「drain off」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This indoor unit 4 of an air conditioner 2 is composed of the indoor heat exchanger 10, an indoor fan 14 sucking in indoor air and blowing off the air in a room via the indoor heat exchanger 10, a dew receiving pan 34 forming a drain groove 34a receiving the drain water generated by condensing by the indoor heat exchanger 10, and a casing 30 storing these members.例文帳に追加

空気調和機２の室内機４を、室内熱交換器１０と、室内空気を吸い込み室内熱交換器１０を介して室内へ吹き出す室内ファン１４と、室内熱交換器１０で凝縮生成されるドレン水を受けるドレン溝３４ａが形成された露受け皿３４と、これらを収容する筐体３０で構成する。 - 特許庁

An AND gate 16 detects disconnection when the drain voltage Vd is over the first threshold voltage V1 and is below the second threshold voltage V2 during a period when the FET 3 is turned off by a transistor 17; and an AND gate 15 detects a ground fault when the drain voltage Vd is below both the first and second threshold voltages V1 and V2.例文帳に追加

ＡＮＤゲート１６は、トランジスタ１７によりＦＥＴ３がオフされている期間に、ドレイン電圧Ｖｄが第１閾値電圧Ｖ１を上回り、第２閾値電圧Ｖ２を下回っている場合に断線を検出し、ＡＮＤゲート１５は、ドレイン電圧Ｖｄが第１，第２閾値電圧Ｖ１，Ｖ２を何れも下回っている場合に地絡を検出する。 - 特許庁

A solid-state imaging module formed on a semiconductor substrate that feeds a voltage to a solid-state imaging element, includes a potential generation circuit for generating a predetermined overflow drain potential signal in accordance with an input bias voltage and a first switch means for turning on or turning off the predetermined overflow drain potential signal to an output terminal in accordance with a first input control signal.例文帳に追加

固体撮像素子に電圧の供給を行う半導体基板上に形成される固体撮像モジュールは、入力バイアス電圧に応じて所定のオーバーフロードレイン電位信号を生成する電位生成回路と、前記所定のオーバーフロードレイン電位信号を、第１の入力制御信号により出力端子へオン・オフさせるための第１のスイッチ手段とを有する。 - 特許庁

A drain voltage control circuit 30 controls the drain voltage of a drive stage amplifier 12 so that the amount of back-off of the drive stage amplifier 12 detected from the detection output of a backoff detector 22 has a predetermined value, thus optimizing the drive amount of the drive stage amplifier 12 over the entire frequency band.例文帳に追加

バックオフ検出器２２の検出出力からドライブ段増幅器１２のバックオフ量を検出し、このバックオフ量が所定値となるように、ドレイン電圧制御回路３０により、ドライブ段増幅器１２のドレイン電圧を制御することで、ドライブ段増幅器１２のドライブ量を全周波数帯域に渡って最適化する。 - 特許庁

In the n-type MOS transistor Q10b, the p-type impurity of low concentration is introduced in an LDD region 8, and since drain side and source side n+ impurity regions 10 are separated from a channel-forming region by such a p- impurity region, the gap of drain and source is held in off state, even if the gate voltage is impressed.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１０ｂにおいては、ＬＤＤ領域８に低濃度のｐ型不純物が導入されており、このｐ−不純物領域によってドレイン側およびソース側のｎ＋不純物領域１０がチャネル形成領域から分離されるため、ゲート電圧を印加してもドレイン−ソース間はオフ状態に保持される。 - 特許庁

The high-voltage transistor having a low ON-state resistance and keeping a high voltage in an OFF state is equipped with one or more source regions arranged near to a multilayered extended drain structure, and the multilayered extended drain structure contains an extended drift region separated from a field plate member by one or more dielectric layers.例文帳に追加

低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。 - 特許庁

In this circulation method of condensed water in a fuel cell system, moisture included in an anode off-gas discharged from a fuel cell is condensed to be stored in an anode drain tank as condensed water and circulated in the system; and when the conductivity of the condensed water stored in the anode drain tank is high, the condensed water is discharged, without making it circulate.例文帳に追加

燃料電池から排出されたアノードオフガスに含まれている水分を凝縮させアノードドレンタンクに凝縮水として貯留し系内を循環させる燃料電池システムにおける凝縮水の循環方法であって、アノードドレンタンクに貯留された凝縮水の電導度が高い場合には、系内を循環させずに排出する。 - 特許庁

To provide an MOS semiconductor device optimum for the high integration of an LSI (Large Scale Integrated Circuit) or to provide the MOS semiconductor device reduced in a leak current between source and drain upon standby, and improved in the cut-off characteristics of current between source and drain upon shifting from operation into standby.例文帳に追加

本発明は、LSI(大規模集積回路)の高集積化に好適なＭＯＳ型半導体装置の提供、すなわち、待機時のソースとドレイン間のリーク電流の削減、及び、動作時から待機時へ移行する時の、ソースとドレイン間の電流のカットオフ特性を改善したＭＯＳ型半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

This water treatment system comprises a vessel 1 equipped with a filtering chamber 101 provided with the cylindrical screen 2 filtering raw water and a drain chamber 102 equipped with an on-off valve 4; a rotary washer 3 equipped with a suction nozzle 3b in the filtering chamber 101 and a discharge port 3c in the drain chamber 102; and an ultraviolet irradiation unit 11 equipped in the filtering chamber 101.例文帳に追加

原水をろ過する円筒形スクリーン２が設けられたろ過処理室１０１および開閉弁４が設けられたドレン室１０２を備えた容器１と、ろ過処理室１０１に吸引ノズル３ｂを備えるとともに、ドレン室１０２に吐出口３ｃを備えている回転洗浄器３と、ろ過処理室１０１に設けられた紫外線照射器１１とから構成したものである。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

A comparator 10 has an offset voltage corresponding to a reference level Va relating to an allowable drain loss Pd of the MOSFET Qm and outputs an off command signal to a drive circuit 8, if the voltage ΔVo exceeds the offset voltage.例文帳に追加

コンパレータ１０は、ＭＯＳＦＥＴＱｍの許容ドレイン損失Ｐｄに対応した基準レベルＶａに相当するオフセット電圧を有しており、電圧ΔＶｏが当該オフセット電圧を超えると駆動回路８に対しオフ指令信号を出力する。 - 特許庁

To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

By using the voltage-limiting element, when an MOSFET controlling the current of a light-emitting diode module goes into an off-state, the potential of a drain electrode of the MOSFET becomes limited, and a withstand voltage requirement of the MOSFET is lowered.例文帳に追加

本発明は電圧制限素子を利用することで、発光ダイオードモジュールの電流を制御するＭＯＳＦＥＴがオフの状態になるとき、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極の電位を制限し、ＭＯＳＦＥＴの耐電圧要求を低くする。 - 特許庁

Thus, the off-current is reduced between the source electrode and the drain electrode by a gate potential.例文帳に追加

絶縁基板に対して垂直方向から見て、ソース電極をほぼ孤立島パターンにし、ドレイン電極がそれを囲み、ゲート電極がそれらの間隙を包含する構造とすることにより、ゲート電位によりソース電極およびドレイン電極間のオフ電流を小さくすることができる。 - 特許庁

The method utilizes a substrate in which a semiconductor layer is initially formed on a flexible substrate, etc., and includes patterning a gate electrode and an insulating film to make undercut produced, and then forming a source and drain electrodes through vaporization and lifting off.例文帳に追加

また、半導体層が最初からフレキシブル基板等の上に形成された基板を利用し、ゲート電極と絶縁膜をパターニングし、アンダーカットを生じさせ、その後、ソース、ドレイン電極を蒸着形成し、リフトオフすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device that has improved insulating characteristics and has a large on/off ratio of current flowing between source and drain electrodes, to provide a manufacturing method of the organic semiconductor device, and to provide a display element having the organic semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン／オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

By this method, the interface properties of the highly doped silicon films 6s and 6d which constitute the source region and the drain region and the polycrystalline silicon film 4 which constitutes the channel region can be improved to reduce an off-state current.例文帳に追加

これによって、ソース領域およびドレイン領域を構成する高濃度不純物添加シリコン膜６ｓ，６ｄとチャネル領域を構成する多結晶シリコン膜４との界面特性を改善し、オフ電流の少なくすることができる。 - 特許庁

At this time, the length of the extendedly formed part of the photodiode layer 17 is specified to be in the extent of avoiding the punch through between the photodiode layer 17 and a drain region 19 when the read out gate 15 is off.例文帳に追加

その際、フォトダイオード層１７は、読み出しゲート１５の下部に延在する部分の長さが、読み出しゲート１５がオフ状態のときに、フォトダイオード層１７とドレイン領域１９との間でパンチスルーが生じない程度の長さとなるようにする。 - 特許庁

Consequently, the leak current in the off state which is caused between the second source/drain region 102b and the signal wiring 202 during reverse driving with a high potential HIGH is equalized to that during reverse driving with a low potential LOW.例文帳に追加

これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 - 特許庁

The node N2 functions as a floating drain when a control switch 24 is on, and stores the signal charges flowing from each pixel circuit 10 with a capacitor 22 when the control switch 24 provided at the intermediate timing of one frame period is off.例文帳に追加

ノードＮ２は、制御スイッチ２４のオン期間にはフローティングドレインとして機能する一方で、１フレーム期間の中間タイミングに設けられた制御スイッチ２４のオフ期間には、各画素回路１０から流出した信号電荷を容量２２により蓄積する。 - 特許庁

A NAND circuit is composed of a MOS transistor that turns to be off state, when a prescribed voltage difference is generated state between the gate and the drain at the mode of stand-by.例文帳に追加

ＮＡＮＤ回路は、スタンバイモードにおいてゲートとドレインとの間に所定の電位差が生じた状態でオフ状態とされるＭＯＳトランジスタとして、ドレイン側にバンド間リーク対策が施されたｎ型ＭＯＳトランジスタＴＮ１１を備える。 - 特許庁

When an abnormality is detected by the abnormality detection circuit 14, a linear drive circuit 16 prevents the NMOS transistor SW1 from being turned off instantaneously while holding (clamping) the drain-source voltage of the NMOS transistor SW1 at a predetermined level.例文帳に追加

リニア駆動回路１６は、異常検出回路１４によって異常が検出されたときに、ＮＭＯＳトランジスタＳＷ１のドレイン・ソース電圧を一定値に保持（クランプ）しつつ、ＮＭＯＳトランジスタＳＷ１をすぐにオフさせない。 - 特許庁

When an opening instruction is given to a drain valve and water becomes absent in a pot 41 and a waiting state is continued for a specified time and water becomes absent in the pot 41, a controller turns off the energization of the self-heating thermister.例文帳に追加

制御装置は、排水バルブに対して開指示が出されてポット４１内に水が無くなった場合、および、待機状態が所定時間経過してポット４１内に水が無くなった場合には、上記自己加熱サーミスタへの通電をオフにする。 - 特許庁

Leak water S consisting of waste leachate or groundwater which has entered the double floor 10 by the breakage of the lower layer or upper layer sheet is caused to flow along the drain gradient to a discharge port 26 through spaces 45 marked off by the intermediate floor blocks 40 and a main route 20.例文帳に追加

下層あるいは上層シートの破損により２重床内に浸入した廃棄物浸出水または地下水からなる漏出水Ｓが排水勾配に沿って中間床ブロック４０により画成された空間４５内及び幹路２０を経て排出口２６まで流下するようにした。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory cell including a write transistor which includes an oxide semiconductor and has small leakage current in an off state between a source and a drain, a read transistor including a semiconductor material different from that of the write transistor, and a capacitor.例文帳に追加

酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The control part 110 applies a switching voltage Vs1 to the transistor TR so as to intermittently turn on and off and a pulse voltage is output to a pulse voltage supply line Y1 connected with a drain D of the transistor TR1.例文帳に追加

制御部１１０からはトランジスタＴＲが断続的にオンオフするようにスイッチング電圧Ｖｓ１が印加され、トランジスタＴＲ１のドレインＤに接続されたパルス電圧供給線Ｙ１にパルス電圧が出力される。 - 特許庁

In a field effect transistor provided in the first switch, compensation capacitors (Cdb11-Cdb14) for offsetting a parasitic capacity generated when the first switch is in an off state are formed between a drain and a body or between a source and a body.例文帳に追加

第１のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第１のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ１１〜Ｃｄｂ１４）がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 - 特許庁

Also, in a field effect transistor provided in the second switch, compensation capacitors (Cdb21-Cdb24) for offsetting a parasitic capacity generated when the second switch is in an off state are formed between a drain and a body or between a source and a body.例文帳に追加

また、第２のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第２のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ２１〜Ｃｄｂ２４）が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 - 特許庁

The level shift circuit also includes a low-voltage transistor N1, a latch circuit 20 for supplying a high power voltage VH to a high-voltage transistor NH2 in response to its turning on/off, and a second diode part serially connected between the drain of the low-voltage transistor N1 and the ground.例文帳に追加

さらに、低電圧トラジスタＮ１と、そのオン・オフに応じて高電源電圧ＶＨを高電圧トランジスタＮＨ２に供給するラッチ回路２０と、低電圧トランジスタＮ１のドレインと接地との間に直列に接続された第２ダイオード部とを備える。 - 特許庁

To install a shut-off valve and a drain valve which have conventionally been installed on a bottom part of a fuel tank of a construction machine at a position where they can be operated without providing an opening in a bottom guard of a machine body, and at a position where they will not be incorrectly operated.例文帳に追加

建設機械の燃料タンクの底部に従来設けられているシャットオフバルブおよびドレーンバルブを、機体のボトムガードに開口を設けることなく操作できる位置に、また「いたずら」されることのない位置に設置するようにする。 - 特許庁

In the charge pump unit circuit 22.1, a P-channel transistor 25 is connected between the gate and drain of a N-channel MOS transistor 23 for switching, and this P-channel MOS transistor 25 is controlled on-off by a switching circuit 28.例文帳に追加

チャージポンプ単位回路２２．１において、スイッチング用のＮチャネルＭＯＳトランジスタ２３のゲート−ドレイン間にＰチャネルＭＯＳトランジスタ２５を接続し、このＰチャネルＭＯＳトランジスタ２５を切換回路２８によってオン／オフ制御する。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 18 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 18 is pulled up, an output of a 2-input NAND circuit 11 goes to an 'L' level to apply ON control to an output MOS TR 5.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１８も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１８のドレインの電位はプルアップされ、２入力ＮＡＮＤ回路１１の出力は“Ｌ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ５はＯＮ制御される。 - 特許庁

A check valve 12 is arranged in the middle of a pipe 7b being a delivery oil passage of the second hydraulic pump 3 of the fixed displacement type, and a second relief valve 15 is arranged in a pipe 14 by branching off the pipe 14 reaching a drain tank 13 from a pipe part between the second hydraulic pump 3 of the pipe 7b and the check valve 12.例文帳に追加

固定容量型の第２油圧ポンプ３の吐出油路である管路７ｂの途中にチェック弁１２を設け、管路７ｂの第２油圧ポンプ３とチェック弁１２との間の管路部分からドレンタンク１３に至る管路１４を分岐させ、管路１４に第２のリリーフ弁１５を設ける。 - 特許庁

Hereby, the voltage at the second end of the first capacitor C1 is hardly influenced by the threshold between the source and drain of the first diode D1, and the first n-type thin-film transistor N1 and the first p-type thin-film transistor P1 are completely switched off to suppress the occurrence of a leakage current.例文帳に追加

これにより、第１キャパシタＣ１の第２端における電圧が第１ダイオードＤ１のソース・ドレイン間のしきい値電圧の影響を受け難くいようにし、第１のＮ型薄膜トランジスタＮ１、第１のＰ型薄膜トランジスタＰ１を完全にオフさせてリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

This injection pump is formed that an on-off valve structure part in which, in a drain circuit returning from a fuel pressure chamber 44 to a fuel gallery 43 or a tank through a subport 42, a valve element 46 displaceable and having an oiltight function is slid and opens and closes a subport 42.例文帳に追加

燃料圧室４４からサブポート４２を介して燃料ギャラリー４３またはタンクに戻るドレン回路５１において、変位可能な油密機能を有する弁体４６が摺動する開閉弁構造部を形成し、サブポート４２に対して開閉自在に構成する。 - 特許庁

The impurity concentration of a source region 17 and a drain region 18 of a TFT 10 is set between 2×10^18 cm^-3 and 2×10^19 cm^-3, whereby off-leak current of the TFT 10 can be sufficiently reduced even in a single gate structure.例文帳に追加

ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 - 特許庁

To substantially shorten a drain off time in a dip coating apparatus in which a tank 1 is filled with a coating liquid containing a volatile component, dips an object 2 to be coated into the coating liquid, draws up the object 2 from the surface of the coating liquid and forms a coating film on the surface of the object 2.例文帳に追加

揮発性成分を含む塗布液をタンク１に充填し、塗布対象物２を塗布液に浸漬し、その液面から引き上げ、対象物２の表面に塗布膜を形成するディップコーティング装置において、液切り時間が大幅に短縮されるようにする。 - 特許庁

When the temperature of condensate from the condensate drain pipe 1 is higher than a predetermined value, the automatic temperature on-off valve 3 is automatically opened to supply the high temperature condensate to the heat exchanger 15, thus keeping a vacuum suction force generated in the ejector 4 at the predetermined value.例文帳に追加

復水排出管１からの復水の温度が所定値よりも高くなると、自動温度開閉弁３が自動的に開弁して、高温復水を熱交換器１５へ供給することによって、エゼクタ４で発生する真空吸引力を所定値に維持することができる。 - 特許庁

In addition to a sterilizing effect by ozone aeration water, washing of a water storage container for humidifying is executed by operating a feed water valve 13 and a drain valve 14 so that a water level of ozone aeration water for humidifying in a water storage container 12 is fluctuated by the positions of a plurality of water shut off sensors 15, 16, and 17.例文帳に追加

貯水容器１２内の加湿用のオゾン曝気水の水位が、複数の止水センサー１５，１６，１７の位置で変動するように、給水弁１３と排水弁１４を操作することで、オゾン曝気水による殺菌効果に加え、加湿用の貯水容器の洗浄を行うことができる。 - 特許庁

Then, the on-off valve 25a is opened after fuel gas circulation passages (a5 to a7), a fuel cell 10 or the like are assembled, and the inside of the fuel gas circulation passages are pressure-inspected with regular pressure while a purge valve 27 and a drain valve 26a are closed.例文帳に追加

そして、燃料ガス循環流路（ａ５〜ａ７）、燃料電池１０等を組み込んで、開閉弁２５ａを開放し、パージ弁２７およびドレイン弁２６ａを閉じた状態で燃料ガス循環流路内を所定の常用圧で圧検を行なう。 - 特許庁

To provide a field effect transistor that dispenses with the alignment among a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and can obtain both of a high on/off ratio and high-speed operation even if finishing dimensions deviate, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極間の位置合わせの必要がなく、また仕上がり寸法にずれが生じても、高いオン／オフ比と高速動作の双方を得ることが可能となる電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, in a 0.35(μm) gate length transistor classified to short channel as an analog CMOS, drain voltage induction Vth lowering phenomenon (DIBL) and channel modulation effect (CLM) at a pinch-off point can be reduced simultaneously.例文帳に追加

これらにより、アナログＣＭＯＳとしては短チャネルに部類される０．３５（μｍ）ゲート長トランジスタにおいて、ドレイン電圧誘起Ｖｔｈ低下現象（ＤＩＢＬ）と、ピンチオフ点でのチャネル変調効果（ＣＬＭ）とを同時に低減可能である。 - 特許庁

The grating 2 is prevented from falling off from the drain facility, by rotatably positioning the rotary body 6 in the second position, by operating the operation part 15a from above, after arranging the grating 2 so that the rotary body 6 is positioned in the first position.例文帳に追加

そして、回動体６が第１位置に位置するようにグレーチング２を配置した後に、その上方から操作部１５ａを操作して、回動体６を第２位置に回動位置させることで、グレーチング２は、排水設備からの抜脱が阻止される。 - 特許庁

The connecting pipe is comprised of a straight pipe of a top end connected and communicated with a drain hole of the sink, a portion bent at almost 90 degrees at the bottom end of the straight pipe, and a portion which can be cut off as required and is extendable straight from the bottom end of the bent portion.例文帳に追加

接続管を、上端部がシンクの排水口と連通接続される直管部と、該直管部の下端に連通された略く字状に形成された屈曲部と、該屈曲部下端部から直線状に延びる切断可能部と、から構成した。 - 特許庁

For an operation switchover button 310 and an operation on-off button 320, first channels 311 and 312, a second channel 407, a third channel 409 and drain areas 408 are provided to guide water intrusion out from the appliance as watertight means.例文帳に追加

運転切換ボタン３１０および運転入切ボタン３２０に、防水手段として侵入した水を装置外部に案内するための、第１凹部溝３１１，３１２、第２凹部溝４０７、第３凹部溝４０９および排水領域４０８を設ける。 - 特許庁