「electrostatic memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An electrostatic screening line SL is made on the sub bit line SB of the redundant memory cell array, and the data line DL to be connected to the ordinary memory cell array is made on the electrostatic screening line SL.例文帳に追加

冗長メモリセルアレイのサブビット線ＳＢ上に静電遮蔽線ＳＬを形成し、通常メモリセルアレイに接続されるデータ線ＤＬを静電遮蔽線ＳＬ上に形成する。 - 特許庁

When an electrostatic component 4 is broken, a nonvolatile memory 11 is disposed on the side of a source 7, and the memory 11 is switched off to interrupt a leakage current to the broken electrostatic protective component 4.例文帳に追加

静電保護素子４が破壊されてしまった場合、ソース７側に不揮発性メモリ１１を置き、不揮発性メモリ１１をオフ状態にして、破壊された静電保護素子４へのリーク電流を遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory of suppressed electrostatic discharge of a thin-film BOX layer.例文帳に追加

薄膜化されたＢＯＸ層の静電破壊を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element, having improved electrostatic discharge characteristics in which current failure of internal circuit can be prevented.例文帳に追加

内部回路の電流フェールを防止することができ静電放電特性が改善されたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To apply an electrostatic coupling type drive circuit to a display device, which has memory capability and has no need of frequent rewriting.例文帳に追加

メモリ性を有して頻繁に書き換える必要がない表示装置に、静電結合方式の駆動回路を適用する。 - 特許庁

When a current flows to the shape memory members 45A to 45D, the shape memory members 45A to 45D are deformed to linear shapes to spread the electrostatic speaker into a rectangular shape.例文帳に追加

形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄに電流が流されると、形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄが直線形状に変形して静電型スピーカ１が矩形に広げられる。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a plurality of electrostatic memory cells having a plurality of word lines and bit lines and first through sixth transistors, respectively.例文帳に追加

複数のワード線とビット線、及びそれぞれ第１乃至第６のトランジスタを持つ、複数の静電記憶セルを構成要素として含む半導体記憶デバイスを提供する。 - 特許庁

The ferroelectric thin film 3 stores an electrostatic force, and the display element 1 has a memory property in order to hold the polarization state.例文帳に追加

強誘電体薄膜３は、静電気力を蓄積し、分極状態を保持するため、表示素子１はメモリ性を有する。 - 特許庁

To provide an image forming cartridge that effectively prevents electrostatic memory and a mechanical trace from being left on a photoreceptor.例文帳に追加

感光体に静電メモリーや機械的な痕跡が残るのを有効に防止することができる画像形成カートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which has a capacitor with large electrostatic capacity, can be manufactured at low cost, and is highly integrated.例文帳に追加

静電容量の大きなキャパシタを備え、低コストで製造が可能な、高集積化された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a comparatively high density integrated circuit memory device that keeps enough electrostatic capacity level for suitable device operation.例文帳に追加

適当な装置動作に対する十分な静電容量レベルを維持しながら、比較的高密度な集積回路メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a removable memory card having a terminal structure for protecting an internal circuit against electrostatic breakdown, without impeding high-speed signal transmission.例文帳に追加

内部回路を静電気による破壊から保護すると共に、高速信号伝送を妨げない端子構造を持つリムーバブルメモリカードを実現する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provide with an electrostatic actuator 11, a charge storage volume detecting circuit 21, a memory circuit 22, and a bias circuit 23.例文帳に追加

半導体集積回路は、静電型アクチュエータ１１、電荷蓄積量検出回路２１、記憶回路２２、及びバイアス回路２３を備える。 - 特許庁

Further, the bias circuit 23 changes drive voltages for driving the electrostatic actuator 11 based on the detection results stored in the memory circuit 22.例文帳に追加

そして、バイアス回路２３は、記憶回路２２に格納された検出結果に基づいて、静電型アクチュエータ１１を駆動するための駆動電圧を変化させる。 - 特許庁

To prevent an external surge such as electrostatic discharge to a terminal with a simple structure when the terminal is set up near a loading slot of a memory card.例文帳に追加

メモリカードの挿入口近傍に端子が設けられている場合に、簡易な構成で該端子への静電気放電などの外来サージを防止する。 - 特許庁

The operation control device has a memory part for storing the operation expression expressing the relation between the electrostatic capacity and the wall thickness of the bottle and the parameter of the operation expression.例文帳に追加

前記演算制御装置は、静電容量と瓶の肉厚との関係を示す演算式とその演算式のパラメータとを記憶する記憶部を有する。 - 特許庁

To obtain a replaceable unit capable of suppressing an electrostatic memory generated on the surface of an image carrier loaded therein, and to obtain an image forming apparatus.例文帳に追加

交換ユニットに備えられた像保持体の表面に発生する静電メモリを抑制することができる交換ユニット及び画像形成装置を得る。 - 特許庁

To solve the following problem: when a card reader is momentarily interrupted by electrostatic noise or the like after unmounting a memory card that has been mounted in the card reader, the unmounted memory card is mounted again, so that processing unintended by a user is executed.例文帳に追加

カードリーダーに装着されたメモリカードをアンマウント処理後、カードリーダーが静電気ノイズ等で瞬断すると、アンマウントしたはずのメモリカードが、再びマウントされてしまい、ユーザの意図しない処理が実行されてしまう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.例文帳に追加

コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device which reduces the area of a memory cell, by increasing the electrostatic capacity between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートとの間の静電容量を大きくすることによりメモリセルの面積を縮小した不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory removing member 30 on the shaft of which are mounted a cylindrical brush or a roller-like sponge, rubs the surface of the photoreceptor drum 22, weakens and diffuses attractive forces of toner or the like so as to enhance an electrostatic charge effect by an electrostatic charge roller 24.例文帳に追加

前記メモリ除去部材３０は、軸に円筒状のブラシまたはスポンジローラ状のものを取付けて、感光体ドラム２２の表面を摺擦し、トナー等の付着力を弱めて拡散させ、帯電ローラ２４による帯電効果をも向上させ得るようにする。 - 特許庁

Electrostatic latent images are formed on the surface of a photoreceptor 4 and are developed in accordance with a color order of electrostatic latent image formation and development, which is arbitrarily set and is stored in a non-volatile memory, and thus an image of higher image quality is printed.例文帳に追加

任意に設定され、不揮発性メモリに記憶された静電潜像の形成とその現像との色順に従って、感光体４の表面に静電潜像の形成及び静電潜像の現像を行うことにより、より高画質な画像を印刷する。 - 特許庁

When a current does't flow to the shape memory members 45A to 45D, the shape memory members 45A to 45D are made soft and freely deformable, so that the electrostatic speaker 1 can be freely deformed to be folded or contracted.例文帳に追加

一方、形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄに電流が流れていない時には形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄが柔らかくなって自在に変形可能となり、静電型スピーカ１を折り畳んだり縮めたりするなど自在に変形させることができる。 - 特許庁

The density pattern information indicating the periodic density unevenness arising in the period, such as in the external diameter period of a photoreceptor drum or at the power source period of an electrostatic charger, is stored in a memory unit 20.例文帳に追加

記憶部２０には、感光体ドラムの外径周期や、帯電器の電源周期等の周期で発生する周期的な濃度ムラを示す濃度パターン情報が記憶されている。 - 特許庁

To provide such a device for forming deposited film that is most suited to manufacture a photoreceptive member for electrophotography excellent in uniformity of film, electrostatic chargeability, temperature characteristic, optical memory, and so on.例文帳に追加

膜の均一性、帯電能、温度特性、光メモリー等に優れた電子写真用光受容部材の製造に好適な、堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a MOS transistor and a memory element on an SOI substrate and can protect not only a gate insulating film, but also a BOX layer against plasma damage and electrostatic damage.例文帳に追加

ＳＯＩ基板にＭＯＳトランジスタやメモリ素子を有し、プラズマダメージや静電ダメージからゲート絶縁膜だけでなく、ＢＯＸ層をも保護することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

By controlling the dopant to be diffused outside, the grain size, density, and uniformity of HSG can be improved and hence the electrostatic capacity of a DRAM memory cell can be increased while keeping reactor throughput as it is.例文帳に追加

外部に拡散されるドーパントを制御することによって、ＨＳＧグレーンサイズ、密度、均一度及びＤＲＡＭメモリセルの静電容量を向上できると同時に、リアクタスループットを維持できる。 - 特許庁

A memory device 127 capable of reading and writing is arranged in a developer cartridge 100 having a developing machine 107 for developing an electrostatic latent image formed on a photoreceptor drum 101 with toner.例文帳に追加

感光体ドラム１０１上に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像機１０７を有した現像カートリッジ１００内に読み書き可能なメモリデバイス１２７を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and its manufacturing method by which a contact between a dielectric film and an antidiffusion film, a reduction of an electrostatic capacity of a capacitor, and an increase of leakage current can be prevented.例文帳に追加

誘電膜と拡散防止膜との接触、キャパシタの静電容量の減少およびリーク電流の増加を防止することができる半導体メモリおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor forming an exact electrostatic latent image with little blur and capable of faithfully developing the electrostatic latent image as a toner image, and to provide an image forming method and an image forming apparatus capable of preventing image defects such as black spots, voids, environmental memory and initial memory and capable of ensuring high-grade image quality with good image density, sharpness and gradation.例文帳に追加

本発明の目的は、ボケが小さい正確な静電潜像を形成し、且つ該静電潜像を忠実にトナー像として顕像化できる有機感光体を提供することであり、且つ黒ポチや白抜け、環境メモリ、初期メモリ等の画像欠陥を防止し、画像濃度、鮮鋭性、階調性が良好な高品位の画像品質を確保できる画像形成方法及び画像形成装置を提供する事である。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which employs configuration to make time between electrostatic charging and destaticization by performing destaticization exposure before a cleaner, and prevents the occurrence of a destaticizing memory due to transfer residue toner and is therefore high in speed and stable.例文帳に追加

クリーナ前除電露光をすることで帯電と除電間の時間を稼ぐ構成とした場合、転写残トナーによる除電メモリの発生を防ぎ、高速、且つ安定した画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a display driving device and a display driving method for a display medium having a memory property by which electrostatic charges in particles of the display medium are accurately detected to select a voltage necessary for rewriting and changes in the display density are prevented.例文帳に追加

表示媒体の粒子帯電量を正確に検知して書き換えに必要な電圧を選択し、表示濃度に変動のないメモリ性のある表示媒体の表示駆動装置及び表示駆動方法を得ることが目的である。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板１において不揮発性メモリセル用領域２０Ｒおよび静電破壊対策トランジスタ用領域１０Ｒに第１濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層２４を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域１１およびドレイン領域１２を形成する工程を含む。 - 特許庁

The apparatus is a nonvolatile semiconductor memory apparatus in which data can be written and erased and data can be held even while voltage is not supplied, the apparatus is provided with a plurality of memory cells including a plurality of electric charge localizing parts in which electrostatic charges corresponding to data can be accumulated respectively, any two in the electric charge localizing parts accumulate electric charges in a complementary state.例文帳に追加

データを書込み及び消去可能で、電圧が供給されない間も当該データを保持可能な不揮発性の半導体記憶装置であって、データに対応する静電荷をそれぞれ蓄えることが可能な複数の電荷局在部を含むメモリセルを複数備え、電荷局在部の内のいずれか２つが相補的な状態で電荷を蓄える。 - 特許庁

To provide a card connector in which ESD (electrostatic discharge) to a circuit on a circuit board is prevented and the connector can be installed on the circuit board at low cost and easily by preventing contact of a human body with a circuit terminal exposed in the vicinity of an insertion port of a memory card in the card connector.例文帳に追加

カードコネクタにおいて、人体がメモリーカード挿入口付近に露出する回路端子に接触することを防ぐことで、回路基板上の回路へのＥＳＤを防止し、コネクタを安価且つ容易に回路基板上に搭載可能とする。 - 特許庁

That is, the lubricant is prevented from intruding into the holding portion between the photoreceptor 28 and the charging roll 72, thereby, a slippage between the photoreceptor 28 and the charging roll 72 is prevented, and then, the electrostatic memory generated on the surface of the photoreceptor 28 is suppressed.例文帳に追加

つまり、感光体２８と帯電ロール７２の挟持部に、潤滑剤が入り込むのが抑制され、これにより、感光体２８と帯電ロール７２との間で生じるスリップが防止されて感光体２８の表面に発生する静電メモリが抑制される。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

To provide a carrier for developing an electrostatic latent image, which maintains a stable charging ability and resistance with less deterioration even in the case of large quantities of prints and high-quality printing and is capable of particularly suppressing development memory to form an image of high quality, a manufacturing method thereof, and an image forming method using the same.例文帳に追加

大量印刷、高印字下でも劣化が小さく安定な帯電能力と抵抗を維持し、特に現像メモリを抑制でき高品位な画像を形成しうる静電潜像現像用キャリアとその製造方法、及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which a developing means is commonly used as a means for recovering and cleaning the toner remaining after transfer and which is excellent in miniaturization and does not give rise to an image defect and image memory due to fusion of a latent image holding medium and contamination of an electrostatic charging member.例文帳に追加

現像手段が、転写残トナーを回収クリーニングする手段を兼ねている小型化にすぐれている画像形成装置において、潜像保持体の融着・帯電部材の汚染による画像不良・画像メモリの発生しない画像形成層値を提供することにある。 - 特許庁

The memory means 14 is arranged at a dead angle region P1 projected by a holding means 10b when the holding means 10b is viewed in a direction intersecting with the longitudinal direction of the electrophotographic photoreceptor 7 from an arbitrary contact point P11 of the electrophotographic photoreceptor 7 and an electrostatic charging means 8.例文帳に追加

電子写真感光体７と帯電手段８との任意の接点Ｐ１１から保持手段１０ｂを前記電子写真感光体７の長手方向と交差する方向にみて、前記保持手段１０ｂによって投影される死角領域Ｐ１に、記憶手段１４を配置する構成とする。 - 特許庁

The process cartridge for forming an image 124 which is constituted by integrating the developing means for developing the electrostatic latent image on the photoreceptor drum 109 with developer and the developer storing container 102 for storing the developer and can be attached to/detached from a printer main body 100 is equipped with a non-volatile cartridge memory 125.例文帳に追加

感光ドラム１０９上の静電潜像を現像剤により現像する現像手段及び現像剤を収容する現像剤収容容器１０２等を一体化した、プリンタ本体１００に着脱可能な画像形成用のプロセスカートリッジ１２４に、不揮発性のカートリッジメモリ１２５を備える。 - 特許庁

Threshold information about the used amount determined by characteristics of a photosensitive material of a photoreceptor drum 1 used for individual cartridges and coefficient information of an operation formula, determined by contacting pressure between the photoreceptor drum 1 and a cleaning blade 10 and the electrical characteristics of an electrostatic charging roller 2 are stored in the memory 22 at the time of manufacturing.例文帳に追加

個々のカートリッジに使用されている感光ドラム１の感光材料の特性によって決定される使用量に関する閾値情報と、感光ドラム１とクリーニングブレード１０の当接圧、帯電ローラ２の電気特性によって決まる演算式の係数情報とを製造時にメモリ２２に記憶させておく。 - 特許庁

To prevent electrostatic charge capacity from decreasing due to memory effect, in a hybrid type electrically-driven vehicle equipped with a generator which generates power by being driven by an engine, a storage device which stores electric energy generated by the generator and an electric motor, in which electric energy is supplied from the storage device.例文帳に追加

エンジンにより駆動されて発電する発電機と、その発電機により発生された電気エネルギーを蓄電する蓄電装置と、その蓄電装置から電気エネルギーが供給される電動モータとを備えているハイブリッド型の電気式駆動車両において、メモリ効果による蓄電装置の蓄電容量の低下を防止する。 - 特許庁

The non-volatile memory element comprises a substrate, at least two first and second electrodes arranged on the substrate with a certain interval from each other, a conductive nanotube which is provided between the electrodes and selectively brought into contact with the first electrode or the second electrode by an electrostatic force, and a supporting table supporting the conductive nanotube.例文帳に追加

基板と、前記基板上に互いに一定間隔をおいて配置される少なくとも２つの第１及び第２電極と、前記電極の間に設けられるものであって、静電気力によって第１電極または第２電極に選択的に接触する導電性ナノチューブと、導電性ナノチューブを支持する支持台と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁