「have -n」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The multiplex PWM cycloconverter is arranged such that output terminals of respective phases of p unit converters in an n input m output PWM cycloconverter comprising n*m bidirectional switches (n, m and p are integers of 2 or larger, respectively) are connected in parallel through reactors to have m outputs, as a whole.例文帳に追加

双方向スイッチｎ*ｍ個で構成されるｎ入力ｍ出力ＰＷＭサイクロコンバータの単位変換器ｐ個（ｎ，ｍ，ｐはそれぞれ２以上の整数）の各相出力端子をリアクトルを介して並列接続し、全体としてｍ個の出力端子を持つように構成した多重PWMサイクロコンバータを提案する。 - 特許庁

At this time, the amount of at least one time transfer among n times transfers and the range of the recording element used for at least one time recording operation among n times recording scannings are adjusted so that the position for performing the cutting when n times transfers have been performed in the image formation process may coincide with the cutter position.例文帳に追加

このとき、その画像形成過程においてｎ回の搬送が行われたときにカットを行う位置とカッタの位置とが一致するよう、ｎ回の搬送のうち少なくとも１回の搬送量とｎ回の記録走査のうち少なくとも１回の記録動作に用いられる記録素子の範囲とを調整する。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁

A reinforcing fabric 130 constituting the reinforcing layer 13 is specified so as to have 20-200 N/cm of a load required to obtain 2% of elongation in the printing direction of the blanket for printing and 200-450 N/cm^2 of compressing stress E_c when the fabric is compressed so as to have the whole thickness to of 0.19 mm.例文帳に追加

補強層１３を構成する補強布１３０は、印刷用ブランケットの印刷方向において２％の伸びを得るのに要する荷重が２０〜２００Ｎ／ｃｍであり、かつ全体の厚みｔが０．１９ｍｍとなるように圧縮したときの圧縮応力Ｅ_c が２００〜４５０Ｎ／ｃｍ^2 であることを特徴とする。 - 特許庁

First synchronism detection circuits 2-1 to 2-I detect M bits (M<N), being a part of synchronous pattern N bits in the signals obtained by dividing input signals which have been developed in parallel into a plurality of groups and judges the existence of a synchronous pattern in the group.例文帳に追加

第１の同期検出回路２−１〜２−Ｉはパラレル展開された入力信号が複数のグループに分割された信号において同期パタンＮビットの一部であるＭビット（Ｍ＜Ｎ）を検出し、グループ内の同期パタンの存在を判定する。 - 特許庁

A wait time is inserted (S745) after completing the first step of the N smaller steps S720, and then a moving step S740 and an inserting step are repeated until the remainder of the N smaller move steps have been completed.例文帳に追加

Ｎ個のより小さいステップＳ７２０のうちの第１ステップ完了後に待ち時間が挿入されて（Ｓ７４５）、次いで、Ｎ個のより小さい移動ステップＳ７２０の残りが完了するまで、移動させるステップＳ７４０と挿入するステップとが繰り返される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an n-channel field effect transistor and a p-channel field effect transistor, in which both of the n-channel field effect transistor and the p-channel field effect transistor have excellent drain current property.例文帳に追加

ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。 - 特許庁

The first to N-th semiconductor chips have substantially the same configuration, and each includes an identification flag memory circuit including first to N-th memory units and a plurality of through electrodes connected to the identification flag memory circuit.例文帳に追加

第１乃至第Ｎの半導体チップは同一構成を有し、第１乃至第Ｎの半導体チップの各々は、第１乃至第Ｎの記憶部を有する識別フラグ記憶回路と、該識別フラグ記憶回路に接続される複数の貫通電極とを有する。 - 特許庁

This is the case (1) when no characters have yet been written to standard output, (2) when the last character written to standard output is "n", or (3) when the last write operation on standard output was not a print statement.例文帳に追加

行頭にある場合とは、(1) 標準出力にまだ何も書き出されていない場合、(2) 標準出力に最後に書き出された文字が "n"である、または (3) 標準出力に対する最後の書き出し操作が print 文によるものではない場合、です。 - Python

In the formulae, R^1 is -H or -CH_3; R^2 and R^3 are each a 1-12C alkylene; R^4 is H, a 1-12C alkyl which may have a substituent, cycloalkyl, aryl, aralkyl or a heterocycle; and (n) is an integer of 1-50.例文帳に追加

（式中、R^1は-Hまたは-CH_3を示す。R^2及びR^3はそれぞれ炭素数1〜12のアルキレン基を示す。R^4は水素原子または置換基を有してもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基若しくは複素環を示す。nは1〜50の数である。）。 - 特許庁

By such a structure, the gate electrode 12 is made to have a gate voltage potential and a channel region is made to be on, which enables a current to flow easily between an n^+-type drain region 10 and an n^+-type source region 9.例文帳に追加

このような構造により、サージが印加されたときに、ゲート電極１２にゲート電位を持たせることができ、チャネル領域をオンさせられるため、ｎ^+型ドレイン領域１０とｎ^+型ソース領域９との間で電流が流れ易くなるようにできる。 - 特許庁

The current passes through the light-emitting diodes 11-2...11-n, which have not been broken, via the overvoltage restraining elements 17-1, thus turning on the optical thyristors corresponding to the light-emitting diodes which have not been broken.例文帳に追加

そして、故障していない発光素子１１−２、・・１１−ｎには過電圧抑制素子１７−１を介して電流が流れることになり、故障していない発光素子に対応する光サイリスタについてはターンオンさせることができる。 - 特許庁

To provide inks that need not include an aggressive monomer of N-vinyl-2-pyrrolidone (NVP) or the like in the inks, have suitable resistance to a resin injection process, and have excellent adhesion to a loaded resin.例文帳に追加

Ｎ−ビニル−２−ピロリドン（ＮＶＰ）などの攻撃的なモノマーをインク中に含める必要がなく、樹脂注入工程に対する適当な耐性を持ち、及び充填樹脂に対する良好な接着性を有するインクの提供。 - 特許庁

In the formula, X represents an alkyl group which can have a substituent, an alkoxy group which can have a substituent, an amino group which can have a substituent, a hydroxyl group, a cyano group or a halogen atom; n represents an integer of 0 to 5; Y represents a hydrogen atom or a cyano group; and Z represents a hydroxyl group, an alkoxy group which can have a substituent, or a halogen atom.例文帳に追加

（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基、シアノ基またはハロゲン原子である。ｎは、０以上５以下の整数である。Ｙは、水素原子またはシアノ基である。Ｚは、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基またはハロゲン原子である。） - 特許庁

When requesters issue access requests, if the requesters have not been given the FPs (N in S30), the requesters requires the tokens (S32), and issue access requests (S36) after obtaining the tokens (S34).例文帳に追加

リクエスタはアクセス要求を発行する際、ＦＰを取得してなければ（Ｓ３０のＮ）、トークンを要求し（Ｓ３２）、取得してから（Ｓ３４）アクセス要求を発行する（Ｓ３６）。 - 特許庁

A video photographing device 1 being a master machine has a transmission and reception function and a control function of the system as a whole, and video photographing devices 2, 3,..., n being slave machines have a transmission and reception function.例文帳に追加

親機となる映像撮影装置１は送受信機能とシステム全体の制御機能とを有し、子機となる映像撮影装置２，３，…，ｎは送受信機能を有する。 - 特許庁

A video photographing device 1 being a master machine has a transmission and reception function and a control function of the system as a whole, and video photographing devices 2, 3, ..., (n) being slave machines have a transmission and reception function.例文帳に追加

親機となる映像撮影装置１は送受信機能とシステム全体の制御機能とを有し、子機となる映像撮影装置２，３，…，ｎは送受信機能を有する。 - 特許庁

N-th particles 83 of a material having water absorption and swelling properties are provided on the inner surfaces of holed paths 81, that have large void diameters among the void paths of the gas diffusion electrode.例文帳に追加

ガス拡散電極の空孔経路のうち、大きな空孔径を有する空孔経路８１内面に、吸水膨張性を有する材料のｎ次粒子８３を備える。 - 特許庁

In a similar learning data generation part 4, from among n pieces of learning data SDq, a piece of similar learning data SSDq is selected which have high similarity with data to be processed.例文帳に追加

類似学習データ生成部４において、ｎ個の学習データＳＤｑのうち、被処理データとの間の類似度が高い類似学習データＳＳＤｑを選択する。 - 特許庁

Preferably, in the Nth underfill resin application process, a small batch of the underfill resin 8 is applied on the batches of the underfill resin 8 that have been applied before and in the N-1th application process.例文帳に追加

好ましくは、Ｎ回目のアンダーフィル樹脂塗布工程において、アンダーフィル樹脂８を、（Ｎ−１）回目までに塗布されたアンダーフィル樹脂８上に塗布するようにする。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

Then the P clad and N clad have higher diffusion coefficients of carriers in a second direction orthogonal to the first direction than in the first direction.例文帳に追加

そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 - 特許庁

A plurality of delay paths 20-1-20-n to which a node N1 is connected in common via an input terminal IN have delay characteristics in response to number of inverters 21.例文帳に追加

入力端子ＩＮにノードＮ１が共通に接続された複数の遅延パス２０−１〜２０−ｎは、インバータ２１の数に応じた遅延特性を持っている。 - 特許庁

A first buffer layer 2a near a silicon substrate 1 and second buffer layer 2b on other portions have a high and low concentrations of an n-type impurity, respectively, resulting in some concentration difference.例文帳に追加

シリコン基板１の近傍をＮ型不純物の濃度が濃い第１バッファ層２ａとし、それ以外の部分を濃度が薄い第２バッファ層２ｂとして濃度差をつける。 - 特許庁

The source region and the drain region have silicide layers 36 on their surfaces, and this semiconductor device has a protective layer 52 on the surface of the n-type impurity diffused layer 54 of the Zener diode 220.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域はその表面にシリサイド層３６を有し、ツェナダイオード２２０のＮ型不純物拡散層５４の表面には保護層５２を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a p-channel MIS transistor and an n-channel MIS transistor both have a low threshold voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＰチャネルＭＩＳトランジスタとＮチャネルＭＩＳトランジスタ双方のしきい値電圧が低い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The three conductor pressing parts are set to have total conductor pressing force 20 N/mm^2 or more based on a conductor diameter 2.0-2.6 mm.例文帳に追加

この三つの導体押圧部は、これらトータルの導体押圧力が、導体径２．０ｍｍ〜２．６ｍｍを基準として２０Ｎ／ｍｍ^２以上となるように設定されている。 - 特許庁

The camera 2 is disposed at a position facing the bottom of the device so as to have an optical axis, in a perpendicular direction (Z-axis direction) of a suction nozzle N disposed on a turntable.例文帳に追加

カメラ２は、ターンテーブルに設けられた吸着ノズルＮの垂直方向（Ｚ軸方向）に光軸を持つように、デバイスの底面に対向する位置に設けられている。 - 特許庁

Frequency f_am of the first carrier signal and frequency f_pwm of the second carrier signal used for PWM control are set to have following relation: f_am=f_pwm×(n+0.5)例文帳に追加

第１のキャリア信号の周波数ｆ_amとＰＷＭ制御に使用される第２のキャリア信号の周波数ｆ_pwmとが、以下のような関係を有するように設定される。 - 特許庁

If N(c^*(k), q^I(k)) is a subset of the area C^I(k), the first real interval polynomial can be determined to have the second interval polynomial as a quasi-factor.例文帳に追加

Ｎ（ｃ^＊（ｋ），ｑ^Ｉ（ｋ））⊆上記領域Ｃ^Ｉ（ｋ）であれば、上記第一実区間多項式が上記第二実区間多項式を擬因子として持つと判定できる。 - 特許庁

The coloring layers 50R, 50G, 50B, and 50W have n-1 kinds of connection points of the coloring layers at maximum, and the connection points are overlapped with the light-blocking part 51.例文帳に追加

複数の着色層５０Ｒ、５０Ｇ、５０Ｂ、５０Ｗは最大でｎ−１種類の着色層の接点部を有し、接点部は遮光部５１に重なって位置している。 - 特許庁

The armature yokes 45a, 45b have, on its inner surface, a pair of permanent magnets 47a, 47b in N pole and S pole that can be disposed opposite to each toroidal magnetic teeth 42a, 42b.例文帳に追加

電機子ヨーク４５ａ、４５ｂの内周側には、それぞれ環状磁歯４２ａ、４２ｂに対向し得るＮ、Ｓ極一対の永久磁石４７ａ、４７ｂが設けられている。 - 特許庁

An electrode 7 forming a Schottky junction together with the semiconductor layer 1 is formed on the semiconductor layer 1 from which N atoms on the surface have been removed in this step.例文帳に追加

この工程によって表面のＮ原子４が除去された半導体層１上に、半導体層１とショットキー接合を形成する電極７を形成する。 - 特許庁

The northern hemisphere N and the southern hemisphere S of the golf ball 2 have a near-pole region 20, a near-equator region 22 and an adjustment region 24 respectively.例文帳に追加

このゴルフボール２の北半球Ｎ及び南半球Ｓのそれぞれは、極近傍領域２０、赤道近傍領域２２及び調整領域２４を備えている。 - 特許庁

The northern hemisphere N and the southern hemisphere S on the surface of the golf ball have a near pole region 24, a near equator region 26 and an adjustment region 28 respectively.例文帳に追加

ゴルフボール２の表面の北半球Ｎ及び南半球Ｓのそれぞれは、極近傍領域２４、赤道近傍領域２６及び調整領域２８を備えている。 - 特許庁

The respective flow paths are formed in parallel to each other at fixed intervals, and the interval N between the adjacent flow paths and the interval M between adjacent electrodes have a fixed relation between them.例文帳に追加

上記各流路は一定の間隔で平行に形成され、隣接する流路間の間隔Ｎが隣接する上記電極間の間隔Ｍと一定の関係を有する。 - 特許庁

In the formula, each of Ar_1, Ar_2, Ar_3 independently represents an arylene group which may have a substituent; X represents an oxygen atom or a sulfur atom; and n represents 0 or 1.例文帳に追加

（式中、Ａｒ_1、Ａｒ_2、Ａｒ_3はそれぞれ置換基を有しても良いアリーレン基を表し、Ｘは酸素原子又はイオウ原子を表し、ｎは０又は１を表す。） - 特許庁

To provide an N-acetylglucosamine-bound opioid peptide derivative expected to have improved stability to heat, pH and enzymic digestion, and possibility of passage or the like through blood-brain barrier.例文帳に追加

熱、pH、及び酵素消化に対する安定性の向上、血液-脳関門の通過等の可能性が期待される、Ｎ−アセチルグルコサミン結合型オピオイドペプチド誘導体を提供する。 - 特許庁

The transporting parts have an operation mode for selectively transporting the metallic workpiece from the respective N sets of the quenching furnaces to the plurality of tempering furnaces having tempering temperatures different from one another.例文帳に追加

移送部は、Ｎ台の焼入れ炉の各々から相互に焼戻し温度が相違する複数台の焼戻し炉に選択的に金属ワークを移送する作動モードを有する。 - 特許庁

If u dont have a job, no father will give his daughter's hand bank wont give credit card, n world wont respect us... but that idiot came to college, not for the degree but to study!例文帳に追加

就職できなければ 結婚もできない クレジットカードも作れず 誰にも認められない だが あのバカは 学位のためではなく 勉強するために大学に通っていたのだ! - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The woven or knitted fabric for laminating with the non-woven fabric is provided to have a 15% tensile stress of 0.1 to 5.0 N/cm in at least one direction of length direction or width direction of the woven or knitted fabric for laminating the non-woven fabric.例文帳に追加

不織布積層用織編物のタテ方向又はヨコ方向の少なくとも一方の１５％伸長時応力を０．１〜５．０Ｎ／ｃｍとする。 - 特許庁

The roll members 722R and 722L each have a part crossing a tangential plane including a tangent in each of the contact areas N of the plurality of roll members 712U and 712L.例文帳に追加

また、ロール部材７２２Ｒ，７２２Ｌは、複数のロール部材７１２Ｕ，７１２Ｌの接触領域Ｎの各々における接線を含んだ接平面と交わる部位を有する。 - 特許庁

The invention relates to the process for producing the N-vinylpyrrolidone graft polymer comprising a process reacting a vinyl monomer to the N-vinylpyrrolidone polymer, wherein the N-vinylpyrrolidone polymer to be reacted as a raw material is regulated so as to have a 2-pyrrolidone content of 10,000 ppm or lower.例文帳に追加

Ｎ−ビニルピロリドン系重合体にビニル系単量体を反応させる工程を含むＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法であって、上記製造方法は、原料となるＮ−ビニルピロリドン系重合体中の２−ピロリドンの含有量を１００００ｐｐｍ以下として反応させるＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

The N-well 13 has an exposed region 13R which is exposed on the surface of the semiconductor substrate 11; the silicide layer 12 is so formed as to have second exposed regions 14R wherein the N^+-layer 14 is partly exposed and connected to the exposed region 13R; and the exposed region 13R is enclosed by the N^+-layers 14 on its both sides.例文帳に追加

Ｎウェル１３は半導体基板１１の表面に露出する露出領域１３Ｒを有しており、シリサイド層１２は、Ｎ^＋拡散層１の一部が露出領域１３Ｒと連続して露出する第二露出領域１４Ｒを有するように形成されており、露出領域１３Ｒは二つのＮ^＋拡散層１４に囲まれている。 - 特許庁