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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > growing pointの意味・解説 > growing pointに関連した英語例文

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growing pointの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 56



例文

an undifferentiated point of a plant root or stalk where cell division occurs, called growing point 例文帳に追加

植物の根や茎の,成長点という細胞分裂が行われる部分 - EDR日英対訳辞書

the highest point of anything conceived of as growing or developing or unfolding 例文帳に追加

成長、発達、または展開すると考えられる事の頂点 - 日本語WordNet

the act of cultivating by cutting the growing point of plants 例文帳に追加

植物の茎の先端の生長点を切り取って培養すること - EDR日英対訳辞書

The tip part of the flower stalk 1 becomes a growing point 8.例文帳に追加

また、花茎1の先端部分は成長点8となっている。 - 特許庁

例文

To provide a single crystal growing apparatus capable of easily and stably growing, especially, a large diameter single crystal composed of a high melting point raw material.例文帳に追加

特に、高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁


例文

The solvent and growing AlCl_3(i-Pr_2O) species are mixed homogeneously so that the boiling point of the solution is higher than the boiling point of the pure isopropyl chloride.例文帳に追加

溶媒と成長性AlCl_3(i-Pr_2O)種は均質に混ざり、溶液の沸点が純粋なイソプロピルクロリドの沸点より高くなる。 - 特許庁

An image pattern is formed while taking account of a position subjected to disturbance of scanning by matching the growing point of mesh point with an optical system being scanned continuously.例文帳に追加

網点の成長点を連続走査される光学系と一致させ、走査の乱れの出やすい位置を考慮した画像パターンの形成を行う。 - 特許庁

The first cooling treatment is performed, and a lower silicon layer 14 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the crystal growing seed 12.例文帳に追加

そして第1の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液13中のシリコンを結晶成長のシード12を起点に結晶成長させて下層シリコン層14を形成する。 - 特許庁

A growing point corresponding to the difference in each environmental element is read out (step S6) and current total growing points are calculated in each pet (step S7).例文帳に追加

さらに、各環境要素ごとに前記差に対応する成長ポイントを読み出し(ステップS6)、各ペットごとに今回の合計成長ポイントを算出する(ステップS7)。 - 特許庁

例文

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶5表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

例文

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、0.09μm以上のLPD密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for growing a single crystal silicon ingot which contains an axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects.例文帳に追加

凝集真性点欠陥を実質的に含まない軸対称領域を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The lubricant is continuously ejected in the direction to the rear edge before staying at the stagnation point and growing into massive drops.例文帳に追加

淀み点に潤滑剤が滞留して塊状の液滴に成長する前に、潤滑剤を後縁方向に連続的に排出することができる。 - 特許庁

To provide a method of growing a single crystal of gallium oxide at a lower temperature than the melting point (1,900°C) of gallium oxide.例文帳に追加

酸化ガリウムの融点(1900℃)よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This can prevent the compound layers 17 growing between the opposite faces of the high-fusing point metallic sections 14a from continuing to each other.例文帳に追加

これにより、高融点金属層部分14aの対向面間に成長する前記化合物層17が相互に連続することが、防止される。 - 特許庁

Since the growing point and a converging point exist on a dashed line, the boundary of scanning intersects the interface of writing area and non-writing area perpendicularly at all times.例文帳に追加

破線上に成長点と収束点が存在することによって、描画領域と非描画領域の界面と走査の境界が常に垂直に交わる。 - 特許庁

This formation method of an active material layer for a battery is characterized by forming a plating base point on a surface of a collector, and by growing an active material from the plating base point to fix it to the collector by plating.例文帳に追加

集電体表面にメッキ基点を形成し、活物質を前記メッキ基点から成長してメッキにより該集電体に固定することを特徴とする電池用活物質層の形成方法。 - 特許庁

In the preparing process, the buffer layer 110 having a melting point higher than the temperature for growing a crystal in the growing process and at least one of higher porosity, higher ductility and higher brittleness than those of a material which composes the crucible 101 is arranged.例文帳に追加

準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝101を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層110を配置する。 - 特許庁

In 949, in response to a story about seven pine trees growing overnight in front of the Taishogun sha, which was the northwestern point for peace and control of Naniwa-kyo, the Osaka-tenmangu Shrine (Tenman tenjin) was built under imperial command. 例文帳に追加

また、949年には難波京の西北の鎮めとされた大将軍社前に一夜にして七本の松が生えたという話しにより、勅命により大阪天満宮(天満天神)が建立された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Izanagi, arriving at the starting point of Yomotsu Hirasaka (the slope that leads to the land of the dead), situated at the border between the land of dead and the land of the living, picked three peaches from the peach tree growing there. 例文帳に追加

イザナギは黄泉の国と地上の境である黄泉比良坂(よもつひらさか)の坂本に辿り着くと、そこに生えていたモモの木から3つの桃を取った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a single crystal growth apparatus capable of easily and stably growing a large-diameter single crystal especially from a high-melting point raw material by the floating zone process.例文帳に追加

フローティングゾーン法により、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

CULTIVATION OF FUNGUS USING ONE OR TWO YEAR GROWN BRANCH AND PRUNED MATERIAL CONTAINING PLENTY OF GROWING POINT OF TREE, AND DEVELOPMENT TECHNIQUE OF FUNGUS MYCELIUM-CONTAINING BREEDING FEED FOR LIVESTOCK AND FISH例文帳に追加

樹木の生長点を多く含む一年目、二年目に成長した枝や剪定材を利用した菌茸類の栽培及び菌茸菌糸体を含む家畜や魚類の養殖餌の開発技術 - 特許庁

Then, the second cooling treatment is performed, and the upper silicon 16 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the lower silicon layer 14.例文帳に追加

そして第2の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液15中のシリコンを下層シリコン層14を起点に結晶成長させて上層シリコン層16を形成する。 - 特許庁

A method for redifferentiation is carried out by aseptically culturing a callus induced from a growing point of a node in a runner of the plant of the genus Zoysia and regrowing the plant body.例文帳に追加

シバ属植物の走出枝の節の生長点から誘導したカルスを無菌的に培養して植物体を再生させることを特徴とする、シバ属植物の再分化法。 - 特許庁

A plurality of annular cut areas formed in concentric circular states by a graphene sheet contained in the multilayered CNT at the end of the CNT on the side far from the growing base point of the CNT is respectively brought into contact with the conductive layers.例文帳に追加

前記多層CNTに含まれるグラフェンシートにより形成され、前記多層CNTの成長基点から遠い側の端部に同心状に形成される複数の環状の切り口が、導電層にそれぞれ接触する。 - 特許庁

A crystal growing seed 12 is formed on the surface of an insulating substrate 11, and the crystal growning seed 12 and a silicon containing low melting point metal fused solution 13 are brought into contact with each other.例文帳に追加

絶縁基体11の表面側に結晶成長のシード12を形成し、その結晶成長のシード12とシリコン含有低融点金属溶融液13とを接触させる。 - 特許庁

To provide a method for growing carbon nanocoils, in which a low melting point metal is not used in order to grow the carbon nanocoils not limited in the applications without contaminating the inside of an apparatus.例文帳に追加

用途に制限のないカーボンナノコイルを、装置内を汚染することなく成長させるために、低融点の金属を用いずにカーボンナノコイルを成長させる方法を提供すること。 - 特許庁

The nitride semiconductor 14 is made to start growing from the exposed region (region B) of the substrate which is provided in the first process and serves as a starting point (third process).例文帳に追加

基板10上に、第1工程において露出していた基板部分(領域B)を成長起点として窒化物半導体14を成長させる(第3工程)。 - 特許庁

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ3内のランガサイト融液8と種結晶2との固液界面9近傍に5点式熱電対10を設けて、単結晶育成中(るつぼ下降中)に固液界面9近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

In a method for culturing a standard product of the Phalaenopsis orchid, the growing point 8 is picked off in a state of Fig.1 in which six buds are attached when culturing Phalaenopsis orchid having six-stem flower as the standard product.例文帳に追加

本発明の胡蝶蘭の規格品栽培方法では、例えば、規格品として「6輪咲きの胡蝶蘭」を栽培する場合、つぼみを6つ付けた図1の状態で成長点8を摘み取る。 - 特許庁

The growth of a rod-shaped crystal 106 growing with the applying window 102 as starting point is stopped, on the way due to blocking of growth between adjacent rod-shaped crystals.例文帳に追加

添加ウィンドウ102を基点として成長した棒状結晶106は隣接する棒状結晶同士で成長を阻害しあい途中で成長が停止する。 - 特許庁

The stagnation point concentrating the shearing stress by air flow is prevented from growing by making the second recess (11) shallower than the first recess (3).例文帳に追加

第2の凹部(11)を、第1の凹部(3)より浅く形成して、空気流により作用する剪断応力が一点に集中する領域である淀み点の発生を抑制する。 - 特許庁

More and more corporations, mainly manufacturers, reported a rapidly growing feeling of excessive employment in the first half of 2009, but the feeling gradually subsided after that point. However, it is becoming stronger again in the second quarter of 2011. 例文帳に追加

雇用過不足感の状況を見ると、2009年前半に製造業を中心に急速に高まった過剰感は、その後縮小したが、2011年第2四半期に入り再び過剰感が高まりつつある。 - 経済産業省

More and more corporations, mainly manufacturers, reported a rapidly growing feeling of excessive employment in the first half of 2009, but the feeling gradually subsided after that point. However, it is becoming stronger again in the second quarter of 2011. 例文帳に追加

雇用過不足感の推移を見ると、2009年前半に製造業を中心に急速に高まった過剰感は、その後徐々に低下しているが、2011年第2四半期に入り過剰感が高まりつつある。 - 経済産業省

If technical consultations and other informal collaborations apart from joint/commissioned research are included, collaborations with SMEs clearly are growing, particularly by universities which have a TLO or regional cooperative center as a point-of-contact.例文帳に追加

このように共同研究・受託研究以外の技術相談等を含めた緩やかな連携を含めれば、特にTLOや地域共同センターといった窓口がある大学では、中小企業との連携が活発であることが分かる。 - 経済産業省

The subject is solved by a structure which is characterized by having a substrate and a carbon nanotube layer formed on its surface by growing from a catalyst which is an alloy containing at least one kind of Fe, Ni or Co and has a melting point of 700-1,050°C and not exceeding the melting point of the substrate.例文帳に追加

基板と、その表面に形成された触媒から成長したカーボンナノチューブ層とを有し、該触媒がFe、Ni、またはCoの少なくとも一種を含む合金であり、該触媒の融点が700〜1050℃で、かつ基板の融点を超えないことを特徴とする構造体により、上記課題が解決される。 - 特許庁

This production method for virus-free seedlings includes charging plant bodies subjected to growing point culture into a cytokinin-containing liquid medium in an aseptic condition, and performing culture under a light source of an illumination of 1,000-15,000 lux while giving air, oxygen and carbon dioxide to the liquid medium.例文帳に追加

生長点培養した植物体をサイトカイニン類を含有する液培体地中に無菌条件下で投入し、該液体培地中に空気、酸素、二酸化炭素等を与えながら照度1000から15000luxの光源下において培養を行うウィルスフリー苗の生産方法。 - 特許庁

The physiologically active vegetable substance collected from the growing point in the plant body is eluted using the biological reservation solution originating from the organism body and the PCR technique is applied to the resultant active solution to amplitude the nucleic acid components to prepare a solution of the physiologically active vegetable substance.例文帳に追加

植物の成長点から採取した植物生理活性物質を、生物体由来の生物性保存液を溶媒として溶出させ、得られた活性溶液にPCR法を用いて核酸成分を増幅させて植物生理活性物質溶液とする。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of growing a high-quality and high-performance oxide single crystal with extremely little oxygen depletion in case that a material with a high melting point is used, its manufacturing method, and a high-quality oxide single crystal manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は、高融点材料であっても酸素欠損が極めて少なく、高品質、高性能な酸化物単結晶を育成することのできる高品質酸化物単結晶の製造装置および製造方法ならびにこの製造方法により作製される高品質酸化物単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal for efficiently discharging a gaseous material or particles having a high melting point present in a melt during growing a crystal to the outside of the system and for obtaining a grown crystal with high purity and no bubble or the like, and to provide a crystal manufacturing apparatus for the method.例文帳に追加

結晶成長の際に融液内に存在するガス体や高融点のパーティクルを効率的に系外に排出し、成長した結晶が高純度であり、気泡等を含まない結晶成長方法およびそのための結晶製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a plant growing apparatus provided with a light radiation means functioning not as a point light source but as a plane light source to enable the exposure of almost whole area of the target plants with light and installable in a narrow space to save the installation space.例文帳に追加

点光源ではなく面光源として機能し、これによって対象となる植物のほぼ全域に光を良好に照射することができ、しかも大きなスペースをとらずに省スペース化も可能となる光照射手段を備えた、植物育成装置を提供する。 - 特許庁

The tensile strength of the restraint rods 12 prevents a small rupture at the postulated rupture point 10 of the rupture-postulated piping 9 from growing into a circumferential rupture, and the temperature/humidity sensor detects a fluid leaking from the small rupture in the closed box.例文帳に追加

破断想定配管9の想定破断個所10に生じる微小な破断は、拘束ロッド12の引っ張り強度に基いて円周方向破断への成長を阻止し、この微小な破断から漏れる流体を、密閉したボックス内で温度・湿度センサにより検出させる。 - 特許庁

What expected to be a new driving force for “sustainable developmentof the world economy standing on such turning point is a new world market offive billionpeople constituted by emerging countries that are coming up with their growing presence, their deepening interconnection with advanced economies of ten billion people as well as interconnection between emerging countries themselves.例文帳に追加

こうした転機を迎えた世界経済において、「持続的発展」に向けた新たな原動力として期待されているのは、存在感を高めつつある新興国が、新興国同士での連関、10億人の先進国との連関をも深める中で成立している「50億人」規模の新たな世界市場の存在である。 - 経済産業省

The heat dissipation structure includes a substrate, a surface layer formed on both surfaces or one surface of the substrate and comprising Al or an Al alloy layer, and an aluminum carbide whisker layer growing outward from the surface layer, wherein a melting point of the surface layer is lower than the melting point of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の両面又は片面に形成されたAl又はAl合金層からなる表面層と、及び該表面層から外側に向かって成長している炭化アルミニウムウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱構造により、上記課題が解決される。 - 特許庁

To reduce a working time at the dicing step of dividing a semiconductor device by growing cracks along a planned dividing line starting from a reformed region after inducing multiple photon absorption by setting a laser light-condensing point within the semiconductor device to form the reformed region within the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の内部にレーザ光の集光点を合わせることで多光子吸収を引き起こし、半導体装置の内部に改質領域を形成した後、改質領域を起点として分割予定ラインに沿って亀裂を成長させて半導体装置を分割するダイシング工程において、加工時間を短縮すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the carbon nanotube assembly is characterized in that catalyst particles are heated to the temperature where the degree of the aggregation of the catalyst particles and the growth rate of the carbon nanotube are balanced in a CVD process of growing carbon nanotubes by the thermal decomposition of an organic compound vapor with the catalyst particles formed on a substrate as a base point.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上に形成された触媒粒子を基点として有機化合物蒸気の熱分解によってカーボンナノチューブを成長させるCVD工程において、前記触媒粒子を、前記触媒粒子の凝集の程度と前記カーボンナノチューブの成長速度とを平衡させる温度に加熱することを特徴とする。 - 特許庁

The method for maturing the plant is suitably carried out by using one or more "culturing group of sphagnum moss in which one or more units of the stem of live sphagnum moss in collected state to collection of fixed dried sphagnum are brought into contact with the collection of the dried sphagnum moss and the growing point of the live sphagnum moss is substantially exposed from the collection of the dried sphagnum moss".例文帳に追加

特に、1個以上の「定形化されている乾燥ミズゴケの集合物に対して、まとまった状態の生長ミズゴケの茎部の1単位以上が、その乾燥ミズゴケの集合物に接触しており、かつ、前記の生長ミズゴケの生長点が、前記の乾燥ミズゴケの集合物から実質的に露出してなる、ミズゴケの栽培基」を用いて、この植物の養生方法を行うことが好適である。 - 特許庁

The system is such that data of the compositional profile of a volatile organic compound in a food storage space such as a food storage house 10 at a remote site is transmitted via a communication line to a fixed-point monitoring station, where microbial flora growing on food and its storage space can be monitored.例文帳に追加

さらに、前記方法を用いたシステムであって、遠隔地の食品保存庫10等の食物保存空間の揮発性有機化合物の組成プロファイルを通信回線を用いて定点観測所にデータを送信し、定点観測所で食品および保存空間で生育する微生物群を監視することのできるシステム。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a mixture of a fluoride and a scavenger, the scavenger contains two or more kinds of compounds each having at least one maximum point in a range of ≤1,400°C in a pressure-temperature curve.例文帳に追加

フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において1400℃以下に1以上の極大点を有する化合物を2種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

例文

The manufacturing method for the semiconductor device has a process of heating the metal film to the stress yield point of the metal ±50°C (B) and holding it at the temperature for a certain time and a process of growing crystal particle size of the metal film by heating the metal film up to a temperature (C) where the crystal particle size is grown above the keeping temperature.例文帳に追加

金属膜をその金属の応力降伏点±50℃(B)まで加熱してこの温度に所定時間保持する工程と、金属膜を保持温度以上の結晶粒径が成長する温度(C)に加熱することで金属膜の結晶粒径を成長させる工程とを備えている半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

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