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「have -n」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索


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have -nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 713



例文

The electrolytic copper foil with high tensile-strength has a tensile strength of 400 N/mm^2 or higher which has been measured at 25°C after the foil production process of the copper foil has been finished and after the characteristics of the copper foil have been stabilized.例文帳に追加

銅箔の製箔完了時から該銅箔の特性安定時以降の25℃で測定した抗張力が400N/mm^2以上である高抗張力電解銅箔である。 - 特許庁

The quantity of luminescence by the luminescent parts 300 depend on the area, and therefore if the luminescent parts are equally divided into N divisions, each luminescent part 300 becomes to have maximum N2 kinds of luminescent quantity.例文帳に追加

発光部300による発光量は面積に依存するので、発光部が均等にN分割されれば各発光部300では、最大N2種類の発光量を持つことになる。 - 特許庁

The devices have a function of notifying the fault contents caused in the service providing devices to fault concentration devices 4-1 to 4-N mounted on the respective operating machines.例文帳に追加

この装置は、サ−ビス提供装置で発生した障害内容を、それぞれの運用マシン上に設置されている障害情報集約装置4−1〜4−Nに通知する機能を持っている。 - 特許庁

As the gear couples have different numbers of teeth, a rotational difference, i.e. differential rotation, is generated between the gears G3 and G4 mounted on a threaded shaft S and a nut N.例文帳に追加

但し、2組のギヤ対はそれぞれ異なった歯数が設けられている為、ねじ軸SとナットNそれぞれに取り付けられたギヤG3、G4には回点差すなわち差動回転が生じる。 - 特許庁

例文

The n^+- and p^+-type semiconductor regions 15 and 17 have the same thickness as that of the substrate 11 and regions respectively having higher and lower impurity concentrations are faced to each other.例文帳に追加

N^+型半導体領域15及びP^+型半導体領域17は半導体基体11と同じ厚さを有し、不純物濃度の高い領域と低い領域が互いに対向する。 - 特許庁


例文

In this optical frequency multiplex signal of multiplicity N, the frequency interval between any two optical signal has a different arrangement, and even if any group is selected as a group of optical signal which are mutually adjacent on an optical frequency axis and have a multiplicity equal to or less than N among the optical frequency multiplex signals of multiplicity N×M, its optical frequency has an unequally spaced arrangement.例文帳に追加

この中の多重度Nの光周波数多重化信号において、どの2つの光信号の周波数間隔も異なる配置をもち、かつ多重度N×Mの光周波数多重化信号のうち、互いに光周波数軸上で隣接した多重度N以下の一群の光信号として、どの一群を選択しても、その光周波数が不等間隔配置である。 - 特許庁

The output load impedance when viewing from the oscillation sections 1-1 to 1-n is viewed to have a prescribed value in the case that output phases are in-phase and viewed to have 0-ohm in the case that the output phases are other than in-phase, then only the in-phase outputs can be synthesized.例文帳に追加

出力を合成するときに発振部から見た出力負荷のインピーダンス値は、出力の位相が同相である場合には所定の値に見え、出力の位相が同相以外である場合には0Ωに見えるので、同相の出力のみが合成される。 - 特許庁

At least some of the plurality of p-channel MISFETs Qp1 for logic have a source-drain region made of silicon germanium respectively, and all of the plurality of n-channel MISFETs Qn1 for logic have a source-drain region made of silicon respectively.例文帳に追加

複数のロジック用pチャネル型MISFETQp1のうちの少なくとも一部は、シリコンゲルマニウムで構成されたソース・ドレイン領域を有し、複数のロジック用nチャネル型MISFETQn1の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有している。 - 特許庁

This thermotherapy device comprises a radiation means 3 disposed in a part equivalent to the lower side of the neck N of a person 2 to have the therapy and capable of radiating far-infrared energy, and a heating means 4 capable of warming the person 2 to have the therapy by warming the radiation means 3.例文帳に追加

被施療者2の首Nより下側に相当する部位に配されると共に遠赤外線エネルギーを放射可能なる放射手段3と、該放射手段3を暖めることで被施療者2を暖めることが可能な加温手段4とより構成してなる。 - 特許庁

例文

Since the relief of at least m lines of the redundant rows is required, discrimination is attained as to whether it is relievable, provided that only the storage areas of m+n rows have been prepared for the row table as a whole.例文帳に追加

また、最低限m本の冗長行を救済する必要があるためロウテーブルは、全体としてm+n行の格納領域だけ用意されれば救済可能かどうかの判別が可能である。 - 特許庁

例文

An overflow control gate 162 and an overflow drain 164 are arranged on an N-th register gate 142N of one transfer register 140A out of two transfer registers 140A, 140B which have the same characteristics.例文帳に追加

同一特性の2つの転送レジスタ140A、140Bのうちの一方の転送レジスタ140AのN番目のレジスタゲート142Nにオーバーフローコントロールゲート162及びオーバーフロードレイン164が設ける。 - 特許庁

In an NchMOSFET 20 constituting an on-vehicle power IC, p^+-layers 6a are formed more deeply than an n^+-source layer 7a so as to overlap the layer 7a, and are formed so as to have higher concentration than that of p well layers 5.例文帳に追加

車載用パワーICを構成するNchMOSFET20において、P^+層6aをN^+ソース層7aよりも深くN^+ソース層7aとオーバーラップ形成し、且つPウエル層5より高濃度に形成している。 - 特許庁

The electrophoretic display device which displays video by using an n-bit digital video signal has each pixel divided into a plurality of subpixels, which each have a one-bit memory circuit.例文帳に追加

nビットのデジタル映像信号を用いて映像の表示を行う電気泳動表示装置において、それぞれの画素は複数のサブ画素に分割され、それぞれのサブ画素は、1ビットのメモリ回路を有する。 - 特許庁

The television programming recommender initiates a search in response to a user command, such as the first button click using the top-N search terms for each attribute that have been previously used in a query.例文帳に追加

テレビ番組推薦システムは、問合せにおいて以前に使用された属性のそれぞれについて上位N個のサーチ項目を使用して、1回のボタンクリックのようなユーザコマンドに応答してサーチを始動する。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor device manufacturing method comprises a process of exposing a surface of an n-type semiconductor region and a surface of a semiconductor layer, which have relatively different impurity concentrations from each other.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、相対的に不純物濃度が異なるn形半導体領域の表面と半導体層の表面とを露出させる工程を有する。 - 特許庁

The light guide plates 12, 22 have a plurality of structures 112-1 to 112n, 122-1 to 122-n having each different shape mutually, along a surface in parallel with a display surface of the liquid crystal panel 1108.例文帳に追加

導光板12、22は、液晶パネル1108の表示面と平行な面に沿って、互いに形状の異なる複数の構造体112−1〜112n、122−1〜122−nを有する。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 30 is so formed as to come into contact with the n-type source/ drain region 4 through the contact hole 9a and have an extension part extending onto the inter-layer insulating layer 9.例文帳に追加

ドープトポリシリコン層30は、コンタクトホール9aを通じてn型ソース/ドレイン領域4と接するように、かつ層間絶縁層9上に延在する延在部分を有するように形成される。 - 特許庁

The additional circuit element may have various constitution such as a N channel transistor of which the gate is connected to pumping voltage level VCCP, a resistor, a depletion type transistor, and a CMOS pass gate.例文帳に追加

この追加の回路素子は、ゲートをポンピングされた電圧レベルVCCPにつないだNチャネル型トランジスタ、抵抗器、デプレッション型トランジスタやCMOSパスゲートのさまざまな構成の形をとってもよい。 - 特許庁

According to this structure, the gate electrode 9 will not have the first and second n-type impurity regions 6A, 6B directly contact the first and second source/drain electrodes 7A, 7B.例文帳に追加

本構造によって、ゲート電極9と第1及び第2高濃度n型不純物領域6A,6Bないしは第1及び第2ソース/ドレイン電極7A,7Bとが直接に接触することはない。 - 特許庁

Thus the sub-tanks 60, 62 always have the same ink level height, and therefore the back pressure generated at each recording head 32 is substantially equalized, to thereby prevent ink droplets discharged from nozzles N from varying.例文帳に追加

これにより、サブタンク60、62間でインクの液面高さが常に同一になるので、記録ヘッド32で発生する背圧が実質的に均一になり、ノズルNから吐出されるインク滴にばらつきが生じにくい。 - 特許庁

In a light receiving element 16, a protective film 23 on a guard ring 22 is formed to have such a lens shape that light from its upward side is guided toward a light receiving side (a p-n junction part other than an electrode 21 or a guard ring 22).例文帳に追加

受光素子16において、ガードリング22上の保護膜23を、上方からの光を受光部(電極部21やガードリング22以外のp−nジャンクション部)側へ導くレンズ形状に形成する。 - 特許庁

Each of service applications 2-1 to 2-n to have been produced for every service provides a service after reading and utilizing the individually needed information from among pieces of in-hospital information extracted by the external server 3.例文帳に追加

そして各サービス毎に生成されているサービスアプリケーション2−1〜2−nは、外部サーバ3が吸い上げた院内情報の中から自己が必要な情報を読み出して活用し、サービスを提供する。 - 特許庁

This powder solid foundation is prepared by compounding a powder solid foundation with 25-50 wt.% of a barium sulfate powder whose surfaces have been treated with a basic amino acid having an N-mono long chain acyl and 5-15 wt.% of boron nitride.例文帳に追加

粉体固型ファンデーションに、N−モノ長鎖アシル塩基性アミノ酸で表面処理して得られる硫酸バリウムを25〜50重量%、窒化硼素を5〜15重量%を配合する。 - 特許庁

To provide a method for controlling electrical characteristics of a semiconductor layer by which an n type diffusion layer and a p type diffusion layer that have low resistance and high impurity density can be very simply formed.例文帳に追加

極めて簡単な方法で、低抵抗・高不純物密度のn型拡散層及びp型拡散層を形成することが出来る半導体層の電気的特性制御方法を提供する。 - 特許庁

Since higher alcohol used till today as a binder of powder or granular N-acyl amino acid alkali salt does not have detergency, naturally, the detergency of a product decreases.例文帳に追加

粉状又は顆粒状のN−アシル−アミノ酸アルカリ塩の粘結剤として今日まで使用されている高級アルコール類は洗浄力がないので当然に製品の洗浄性は減少する。 - 特許庁

In a multi-wavelength laser array 10, ridge-waveguide semiconductor laser elements 13a to 13f are arranged in an array shape, where the ridge-wave semiconductor laser elements have a different oscillation wavelength on a common n-InP substrate 12.例文帳に追加

多波長レーザ・アレー10は、共通のn−InP基板12上に異なる発振波長を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子13a〜13fをアレー状に配列したものである。 - 特許庁

Then run-length data which succeed to the head data and have a data length equal to or longer than the specified value N are detected and it is judged whether or not the number of successive pieces of run-length data is equal to or larger than a specified value H.例文帳に追加

そして、先頭データに連続するとともに所定値N以上のデータ長を持つランレングスデータを検出し、そのランレングスデータの連続数が、所定値H以上か否かを判定する。 - 特許庁

A total control part 10 and a printer controller 20 in this image formation apparatus G have interfaces I/F 10a and I/F 20a for connecting to a network N, respectively.例文帳に追加

本発明を適用した画像形成装置G内の全体制御部10及びプリンタコントローラ20は、それぞれ、ネットワークNに接続するためのインターフェイスI/F10a、I/F20aを有している。 - 特許庁

(In the formula, Ar^1 to Ar^5 express each independently an aromatic hydrocarbon or an aromatic heterocyclic group which may have substituents; n expresses an integer of 2-8 expressing the number of the ring A).例文帳に追加

(式中、Ar^1〜Ar^5は、各々独立に、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。nは、環Aの数を表す2〜8の整数である。) - 特許庁

An operational amplifier circuit is constituted by using thin-film transistors formed on a quartz substrate, in which 90% or more of N-channel type thin-film transistor have the mobility of 260 (cm2/Vs) or larger and 90% or more of P-channel type thin-film transistors have the mobility of 150 (cm2/Vs) or larger.例文帳に追加

Nチャネル型の薄膜トランジスタの90%以上はその移動度が260(cm^2/Vs) 以上の値を有し、Pチャネル型の薄膜トランジスタの90%以上はその移動度が150(cm^2/Vs) 以上の値を有している石英基板上に形成された薄膜トランジスタでもってオペアンプ回路を構成する。 - 特許庁

A control circuit B5 controls the gate voltage of the N type transistors N3 and N4 in the protective circuits B3 and B4 to have the voltage of a high voltage system power supply VDD3 when the transistors N1 and N2 for signal input are turned on and have the voltage of a low voltage system power supply VDD when they are turned off.例文帳に追加

制御回路B5は、前記保護回路B3、B4のN型トランジスタN3、N4のゲート電圧を制御し、信号入力用トランジスタN1、N2のON時には高電圧系電源VDD3の電圧とし、OFF時には低電圧系電源VDDの電圧とする。 - 特許庁

A data providing processor 10 to be a data distribution source distributes a signal including distribution data to a plurality of predetermined master processors 1 to n. Master processors 1 to n which have received the signal further distribute the signal to a plurality of predetermined slave processors 1-1, ..., n-m to reduce the load of the data providing processor 10 and shorten the distribution time of the entire system.例文帳に追加

データ配信元となる提供処理装置10が、あらかじめ定めた複数台の親処理装置1〜nに配信データを含む信号を配信し、信号を受信した親処理装置1〜nは、さらにあらかじめ定めた複数台の子処理装置1−1、…、n−mに信号を配信し、提供処理装置10の負荷を軽減して、さらにシステム全体の配信時間を短くするものである。 - 特許庁

To provide a rubber composition excellent in adhesion to a metal equal to or better than a rubber composition containing N, N-dicyclohexyl-2-benzothiazolylsulfenamide conventionally used as a vulcanization accelerator without using a retarder which would have a risk of causing lowering of physical properties of a vulcanized rubber and an undesired state such as blooming.例文帳に追加

加硫ゴムの物性低下や、ブルーミングなどの好ましくない事態を招来するおそれがある加硫遅延剤を使用することなく、従来使用されている加硫促進剤のN,N−ジシクロヘキシル−2−ベンゾチアゾリルスルフェンアミドを含むゴム組成物と同等以上の金属との接着性に優れるゴム組成物を提供する。 - 特許庁

A wireless access device (wireless base station device) 2 is installed in the event hall, event participants have client wireless terminals 5-1 to 5-n, and the wireless access device 2 and the client wireless terminals 5-1 to 5-n communicate many kinds of videos and audios with each other, then the event participants can select and obtain information by request.例文帳に追加

イベント会場に無線アクセス装置(無線基地局装置)2を設置し、イベント参加者はクライアント無線端末5−1〜5−nを有し、多種類の映像や音声を無線アクセス装置2とクライアント無線端末5−1〜5−nとで送受信するので、イベント参加者の要望に応じた情報を選択して得ることができる。 - 特許庁

This semiconductor device and its testing method are equipped with an N-channel type MOSFET 11 and its protection diode 12, and have a switching circuit SW-1 for validating the protection diode 12 by being switched on by fusing of a fuse 2 between the N-channel type MOSFET 11 and the protection diode 12.例文帳に追加

本発明の半導体装置およびそのテスト方法は、Nチャネル型MOSFET11とその保護ダイオード12とを備え、Nチャネル型MOSFET11と保護ダイオード12との間に、ヒューズ2の溶断によってスイッチをオンさせて保護ダイオード12を有効にするスイッチ回路SW−1を有する。 - 特許庁

The 1st recording area is divided into a plurality of zones, each of the plurality of zones is divided into a plurality of divided areas of one type among a plurality of preliminarily set N types (N is ≥2 positive integer), addresses are allocated to the plurality of divided areas and the plurality of the divided areas have fixed recording capacity.例文帳に追加

第1の記録エリアは、複数のゾーンに分割されており、前記複数のゾーンの各々は、予め設定されたNタイプ(Nは2以上の整数)の複数個のうちの1タイプの複数個の分割エリアに分割されており、前記複数個の分割エリアは、アドレスが割り当ててあり、一定の記録容量を有する。 - 特許庁

Transmission terminals 1, 2 insert a band reservation signal to an FRM(Forward Resource Management) cell and transmit the resulting cell, and relay nodes 3, 4 have only to discriminate whether or not number of VC(Virtual Channels) stored in a reserved FRM cell VCI(Virtual Channel Identifier) storage circuit 15 is N or below and accept band reservation of N connections for forward transmission channels.例文帳に追加

送信端末1,2が帯域予約信号をFRMセルに挿入して送出し、中継ノード3,4は予約FRMセルのVCI保持回路15に記憶されたVCの数がN以下であるかの判別だけでよく、順方向伝送路に対してN本のコネクションの帯域予約受け付けを行う。 - 特許庁

The motor drive system is also provided with a motor 1 that is driven by the n-phase AC current and is provided with a stator 2 that has n x k pieces of teeth 12 concentrically wound with m pieces of coils, and series coil circuits 17 for connecting the coils in series wound with the teeth 12 that have the same phases in terms of electricity and are different in positions.例文帳に追加

また、m個のコイルを集中巻されたn×k個のティース12と、電気的に同相でありかつ位置的に異なるティース12に巻装されたコイルを直列に接続する直列コイル回路17と、を備えたステータ2を有するn相交流電流によって駆動されるモータ1を備える。 - 特許庁

An array direction of two photoelectric sensors 23 is brought into a condition inclined at a prescribed angle θ with respect to the pitch direction of the graduation 13, in the detector 9, and a mutual detection pitch P2 for the two photoelectric sensors 23 is constituted to have n+λ/4 (n is 0 or more of integer) of phase difference with respect to the pitch λ.例文帳に追加

検出器9は、2個の光電センサ23の配列方向を、目盛13のピッチ方向に対して所定角度θで傾斜させた状態とし、この2個の光電センサ23相互の検出ピッチP2を、ピッチλに対してn+λ/4(nは0以上の整数)の位相差を有するものとする。 - 特許庁

Moreover, the memory cells MC (m, n+1) and MC (m+1, n+1) have the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31 respectively connected with the word lines WLn+1 at the one end, and connected respectively with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31.例文帳に追加

また、メモリセルMC(m,n+1)およびMC(m+1,n+1)は、ワード線WLn+1にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子MR3およびMR31を有し、磁気トンネル接合素子MR3およびMR31のそれぞれの他方端は、ビット線BLmおよびBLm+1に接続されている。 - 特許庁

(In the formula, R and Ra are each a substituent or the like including a 1-30C aliphatic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or Ra is a group forming pyridylimine or benzylimine with Rb; Rb is a hydrogen atom, a nitrogen atom of chitosan, or the like; and n is an integer of ≥5).例文帳に追加

式中、R、Raは、置換基を有していてもよい炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を含む置換基等、またRaはRbとともにピリジルイミンもしくはベンジルイミンを形成する基を示し、Rbは、水素原子、キトサンの窒素原子等を示し、nは5以上の整数を示す。 - 特許庁

A plurality of inverters 10_i (where, i=1 to 2^n-1) which receive an analog input signal AI of a conversion object in common and have respectively different logical threshold values are provided, a decoder 20 decodes a signal S10i outputted from the inverters 10_i to obtain an n-bit digital output signal DO.例文帳に追加

変換対象のアナログ入力信号AIが共通に与えられ、それぞれ異なる論理閾値電圧を有する複数のインバータ10_i(但し、i=1〜2^n−1)を設け、これらのインバータ10_iから出力される信号S10_iをデコーダ20でデコードして、nビットのディジタル出力信号DOを得る。 - 特許庁

In this case, assuming that the distance L to the object 15 is n×λ/2+&utri;L (0≤&utri;L<λ/2), the two frequencies are set so as to have a relation wherein n's in respective frequencies are equal or different by one.例文帳に追加

この場合、その2つの周波数は、対象物15までの距離Lをn・λ/2+ΔL(0≦ΔL<λ/2>としたとき、それぞれの周波数におけるnが等しいか1異なる関係になるように設定される。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びn型高濃度層12aの側面は、互いに連続して基板11表面からp型高濃度層12eまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

High resistance resistors r1, r2 which are connected in series to each other and have different resistance values are connected between DC positive/negative bus bars P, N, and main circuit semiconductor devices T1 to T6 are connected to A-phase to C-phase arms.例文帳に追加

直流正負母線P,N間には、直列接続された異なる抵抗値の高抵抗体r1,r2が接続されるとともに、A〜C相アームには主回路半導体素子T1〜T6が接続される。 - 特許庁

The impurity regions 4, 5 in an active region have a belt-shape cross-section, and are alternately disposed in parallel in the same direction, and the n-type impurity regions 4 adjacent to each other are cross-linked.例文帳に追加

アクティブ領域における不純物領域4,5が横断面での形状として帯状をなし、かつ、交互に同一方向に並設されるとともに、隣同士のN型不純物領域4が架橋されている。 - 特許庁

The devices 100, 200 have sampling clock generating sections 103, 203, data generating sections 104, 204, data recovery sections 105, 205, transmission buffer sections 106, 206 and reception buffer sections 107, 207 consisting of n (plural number)-stages.例文帳に追加

各装置100、200は、サンプリングクロック生成部103、203、データ生成部104、204、データ再生部105、205、送信バッファ部106、206およびn(複数)段の受信バッファ部107、207を有する。 - 特許庁

The steel cord 20 to be used in a pneumatic tire is of 1 by 5 structure, wherein the number N of wires constituting the outermost layer sheath 22 is five and the wires have diameters d1 and d2 different from each other.例文帳に追加

空気入りタイヤに用いられるスチールコード20は、1×5の構造のコードであって、最外層のシース22を構成する素線は、本数Nが5であり、かつ、互いに異なる径d1、d2の素線からなる。 - 特許庁

The micro vibration means 35 is driven so as to have micro vibration in the liquid at all the nozzle opening 51 by a certain cycle T, such that the micro vibration is generated by a timing delayed by T/n per each nozzle opening 51.例文帳に追加

微振動手段35は、各ノズル開口51部分の液体が全て一定の周期Tで微振動される一方、各ノズル開口51毎にT/nずつずれたタイミングで微振動されるように、駆動される。 - 特許庁

例文

Here, the threshold of the C/N ratio for determining the timing of switching from the higher hierarchical transmission data to the lower hierarchical transmission data, and from the lower hierarchical transmission data to the higher hierarchical transmission data is made to have a hysteresis.例文帳に追加

この際、高階層伝送データから低階層伝送データへの切り換え、並びに、低階層伝送データから高階層伝送データへの切り換えのタイミングを定めるC/N比のしきい値に、ヒステリシスを持たせる。 - 特許庁




  
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