「electron current」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The separated DC power supply independent structure 10 consists of an over-current and over-voltage protecting circuit 11, a magnetic interference preventing circuit 12, a bridge rectifying circuit B and a high- capacity electrolytic capacitor control circuit 15, and supplied high quality DC power to a plurality of the electron lighting circuits 30.例文帳に追加

分離式直流電源供給独立構造体１０は、過電流及び過電圧保護回路１１と、磁気干渉防止回路１２と、ブリッジ整流回路Ｂと、大容量電解コンデンサ制御回路１５とで構成され、複数の電子点灯回路３０に対して高品質の直流電源を供給する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a fuel cell with high output density and good properties having a current collector layer efficiently collecting electron generated at a reaction layer, and the reaction layer with excellent reaction efficiency, and to provide an electronic device and an automobile equipped with the fuel cell.例文帳に追加

反応層で生じた電子を効率よく集める集電層及び反応効率のよい反応層を有し、出力密度が高く、特性のよい燃料電池を効率よく製造する燃料電池の製造方法、並びにこの燃料電池を電力供給源として備える電子機器及び自動車を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device inspection apparatus, which measures a current being induced in a semiconductor device when the semiconductor device is irradiated with an electron beam, includes: a means for comparing the waveform of a measured current with a preset standard waveform; and a means for discriminating between a fault in the semiconductor device inspection apparatus and a fault in the inspection area of a semiconductor device on the basis of the comparison results provided by the comparing means.例文帳に追加

電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Since most electrons that move from the gate 160 to LDD regions 112 and 122 are accumulated in the SiN films 132, 142, 172, and 182 at electron accumulation operation, a current value reading when the charging region is charged can be reduced close to 0 ampere, resulting in improving a reading margin.例文帳に追加

これにより、電子蓄積動作時に、ゲート部１６０からＬＤＤ領域１１２，１２２方向に移動する電子の多くをＳｉＮ膜１３２，１４２，１７２，１８２に蓄積することができるので、帯電領域が帯電しているときの読み出し電流値を、０アンペアに非常に近い値まで低下させることができ、読み出しマージンを向上させることができる。 - 特許庁

A deleting sequence of magnetic histories is executed in which a current to be impressed on an electromagnetic coil before obtaining an image is always set at a constant change volume against a target value, and information on an image or the like is obtained when a spot diameter of a primary electron beam focused on a sample gets smaller than a size which can be displayed with one pixel of an image obtained.例文帳に追加

画像を取得する前に電磁コイルに印加する電流を目標値に対して常に一定の変化量に設定した磁気履歴の除去シーケンスを実行し、試料上に収束される一次電子線のスポット径が取得する画像の１画素で表示できる寸法よりも小さくなるときに画像等の情報を取得する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer and a method of manufacturing the same in which an HEMT (High Electron Mobility Transistor) element having a good breakdown voltage without a rapid increase of a leak current even when the HEMT element is obtained from an outer peripheral part of the compound semiconductor epitaxial wafer, and to provide the HEMT element obtained by using such a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハ外周部より得られたＨＥＭＴ素子であってもリーク電流の急激な増加がなく、良好な耐圧を持つＨＥＭＴ素子が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて得られるＨＥＭＴ素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, precision of the observation image is guaranteed by correcting the length l_Xn on the observation object per pixel of the observation image based on the inclination of luminance information of the deflection images 21, 23, or by correcting the deflection control signal s1 so that the deflection speed v_X of the electron beams 13 may be constant based on the voltage value or current value of the deflection signals s4, s5.例文帳に追加

さらに、この偏向画像２１，２３の輝度情報の傾きを基に観察画像の１画素当たりの観察物上の長さl_Ｘｎを補正したり、偏向信号ｓ４，ｓ５の電圧値若しくは電流値を基に電子線１３の偏向速度ｖ_Ｘが一定になるように偏向制御信号ｓ１を補正することで、観察画像の精度を保障する。 - 特許庁

To prevent purity of a luminescent light on a screen from being deteriorated, which results from mis-landing of an electron beam on the screen, whose orbit is affected by a magnetic field from an increase in an induction current flowing to a coil of an earth magnetism correction device of a cathode ray tube caused by interlinking with a magnetic field leaked from a deflection yoke.例文帳に追加

陰極線管の地磁気補正装置のコイルに偏向ヨークから漏洩している磁界と鎖交して生じる誘導電流が増大して、この誘導電流による磁界が電子ビームの軌道に影響を及ぼし、電子ビームがミス・ランディングを生じ、画面の発光色のピユリティ（純度）を劣化させるという問題を解決する。 - 特許庁

To provide an imaging device (a device according to an aberration correction device) for a charge particle beam device as an electron microscope or the like used for the inspection and measurement of a semiconductor, in which a small deviation beam with a high probe current is formed to improve the resolution and throughput in EDX analysis, WDX analysis, or defect inspection.例文帳に追加

半導体の検査および計測に使用される電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置用の「撮像装置」（収差補正装置に準ずる装置）であって、ＥＤＸ分析、ＷＤＸ分析、欠陥検査等の分解能およびスループットを向上させるために高プローブ電流で分散の小さいビームを形成できるようにする。 - 特許庁

A color picture tube device is formed by mounting field controller 32 correcting a phase shift of serially arranged center beam and side beam by a vortex current generated in a convergence-cup by a crosslinking of a deflecting magnetic field on the inside of the convergence-cup 1, the field controller being formed in the asymmetric form to an axis perpendicular to a 3-electron beam arranging direction.例文帳に追加

コンバーゼンス・カップ1 の内側に偏向磁界の鎖交によりコンバーゼンス・カップに発生する渦電流による一列配置のセンタービームと一対のサイドビームの位相ずれを補正するフィールドコントローラ32が設けられてなるカラー受像管装置において、そのフィールドコントローラを３電子ビームの配列方向と直交する軸に対して非対称形状に形成した。 - 特許庁

Moreover, in a picture tube which has an electron gun having the cathode constituted of a cold cathode element and an indexed phosphor, a doming-free operation is realized by controlling the emission current of the cold cathode based on a signal from the indexed phosphor and a geomagnetism-free operation becomes possible and, thus, a high- quality picture tube is provided.例文帳に追加

また、冷陰極素子から構成されたカソードを有する電子銃と、インデックス蛍光体とを有する受像管であって、インデックス蛍光体からの信号に基づいて冷陰極のエミッション電流を制御することにより、ドーミングフリーが実現でき、地磁気フリーが可能となり、高品位な受像管を提供することが可能となる。 - 特許庁

A pair of element electrodes 102, 103 facing to each other and a conductive thin film 104 to be formed between the element electrodes 102, 103 are formed on an insulation substrate, an electron emission part 105 is formed by performing a current-carrying process to the conductive thin film 104, and a voltage is applied between the element electrodes 102, 103 in an atmosphere containing an organic compound.例文帳に追加

絶縁基板上に一対の対向する素子電極１０２，１０３と、素子電極１０２，１０３間に形成された導電性薄膜１０４と、この導電性薄膜１０４に通電処理により電子放出部１０５を形成し、更に機化合物を有する雰囲気下で素子電極１０２，１０３間に電圧を印加する。 - 特許庁

To observe, at high resolution and stability, the image of a contact hole from a lower-layer current image which can not be observed using a secondary electron image of high aspect ratio and small diameter, related to an inspecting device which displays the inside of an opening reaching to a lower layer from an upper layer on an inspection substrate.例文帳に追加

本発明は、検査基板上の上層から下層に達する開口の内部を表示する検査装置に関し、試料にバイアス電圧をかけることによりアスペクト比が高く、直径の小さい２次電子像では観察不可能なコンタクトホールの像を下層電流像から高分解能、かつ安定に観察することを目的としている。 - 特許庁

To provide a means to erase the remnant magnetizm of a yoke is erased by applying an opposite magnetic field, and which is not troublesome to switch the coil current of the electromagnetic lens, without burning the relay contact by the counter electromotive force or without noise switching noise of the relay in an electron beam device.例文帳に追加

本発明の課題は、電子線装置において、電磁レンズ作動の際とは逆方向の磁場を発生させることによりヨークの残留磁気を消去するものであって、電磁レンズのコイルの電流切替えに厄介な手間がかからず、逆起電力によるリレー接点の焼損やリレー切替えに伴う騒音も無い手段を提供することにある。 - 特許庁

In the inspection, a top stage deflector 19 deflects a primary electron beam EB incident on a sample 18 which has a sample irradiation current quantity and a parallelism required for the inspection, so that the beam irradiates out of the center axis of an objective 17, is subjected to the focusing action of the objective 17 and deflected on the objective center axis on the sample 8 surface.例文帳に追加

検査に必要な試料照射電流量、平行度を有して試料１８に入射した一次電子ビームＥＢは、検査時には、上段偏向器１９により偏向され、対物レンズ１７の中心軸外に入射し、対物レンズ１７により収束作用を受けると共に、試料８面上の対物レンズ中心軸上に偏向される。 - 特許庁

The electron tube or a power supply device includes a detection circuit to detect current flowing in a helix electrode, a voltage restriction circuit which controls the potential difference between the helix electrode and an anode electrode to a prescribed voltage, and a switch which switches over whether to connect through the voltage restriction circuit or by short-circuiting between the helix electrode and the anode electrode according to the output of the detection circuit.例文帳に追加

電子管または電源装置に、へリックス電極に流れる電流を検知する検知回路と、へリックス電極とアノード電極間の電位差を所定の電圧に制御する電圧制限回路と、へリックス電極とアノード電極間を、電圧制限回路を介して接続するか、または短絡させるかを、検知回路の出力に応じて切り替えるスイッチとを有する。 - 特許庁

The current collecting leads of the strip-like positive and negative electrode plates are covered with a synthetic resin selected from at least one of thermoplastic resin having dissolution resistance to an organic electrolyte and curing resin cross-linked by heating, ultraviolet irradiation or electron beam irradiation, or a mixture of the synthetic resin with an insulating filler as an insulating layer having a thickness of the thickness of a mixture layer or smaller.例文帳に追加

帯状の正負極板の集電リードには有機電解液に対して対溶性を有する熱可塑性樹脂もしくは加熱，紫外線照射，電子線照射により架橋する硬化性樹脂の少なくとも一つから選ばれた合成樹脂もしくは絶縁性フィラーと前記合成樹脂の混合物を合剤層の厚み以下の厚みを有する絶縁層で被覆する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

To provide a serial control system controlling a constant current generator for an electron light emission source attaining highly accurate adjustment of luminance by a simple circuit structure of a load circuit connected in series with a plurality of lights using the electronic light emission sources and attaining reduction in time for controlling a plurality of load circuits and reduction in load on the maintenance of the lights.例文帳に追加

電子発光光源を用いた複数の灯火が直列に接続されている負荷回路に対して簡単な回路構成で輝度調整の高精度化を図ると共に、複数の負荷回路に対する制御時間を短縮し、さらに、灯火の保守メンテナンス負担を軽減することができる電子発光光源用定電流発生器シリアル制御システムを提供する。 - 特許庁

Polarizable electrodes, which are formed mainly of material that is obtained by partially oxidizing carbon material possessed of fine crystal carbon similar to graphite, are provided to a pair of current collectors formed of metal material respectively, an electron-insulating separator is interposed between the polarizable electrodes for the formation of at least a laminate, the laminate is dipped into an organic electrolyte solution, and thus an electrochemical actuator is obtained.例文帳に追加

金属材料からなる対の集電体に、黒鉛類似の微結晶炭素を有する炭素材料を部分酸化させたものを主材として形成された分極性電極をそれぞれ配設し、分極性電極間に電子絶縁性のセパレータを挟み込んだ少なくとも１つの積層体を、有機電解液で浸漬させてなる電気化学アクチュエータ１である。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The electron gun 30 of the device includes a cathode 32 which has an aperture and a space inside and has a recessed groove 32c formed on the side face of arc shape in the space, a filament 34 which is arranged in the recessed groove 32c and emits electrons by heating by current flowing, and an anode 36 which accelerates the electrons emitted from the filament 34 between the cathode 32.例文帳に追加

本発明の電子銃３０は、開口を有すると共に内部に空間を有し、この空間内の円弧状の側面に凹溝３２ｃが形成されたカソード３２と、凹溝３２ｃに配設され、通電による加熱によって電子を放出するフィラメント３４と、このフィラメント３４から放出されて電子をカソード３２との間で加速するアノード３６とを備える。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

The device 18 acquires a reference data that shows a relationship between reference functions using as a variable the substrate currents when the film 34 is irradiated with the first and second energy electron beams and film thickness in a reference sample, and calculates the film thickness of the thin film on the basis of the first and second substrate current values while taking the reference data into consideration.例文帳に追加

膜厚測定装置１８は、標準試料において、第一のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流と第二のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流とを変数とする参照関数と膜厚との関係を示す参照データを取得し、参照データを考慮して第一の基板電流値と第二の基板電流値とに基づき測定対象の薄膜の膜厚を算出する。 - 特許庁

In detecting defects in a TFT array on a TFT substrate by applying a voltage to the TFT array and detecting secondary electrons obtained by irradiation with an electron beam, the voltage pattern of applying the voltage to the source and/or the gate of the TFT is set to such characteristics parameters as increase a leak current due to an internal leak in the TFT depending on the voltage level and/or the timing of application.例文帳に追加

ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。 - 特許庁

The cold cathode element aging method contains a supply process S3 for supplying action gas for cleaning the cold cathode element to the cold cathode element, and an aging process S4 for aging the cold cathode element to which the action gas is supplied in the supply process S3 while a voltage is applied to the cold cathode element, until an emission current based on electron beams emitted from the cold cathode element reaches a constant value.例文帳に追加

冷陰極素子エージング方法は、冷陰極素子を清浄化するための作用ガスを冷陰極素子に供給する供給工程Ｓ３と、冷陰極素子から放出される電子ビームに基づくエミッション電流が一定値に到達するまで、供給工程Ｓ３によって作用ガスが供給された冷陰極素子に電圧を印加してエージングするエージング工程Ｓ４とを包含する。 - 特許庁

The horizontal distortion correcting device HDCp which corrects the horizontal distortion of an image due to the assembly precision of the CRT display device displaying the image by scanning a video signal Si according to the horizontal synchronizing signal included in the video signal Si includes a PLL 14 which supplies the horizontal deflecting current Ihd to a video signal controller 12 displaying the image on the CRT 24 by deflecting an electron beam.例文帳に追加

映像信号（Ｓｉ）に含まれる水平同期信号に基づいて、映像信号（Ｓｉ）を走査して画像を表示するＣＲＴディスプレイ装置の組立精度に起因して生じる画像の水平歪みを補正する水平歪み補正装置（ＨＤＣｐ）は、電子ビームを偏向して、該ＣＲＴ上に画像を表示させる映像信号制御器（１２）に、水平偏向電流（Ｉｈｄ）を供給するＰＬＬ（１４）を含む。 - 特許庁

This electron emitting element manufacturing device is provided with a holder container 101 for holding a processed substrate 10 having a pair of electrodes 12 and a conductive thin film 13 provided between the pair of electrodes in a surface thereof, a power source 103 for applying voltage between the pair of electrodes of the processed substrate to supply the current to the conductive thin film, and an inductor 109 provided between the power source and the electrodes.例文帳に追加

表面に一対の電極１２と一対の電極間に設けられた導電性薄膜１３とを有する被処理基板１０を保持する保持容器１０１と、被処理基板の一対の電極間に電圧を印加して導電性薄膜に電流を供給する電源１０３と、電源と電極との間に設けられたインダクタ１０９と、を備えた電子放出素子の製造装置である。 - 特許庁