「gate-kept」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Accordingly, depletion is hardly generated in the gate electrode 4b when a gate voltage is applied and an electrical effective film thickness of the gate insulating film 3 is kept thin.例文帳に追加

このため、ゲート電圧印加時にゲート電極４ｂの空乏化が起こりにくく、ゲート絶縁膜３の電気的な実効膜厚も薄膜に保たれる。 - 特許庁

Using a depression type N-channel field effect transistor as a gate voltage potential control transistor which controls the gate voltage potential of the pull-up transistor, the gate voltage potential is kept at a low level.例文帳に追加

また、当該プルアップトランジスタのゲート電位を制御するゲート電位制御トランジスタをデプレッション型のＮチャネル電界効果トランジスタとして、そのゲート電位をローレベルに維持する。 - 特許庁

...He opened a new gate of the land of Kabuki that had been closed for hundreds of years and kept away from others.' 例文帳に追加

・・・何百年間封鎖して余人の近づくを許さなかったランド・オブ・カブキの関門を開いた。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In such an on prohibition state, the switching element 20 is turned on when the gate grounding state is normal and kept turned off when the gate grounding state fails.例文帳に追加

このようなオン禁止状態にてスイッチング素子２０はそのゲートの接地のもと正常であればオンし故障であればオフのままである。 - 特許庁

The overlapped area between the gate pattern having the opening and the drain is kept so as not to change the capacitance (Cgd) between the gate and drain.例文帳に追加

開口部を備えたゲートパターンとドレインの間の重複領域は、ゲート−ドレイン間の容量（Ｃｇｄ）を変化させないように保持できる。 - 特許庁

Consequently, lateral symmetry of the metal dummy pattern 6 can be kept when viewed from the gate electrode 1.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１から眺めたメタルダミーパターン６の形状の左右対称性が保持される。 - 特許庁

The upper part of the gate oxide film 16 is made thicker than the side part thereof, and it is kept insulated when a source voltage is applied thereto.例文帳に追加

ゲート酸化膜１６の上部は側部より厚くし、ソース電圧印加時にも絶縁状態を維持する。 - 特許庁

In the initial charging period of the gate of the switching element S*#, the switching element 42 for clamping is kept in the ON state.例文帳に追加

スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電期間の初期において、クランプ用スイッチング素子４２をオン状態としておく。 - 特許庁

He determined the number of footsteps from the gate of his house to a road, and he kept going back and forth between his house and the road until he could reach the road with the right number of footsteps. 例文帳に追加

家の門から道までの歩数を決めていて、これが合わないと何度でも繰り返した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Afterwards, the closing state of the gate is kept until another dedicated vehicle enters the communication area again.例文帳に追加

これ以降は、再び別の専用車両が通信エリアに侵入するまで、ゲートの閉塞状態が保持される。 - 特許庁

With this revolving door equipment, the gate 36 is kept in the closed state while the door tips of the arcuate panels 10a and 10b are passing near the closed position, and then the gate is set to the open state.例文帳に追加

コントローラ４２は、円弧パネル１０ａ、１０ｂの戸先が閉じ位置付近を通過している間、ゲート３６を閉状態にし、その後に開状態とする回転ドア装置。 - 特許庁

A plurality of assist gate electrodes 33 are formed with intervals kept among these electrodes by providing an assist gate insulating film 2a on the principal front surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主表面上にアシストゲート絶縁膜２ａを介在させ互いに間隔を隔てて複数のアシストゲート電極３３が形成されている。 - 特許庁

In the bus business office era, a Series 27 tram, which was used on the Horikawa line, was kept beside the front gate in a glass-walled room (currently, the tram is kept in an operational state at Umekoji Park). 例文帳に追加

バス営業所だった時代には、正門横に堀川線に使用されていた27号電車がガラス張りにして保存されていた（現在、同車は梅小路公園で動態保存されている）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a valve control region I, a flow rate adjusting valve opening SPA and a waste gate valve opening WGA are kept "full close."例文帳に追加

バルブ制御領域Ｉにおいては流量調節バルブ開度ＳＰＡ及びウェストゲートバルブ開度ＷＧＡを「全閉」に維持する。 - 特許庁

A gate 3 is realized, where with an SiGe mixed crystal or an SiGeC mixed crystal as a material, the mixed crystal is thermally oxidized to segregate Ge, with a composition at a gate end different from that at a gate central part for a threshold to be kept high.例文帳に追加

材料がＳｉＧｅ混晶或いはＳｉＧｅＣ混晶であって、該混晶を熱酸化してＧｅを偏析させ、組成をゲート端部とゲート中央部とで異ならせることに依って、しきい値を高く維持したゲート３を実現する。 - 特許庁

The high concentration ohmic diffusion zone 9 for a base and the gate electrode 15 are connected to an input terminal 29 and kept in the same potential through a base wiring 25 or a gate electrode wiring 27.例文帳に追加

ベース用高濃度オーミック拡散層９とゲート電極１５はベース配線２５又はゲート電極配線２７を介して入力端子２９に接続され、同電位にされている。 - 特許庁

The semiconductor device includes the construction to prevent the gate of MOSFET from being broken down by surge, the ends of trenches are slantwise disposed in proximity to a gate pad so that the distance between the ends of the trenches where a gate electrode is formed, and gate wiring can be kept at a predetermined value.例文帳に追加

サージによりＭＯＳＦＥＴのゲートが破壊されるのを防ぐため、ゲート電極の形成されるトレンチ終端とゲート配線との距離が所定の値を維持できるように、ゲートパッドの近傍でトレンチ終端の配置を斜めに配置して並べていく構成を有している。 - 特許庁

In a gate terminal MOSFET 24, a constant voltage corresponding to a zenner voltage of a zenner diode 32 is kept being applied and is maintained in the ON state, and a driving current A4 is kept being provided to the motor 20.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ２４のゲート端子には、ツェナーダイオード３２のツェナ電圧に対応する一定電圧が印加され続け、オン状態を維持し、モータ２０に駆動電流Ａ４が供給され続ける。 - 特許庁

Instead, a source-gate voltage of the pMOS transistor 10 is kept constant to limit a source-drain current within a constant current.例文帳に追加

代わりに、ｐMOSトランジスタ１０のソース・ゲート間電圧を一定に維持してソース・ドレイン間を流れる電流を一定電流以下に制限する。 - 特許庁

When PMOS transistors P1, P2 are in ON, OFF states, the storage terminal Na can be kept at a 'H' state by the PMOS P1, and the storage terminal Nb can be kept logically at a 'L' state by a gate leak current flowing from a gate of the NMOS transistor N2 to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ１，Ｐ２がＯＮ，ＯＦＦ状態の場合、記憶端子ＮａはＰＭＯＳトランジスタＰ１によって“Ｈ”の状態に、記憶端子ＮｂはＮＭＯＳトランジスタＮ２のゲートから半導体基板に抜けるゲートリーク電流によって論理的に“Ｌ”の状態を保つことができる。 - 特許庁

The capacitor holds the gate-source voltage of the transistor; therefore, even though the potential of a first electrode of the transistor changes, the current value is kept constant by keeping the gate-source voltage constant.例文帳に追加

前記容量素子は、トランジスタのゲート・ソース間電圧を保持するため、トランジスタの第１の電極の電位が変化しても、ゲート・ソース間電圧を一定とすることにより電流値を一定とする。 - 特許庁

To apply a high voltage temporarily to the gate of a switching device when the device is turned on or off to enable a mirror period near a threshold voltage to pass away at a high speed so as to turn the device on or off quickly and to enable an adequate bias voltage to be applied to the gate of the device when it is kept on or off.例文帳に追加

ターンオン、又はターンオフ時に、ゲートに一時的に高い電圧を印加してスレッショルド電圧付近のミラー期間を高速で通過させ、高速でターンオン又はターンオフさせる。 - 特許庁

The walls are stretched 39 ken (about 70 m) both east and west, and the Shunka-mon gate and the Shumei-mon gate are placed at the ends with guardhouses on both east and west sides of the gates, and the guards of Hyoefu (Headquarters of the Middle Palace Guards) kept guarding them using torchlight. 例文帳に追加

東西の築墻はそれぞれ39間で、その両端に春華門および修明門があり、門外の東西に杖舎を設け、舎前に炬火を焼き、左右の兵衛府がこれを警固した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Therefore, the operation of the parasitic capacitance as a drain-gate coupling capacitor of the amorphous-silicon thin film transistor can be kept to a minimum by minimizing the gate-drain parasitic capacitance.例文帳に追加

従って、ゲート−ドレーン間寄生容量を最少化することによって、寄生容量が非晶質−シリコン薄膜トランジスタのドレーン−ゲート間カップリングキャパシターとして動作することを最小化させることができる。 - 特許庁

As a result, even if a MOS field effect transistor is used under the condition where a gate voltage is kept comparatively high, power consumption can be lessened.例文帳に追加

この結果、ゲート電圧が比較的高い条件下でＭＯＳ電界効果トランジスタを使用しても、消費電力を低くすることができる。 - 特許庁

At gate closing time, a balance with the weight 20 is kept, and the cutoff part 12 holds almost horizontal attitude regulated by the regulating member 17.例文帳に追加

閉門時は、前記錘２０との平衡が保たれて遮断部１２は前記規制部材１７により規制された略水平姿勢を保持する。 - 特許庁

To provide a single gate type bidirectional switching element in which a threshold voltage is kept low, a low on-resistance is realized and a restriction on the shape is alleviated.例文帳に追加

シングルゲート型の双方向スイッチ素子において、閾値電圧を低く抑え、低オン抵抗を実現すると共に、形状の制約を緩和する。 - 特許庁

The metallic material is started to heat with a heating means to open a gate-cut part, and after the temperature of the gate-cut part in one nozzle reaches a prescribed temperature for opening the gate-cut part, this temperature is kept until the gate-cut parts in the whole other nozzles reach the prescribed temperature.例文帳に追加

ゲートカット部を開口するために前記加熱手段によって金属材料の加熱を開始し、一のノズルの前記ゲートカット部の温度が前記ゲートカット部を開口する所定の温度まで達した後に、他の前記ノズルの前記ゲートカット部の全てが前記所定の温度に達するまでその温度を保持させる。 - 特許庁

In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio.例文帳に追加

この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。 - 特許庁

The width of the silicide layer 4b is kept larger than the gate length and then the flocculation of a silicide is suppressed even when the width of the polysilicon layer 4a to shorten the gate length.例文帳に追加

よって、ゲート長を短くするためにポリシリコン層４ａの幅を小さくした場合でも、シリサイド層４ｂの幅は当該ゲート長よりも大きく保持され、シリサイド層４ｂにおけるシリサイドの凝集は抑えられる。 - 特許庁

The vehicle entry gate device 2 and the sales floor antenna device 5 read out an ID kept by a customer, and transmit the time read out and the information on the devices to the server device.例文帳に追加

入車ゲート装置２及び売場アンテナ装置５は、顧客が保持するＩＤを読み出し、読出した時刻，自装置情報をサーバ装置に送信するする。 - 特許庁

The extension 17a is kept nearly constant in impurity concentration in the lengthwise direction of a gate and set smaller than the drain region body 17b in impurity concentration.例文帳に追加

エクステンション部のゲート長方向の不純物濃度はほぼ一定で且つドレイン領域本体部１７ｂの不純物濃度よりも小さく設定されている。 - 特許庁

To solve a problem that switches using many group III nitrides suitable for power application as a base material are always kept to be ON when there exists no gate signal.例文帳に追加

電力応用に適した多くのＩＩＩ族窒化物を基材とするスイッチはゲート信号がない場合には常時オンでありこれを解消する。 - 特許庁

The distance between the cathode electrode 3 and the gate electrode 7 is defined by the diameter of the glass beads 5, and thus the gap between them is kept constant.例文帳に追加

そして、ガラスビーズ５の直径によりカソード電極３とゲート電極７との間の距離が規定され、その間のギャップが一定に保持される。 - 特許庁

Since the condition of the gate insulating film of the n-type MIS transistor is the same as a conventional one, driving force of the n-type MIS transistor can be kept.例文帳に追加

一方、ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜などの条件は従来と同じであるため、ｎ型ＭＩＳトランジスタの駆動力を保持することができる。 - 特許庁

The value of the VBLH is kept monitored at all times and is fed back by voltage dividing circuits R1 and R2 and a comparator circuit OP1 to the gate of a transistor MP1.例文帳に追加

ＶＢＬＨの値は、常に、モニタされており、分圧回路Ｒ１，Ｒ２及び比較回路ＯＰ１によりトランジスタＭＰ１のゲートにフィードバックされる。 - 特許庁

To obtain a DTMOS which can be lessened in power consumption, even if it is used under a condition where a gate voltage is kept comparatively high.例文帳に追加

ゲート電圧が比較的高い条件下で使用される場合であっても、低消費電力にすることが可能なＤＴＭＯＳを提供することである。 - 特許庁

As a result, the N-channel MOS low-side transistor 5 of the output section 23 maintains the ON state since the charged electric charge of the capacitive load 10 is stored in a parasitic capacity 6 between its drain and gate and its gate potential is kept high.例文帳に追加

その結果、出力部２３のＮ型ＭＯＳローサイドトランジスタ５は、そのドレイン−ゲート間の寄生容量６に容量性負荷１０の充電電荷が蓄積されて、そのゲート電位が高く保持されるので、ＯＮ状態を維持する。 - 特許庁

Thus, drain current I2 of a transistor P2 is kept constant since voltage VgsP4, VgsP5 between a gate and a source of the transistors P4, P5 are fixed and drain voltage of the transistor P2 is kept constant irrespective of fluctuation of voltage of a terminal VSI.例文帳に追加

これにより、トランジスタＰ４，Ｐ５のゲート・ソース間電圧ＶgsP4，ＶgsP5が固定され、端子ＶＳＩの電圧の変動に関係なく、トランジスタＰ２のドレイン電圧を一定に保っているために、トランジスタＰ２のドレイン電流Ｉ２を一定に保つことが可能になる。 - 特許庁

If the sensor senses the vehicle running beyond a vehicle stopping flap 16 kept raised without adjustment, a control means moves the gate opening/ closing means 24 to the stop position.例文帳に追加

精算がされずに上昇したままの車止め用フラップ１６を、車が超えるのをセンサが感知すると、制御手段が、ゲート開閉手段２４をその阻止位置にする。 - 特許庁

The gate potential of the NMIS transistor 3 can be kept lower than the potential of the power supply line 1 by the NMIS transistor 6 and PMIS transistor 7.例文帳に追加

この時、ＮＭＩＳトランジスタ６及びＰＭＩＳトランジスタ７によりＮＭＩＳトランジスタ３のゲート電位を電源ライン１の電位よりも低く抑えることができる。 - 特許庁

Even if the gate TRs of a memory cell are kept turned off by applying an L to word lines 106, 107, etc., the L can be written as the data to the memory cell.例文帳に追加

このときに、ワード線１０６，１０７等にＬを与えてメモリセルのゲートトランジスタをオフ状態にしておいても、メモリセルにデータとしてＬを書き込むことができる。 - 特許庁

To provide an insulating gate type semiconductor device having an on-resistance similar to that of a thyrister, while the resistance level of an element at a short-circuit accident is kept with a high maximum cut-off current density.例文帳に追加

最大遮断電流密度を大として短絡事故時の素子の耐量を維持し、かつ、オン抵抗がサイリスタ並に低い絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

After impurities are obliquely injected into a semiconductor substrate where the gate electrode has been formed, the semiconductor substrate is introduced into an oven filled with a nitrogen atmosphere kept at a temperature of ≤850°C.例文帳に追加

ゲート電極の形成された半導体基板に対し斜め方向から不純物を注入した後、これを「８５０℃以下」の窒素雰囲気の炉内に入れる。 - 特許庁

Since the not-solidified state of separation surfaces of the synthetic resin is thus kept, the synthetic resin pushed into the cavity S and the gate 13A on rising of the gate cutting member 17 is fused thoroughly with the synthetic resin present before the synthetic resin is pushed into the cavity S and the gate 13A.例文帳に追加

従って、合成樹脂の分離面部位は固まらない状態が維持されているので、ゲートカット部材１７が上昇することにより、キャビティＳ内及びゲート１３Ａ内へと押し込まれた合成樹脂とキャビティＳ内及びゲート１３Ａ内に押し込まれる前からあった合成樹脂とが綺麗に融合する。 - 特許庁