「drain off」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor that dispenses with the alignment among a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and can obtain both of a high on/off ratio and high-speed operation even if finishing dimensions deviate, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極間の位置合わせの必要がなく、また仕上がり寸法にずれが生じても、高いオン／オフ比と高速動作の双方を得ることが可能となる電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an operator opens the shut-off valve after the inspection of the handpiece 32, the compressed air of the compressed air supply conduit is supplied to the internal water supply circuit of the hand piece via the branch conduit and the pressure water supply conduit to drain residual water from the water supply circuit.例文帳に追加

ハンドピース３２の検査後に操作員が遮断弁を開けると、圧縮空気供給管路の圧縮空気は分岐管路および圧力水供給管路を介してハンドピースの内部給水回路に供給され、当該給水回路から残留水を駆逐する。 - 特許庁

The source electrode 204 is a state of being surrounded by a trench 30 on a silicon substrate, thereby an effective channel length is elongated regardless of a fine structure and pressure proof between the source and drain can be increased to prevent mis-operation due to a reduced gate-off leak from being generated.例文帳に追加

ソース電極２０４がシリコン基板上にトレンチ３０によって包囲されたような状態となっているので、微細構造に関わらず実効チャネル長が長くなり、ソース．ドレイン間の耐圧が向上し、ゲートオフリークが少なくなることにより誤動作を生じないようにすることができる。 - 特許庁

A reference voltage for threshold voltage detection is supplied to the gate of the driver element 22 while the light emitting element 24 is off, as well as an almost equal voltage to the gate voltage is supplied to the source so as to detect the threshold voltage between the gate-drain electrodes and store in the static capacitor 23.例文帳に追加

発光素子２４がオフの状態で、閾値電圧検出基準電圧をドライバー素子２２のゲートに供給すると共に、ソースにゲート電圧とほぼ同一の電圧を供給してゲート・ドレイン電極間の閾値電圧を検出し、これを静電容量２３に蓄える。 - 特許庁

Also, when a read voltage is applied between a ground terminal 7 and a power supply voltage terminal 8 connected to source/drain regions, an MISFET is turned either on or off corresponding to the charge holding state of the floating gate electrode 9, and thus the information within the floating gate electrode 9 is read.例文帳に追加

また、ソース・ドレイン領域につながる接地端子７及び電源電圧端子８の間に読み出し用電圧が印加されると、浮遊ゲート電極９の電荷保持状態に応じてＭＩＳＦＥＴがオン・オフいずれかに動作することにより、浮遊ゲート電極９中の情報が読み出される。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 16 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 16 is pulled down, an output of a 2-input NOR circuit 12 goes to an 'H' level to apply ON control to an output MOS TR 6.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１６も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１６のドレインの電位はプルダウンされ、２入力ＮＯＲ回路１２の出力は“Ｈ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ６はＯＮ制御される。 - 特許庁

A drain assembly point d is connected to one end on the primary side of a transformer T, and a source assembly point s is grounded, and the other end on the primary side of the transformer T is connected to a circuit power source Vcc, and the MOSFETs are turned on and off (parallel operation) by adding a gate control signal to the gate assembly point g.例文帳に追加

ドレイン集合点ｄはトランスＴの１次側の一端へ接続し、ソース集合点ｓは接地し、そしてトランスＴの１次側の他端は回路電源Ｖccへ接続させ、ゲート集合点ｇへゲート制御信号を加えることでＭＯＳＦＥＴをオン・オフ動作（並列動作）させる。 - 特許庁

The water supplied to the undersurface of the filter 3 from the water supply port 5 of the filter support 4 washes off the air bonded to the undersurface of the filter 3, to flow in the tank along with the air from the drain groove 6 of the filter support 4 through a suction solenoid valve 19.例文帳に追加

フィルタサポート４の給水孔５からフィルタ３の下面に給水された水は、フィルタ３の下面に付着している空気を洗い流し、これらを伴ってフィルタサポート４の排水溝６から、吸入用電磁弁１９を介してタンク９に流入する。 - 特許庁

A fuel cell evaluation device (10) is provided with back-pressure valves (61, 62) arranged on an upstream side of gas flow paths (103, 104) of off-gas exhausted from the fuel cell (50), and drain pods (71, 72) as a gas-liquid separating means arranged on its further downstream side.例文帳に追加

本発明の燃料電池評価装置（１０）は、燃料電池（５０）から排出されるオフガスのガス流路（１０３，１０４）の上流側に背圧弁（６１，６２）が配置され、さらにその下流側に気液分離手段としてのドレンポッド（７１，７２）が配置されている。 - 特許庁

Although a serious line defect appears on a picture display in the case the interlayer short circuit takes place between the drain wire and the shield common electrode, the line defect can be repaired or made to disappear by cutting off both sides of the slit on which the short circuit has taken place with the laser repair etc. and separating the place where the short circuit has taken place.例文帳に追加

ドレイン配線とシールド共通電極との層間ショートが発生した場合、画面表示上は重大な線欠陥となるが、ショート発生部のスリットの両脇をレーザーリペア等で切断し、ショート箇所を分離することで、線欠陥をリペア・消滅することができる。 - 特許庁

Moreover, a TFT (which is hereinafter referred to as a TFT for discharge) such as to be turned ON conversely when the TFT for drive is turned OFF is provided in each pixel and one side of the source region and the drain region of the TFT for discharge is connected to a pixel electrode and the other side is connected to the discharge wiring.例文帳に追加

そして、駆動用ＴＦＴがオフのときに逆にオンになるようなＴＦＴ（以下、放電用ＴＦＴと呼ぶ）を各画素に設け、該放電用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域を、一方は画素電極に、もう一方は該放電線に接続した。 - 特許庁

A first blower 33a is cooperatively operated with ON-OFF control of a compressor 31, a second blower 33b is operated continuously, the compressor 31 being operated is cooled by the first blower 33a is cooled and evaporation of drain water on an evaporation pan 34 is promoted by the second blower 33b.例文帳に追加

第１送風機３３ａを圧縮機３１のＯＮ・ＯＦＦ制御に連動させると共に、第２送風機３３ｂを連続運転させ、第１送風機３３ａによって作動中の圧縮機３１の冷却を行わせ、第２送風機３３ｂによって蒸発皿３４上のドレン水の蒸発を促進させる。 - 特許庁

In the state that a main power supply for the automatic ice making machine 10 is witched off, when a sub power supply is switched on, the opening/closing mechanism 22 is operated for tilting the water dish 18 and the ice making water tank 20 toward the opening position to drain the water from the tank 20 and for holding them in the opening position.例文帳に追加

そして、自動製氷機１０の主電源をオフした状態で、副電源をオンしたときには、開閉機構２２を作動して水皿１８および製氷水タンク２０を開放位置に向けて傾動し、タンク２０内の水を排出して開放位置に保持する。 - 特許庁

As a result, it is possible to prevent contact between a P-type channel and the drain lead-out region 49, formation of a P-type channel by inversion of an epitaxial layer 35 below the gate 40 and the like on turning the power MOS transistor 31 off and to realize high integration, ability improvement, low consumption power or the like.例文帳に追加

そのことで、パワーＭＯＳトランジスタ３１のＯＦＦ時、ゲート４０下のエピタキシャル層３５の反転によるＰ−型チャンネルの形成、Ｐ−型チャンネルとドレイン導出領域４９との接触等を防ぎ、高集積化、能力向上、低消費電力等を実現することができる。 - 特許庁

In a state where high-voltage output DOUT is in Hi state, an N-type transistor HVN1, a P-type transistor HVP2 are at OFF states, an N-type transistor HVN2, a P-type transistor HVP1 are at ON-states, a high voltage VH is impressed between the drain and the source of HVN1.例文帳に追加

高圧出力ＤＯＵＴがＨｉの状態では、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１、Ｐ型トランジスタＨＶＰ２はＯＦＦ状態、Ｎ型トランジスタＨＶＮ２、Ｐ型トランジスタＨＶＰ１はＯＮ状態であり、ＨＶＮ１のドレイン−ソース間には高電圧ＶＨが印加されている。 - 特許庁

For regenerating the existing drain pipe device, the existing union 6 is cut off near the upper and lower faces of the story floor slab 2, and the remaining straight pipe portion is reutilized as the outer pipe 5 without requiring the chipping work of the mortar 4 fixing the existing union joint 6.例文帳に追加

また、既設排水管装置の更生に際しては、既設管継手の階床スラブ２上下面近傍を切断して残った直管部分を外管５として再利用し、既設管継手を固着したモルタル４のハツリ作業による撤去を不要とする。 - 特許庁

To provide a drain tube, in which suction can be consistently performed without falling off of suction efficiency even if an evacuator is converted into negative pressure when sucking an exudate out of the inside of the body cavity, and the interior of the body of a patient and the open air are not communicated at the time of evulsion.例文帳に追加

体腔内からの滲出液を吸引する際、吸引器を陰圧にしても吸引効率を低下することなく確実に吸引が行え、抜去時に患者の体内と外気とが連通することのないドレーンチューブを提供する。 - 特許庁

An amplifier device (FET) is employed for a peak amplifier 2 of the Doherty amplifier, the amplifier device having a nearly equal saturation drain current to that of a carrier amplifier 1, the same gate width (equivalent to nearly equal saturation power) as that of the carrier amplifier 1, and about a half the pinch-off voltage of that of the carrier amplifier 1.例文帳に追加

ドハーティ増幅器において、ピーク増幅器２にキャリア増幅器１と飽和ドレイン電流がほぼ等しく、ゲート幅が同一（飽和電力がほぼ等しいことと同じ）でピンチオフ電圧がおよそ半分の増幅デバイス（ＦＥＴ）を使用する。 - 特許庁

To provide a turnout device for a track vehicle not requiring the new forming of a cave in a pit in addition to the turnout space of the vehicle and entirely not requiring a cut off part on the way of the track, in the turnout position of the vehicle such as the mine car passing the track provided in the pit of a drain.例文帳に追加

下水道等の坑内に設けられた軌道を通過する鉱車等の車輛が退避する位置において、車輛が退避する空間以外に坑内に空洞部を新たに形成する必要がなく、しかも、軌道の途中に切り離し部分を全く必要としない軌道車輛の退避装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the voltage of a node N21 is controlled (when the gate voltage of the NMOS 43 is increased, the voltage between the drain electrode and the source electrode is decreased, and the voltage of the node N21 is decreased), and when the NMOS 42 is turned off, the starting circuit 40 and the reference current source 30 are disconnected.例文帳に追加

これにより、ノードＮ２１の電圧が制御（ＮＭＯＳ４３のゲート電圧が高くなると、ドレイン電極・ソース電極間電圧が下がってノードＮ２１の電圧が下がる。）し、ＮＭＯＳ４２がオフすることで、起動回路４０と基準電流源３０を切り離す。 - 特許庁

This method can be obtained by defining a state A in which it is controlled that the first switch is OFF and the second switch is ON and the condenser is allowed to be charged, thereby stabilizing a drain voltage of the HEMT around a HEMT gate threshold voltage.例文帳に追加

この方法は状態Ａを定義することによって達成され、第１のスイッチはＯＦＦに、第２のスイッチはＯＮになるように制御されコンデンサが帯電されることを可能にし、ＨＥＭＴゲート閾値電圧の周辺でＨＥＭＴのドレイン電圧を安定させる。 - 特許庁

Thus, the drain voltage induced Vth drop phenomenon (DIBL) and the channel modulation effect (CLM) at the pinch-off point can simultaneously be reduced in a 0.35 [μm] gate length transistor classified to be short channel one as an analog CMOS.例文帳に追加

これにより、アナログＣＭＯＳとしては短チャネルに部類される０．３５［μｍ］ゲート長トランジスタにおいて、ドレイン電圧誘起Ｖｔｈ低下現象（ＤＩＢＬ）と、ピンチオフ点でのチャネル変調効果（ＣＬＭ）とを同時に低減可能である。 - 特許庁

Since most of the drains 15 are arranged within the wall thickness of the cut-off wall 10, and installed to the depth of an underground water- passing layer 19, the projection of the drain 15 to the outer ground 13 can be reduced, and the site efficiency is extremely excellent.例文帳に追加

ドレーン１５は殆ど止水壁１０の壁厚内に配置し、地中の通水対象層１９の深さまで設置できるので、これにより、外部側地山１３へのドレーン１５の突出部を減らすことができ、敷地効率が極めて良い。 - 特許庁

Since a compressor 21 is switched from a continuous operation to an on/off operation, when the generation of drainage is increased, and the drainage in a drain pan 31 reaches a first water level or higher, a cooling capacity is suppressed in comparison with that in the continuous operation, and the generation of the drainage can be reduced by just that much.例文帳に追加

ドレン水の発生量が多くなり、ドレンパン３１のドレン水が第１の水位以上になると、圧縮機２１が連続運転からオン／オフ運転に切換えられることから、連続運転よりも冷却能力が抑制され、その分だけドレン水の発生量が低減する。 - 特許庁

A handle 6 is provided on the lower end of the back lid 5 for holding by hands when the back lid 5 is open as well as a slope 9 for draining rainwater off is provided on the upper edge of the handle 6 to drain rainwater in order not to stick a drop of rainwater on the center of the lower edge 6a of the handle 6.例文帳に追加

裏蓋５の下端に裏蓋５を開くとき手で持つ取手部６を設けると共にこの取手部６の下縁６ａの中央部に雨水の雫が付着しないように水切りするための水切り用の傾斜部９を取手部６の上縁部に設ける。 - 特許庁

This semiconductor apparatus maintains a thin barrier layer 13 directly under a gate electrode that mostly contributes to making a normally-off mode possible on the operating layer 12 of a substrate 11, and simultaneously has a structure capable of thickening the barrier layer 13 by semiconductor layers 17 between gate sources and between gate and drain to achieve high I_max.例文帳に追加

基板11の動作層12上にノーマリオフモード化に最も寄与するゲート電極直下で薄い障壁層13を保ち、同時に、高いI_maxを実現するためにゲート−ソース間、ゲート−ドレイン間で半導体層17により障壁層13を厚くすることを可能とする構成とする。 - 特許庁

When electric charges are not accumulated on the wiring A and the TFT 21 s turned off, the wiring A becomes floating state and when a high level clock signal CK1 or CK2 is supplied to the drain of TFT 22 at this time, the potential of the wiring A is raised by the parasitic capacitance of the TFT 22.例文帳に追加

配線Ａに電荷が蓄積されておらず、ＴＦＴ２１がオフしていると、配線Ａはフローティング状態となり、このときにＴＦＴ２２のドレインにハイレベルのクロック信号ＣＫ１またはＣＫ２が供給されると、ＴＦＴ２２の寄生容量により、配線Ａの電位が上昇する。 - 特許庁

In one example, a passive liquid removal mechanism is provided such that the pressure of gas in the drain 10 is equal to the ambient gas pressure and in another embodiment a flap is provided to close off a chamber during times when no liquid needs removing.例文帳に追加

一実施形態では、排液管１０内のガス圧力が周囲ガス圧力と同じであるように受動的液体除去機構が設けられ、別の実施形態では、液体を除去する必要がない時間中、チャンバを閉鎖するためにフラップが設けられる。 - 特許庁

An overvoltage detecting circuit 3 sets VDS(voltage between the source and the drain) of two MOS transistors MD1, MD2 as reference voltages, monitors a DC voltage supplied from the surge protective circuit 2, detects an overvoltage, and cuts off an MOS transistor M2, thereby protecting a load F1.例文帳に追加

過電圧検出回路３は、２個のＭＯＳトランジスタＭＤ１、ＭＤ２のＶＤＳ(ソース・ドレイン間電圧)を基準電圧として、これによりサージ保護回路２から供給された直流電圧を監視し、過電圧を検出し、ＭＯＳトランジスタＭ２を遮断して負荷Ｆ１を保護する。 - 特許庁

Moreover, at the on/off switching timing of the FETs as the high side switch and the low side switch, a dead time in which these FETs together become off is provided so that the voltage between the drain and the source of the FET crosses zero in this dead time, and a zero voltage switching which does not generate the switching loss is performed.例文帳に追加

また、ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチとしてのＦＥＴのオン／オフ切換タイミングでは、これらＦＥＴが共にオフとなるデッドタイムを設け、このデッドタイム中にＦＥＴのドレイン・ソース間の電圧がゼロを横切るようにして、スイッチング損失が発生しないゼロ電圧スイッチングを行なう。 - 特許庁

When a potential matching a video signal is set from a signal line to a holding capacitor connected between the gate and source electrodes of a driving transistor of a pixel part, 1st and 2nd switch transistors are connected in series between the gate and drain electrodes of the driving transistor to perform independent control wherein the 1st switch transistor is turned off and then the 2nd switch transistor is turned off.例文帳に追加

画素部の駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量に、信号線から映像信号に見合う電位を設定する際、前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に第１、第２のスイッチトランジスタを直列接続し、前記第１のスイッチトランジスタをオフして次に前記第２のスイッグトランジスタをオフする独立制御を行う。 - 特許庁

Namely, the OLED display 10 is provided with a driving circuit 20 for driving the OLED by the amorphous silicon TFT, and a supply line driver 14 for switching off the voltage to be supplied to the drain electrode in the amorphous silicon TFT when switching on-off the gate voltage to the gate electrode in the amorphous silicon TFT of the driving circuit 20.例文帳に追加

即ち、ＯＬＥＤディスプレイ１０において、アモルファスシリコンＴＦＴによってＯＬＥＤを駆動する駆動回路２０と、この駆動回路２０のアモルファスシリコンＴＦＴにおけるゲート電極へのゲート電圧をオン・オフする際に、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるドレイン電極への供給電圧をオフする供給線ドライバ１４とを備える。 - 特許庁

The start of the drive transistor threshold detection operation for boostrap is determined by off of the first detecting transistor T1 and the end of the threshold detection operation is determined by off of the switching transistor T3 connecting the drain of the drive transistor and a power source potential, thereby averting the sharpness defect caused by the current that the drive transistor flows after the threshold detection operation.例文帳に追加

そしてブートストラップ用ドライブトランジスタ閾値検出動作の開始を、第１の検知トランジスタＴ１のオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタＴ３のオフで決定することにより、閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。 - 特許庁

Since the silicide region of nickel or nickel alloy hardly extends in the crystal orientation <100>, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increase, even if the silicide region of nickel or nickel alloy is formed on the source and drain of the n-channel MISFET, the semiconductor device is obtained in which an off-leak current hardly increases.例文帳に追加

結晶方位＜１００＞の方向には、ニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域は延伸しにくいため、ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置が得られる。 - 特許庁

The control section supplies a first voltage and a second voltage that differs from the first one between the source/drain regions while the semiconductor device is off and on, and the second voltage is set so that potential in a body region in an off state becomes substantially the same as that in the body region in an on state.例文帳に追加

制御部は、半導体装置のオフ状態及びオン状態に、ソース／ドレイン領域間に第１電圧及び第１電圧と異なる第２電圧をそれぞれ供給し、第２電圧は、オフ状態のボディ領域の電位がオン状態のボディ領域の電位と実質的に同一となるように設定される。 - 特許庁

Furthermore, the master-side latch circuit includes a first differential circuit which is on-off controlled on the basis of an input signal, a second differential circuit provided between a common source of the first differential circuit and one drain and on-off controlled on the basis of the control signal, and a third differential circuit storing an intermediate signal generated on the basis of the first and second differential circuits.例文帳に追加

さらに、マスター側ラッチ回路は、入力信号に基づいてオンオフ制御される第１の差動回路と、第１の差動回路の共通ソースと、一方のドレインとの間に設けられ、制御信号に基づいてオンオフ制御される第２の差動回路と、第１及び第２の差動回路に基づいて生成された中間信号を保持する第３の差動回路と、を備える。 - 特許庁

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

In an IGBT having a drain electrode 10 made of a heavy metal and a source electrode 28, a lattice defect region 32 for promoting the recombination of carriers and shortening a turn-off time is formed in an (n) drift region of an (n) epitaxial layer 14 formed on a substrate 12 by applying ions at an amount of 1.0×1011/cm2 or less through the drain electrode 10.例文帳に追加

重金属で構成されたドレイン電極１０及びソース電極２８を備えるＩＧＢＴにおいて、基板１２上に形成されたｎエピタキシャル層１４のｎドリフト領域にキャリアの再結合を促しターンオフ時間を短縮化させる格子欠陥領域３２を形成する際に、１．０×１０^11／ｃｍ^2以下の照射量でドレイン電極１０を介してイオンを照射して格子欠陥領域３２を形成する。 - 特許庁

Providing catalyst supporting parts which support the honeycomb shape catalyst carriers tilted to a conveyer on the conveyer and providing no shields on the ventilation surfaces of the carriers make the ventilation surfaces of the carriers not contact a net, to drain off catalyst liquid without closing cells with the net.例文帳に追加

コンベアにハニカム状触媒担体をコンベアに対して傾斜させて支持する触媒支持部を具備し、ハニカム状触媒担体通気面に遮蔽物を設けないようにすることで、通気面とネットが面で接触することをなくし、ネットによりセルが塞がれることがなくエアによる触媒液切りを行えるようにした。 - 特許庁

When a second output transistor 12 is turned on after turning a first output transistor 11 from ON to OFF, first, a current flows from the source terminal of a second output transistor 12 to the drain terminal by the energy accumulated in an inductance element 13.例文帳に追加

第１の出力トランジスタ１１が導通から遮断に転じた後、第２の出力トランジスタ１２が導通すると、先ず、インダクタンス素子１３に蓄積されたエネルギーにより、第２の出力トランジスタ１２のソース端子からドレイン端子に向けて電流が流れ、次いで、出力コンデンサ１４の放電により、ドレイン端子からソース端子に向けて電流が流れる。 - 特許庁

Information is written by turning on the writing transistor so that a potential of the bit line is supplied to a node where one of a source electrode and a drain electrode of the writing transistor and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected, and then turning off the writing transistor so that a predetermined amount of charge is held in the node.例文帳に追加

情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードにビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。 - 特許庁

It is so structured to instantaneously remove positive electrode voltage at opening of the door by providing a first door switch 22 with its contact opening and closing in linking with the door, so that such a phenomenon can be evaded that bias voltage falls or is turned zero while a drain voltage is impressed that is a mode in which the normally-OFF type FET is broken down.例文帳に追加

ドアと連動して接点が開閉する第一のドアスイッチ２２をもうけることによってドアのオープンと供に瞬時に正極電圧を除去する構成とするためノーマリーＯＦＦ型ＦＥＴが破壊するモードであるドレイン電圧が印加された状態でバイアス電圧が低下もしくは零化してしまうという現象は回避することができる。 - 特許庁

Information is written to the memory cell by turning on the writing transistor, supplying a potential to a node where a source electrode (or a drain electrode) of the writing transistor, one of electrodes of the capacitor, and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected to each other, and thereafter, turing off the writing transistor so that a predetermined amount of charge is held in the node.例文帳に追加

メモリセルへの情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

Writing to the memory cell is performed such that potential is supplied to a node at which a source electrode (or a drain electrode) of the writing transistor, one of electrodes of the capacitative element, and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected by setting an ON state of the writing transistor and then the node is made to retain a predetermined amount of electric charge by setting an OFF state of the writing transistor.例文帳に追加

メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

The identical substrate flash memory/DRAM hybrid semiconductor device obtain a DRAM by (1) floating a gate near a substrate and (2) connecting the flash memory to the drain of a write/read pass transistor in a two-layer stack gate structure MOS transistor, storing charges corresponding to data '0', '1', and then turning off the pass transistor.例文帳に追加

２層スタックゲート構造ＭＯＳトランジスタにおいて、基板に近いゲートを（１）フローテングにする事によりフラッシュメモリを、（２）書き込み・読み出し用パストランジスタのドレインに接続して０，１のデータに対応した電荷を蓄積した後、パストランジスタをオフにする事によりＤＲＡＭを実現した同一基板フラッシュ・ＤＲＡＭ混載半導体装置。 - 特許庁