「electron current」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface electrode 3 keeps the current passing through the electron passing layer 4 in a prescribed value during a forward voltage period T1 impressing a voltage higher than that of the lower electrode 2 on the surface electrode 3, and a reverse voltage period T2 impressing a voltage lower than that of the lower electrode 2 on the surface electrode 3.例文帳に追加

表面電極３を下部電極２よりも高電位とした電圧を印加する順電圧期間Ｔ１と、表面電極３を下部電極２よりも低電位とした電圧を印加する逆電圧期間Ｔ２とにおいて、電子通過層４を通過する電流を設定値に保つ。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a channel layer composed of a group III nitride semiconductor containing Al and capable of improving current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and to provide a group III nitride semiconductor stacked wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a translucent positive electrode for a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device having high translucence, low contact resistance and excellent current diffusivity without requiring electron beam irradiation, high-temperature annealing, heat treatment for annealing in an oxygen atmosphere, or the like.例文帳に追加

電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性正極を提供すること。 - 特許庁

A sample expansion image 18 obtained by irradiating a sample 11 with an electron beam 3 while changing an excitation current for an object lens 12 and an astigmatism correction coil 5 of an object lens 12 is imaged by an imaging device comprising an optical lens 19 and an imaging element 20, and the degree of sharpness of the image is calculated by a calculation device 57.例文帳に追加

対物レンズ１２と非点収差補正コイル５の励磁電流を変化させながら試料１１に電子線３を照射して得られる試料拡大像１８を光学レンズ１９、撮像素子２０からなる撮像装置で撮影して、演算装置５７で画像鮮鋭度を計算する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element provided with a positive electrode excellent in adhesiveness, having favorable translucency, having low contact resistance and excellent in current dispersion performance even if electron beam irradiation, high-temperature annealing or alloying thermal treatment in a hydrogen atmosphere is not executed.例文帳に追加

電子線照射や高温アニール、又は酸素雰囲気下での合金化熱処理等を行わない場合であっても、密着性に優れ、且つ良好な透光性を有し、低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The third focusing electrode G5-1 constituting the auxiliary lens QL1 is impressed with a constant focus voltage, and the first focusing electrode G3 is impressed with a dynamic focus voltage where an alternating current component fluctuating in synchronism with a deflection of an electron beam is superposed on a focus voltage.例文帳に追加

補助レンズＱＬ１を構成する第３集束電極Ｇ５−１には一定のフォーカス電圧が印加され、第１集束電極Ｇ３にはフォーカス電圧に電子ビームの偏向に同期して変動する交流成分を重畳したダイナミックフォーカス電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a solar cell capable of enhancing electron reducing property without decreasing visible light transmittance on the counter electrode side and taking out high current in a reverse irradiation type dye-sensitized solar cell performing power generation by light irradiation from the counter electrode side of a negative electrode structure.例文帳に追加

負電極構造体の対向電極側からの光照射により発電を行う逆照射型の色素増感型太陽電池において、対抗電極側での可視光透過率を低下させずに、電子還元性が高められ、高電流を取り出すことが可能な太陽電池を提供する。 - 特許庁

By scanning an electronic beam from the electron irradiation equipment 34 into radiated nozzles 35 in an alternate current magnetic field along conveying direction of a PET bottle 31, and segmenting it into radiation nozzles inner faces of a number of PET bottles 31 are sterilized by a single equipment 34 and the equipment can be miniaturized.例文帳に追加

電子線照射装置３４からの電子線を交流磁場でペットボトル３１の搬送方向に沿って走査し放射状ノズル３５で細分化することにより、一つの電子線照射装置３４で多数のペットボトル３１の内面の殺菌を行うことができ、装置全体を小型化できる。 - 特許庁

An amplitude modulation circuit 107 and a V/I converting circuit 108 apply a driving signal to the plural column wirings respectively in order to drive electron emitting elements connected to the selected row wiring with a constant current in synchronization with the selection of the row wiring by the circuit 102.例文帳に追加

振幅変調回路１０７及びＶ／Ｉ変換回路１０８は、走査回路１０２による行配線の選択に同期して、選択された行配線に接続されている電子放出素子を定電流駆動するべく、複数の列配線のそれぞれに駆動信号を印加する。 - 特許庁

Further, light beams from a condenser lens system 11 is incident upon the back surface side of the element sample 3 (the side of the transparent substrate), in addition to the application of the electron beams, to obtain the applied voltage-current properties of the organic thin film to be measured when light is applied on the element sample 3.例文帳に追加

また、電子ビームの照射とともに、素子試料３の裏面側（透明基板側）に集光レンズ系１１からの光ビームを入射せしめることにより、素子試料３に光を照射したときの被測定有機薄膜の印加電圧−電流特性を得る。 - 特許庁

To largely keep a difference between drain currents in the state that electrons are stored in a charge storage section of a readout object and in the state that electrons are not stored in the charge storage section of the readout object by suppressing a deterioration of a current Ids between drain-source by the electron stored in the charge storage section which is not the readout object.例文帳に追加

読出し対象ではない電荷蓄積部に蓄積された電子によるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの低下を抑制することで、読出し対象の電荷蓄積部に、電子が蓄積されている状態と蓄積されていない状態でのドレイン電流の差を大きく保つ。 - 特許庁

As a result, since the voltage obtained by adding the potential difference (Ie×Re) and the output voltage Va of the acceleration voltage power source 9 becomes the actually intended acceleration voltage to be impressed on the electron gun, the emission current can be measured correctly, without exerting effects of the voltage drop on the acceleration voltage.例文帳に追加

これにより、電位差（Ｉｅ×Ｒｅ）と加速電圧電源９の出力電圧Ｖａを加算した電圧が実際の電子銃に印加される所望の加速電圧となるので、加速電圧に電圧降下の影響を及ぼすことなくエミッション電流を正しく計測できる。 - 特許庁

In an electron beam exposure system, a solenoid lens of a projecting optical system comprises a first projecting lens 15 on the side of a reticle, and a second projection lens 19 on the side of a sensitive substrate, both lenses have an excitation coil respectively, both coils being similar shapes of 4:1 with an excitation current ratio of 1:-1 in equal ampere turns.例文帳に追加

電子線露光装置は、投影光学系の電磁レンズがレチクル側の第１投影レンズ１５と感応基板側の第２投影レンズ１９とからなり、それらのレンズは４：１の相似形をなし、相等しいアンペアターンで励磁電流比が１：−１の励磁コイルを有する。 - 特許庁

In addition, a throttle mechanism 34 having throttles with a plurality of different opening diameters is disposed between a second anode 4 and a first focus lens 6, and the maximum value of the probe current I_p of the primary electron beam 3 travelling toward a first focus lens 6 is determined by this throttle.例文帳に追加

さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉ_ｐの最大値が決定される。 - 特許庁

A restricting mechanism 34 having a throttle having a plurality of different opening diameters is arranged between a second anode 4 and a first focusing lens 6, and the maximum value of probe current Ip of the primary electron beam 3 advancing toward the first focusing lens 6 is determined by the throttle.例文帳に追加

さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉｐの最大値が決定される。 - 特許庁

A conductive thin film (an element film), an anti-static film removing film and an anti-static film are formed, the anti-static film is removed by removing the anti-static film removing film, and stubs are avoided by eliminating the anti-static film on a crack of the electron emission element to lower the nonselective current.例文帳に追加

導電性薄膜（素子膜）と帯電防止膜除去膜と帯電防止膜を形成し、帯電防止膜除去膜を除去することで帯電防止膜を除去し、電子放出素子の亀裂上に帯電防止膜をなくすことで切れ残りを防ぎ、非選択電流を低減させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device that includes a channel layer comprising a group III nitride-based semiconductor containing Al, and improves current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and also to provide a group III nitride semiconductor laminate wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

A current fed to the auxiliary coils 20, 21 has the same difference by having only to adjust the slider terminal 32 once even in the case that an electron beam is deflected to an upper part or a lower part of the screen with a simple configuration only with the auxiliary coils 20, 21 and the potentiometer 30.例文帳に追加

このように、コイル20,21および１つのポテンショメータ30を備えるだけの簡単な構成により、電子ビームを画面上側および画面下側のいずれに偏向する場合においても、可動端子32を１回調整するだけで、各補助コイル20,21に供給すべき電流量に同じ差をつけることができる。 - 特許庁

Each of the (i-1) pieces of elements are test driven which are from the j-th row to the (j+1-1)th row of the k-th column, among the m×n pieces of the electron emission element (hereinafter called the element), during the blanking period of input video signals, and measuring the emission current Ie of these elements.例文帳に追加

入力映像信号のブランキング期間に、ｍ×ｎ個の電子放出素子（以下、素子と称する）のうち、ｋ列目のｊ行目から（ｊ＋ｉ−１）行目までの（ｉ−１）個の各素子をテスト用に駆動し、それらの素子の放出電流Ｉｅを測定する。 - 特許庁

To provide a cathode for an electron gun, capable of realizing long service life at high current density by securing a diffusion route of a reductive element contained in a base metal and smoothly achieving generation of free barium atoms.例文帳に追加

陰極線管に使用する電子銃用陰極に関するもので、ベースメタルに含有される還元性元素の拡散経路を確保し、遊離バリウム原子の生成を円滑に達成することにより、高電流密度での長寿命を実現できる電子銃用陰極を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of stably emitting light with high luminance by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defect part between an electron injection electrode and a hole injection electrode in causing light emission of the organic electroluminescence element where at least a light emitting layer made of an organic compound is provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode.例文帳に追加

ホール注入電極と電子注入電極との間に少なくとも有機化合物からなる発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させるにあたり、電子注入電極とホール注入電極との間における導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下するのを抑制し、高輝度で安定した発光が行える有機エレクトロルミネッセンス素子が得られるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device inspection apparatus for measuring a current being induced in a semiconductor device by irradiating it with an electron beam comprises a means for comparing the waveform of a measured current with a preset standard waveform, and a means for discriminating a fault in the semiconductor device inspection apparatus from a fault in the inspection area of a semiconductor device based on the comparison results of the comparing means.例文帳に追加

電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A thin magnetic field layer perpendicular to a cathode current is applied from the outside of a plasma heating tube to the position of the grid electrode conductor in place of the grid electrode conductor, and using the phenomenon that an electron flow causes cyclotron motion, the cathode current is controlled by the strength of the magnetic field layer whereby gain action similar to the grid electrode conductor is obtained to heat a plasma while solving the thermal problems.例文帳に追加

本発明では上記格子電極導体の代わりに格子電極導体の位置にプラズマ加熱管の外部より陰極電流に直角な薄い磁界層を加え，電子流がサイクロトロン運動を生じることを利用して磁界層の強さにより陰極電流を制御することにより格子電極導体と同様の利得作用を得てプラズマを加熱すると共に熱的問題を解決している。 - 特許庁

To provide a method for refining materials where materials of a metal, an alloy, a semiconductor or the like are melted by the irradiation of electron beams, thus impurity elements included in the materials are removed, the convection current stirring and diffusion of the impurity elements are suppressed, and sufficiently refined high purity materials can be obtained.例文帳に追加

金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide cathode with a new structure having almost no reduction of electron emission within the used period of a color picture tube even if it has high current density exceeding 1 ampere/square cm, although it has an activation time and an operating temperature equivalent to those in a conventional oxide cathode, and a color picture tube loaded with it.例文帳に追加

従来の酸化物カソードと同等の活性化時間、動作温度でありながら、１アンペア／平方ｃｍを越える高い電流密度でもカラーブラウン管の使用期間内は電子放射がほとんど低下しない新しい構造の酸化物カソードとそれを搭載したカラーブラウン管を提供する。 - 特許庁

A high-frequency power source 18 is connected between a base electrode 16 and an emitter electrode 17, and a direct current power source 19 is connected between the collector 11 and the gate electrode 13, so that the electron beam of high output modulated by the high frequency is emitted efficiently from the cathode chip 11a.例文帳に追加

ベース電極１６とエミッタ電極１７との間に高周波電源１８を接続すると共にコレクタ１１とゲート電極１３との間に直流電源１９を接続することにより高周波で変調された電子ビームが高出力かつ高効率で陰極チップ１１ａから放射される。 - 特許庁

The electron emission substance 4 containing at least scandium or a scandium compound is impregnated into the porous base body 3 to form this impregnated cathode wherein the impregnation quantity of the emission substance 4 is above 5.8 wt.%; the content of molybdenum oxide is below 1 wt.%; and a saturated emission current is above 15 A/cm^2.例文帳に追加

多孔質基体(3)に、少なくともスカンジウムもしくはスカンジウム化合物を含有する電子放射物質(4)を含浸させ、電子放射物質(4)の含浸量が５．８重量％以上、酸化モリブデンの含有量が１重量％以下、かつ飽和エミッション電流が１５Ａ／ｃｍ^2以上の含浸型陰極とする。 - 特許庁

To provide a charging rate estimation device for a secondary battery capable of reducing delay of an internal resistance estimated value, when the actual internal resistance is increased by a phenomenon in which internal resistance is increased by delay of electron delivery between positive and negative electrodes during discharge of large current from a secondary battery.例文帳に追加

二次電池の大電流放電時に正負極間で電子の受け渡しが追い着かなくなることに起因して内部抵抗が増大するという現象によって実際の内部抵抗が増大した場合に、内部抵抗推定値の遅れを小さく出来る二次電池の充電率推定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new heterocyclic compound high in electron transfer performance and usable as a material to disperse a luminescent substance of luminescent layers in luminescent elements, to provide such a luminescent element using the new compound and high in electric current efficiency, and to provide light-emitting devices reduced in power consumption, electronic equipment, and illuminators, each using the new compound.例文帳に追加

発光素子において、発光層の発光物質を分散させる材料として用いることのできる新規複素環化合物と、電子輸送性の高い新規複素環化合物と、電流効率の高い発光素子、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。 - 特許庁

When the image processing using maximum entropy method is performed to the microscopic image, the personal computer 20 determines a filtering condition for the image processing based on an evaluation result for comparison between a preliminarily acquired electron microscopic image with large current value and an image using maximum entropy method.例文帳に追加

パーソナルコンピュータ２０は、前記顕微鏡画像に最大エントロピー法を用いた画像処理を施す際に、あらかじめ取得された大照射電流量の電子顕微鏡画像と、最大エントロピー法を用いた画像との比較に対する評価結果に基づいて前記画像処理のためのフィルタリング条件を決定する。 - 特許庁

To prevent an excessively high beam current from flowing in a CRT display comprising a Hi-Gm tube with an electron gun having a cathode, G1 electrode, G2 electrode and G3 electrode in this order for extracting electrons from the cathode and modulating Gm electrode disposed between the G2 and G3 electrodes.例文帳に追加

カソードと、該カソードから電子を引き出すためのＧ１電極、Ｇ２電極、Ｇ３電極をこの順に備え、更に該Ｇ２電極とＧ３電極との間に変調用のＧｍ電極が配置された電子銃を有するＨｉ−Ｇｍ管を含むＣＲＴ表示装置において、過大なビーム電流が流れることを防止する。 - 特許庁

By hourly shifting a start of write-in operation, that is, by staggering, when e.g. a channel hot electron injection is used, since spikes occurring when the write-in operation is started are dispersed to time of a certain extent not occurring at a time, the current required for the charge pump 150 is reduced.例文帳に追加

書込み動作の開始を時間的にずらす、即ちスタガリングすることにより、例えば、チャネルホット電子注入を利用した場合に書込み動作の開始時に発生するスパイクが、一度に発生するのではなく或る程度の時間に分散されるために、電荷ポンプに必要な電流を低減することができる。 - 特許庁

To provide a device and a method for optical disk original disk recording which enables even an original disk exposing device for an optical disk which uses which enables even an original disk exposing device for an optical disk which uses an electron beam to makes pit width corrections by pit lengths with beam intensity while a beam current taken out of a source is held stable.例文帳に追加

この発明は、電子ビームによる光ディスク用原盤露光装置においても、ソースから取り出されるビーム電流を安定させたままで、ビーム強度によって各ピット長毎のピット幅補正を行うことを可能とする光ディスク原盤記録装置とその方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In this IGBT, by setting a ratio W1/W2 between the width W1 of a trench 2 and the interval W2 between one trench 2 and the other trench 2 within a range of 1 to 2, it becomes possible to optimize the electron current density and the conductivity modulation effect, to maintain pressure resistance, to suppress the characteristic variation, and to reduce largely on-resistance.例文帳に追加

本発明に係るＩＧＢＴでは、トレンチ２の幅Ｗ１とトレンチ２間の間隔Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）を１〜２の範囲で設定することで、電子電流密度と伝導度変調効果を最適にし、耐圧を保ち、特性のばらつきを抑えて、かつ、オン抵抗を大きく低減させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel battery cell capable of improving electron conductivity in the vicinity of the surface of an electrode, an anti-exfoliation property of a current collector layer against thermal shock, and increasing an absorption site of hydrogen molecules, and excellent in electrode performance and collecting efficiency.例文帳に追加

電極表面近傍の電子伝導性の向上、熱衝撃に対する集電層の耐剥離性の向上、電極中における酸素、水素分子の吸着サイトの増加が可能で、電極性能及び集電効率に優れた固体酸化物形燃料電池用セル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting electrode having a sharp projection and suitable for a purpose requiring large emission current such as an X-ray generating device by a simple manufacturing method which does not require etching in the separation process from a die, or does not require bonding of a support substrate for reinforcement to the electrode produced or the like.例文帳に追加

鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a fluorescent substance which is suitable for emitting light by the continuous irradiation of middle speed electron beams at an acceleration voltage of about several kV to about ten and several kV and in a high current density, and scarcely deteriorates mission brightness with time, and to provide a fluorescent film using the fluorescent substance.例文帳に追加

加速電圧がおよそ数ｋＶ〜十数ｋＶであり、高電流密度の中速電子線を継続的に照射して発光させるのに適し、経時的な発光輝度の低下の少ない蛍光体を製造する方法及び該蛍光体を用いた蛍光膜を提供しようとするものである。 - 特許庁

In the positive electrode for the secondary battery, as the positive electrode active material, at least one of an oxide based positive electrode active material, a phosphate based positive electrode active material having an olivine type crystal structure, and an olivine fluoride based positive electrode active material is electrically connected to a current collector via an electron conductive member.例文帳に追加

本発明の二次電池用正極は、正極活物質として、酸化物系正極活物質、オリビン型結晶構造を有するリン酸塩系正極活物質、オリビンフッ化物系正極活物質の少なくとも１種が電子伝導部材を介して集電体に電気的に接続されている。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

While observing with a scanning electron microscope, a plurality of probes 1, 2, 3 and 4 each having a sharp tip are made to approach sample electrodes 5, 6, 7 and 8, respectively, and made to come into contact with them completely until a contact current saturates by the use of probe moving mechanisms 14, 15, 16 and 17 under the control of a probe movement control circuit 18.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡で観察しながら、探針移動制御回路１８による制御で、探針移動機構１４、１５、１６、１７により、鋭利な先端を有する複数の探針１、２、３、４を、それぞれ試料電極５、６、７、８に接触電流が飽和するまで接近させ、確実に接触させる。 - 特許庁

Since the threshold value of the transistor which has trapped the hole and the electron in the crystal defect fluctuates, the difference in a drain current due to the fluctuation of the threshold values of a NMOS transistor 201 and a NMOS transistor 202 provided in the storage part 200 is detected by a sense amplifying circuit provided in a SRAM part 100 to read the stored data.例文帳に追加

結晶欠陥に正孔又は電子をトラップしたトランジスタは閾値が変化するので、記憶部２００が備えるＮＭＯＳトランジスタ２０１とＮＭＯＳトランジスタ２０２の閾値の変化によるドレイン電流の差をＳＲＡＭ部１００が備えるセンスアンプ回路で検出することにより記憶されたデータの読み出しを行う。 - 特許庁

As one of feedback methods, part of the output signal of an anode 13 is inputted to a cathode 12 so that a current signal conducted by flow of electron traversing the boundary between a base region and an active region a phase which is delayed from that of the anode voltage signal of the gun element 1 about 0-80° may be generated.例文帳に追加

帰還方法の一つとして、へテロ接合バイポーラガン素子のアノード電圧信号の位相よりも約０°〜８０°遅れた位相でベース領域と活性領域との境界を横切る電子伝導電流信号が生成されるように、アノード１３の出力信号の一部をカソード１２に入力する。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁

To solve the problems of troubles wherein it has to be confirmed in advance that the respective current values of m×n are equal to each another within a tolerance and that, when they are not within the tolerance, each value has to be measured for correcting so that irradiated amount becomes uniform in a lithographic unit or an inspecting unit, using an m×n matrix form electron beam generator.例文帳に追加

m×nのマトリックス状電子ビーム発生装置を用いた描画装置、または、検査装置では、m×nの個々の電流値が許容値内で等しい事をあらかじめ確認しておくか、等しくない場合はそれぞれの値を計り、照射量が均一になるように補正しなければならない。 - 特許庁

In this way, when dielectric material is inserted between a discharge space and the electrode in which plasma has been formed and when a dielectric capacity impedance is formed, according as the concentration of ion and electron inside the discharge space becomes higher than a specified concentration, the more the electric current flow becomes adversely interfered by the dielectric capacity impedance.例文帳に追加

このように、プラズマが形成された放電空間と電極との間に誘電体を挿入し、誘電容量インピーダンスを形成する場合、放電空間内のイオン及び電子濃度が指定された濃度より高くなるほど誘電容量インピーダンスにより電流の流れが逆に妨害される。 - 特許庁