「hydrofluoric acid」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing trifluoromethylaniline advantageously is provided by nitrating benzotrichloride, reacting the obtained nitrobenzotrichloride with anhydrous hydrofluoric acid for converting its trichlomethyl group into trifluoromethyl group, and finally reducing the nitro group.例文帳に追加

ベンゾトリクロリドをニトロ化し、かくして得られ得るニトロベンゾトリクロリドにおいて、無水フッ化水素酸との反応によりトリクロロメチル基をトリフルオロメチル基に転換し、最後にニトロ基を還元すると、トリフルオロメチルアニリンが有利な方法で得られる。 - 特許庁

To provide a radiation-curable resist resin composition for glass etching having excellent alkali resolution property and hydrofluoric acid resistance and also having excellent adhesion to the glass substrate thereby enabling the amount of side etching in etching of a glass substrate to be reduced.例文帳に追加

優れたアルカリ解像性、フッ酸耐性を有するとともに、ガラス基板との密着性にも優れるため、ガラス基板のエッチングの際にサイドエッチング量を抑制することができる、ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide an infrared light absorber having a very high absorbing efficiency per weight in an infrared domain, having a good solvent solubility, without forming harmful decomposition products such as hydrofluoric acid, etc., and also having a suitable hydrophilicity (a large intra-molecular polarization).例文帳に追加

赤外線領域において重量あたりの吸収効率が非常に高く、溶剤溶解性が良好であり、フッ化水素酸等の有害な分解物を生じず、且つ適度な親水性（大きな分子内分極）を有する赤外線吸収剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which has a trench structure and reinforces tolerance to washing such as hydrofluoric acid washing for an insulating film between a gate electrode and a source electrode formed by embedding them in the trench.例文帳に追加

トレンチ構造の半導体デバイスにおいて、トレンチに埋め込まれて形成されたゲート電極とソース電極との間の絶縁膜のフッ酸洗浄などの洗浄に対する耐性を強化した信頼性の高い半導体デバイスの提供。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

The silicon structure is manufactured by forming an initial pit on the silicon substrate by alkali etching, then applying ECE to the silicon substrate while irradiating the silicon substrate with light from the back surface side of the silicon substrate in hydrofluoric acid to form the holes 11.例文帳に追加

このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ＥＣＥを施して孔１１を形成することにより製造される。 - 特許庁

Before cleaning the silicon wafer 11 after implanting the oxygen ion into the silicon wafer 11, a step for etching an SiO_2 film formed on the surface of the silicon wafer 11 by dipping the silicon wafer 11 in the hydrofluoric acid solution 12 is further included.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入した後であってシリコンウェーハ１１を洗浄する前に、シリコンウェーハ１１をフッ酸水溶液１２に浸漬してシリコンウェーハ１１の表面に形成されたＳｉＯ_2膜をエッチング処理する工程を更に含む。 - 特許庁

To provide a method for recycling calcium fluoride-containing sludge as a slag forming agent by solving the problem of a heat loss by an endothermic reaction of the sludge produced by treating a waste liquid of hydrofluoric acid used in a pickling treatment for steel product surfaces with calcium hydroxide.例文帳に追加

鋼材表面の酸洗処理で使用したフッ化水素酸の廃液を水酸化カルシウムで処理した汚泥の吸熱反応による熱損失の問題を解決してフッ化カルシウム含有汚泥を造滓剤として再利用する方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the inorganic compound is silicon oxide and the chemical etching liquid is preferably hydrofluoric acid, an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of them and the first and second films are preferably formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

このとき、無機化合物が酸化珪素であり、化学エッチング液がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましく、第一の膜と第二の膜がプラズマＣＶＤ法で形成されることが好ましい。 - 特許庁

After that, hydrofluoric acid based etching chemical solution is supplied to the semiconductor substrate while a disk brush is pressed against the surface of the semiconductor substrate and rotated in another chamber, and an oxide film formed on the surface is etched, thereby eliminating microscratches.例文帳に追加

その後、別のチャンバーでディスクブラシを半導体基板表面に押圧し回転させながら、フッ酸系のエッチング性薬液を半導体基板に供給し、基板表面に形成された酸化膜をエッチングしてマイクロスクラッチを除去する。 - 特許庁

A pixel electrode 21 and a drain electrode D of a TFT are electrically connected to each other through a contact hole 22, and a second opening 19a is formed simultaneously with cleaning in a cleaning process using a solution of hydrofluoric acid before the pixel electrode is formed.例文帳に追加

画素電極２１とＴＦＴのドレイン電極Ｄは層間樹脂膜２０に設けられたコンタクトホール２２を経て電気的に接続されており、この第２開口部１９ａは画素電極形成前のフッ酸溶液による洗浄工程により洗浄と同時に形成される。 - 特許庁

The method of this invention is to conduct processes 12 and 13 where massive or granular polysilicon is cleaned with an ozone-dissolved aqueous solution and processes 14 and 17 where polysilicon cleaned with an ozone-dissolved aqueous solution is cleaned with hydrofluoric acid in the above order at least once.例文帳に追加

塊状又は粒状のポリシリコンを溶存オゾン水溶液で洗浄する工程１２，１３と、上記溶存オゾン水溶液で洗浄したポリシリコンをフッ酸で洗浄する工程１４，１７とをこの順序で１回行うか又は１回以上繰返す。 - 特許庁

To provide a metal separator for fuel cell which can secure practical durability by reducing a substance having a strong corrosiveness such as a fluoride ion or hydrofluoric acid entering in exhaust water accompanying power generation in a fuel cell using a solid polymer electrolyte, and to provide a fuel cell using the same.例文帳に追加

固体高分子電解質を用いた燃料電池において、発電に伴う排水中に混入するフッ化物イオンまたはフッ酸などの強い腐食性を有する物質を低減し、実用的な耐久性を確保できる燃料電池用の金属製セパレータ及びそれを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

The quartz glass material obviates the dust generation of the particles, is satisfactory in hydrofluoric acid durability and thermal oxidation resistance, has high corrosion resistivity to a gaseous halide and/or its plasma, and is excellent in surface characteristics of a member for a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

パーティクルの発塵がなく、フッ酸耐久性や熱酸化速度が良好であり、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、半導体製造装置用部材など、表面特性に優れた石英ガラス材料として好適である。 - 特許庁

To provide a preprocessing apparatus for gas analyzer in which moisture, hydrofluoric acid and powder contained in a waste gas exhausted from a waste gas processing device can be removed efficiently, and a frequency of maintenance of the preprocessing apparatus for gas analyzer can be reduced.例文帳に追加

本発明は、排ガス処理装置が排出する排ガスに含まれる水分、フッ酸、及び粉体を効率よく除去可能で、かつガス分析計用前処理装置のメンテナンスの頻度を低減することの可能なガス分析計用前処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To efficiently remove a particle adhered at the time of an oxygen ion implantation, and to decrease a deep defect penetrating an SOI layer observed after dipping an SIMOX structure in a hydrofluoric acid solution of 50 wt% concentration at 23°C for 30 minutes.例文帳に追加

酸素イオン注入時に付着したパーティクルを効率良く除去し、ＳＩＭＯＸ構造において、温度２３℃での濃度が５０重量％であるフッ酸水溶液に３０分間浸漬した後に観察されるＳＯＩ層を貫通する深い欠陥を低減する。 - 特許庁

In the method for desorbing silicon from a solution containing silicon, a solution containing silicon and a desorption solution containing hydrofluoric water and nitric acid are placed in the same enclosed container and each solution is heated for a specified time thus desorbing silicon in the solution containing silicon.例文帳に追加

珪素含有溶液から珪素を脱離する方法であって、珪素含有溶液と弗化水素水及び硝酸を含有した脱離溶液とを同一密閉容器内に配置し各溶液を所定時間加熱することにより該珪素含有溶液中の珪素を脱離するようにした。 - 特許庁

To provide a packaging material for a lithium ion battery of high productivity capable of obtaining excellent electrolyte resistance and hydrofluoric acid resistance without using chromium having possibility of environmental load, and capable of simply forming a conversion treatment layer on both sides of an aluminum foil.例文帳に追加

環境負荷の可能性があるクロムを使用することなく、優れた耐電解液性、耐フッ酸性が得られ、かつアルミニウム箔の両面に簡便に化成処理層を形成できる高い生産性のリチウムイオン電池用包装材の提供を目的とする。 - 特許庁

The material solution for producing oxide superconductive thin films is used in producing oxide superconductive thin films by the coating-pyrolysis process and is obtained by adding hydrofluoric acid to a solution whose solute is a fluorine-free organometallic compound.例文帳に追加

塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、フッ酸が添加されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 - 特許庁

The aqueous cleaning solution contains microbubbling ozone and dissolving ozone and hydrofluoric acid in the solution, wherein the microbubbles having a mean diameter of 1-100 μm are dispersed in the aqueous cleaning solution at a void fraction of 1-20 volume%.例文帳に追加

清浄化水溶液はマイクロバブル状態のオゾンと液中に溶存するオゾンとフッ化水素酸とを含み、上記マイクロバブルが平均直径１〜１００μｍで１〜２０体積％のボイド率で清浄化水溶液中に分散する。 - 特許庁

First, hydrofluoric acid is supplied to a peripheral part of a substrate W, while the substrate W provided with a polysilicon film is rotated, to remove a natural oxide film provided along the peripheral part of the substrate W by etching so as to expose the polysilicon film.例文帳に追加

まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。 - 特許庁

To provide a packaging material for lithium ion battery, having a battery content resistance (electrolytic solution resistance or hydrofluoric acid resistance), while avoiding the occurrence of whitening in a sealant layer and an adhesive resin layer, when cold-molding the laminate film type packaging material using an aluminum foil to form recessed portions.例文帳に追加

アルミニウム箔を利用したラミネートフィルムタイプの外装材を冷間成型して凹部を形成する際に、シーラント層と接着樹脂層で、白化が発生せず、電池の内容物耐性（耐電解液性や耐フッ酸性）があるリチウムイオン電池用外装材を提供する。 - 特許庁

The present invention relates also to a novel method for manufacturing a porous organic-inorganic hybrid material, particularly to the manufacturing method using no hydrofluoric acid, and to a porous organic-inorganic hybrid material manufactured by the manufacturing method, and to the use thereof as an adsorbent.例文帳に追加

また、本発明は、多孔性有・無機混成体の新規な製造方法、特に、フッ酸を用いないことを特徴とする製造方法、前記製造方法により製造された多孔性有・無機混成体及びその吸着剤としての用途に関するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystallized glass capable of forming minute dents, juts etc. on the surface of the crystallized glass without using a chemical liquid such as hydrofluoric acid and not liable to break by thermal impact even if a temperature difference of use environment is large.例文帳に追加

フッ酸等の薬液を使用しなくても、結晶化ガラスの表面に微細な窪みや突起等を形成することができ、且つ使用環境の温度差が大きくても、熱衝撃により破損し難い結晶化ガラスの製造方法を創案すること。 - 特許庁

Since the metal oxide membrane 11a is arranged between the glass substrate 20a and the metal membrane 12a in the peripheral part of the substrate, when the dielectric 13a is etched by hydrofluoric acid, the etchant does not penetrate into the interface, thereby the metal membrane 12a (electrode) is not separated from the substrate, preventing a defect.例文帳に追加

基板周縁部には、ガラス基板２０ａ，金属膜１２ａ間に金属酸化膜１１ａが配置されていることにより、誘電体１３ａをフッ酸でエッチングした場合に、エッチャントがその界面に浸透することはなく、金属膜１２ａ（電極）が基板から剥離する不具合を防止できる。 - 特許庁

To provide a resist resin composition for glass etching, which has such resistance to hydrofluoric acid as to allow only a desired region to be selectively etched when etching a glass substrate and has adhesion to the glass substrate; and to provide a method for forming a circuit by using the resist resin composition.例文帳に追加

ガラス基板のエッチング加工の際、所望の領域のみを選択的にエッチングすることが可能な耐フッ酸性、ガラス基板に対する密着性を有するガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそれを用いた回路形成方法を提供する。 - 特許庁

A control part 50 performs a first film thickness measuring process T20 in a time lag period T20, during which etching processing is started and performs second film thickness measuring process T21 to fifth film thickness measuring process T24 in the time lag periods T6 to T12, during which the supply of hydrofluoric acid L2 is stopped.例文帳に追加

制御部５０は、エッチング処理が開始されるタイムラグ期間Ｔ２０に第１の膜厚測定工程Ｔ２０を行い、フッ酸Ｌ２の供給が停止されるタイムラブ期間Ｔ６〜Ｔ１２に第２の膜厚測定工程Ｔ２１〜第５の膜厚測定工程Ｔ２４を行う。 - 特許庁

On the 1st insulating film 41, a 2nd insulating film 42 is laminated and formed and even if a pinhole is formed in the 1st insulating film 41 during dilute hydrofluoric acid processing, a short circuit can be prevented between a gate electrode 34 of the gate insulating film part 43 and a channel area 35 of a semiconductor layer 31 or in a dielectric part 45.例文帳に追加

第１の絶縁膜41上に、第２の絶縁膜42を積層して成膜していることにより、希フッ酸処理の際に第１の絶縁膜41にピンホールができた場合でも、ゲート絶縁膜部43のゲート電極34と半導体層31のチャネル領域35との間もしくは、誘電体部45でショートを防止できる。 - 特許庁

In the etching method, an etching step is repeated, wherein the etching step comprises a step wherein the glass is soaked in a glass-etching liquid containing hydrofluoric acid for ≤120 sec and a subsequent washing step wherein an etching reaction product is removed from the glass surface.例文帳に追加

エッチング方法は、フッ酸を含有させたガラスエッチング液に、ガラスを１２０秒以内の時間で浸漬する工程と、この工程の後にエッチング反応生成物をガラス表面から除去する洗浄工程と、からなるエッチング工程を繰り返し行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is applicable to formation of a space portion at a periphery of an electrode and wiring even when an electrode material and a wiring material are materials which do not have resistance to a hydrofluoric acid and is free of a risk of organic contamination.例文帳に追加

本発明の課題は、電極や配線の周囲に空間部を形成するに際し、電極材料や配線材料が耐フッ酸性がない材料であっても適用でき、かつ有機汚染の心配のない半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

The present invention provides a technique for protecting the surface layer part in selective etching and for evaluating the BMDs in the surface layer part, by forming nitride film (film having high resistance against hydrofluoric acid etching) in the silicon wafer with a surface coated with an oxide film.例文帳に追加

本発明は、酸化膜が表面を覆っているシリコンウェハに窒化膜（フッ酸エッチングに対する高い耐性を有する膜）を形成することで、選択エッチングを行った際に表層部を保護し、表層部のＢＭＤ評価が可能となる技術を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a sacrificial layer 42 which is pseudomorphic to InP after joining or bonding a support substrate 10 to a flat surface 35A of a protection film 35, and then selectively removing it using hydrofluoric acid to separate the InP substrate 41 from the support substrate 10 including an InP-based device layer 21.例文帳に追加

保護膜３５の平坦面３５Ａに支持基板１０を接合もしくは接着したのち、ＩｎＰと疑似格子整合するＩｎＡｌＡｓからなる犠牲層４２を、フッ酸を用いて選択的に除去することにより、ＩｎＰ基板４１を、ＩｎＰ系のデバイス層２１を含む支持基板１０から剥離する。 - 特許庁

Then, in a process shown in Figure 1 (c), while the liquid 16 as pure water keeps staying on the resist mask 13 and the silicon oxide film 12 (water applied in layer), the substrate is dipped into a buffer hydrofluoric acid water solution (a mixture of HF/H_2O and HF/NH_4F).例文帳に追加

次に、図１（ｃ）に示す工程で、液体１６である純水が、レジストマスク１３およびシリコン酸化膜１２上に残留した状態（層状に塗布された状態）で、緩衝フッ化水素酸水溶液（ＨＦ／Ｈ_2ＯとＨＦ／ＮＨ_4Ｆとの混合液）に基板を浸す。 - 特許庁

The electrolytic solution 11 used for the nano-crystallization process is a liquid mixture selected from a range of 1:0.4 to 1:1 by a mass ratio before mixing hydrofluoric acid, ethanol and water, and current density in the nano-crystallization is set at a value selected from the range of 20-100 mA/cm^2.例文帳に追加

ナノ結晶化処理に用いる電解液１１は、フッ化水素酸とエタノールと水とが混合前の質量比で１：０．４〜１：１の範囲から選択される混合液であり、ナノ結晶化の際の電流密度は２０〜１００ｍＡ／ｃｍ^２の範囲から選択される値である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the rubber connector 10 having a connector body 12 made of a rubber type elastic material which a titanium-based metal wire 14 of which the circumferential surface is gold-plated penetrates through and embedded in, an end face of the titanium type metal wire 14 is treated by hydrofluoric acid and the end face is gold-plated.例文帳に追加

周面が金めっき処理されたチタン系金属線１４が、ゴム状弾性体からなるコネクタ本体１２を貫通して、該コネクタ本体１２内に埋設されたゴムコネクタ１０の製造方法において、チタン系金属線１４の端面をフッ酸で処理した後、該端面を金めっき処理する。 - 特許庁

The process for manufacturing the glass substrate for the magnetic recording medium is characterized in that the glass substrate is polished using abrasive grains and then washed using a 0.02-0.3% aqueous hydrofluoric acid solution, The glass substrate for the magnetic recording medium is manufactured by the process.例文帳に追加

ガラス基板を研磨砥粒を用いて研磨した後、０．０２〜０．３％のフッ酸水溶液を用いて洗浄することを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法およびこの方法により製造された磁気記録媒体用ガラス基板。 - 特許庁

Then, the hydrofluoric acid of the surface of the wafer W is cleansed by starting the rinse of the wafer W by HFE (hydrofluoroether) by supplying HFEs used as rinse liquids to the both surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper nozzle 64 and the lower nozzle 14 maintaining the rotation of the wafer W.例文帳に追加

次に、ウエハＷの回転は維持されたまま、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）によるウエハＷのリンスが開始され、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される。 - 特許庁

Then, etching is performed in three steps: (1) patterning of the ITO film along the resist pattern 8, (2) formation of the lower layer contact hole 41 by an etching liquid such as buffered hydrofluoric acid, and (3) removal of an "eaves-like part" 6a of the ITO film.例文帳に追加

そして、（１）レジストパターン８に沿ったＩＴＯ膜のパターニング、（２）バッファードフッ酸等のエッチング液による下層コンタクトホール４１の作成、及び（３）ＩＴＯ膜の「ひさし状部分」６ａの除去という３段階のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an anode material for electrolysis in an electrolytic bath containing anhydrous hydrofluoric acid, which is free from the occurrence of an anode effect, does not remarkably produce sludge due to the dissolution of an electrode, is capable of suppressing the production of CF_4 and capable of stably continuing electrolysis without causing the breakdown of the electrode.例文帳に追加

無水フッ化水素を含有する電解浴での電解などに於いて、陽極効果が発生せず、電極溶解による著しいスラッジの発生がなく、ＣＦ_4の発生を抑制でき、且つ電極崩壊を起こすことなく安定に電解を継続できる陽極材料を提供する。 - 特許庁

A wafer W being rotated on a hot plate and heated at a predetermined temperature is exposed to a hydrofluoric acid vapor supplied from a slender slit 93a formed on a rectifier plate 93 above the wafer W to remove an oxide on the wafer surface.例文帳に追加

ウエハＷを回転させつつ、ホットプレート４５上でウエハＷを所定温度に加熱し、その状態で、ウエハＷ上方の整流板９３に形成された細長孔状のスリット孔９３ａから、ウエハＷの表面に向けてふっ酸蒸気を供給し、ウエハＷの表面の酸化膜を除去する。 - 特許庁

The method for producing 2,2-bis(3,4-dimethylphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane comprises reacting orthoxylene with hexafluoroacetone in the presence of hydrofluoric acid in an amount to cause liquid separation from orthoxylene at the start of the reaction at a temperature of a production condition.例文帳に追加

オルトキシレンとヘキサフルオロアセトンを、反応条件の温度において反応開始時にオルトキシレンと分液する量のフッ酸の存在下に反応させることを特徴とする、２，２−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンの製造方法。 - 特許庁

As an etchant for wet etching of a ridge stripe provided on a compound semiconductor substrate having an off angle to the [111] direction or [1-1-1] direction from the crystal surface (100), a solution including hydrogen fluoride, a solution including boron, or a buffered hydrofluoric acid is used.例文帳に追加

（１００）結晶面から［１１１］方向または［１−１−１］方向にオフ角を有する化合物半導体基板上に設けられたストライプ状のリッジ部をウェットエッチングするエッチャントとして、フッ化水素を含有する溶液、臭素含有溶液、またはバッファードフッ酸を用いる。 - 特許庁

When the Ti-free Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes are used as the base electrodes 1 in the HBT, peeling of the base electrodes 1 by Ti etching does not occur and the thermal stability of the HBT is also improved, even if a hydrofluoric acid-based etchant is used after the formation of the base electrodes 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴにおいて、ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いることで、ベース電極１形成後、ふっ酸系のエッチング液を用いてもＴｉのエッチングによるベース電極１の剥がれが生じず、熱安定性も向上する。 - 特許庁