「first layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(396ページ目) - Weblio英語例文検索

A lead frame 13 on which a sensor chip 11 and a signal processing circuit IC 12 are mounted is placed in a molding die and a thermosetting resin is poured therein so that a first resin layer 14 is formed.例文帳に追加

センサチップ１１および信号処理回路用ＩＣ１２が実装されたリードフレーム１３を成形型内にセットし、熱硬化性樹脂を注入して第１樹脂層１４を形成する。 - 特許庁

The main section of a region conducting a photoelectric conversion is configured of the semiconductor layer containing the first crystal region and the second crystal region existing in an amorphous structure.例文帳に追加

非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 105 is formed on a lower-layer wiring, and a first interlayer dielectric film 106 and a second interlayer dielectric film 108 are deposited on the silicon nitride film 105.例文帳に追加

下層配線の上にシリコン窒化膜１０５が形成され、該シリコン窒化膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６及び第２の層間絶縁膜１０８が堆積されている。 - 特許庁

Subsequently, an n-type region and a p-type region are formed on the first semiconductor layer 30a by using the shield portion 34a as a mask, and then the shield portion 34a is removed.例文帳に追加

その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

At least one organic EL panel of the first organic EL panel 51a and the second organic EL panel 51b includes a reflection layer comprising a material for reflecting light.例文帳に追加

第１の有機ＥＬパネル５１ａおよび第２の有機ＥＬパネル５１ｂの、少なくとも一方の有機ＥＬパネルは、光を反射する材質から構成される反射層を備える。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a plurality of contact holes including a first contact hole where a wiring line is exposed are formed in an inter-layer insulating film positioned between adjacent wiring lines.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、隣り合う配線の間に位置する層間絶縁膜内に、配線が露出した第１のコンタクトホールを含む複数のコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The semiconductor area 33 is heated to result in mass transport of an InP semiconductor, so as to form an InP 37 on the side wall 21b of a first semiconductor layer 21a.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体のマストランスポートを引き起こすために半導体領域３３の熱処理を行って、第１の半導体層２１ａの側壁２１ｂ上にＩｎＰ３７を形成する。 - 特許庁

The FD portion 16 is formed in the surface layer of the silicon substrate 40 (Fig. 5(C)) by removing the resist mask R1 and implanting n-type impurity ions (As^+) from above the first conductive film 52.例文帳に追加

レジストマスクＲ１を除去し、第１導電性膜５２上からｎ型不純物イオン（Ａｓ^＋）を注入することにより、シリコン基板４０の表層にＦＤ部１６を形成する（図５（Ｃ））。 - 特許庁

The first resonator has an inductor to connect the input terminal 22 and the ground terminal 24, and the inductor includes a conductor-layer-for-inductor located vertically to the bottom surface 20B.例文帳に追加

第１の共振器は、入力端子２２とグランド端子２４とを接続するインダクタを有し、このインダクタは、底面２０Ｂに対して垂直に配置されたインダクタ用導体層を含んでいる。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage device 100 is provided with: memory strings MS; and a projected layer 50 having first width in the row direction and formed at an upper part of a substrate Ba by projection.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリストリングスＭＳ、ロウ方向に第１幅を有し且つ基板Ｂａの上方に突出して形成された突出層５０を備える。 - 特許庁

The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含む。 - 特許庁

The first and second transfer electrodes 12 and 14 are buried between the n-type region 28 and the buffer layer 18 and an insulating film 30 is interposed between the electrodes 12, 14 and the n-type region 28.例文帳に追加

第１および第２の転送電極１２、１４は、ｎ型領域２８とバッファー層１８との間に埋め込まれ、ｎ型領域２８との間には絶縁膜３０が介在している。 - 特許庁

The first wiring 10 and the second wiring 20a are formed in a layer while sandwiching an insulation film 12, and the resistor 14 is formed in a via hole 13 formed in the insulation film 12.例文帳に追加

第１の配線１０と第２の配線２０ａが絶縁膜１２を挟んで層状に形成され、絶縁膜１２に形成されたバイアホール１３内に抵抗１４が形成されている。 - 特許庁

Next, with the photosensitive film 47 as a mask, the first metal layer 43 is patterned so as to have the width (W1) by an anisotropic etching method to form the gate electrode with multilayer structure ((c) in Fig.5).例文帳に追加

次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁

In order to measure a characteristic of a layer filter having four terminals, arm-shaped first, second, third and fourth projecting parts 31, 32, 33, 34 are set to a printed circuit board 11.例文帳に追加

４個の端子を有する積層フィルタの特性を測定するためにプリント回路基板１１にアーム状の第１、第２、第３及び第４の突出部３１、３２、３３、３４を設ける。 - 特許庁

The top of the whole surface layer 18 has the arrangement of a first laminated body 12 for front part of the foot, a second laminated body 14 for a central part of the foot, and a third laminated body 16 for rear part of the foot.例文帳に追加

全面層１８上には、足の前部用の第１の積層体１２、足の中央部用の第２の積層体１４、足の後部用の第３の積層体１６が配置される。 - 特許庁

On each side of the base material, the optical film thickness of a thin film of the first layer which is formed at the nearest position from the base material surface is made to be different from each other on either side of the base material.例文帳に追加

基材の両面それぞれの側において該基材面に最も近い位置に形成する第１層目の薄膜の光学的膜厚を、該基材の両面で互いに異ならせる。 - 特許庁

A second chip is stacked to the first chip, and the compact adherent intermediary layer is used to stick the rear of the second chip that has multiple second bonding pads located on the active surface (step 7).例文帳に追加

第２チップを第１チップ上に堆積し、緻密粘着仲介層を用いて能動面に位置する複数の第２ボンディングパッドを有する第２チップの背面を粘着する（ステップ７）。 - 特許庁

In the method for producing the multi-layer composite material having at least one color, numbers of acrylic resin layers are unified, cured partially in the first process, and cured completely in the second process.例文帳に追加

１種以上の色を有する多層複合材料の製造法は、多くのアクリル樹脂層を一つに合わせ、第一工程で部分的に硬化させ、第二工程で完全に硬化させる。 - 特許庁

The ink droplets 24 landing on the first processing liquid layer 22 can spread to a prescribed size without coagulation, then, a prescribed adhesion related to the intermediate transfer body 12 is obtained.例文帳に追加

第１処理液層２２に着弾したインク液滴２４は凝集することなく所定の大きさに広がることができ、中間転写体１２との所定の接着力を得ることができる。 - 特許庁

The first substrate and a second substrate which becomes a deposition substrate are arranged to face each other, and laser beams are radiated to heat the light absorbing layer, and a deposition is conducted on the second substrate.例文帳に追加

この第１の基板と被成膜基板となる第２の基板とを対向して配置し、光吸収層にレーザ光の照射を行って加熱し、第２の基板に成膜を行う。 - 特許庁

Since heat of the heating resistor layer 33 is prevented from being dissipated to the outside through the first and second electrode layers 34 and 35, thermal efficiency of the heating element 32 can be enhanced.例文帳に追加

発熱抵抗体層３３の熱が第１、第２電極層３４、３５を伝って外部に放熱されることが防がれ、発熱素子３２の熱効率を向上させることができる。 - 特許庁

On a surface of a first insulation layer L1 covering the drive transistor Tdr and the capacitor C1, an element conduction part 71 electrically connected to the drive transistor Tdr via a contact hole Ha3 is formed.例文帳に追加

駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とを覆う第１絶縁層Ｌ1の面上には、コンタクトホールＨa3を介して駆動トランジスタＴdrに導通する素子導通部７１が形成される。 - 特許庁

The first etching liquid treated is injected into a second treatment container, and a second etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the second etching liquid.例文帳に追加

処理後の第１エッチング液を第２処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第２エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第２エッチング液中に含ませる。 - 特許庁

Twenty physical ports 216 whose data transmission speed is respectively 1 Gbps for a switching capacity 10 Gbps are provided in a first slot 212_1 of a layer 3 switch 201.例文帳に追加

レイヤ３スイッチ２０１の第１のスロット２１２_1には、スイッチング容量１０Ｇｂｐｓに対して、データ伝送速度がそれぞれ１Ｇｂｐｓとなっている２０個の物理ポート２１６が設けられている。 - 特許庁

The first and the second disk substrates 2 and 5 are stuck to each other by an adhesive layer 4 so that a protruded surface 2c of the projecting part 2b and a protruded surface 5c of the projecting part 5b abut on each other.例文帳に追加

凸部２の突出面２ｃと凸部５ｂの突出面５ｃとを当接するようにして、第１のディスク基板２と第２のディスク基板５とを接着層４により貼り合わせる。 - 特許庁

Each conductive layer is individually coupled to a respective electric potential such that fringing electric fields are screened to reduce motion of the first plurality of combs along a sense axis due to the fringing electric fields.例文帳に追加

周縁電界を遮断して、周縁電界に起因する感知軸に沿った第１の複数のコームの運動を低減するように、各導電層はそれぞれの電位に個々に結合される。 - 特許庁

An organic memory device 100 includes an organic active layer 20 containing an iridium organometallic compound and a conductive polymer between a first electrode 10 and a second electrode 30.例文帳に追加

第１電極１０と第２電極３０との間にイリジウム有機金属化合物及び伝導性高分子を含む有機活性層２０を含んで有機メモリ素子１００を構成する。 - 特許庁

A first laminate is formed by joining a backing layer material 1 formed of an epoxy resin containing alumina powder prepared by incorporating alumina powder 1b into an epoxy resin 1a and a piezoelectric vibration 2.例文帳に追加

エポキシ樹脂１ａにアルミナ粉末１ｂを混入させたアルミナ粉末入りエポキシ樹脂で形成したバッキング層材１と圧電振動子２とを接合して第１積層体７を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12.例文帳に追加

第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。 - 特許庁

A white LED 10 includes a light emitter 12 which emits a light having a first wavelength and a fluorescent material layer 22 which converts a part of the light into a light having a second wavelength.例文帳に追加

白色ＬＥＤ１０は、第一の波長の光を放射する光エミッタ１２と、その光の一部を第二の波長の光へと変換する蛍光物質の層２２とを含む。 - 特許庁

The circuit board 10 comprises a laminated substrate 11 consisting of a first semiconductor substrate 11A and a second semiconductor substrate 11B laminated via an insulating layer 11C.例文帳に追加

本発明の回路基板１０は、絶縁層１１Ｃを介して積層された第１半導体基板１１Ａおよび第２半導体基板１１Ｂから成る積層基板１１を有する。 - 特許庁

In this manner, a semiconductor substrate in which an embedded insulating layer is embedded selectively under a first main surface is manufactured, and a semiconductor device is manufactured using this semiconductor substrate.例文帳に追加

このようにして、第１の主面の下に埋め込み絶縁層が選択的に埋め込まれた半導体基板を作製し、この半導体基板を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁

Barrier ribs 20 for partitioning discharge spaces in the direction being in a row with the address electrodes 12 are discontinuously formed in the first dielectric layer 13 between the address electrodes 12.例文帳に追加

そして前記アドレス電極１２間の第１誘電体層１３にはアドレス電極１２と並んだ方向に放電空間を区画する隔壁２０が不連続的に形成される。 - 特許庁

Then, one or more quantities of powder materials mixed in the microplasma stream can be applied to the workpiece without masking the workpiece after applying a first layer.例文帳に追加

マイクロプラズマ流中に混入された１又はより多くの数量の粉末材料を、最初の層を適用した後に、ワークピースをマスキングすることなく、ワークピースに適用することができる。 - 特許庁

On a substrate 10 composed of GaAs, a first semiconductor layer 11 composed of AlGaInP is formed through crystal growth, adding magnesium(Mg) of the p-type dopant.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１０の上に、ＡｌＧａＩｎＰからなる第１の半導体層１１をｐ型ドーパントであるマグネシウム（Ｍｇ）を添加しながら結晶成長により形成する。 - 特許庁

A photoresist layer 9 is selectively formed on an SiO_2 film 8 at a first region R1 and a third region R3, and the SiO_2 film 8 at a second region R2 is removed by etching.例文帳に追加

第１の領域Ｒ１及び第３の領域Ｒ３のＳｉＯ２膜８上にホトレジスト層９を選択的に形成し、第２の領域Ｒ２のＳｉＯ２膜８をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first upper electrode 106, including a central part 106c and a peripheral part 106p, and a layer insulation film 110 covering this element 106.例文帳に追加

半導体装置１０は、中央部１０６ｃと周縁部１０６ｐとを含む第１の上部電極１０６と、第１の上部電極１０６を覆う層間絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

A back of a first semiconductor substrate 11 is ground, ion implantation is performed for forming an n-type impurity layer 14 on a back side of the substrate 11, and a retaining substrate 15 is stuck on the back.例文帳に追加

第１の半導体基板１１の裏面を研削し、その裏面側にｎ型不純物層１４を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板１５を貼り付ける。 - 特許庁

The common electrode wirings 26b and 26a are formed by a first metal layer, extended in the direction in parallel with the scanning line and connected with the common electrode potential at a peripheral part.例文帳に追加

共通電極配線２６ｂ及び２６ａは、第１の金属層で形成され、走査線に平行な方向に延伸し、周辺部で共通電極電位に接続されている。 - 特許庁

The first layer extends for substantially the whole length of the cantilevered element, and the uniform resistor portion is formed by removing a central slot of the material from a partial length of the cantilevered element.例文帳に追加

第一層は、ほぼカンチレバー素子の長さ全体にわたって延び、均一抵抗部は、この材料の中央スロットをカンチレバー素子の長さの一部から除去することによって形成される。 - 特許庁

On the condition of selectively removing the first layer insulating film 44, the contact hole is formed at a part adjacent to the TG 33 in the self-matching manner and inside that contact hole, a contact plug 50 is formed.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４４を選択的に除去する条件でＴＧ３３に隣接する部位に自己整合的にコンタクトホールを形成し、その中にコンタクトプラグ５０を形成する。 - 特許庁

At the same time, the extended electrodes 12 in the neighborhood of the first non-conductive layer 11 heated and removed by the irradiation of the laser beam are fused and welded and electrically connected to the antenna 22.例文帳に追加

同時に、レーザ光の照射により加熱除去された第１非導電層１１の近傍の拡大電極１２を融解してアンテナ２２に融着させて電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.例文帳に追加

第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁