「etching guide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a guide wire satisfying the operability and the strength by taperedly etching a core material by chemical etching.例文帳に追加

化学エッチングによりコア材ワイヤーをテーパ・エッチングして、操作性および強度を満足するガイドワイヤーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method, an etching rate of the second guide layer 22 is calculated on the basis of a change in AlCl emission intensity in the etching of the monitor layer 20 and the second guide layer 22 by dry etching using a chlorine type gas.例文帳に追加

本製造方法では、塩素系ガスによるドライエッチングによってモニタ層２０及び第２ガイド層２２がエッチングされる際のＡｌＣｌの発光強度の変化に基づいて、第２ガイド層１８のエッチングレートが算出される。 - 特許庁

A groove (H) transversing the optical waveguide is formed in the wave guide thin film (12) by dry etching, and the groove (H) is dug down in the silicon substrate (11) halfway by dry etching with the wave guide thin film (12) as a mask.例文帳に追加

光導波路を横切る溝(H)をドライエッチングにより導波薄膜(12)に形成し、その導波薄膜(12)をマスクとするドライエッチングによりシリコン基板(11)の途中まで溝(H)を掘り下げる。 - 特許庁

Based on the etching rate the first guide layer 18 is etched so as to leave specified thickness.例文帳に追加

このエッチングレートに基づいて所定の厚さが残るように第１のガイド層１８がエッチングされる。 - 特許庁

A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.例文帳に追加

基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

A skin layer 22 formed on the surface of the light guide plate 14 is removed using etching treatment.例文帳に追加

まず、導光板１４の表面に形成されているスキン層２２を、エッチング処理を用いて、除去する。 - 特許庁

The substrate (11) and the wave guide thin film (12) are made of materials which can be subjected to dry etching, and the dry etching speed of silicon being the material of the substrate (11) is ≥10 times as high as that of polyimide resin being the material of the wave guide thin film (12) in the etching condition of the substrate (11).例文帳に追加

基板(11)と導波薄膜(12)は共にドライエッチング可能な材料から成り、基板(11)のエッチング条件において、基板(11)材料であるシリコンのドライエッチング速度は、導波薄膜(12)材料であるポリイミド樹脂のドライエッチング速度の１０倍以上である。 - 特許庁

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.例文帳に追加

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁

In the plasma etching equipment 1, four first guide pins 23 are newly arranged on front, rear, right and left portions of an upper surface of an insulating ring 11, and second guide pins 24 whose diameter is smaller than that of the first guide pins 23 are arranged on upper parts of the pins 23.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置1は、絶縁リング１１の上面に新たに前後左右４つの第１ガイドピン２３と、それらの上部に第１ガイドピン２３よりも径の小さい第２ガイドピン２４が設けられている。 - 特許庁

Afterwards, etching is carried out from the upper face of the optical guide layer 53 to the middle of the thickness direction of the active layer 52 so that a groove 53a is formed.例文帳に追加

その後、光ガイド層５３の上面から活性層５２の厚さ方向の途中までエッチングして、溝５３ａを形成する。 - 特許庁

An etching treatment is performed to a thick copper foil in the one side or the vertical side of the assembled coil substrate 1A, and a guide 6 is formed.例文帳に追加

巻芯４のコイル巻部２及びガイド部６をレジスト処理により絶縁層７を形成し、ダイシングにより単体化したコイルボビンを形成する。 - 特許庁

By forming a light guide 2 in a radial pattern by the first etching, there is no risk of oxidation of the surface on which the corner mirror is normally formed.例文帳に追加

１回目のエッチングで、放射状の光導波路２を形成しておけば、本来コーナーミラーが形成される面は、酸化される心配がない。 - 特許庁

The etching process forms a mesa and further exposes the part of not less than 1, in the aluminum-containing cladding region or the aluminum-containing light guide region.例文帳に追加

エッチング工程はメサを形成し、さらにアルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域の１以上の部分を露光させる。 - 特許庁

In the optical waveguide element (1), a photosensitive composition (25) for forming the optical waveguide (20) in an optical waveguide forming region (12) on the base material (10) is used to form a protective layer (31) to be an etching mask for the guide groove, in a guide groove forming region (13) on the base material (10) excluding the guide groove (30).例文帳に追加

光導波路素子（１）は、基材（１０）上の光導波路形成領域（１２）に光導波路（２０）を形成する感光性組成物（２５）を用いて、基材（１０）上のガイド溝形成領域（１３）にガイド溝用のエッチングマスクとなる保護層（３１）をガイド溝（３０）を除いて形成した。 - 特許庁

Next, a metal material is injected in the separation portion to form a metal film at a cross section of the second light guide, and etching is performed on the metal film using the first light guide as a mask to form the metal film as a near-field light generating element on an optical axis of the second light guide.例文帳に追加

次に、離間部に金属材料を入射することにより、第２導波路の断面に金属膜を成膜し、第１導波路をマスクとして金属膜をエッチングすることにより、金属膜は、第２導波路の光軸上に近接場光発生素子として形成される。 - 特許庁

In the substrate 70, guide pin insertion through-holes 72, 74 are formed by selective etching processing or the like on one and the other sides of a lens column including the lenses L_11 to L_14.例文帳に追加

基板７０において、レンズL_１１〜L_１４を含むレンズ列の一方側及び他方側には、ガイドピン挿通孔７２，７４を選択エッチング処理等により形成する。 - 特許庁

The nozzle unit is disposed in plural numbers in an perpendicularly upper side of the substrate, each being equipped with a specific housing part, a slit for passing the etching liquid, and a guide part so as to allow the etching liquid supplied from the nozzle to etch the substrate surface while spilling and flowing, and with a buffer barrier wall to prevent an excessive flow of the etching liquid.例文帳に追加

ここで、前記ノズル部は、基板の垂直上部側に複数設置され、また、ノズル部から供給されるエッチング液があふれて流れながら基板の表面に沿ってエッチングがなされるように特有の収容部、エッチング液通過スリット及びガイド部を備え、エッチング液の過度な流出を防ぐための緩衝隔壁を備える。 - 特許庁

In this method, substrates are carried by disposing guide rolls 7 and 8 with a space of ≥1 mm therebetween in a large number of liquid drain-off rolls disposed between liquid spray tanks of an etching machine or the like.例文帳に追加

エッチング機等の液体噴霧槽間に多段配置される液切りロールにおいて、１ｍｍ以上の隙間を設けたカ゛イト゛ロール７，８を配置して基板を搬送する方法。 - 特許庁

A nitride semiconductor device has a p-type light guide layer 106 composed of a p-type GaN, with a surface being subjected to etching, and a p-type contact layer 108 composed of p-type GaN formed on a surface to be etched in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。 - 特許庁

To enhance productivity of an optical wave guide circuit device by forming an electrode pattern by making the wet etching from an electrode layer laminated by sputters on the thin film heater pattern of a heating device of the optical wave guide circuit device which can tune an optical path length finely.例文帳に追加

光路長を微調整可能な光導波回路装置の加熱装置の薄膜ヒータパターンの上にスパッタ法により積層した電極層からウエットエッチングして電極パターンを成形することによりその光導波回路装置の生産性を高める。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

When the head substrate is produced, the laminated member, wherein an ink guide forming scheduled region and a sacrifice layer 70 are alternately laminated, is subjected to an etching treatment for once to be patterned into a prescribed shape to remove the sacrifice layer 70.例文帳に追加

また、ヘッド基板を作製する際、インクガイドの形成予定領域と犠牲層７０とを交互に積層した積層部材を、１度のエッチング処理で所定の形状にパターニングした後、犠牲層７０を除去する。 - 特許庁

In a substrate processor which performs etching treatment by soaking a substrate 9 in etchant in condition that the substrate 9 is supported in erect posture in a guide groove 321 made in a support member 32, the measurement end 421 of an optical fiber 42 is positioned at the inner face of the guide groove 321a for supporting the substrate 9a whose film thickness is to be measured.例文帳に追加

支持部材３２に形成されたガイド溝３２１に基板９を起立姿勢にて支持した状態で基板９をエッチング液に浸漬してエッチング処理を行う基板処理装置において、膜厚が測定される基板９ａを支持するガイド溝３２１ａの内面に光ファイバ４２の測定端４２１を位置させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the processes of selectively etching a semiconductor layer structure, produced with nitride material-based; and of making the semiconductor layer structure include an aluminum-containing cladding region or an aluminum-containing light guide region.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子の製造方法は、窒化物材料系で製造された半導体層構造体を選択的にエッチングする工程と、アルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域を含ませる工程とを含む。 - 特許庁

In the step for etching the metallic layer, the board 10 is supported by two supporting members 32 arranged to deviate in the transporting direction of the board 10 and the carrying route of the board 10 is regulated by pushing down the board 10 by at least one guide member 34 arranged between two supporting members 32 in an area where the etching liquid 100 is jetted.例文帳に追加

金属層をエッチングする工程では、基板１０の搬送方向にずれて配置された少なくとも２つの支持部材３２で基板１０を支持し、かつ、２つの支持部材３２の間であってエッチング液１００が噴射される領域内に配置された少なくとも１つのガイド部材３４で基板１０を押し下げることによって、基板１０の搬送径路を規制する。 - 特許庁

The first metal layer is exposed by the anisotropic dry etching with the mesh type first metal layer as a mask from the side of the first metal layer 16, and a guide opening hole reaching the acoustic cavity of the silicon substrate is drilled on a clearance part of a part of a mesh.例文帳に追加

第１金属層１６側からはメッシュ状の第１金属層をマスクとして異方性ドライエッチングで第１金属層を露出させるとともにメッシュの一部の隙間部分はシリコン基板の音響キャビティーに達する案内開口の孔をあける。 - 特許庁

An ink outlet 56 is provided near an ink guide 52 which is manufactured in such a manner that a tip part is sharpened by anisotropic wet etching of a monocrystalline substrate, and such an ink flow 14 as to cross a side surface of a sharpened part 54 is formed by using ink flowing out from the ink outlet 56.例文帳に追加

単結晶基板の異方性ウエットエッチングによって先端部が先鋭化されて作製されたインクガイド５２の近傍にインク流出口５６が設けられ、インク流出口５６から流出するインクにより先鋭部５４の側面を横切るようなインク流１４が形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.例文帳に追加

ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材１１をレーザで溶接され、コア材１１がエッチング液１６に浸る時間を制御することにより、コア材１１の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁

The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁

To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths.例文帳に追加

ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。 - 特許庁

In each interval among the etching solution vessel 1, the washing treatment vessel 4 and the dipping treatment vessel 5, a conveying device 7 moved by holding the bucket 1 holding the aluminum honeycomb core W so as to be ascendable/descendable and movable, is set and this conveying device 7 is fitted with a clamping means 10 for holding the bucket 3 ascended/descended along a guide rail 9.例文帳に追加

エッチング溶液槽１と洗浄処理槽４とデップ処理槽５との間には、アルミハニカムコアＷを収容した前記バケット３を保持して移送する昇降、かつ移動可能な搬送装置７が設置され、この搬送装置７は、ガイドレール９に沿って昇降するバケット３を保持するクランプ手段１０が取付けられている。 - 特許庁