の拭き取りが容易に且つ確実に行うことができる合成樹脂製排水ホースを提供する。 - 特許庁

By positively suppressing at the point where the defect is unnecessary, the properties of the thin film transistor 100 which has good on/off ratio of a drain current and is superior in reproducibility/reliability is acquired.例文帳に追加

欠陥が不要な箇所では積極的に抑制することにより、ドレイン電流の良好なオンオフ比を有し且つ再現性・信頼性に優れた薄膜トランジスタ１００の特性を実現する。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a n-type turn-off channel layer 8 contacting the sides of the grooves 5 is formed, and a p-type drain layer 9 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁

To rapidly drain water when the water has flowed in a cathode off-gas discharge pipe from the outside through an outlet, in a fuel cell system.例文帳に追加

燃料電池システムにおいて、カソードオフガス排出配管内に、排出口を介して、外部から水が流入したときに、この水を速やかに外部に排出する。 - 特許庁

To provide a technique that reduces off-current of an MISFET, and prevents fluctuation in the threshold voltage Vth by shallowing the junction depth of a source and a drain.例文帳に追加

ソース、ドレインの接合深さを浅くすることにより、ＭＩＳＦＥＴのオフ電流を低減し、また、閾値電圧Ｖｔｈのばらつきを防止する技術を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof whereby the off-capacitance can be reduced by reducing the gate-drain and gate-source fringe capacitances with reducing the on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗を低減しながらも、ゲート・ドレイン間及びゲート・ソース間のフリンジング容量を低減してオフ容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When each pixel is reset, the MOS TR T1 is turned off and the MOS TR T5 is turned on to give a prescribed voltage to a gate and a drain of the MOS TR T2.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＦＦにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＮにしてＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインに一定電圧を与える。 - 特許庁

As a result, even if the length of the gate is 100 nm or less, leakage current between a drain and a semiconductor substrate is reduced, and hence the off leak current is reduced.例文帳に追加

この結果、ゲート長が１００ｎｍ以下であっても、ドレインと半導体基板との間のリーク電流が低減され、オフリーク電流が低減される。 - 特許庁

To realize a normally-off type field-effect transistor having superior element characteristics with reduced parasitic resistance of channel, increased maximum drain current and increased mutual conductance.例文帳に追加

チャネルの寄生抵抗を小さく最大ドレイン電流が大きく相互コンダクタンスの大きな素子特性に優れたノーマリオフ型電界効果トランジスタの実現。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including: a circuit region having an MOS transistor suppressed in a leak current in an off-state; and a circuit region having an MOS transistor large in a drain current in an on-state.例文帳に追加

オフ状態でのリーク電流を抑制したＭＯＳトランジスタを有する回路領域と、オン状態でのドレイン電流を大きいＭＯＳトランジスタを有する回路領域と、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switch 76 triggers off the closing of the valve 78 before the water storage room 70 becomes empty, in order to offer a water seal preventing a gas escape through the drain pipe 80.例文帳に追加

このスイッチ７６は、排水管８０を通ってガスが逃げることを防止する水シールを提供するため、貯水室７０が空になる前にバルブ７８の閉止をトリガーする。 - 特許庁