「inductively coupled」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the analytical method for the metal element in the solid sample, the solid sample S is heated inside a furnace 3, a metal component discharged from the solid sample S is introduced into an inductively coupled plasma mass spectrometer 1 together with a carrier gas, and the metal element is analyzed.例文帳に追加

固体試料Ｓを炉３内で加熱し、固体試料Ｓから放出される金属成分をキャリアガスと共に誘導結合プラズマ質量分析装置１内に導入して金属元素を分析する固体試料の金属元素分析方法である。 - 特許庁

The high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometric analysis method for arsenic-containing solution is a composition-analyzing method, where the concentration of arsenic in the arsenic-containing solution is measured in a photometric time that brings the measurement dispersion of arsenic to 0.025 mg/l or smaller.例文帳に追加

砒素を含む溶液の高周波誘導結合プラズマ発光分光分析方法において、砒素の測定ばらつきを０．０２５ｍｇ／ｌ以下となる測光時間で、前記砒素を含む溶液の砒素濃度を測定することを特徴とする、組成分析方法である。 - 特許庁

In the first process, a sample 1, solution in which sample is dissolved is treated as it is to change contained selenium to hydrogen selenide, then the quantity of Se(IV) is measured by inductively coupled plasma emission spectroscopy (hydrogenated ICP emission method), and the Se(IV) concentration is determined.例文帳に追加

第１工程：試料を溶かした溶液である試料１を、そのまま処理して含有セレンをセレン化水素に変化させた後、誘導結合プラズマ発光分光分析によりＳｅ(IV)量を測定して(以下、水素化ＩＣＰ発光法)、Ｓｅ(IV)濃度を求める。 - 特許庁

In the method for measuring a trace nonmetallic element existing in a solution, at least any one of total organic carbon, total organic nitrogen, and total sulfur in the solution is determined using an inductively coupled plasma mass spectrometer.例文帳に追加

本発明は、溶液中に存在する微量非金属元素を測定する方法であって、分子イオンやクラスターを生成する誘導結合プラズマ質量分析装置を用いて、溶液中の全有機炭素、全有機窒素、全硫黄の少なくともいずれか１つの定量を行なうことを特徴とする微量元素の測定方法である。 - 特許庁

When etching a porous and low-permittivity insulating film I having specific permittivity ≤2.2 by inductively-coupled plasma, a fluorocarbon-based gas represented by general formula C_aF_bX_c or C_4F_8 is used as an etching gas, and the pressure of the etching gas is kept at 0.5-5.0 Pa.例文帳に追加

比誘電率が２．２以下である多孔性、且つ低誘電率の絶縁膜Ｉを誘導結合プラズマによってエッチングするに際し、一般式Ｃ_ａＦ_ｂＸ_ｃにて表されるフルオロカーボン系のガス、又はＣ_４Ｆ_８をエッチングガスとして用いるとともに、該エッチングガスの圧力を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａに維持する。 - 特許庁

The transmission line comprises: a first primary conductor 11^+; a first auxiliary conductor 12^+ inductively coupled to the first primary conductor; a first non-inverting amplifier 310 with an input connected to the first primary conductor 11^+ and an output connected to the first auxiliary conductor 12^+, and distributed along the full length of the transmission line; and a ground conductor 13.例文帳に追加

第１の主導体１１^+と、第１の主導体１１^+に誘導結合された第１の補助導体１２^+と、入力が前記第１の主導体１１^+に接続され、出力が第１の補助導体１２^+に接続されており、伝送線路の全長に沿って分布している第１の非反転増幅部３１０と、接地導体１３とを備える。 - 特許庁

The inductively coupled plasma mass analyzer includes a control unit 70 for combining the amount of liquid droplets in the aerosol supplied to a plasma torch 20, the flow rates of the carrier gases 76A and 76B in the aerosol, the RF output of a high frequency power supply 80 and the distance Z between the plasma torch 20 and sampling interfaces 15 and 16 to control them.例文帳に追加

誘導結合プラズマ質量分析装置は、プラズマトーチ２０に供給されるエアロゾル中の液滴の量、当該エアロゾル中のキャリアガス７６Ａ、７６Ｂの流量、高周波電源８０のＲＦ出力、及びプラズマトーチ２０とサンプリング用インタフェース１５、１６との間の距離Ｚの全ての因子を合わせて制御する制御装置７０を備える。 - 特許庁

This method comprises a process of forming a first silicon layer, a process of imparting a second silicon layer superposed on the first silicon layer, a process of oxidizing the second silicon layer at a temperature of <400°C, by using an inductively coupled plasma source, and a process of forming an oxide layer superposed on the first silicon layer.例文帳に追加

本発明の方法は、第１のシリコン層を形成する工程と、第１のシリコン層の上に重なる第２のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、４００℃未満の温度で、第２のシリコン層を酸化する工程と、第１のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device.例文帳に追加

また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ３上にノズル穴２ａまたは供給口７ａ等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。 - 特許庁

To provide an analysis method capable of analyzing simultaneously element components in a liquid sample aiming at many elements by simple operation in comparison with an ICP (Inductively Coupled Plasma) analysis method which is performed usually as an analysis method for element components in the liquid sample, and capable of analyzing even a chemical state such as a valence or the like of the detected element component.例文帳に追加

本発明は、液体試料の元素成分の分析方法として通常行われるＩＣＰ分析方法に比べ、多くの元素を対象に簡便な操作で液体試料中の元素成分を同時分析することが可能であり、検出された元素成分の価数等の化学状態についても解析することが可能な分析方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This microplasma jet generator to produce inductively coupled microplasma jet driven by a high frequency power supply in a VHF band has a substrate 1 is equipped with micro antennas 2a, 2b, 2c, a discharge tube 3 installed in the vicinity of the micro antennas, and the micro antenna has a wavy shape of a plurality of rolls.例文帳に追加

ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動されるマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、基板１と、基板上に配設されたマイクロアンテナ２ａ,２ｂ,２ｃと、マイクロアンテナの近傍に設置された放電管３とを備え、マイクロアンテナが平板状に複数巻の波状形態を有する。 - 特許庁

A plasma treatment apparatus for exciting inductively coupled plasma in a treatment chamber 102a through a dielectric material 118 by applying high-frequency power on a high-frequency antenna 120 and providing predetermined plasma treatment to a treatment object in the treatment chamber 102a comprises the high-frequency antenna having a region densely arranged and a region sparsely arranged.例文帳に追加

本発明によれば，高周波アンテナ１２０に高周波電力を印加することにより，誘電体１１８を介して処理室内１０２ａに誘導結合プラズマを励起し，処理室内の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において，前記高周波アンテナは，密に配される領域と疎に配される領域とを有することを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。 - 特許庁

In the inductively coupled plasma processor for processing an article by plasma generated by the inductive coupling of electromagnetic waves through a dielectric window, the surface of the dielectric window is covered with a conductor and surrounded by the conductor, a part of the conductor is cut to expose its surface, and the inductive coupling of electromagnetic waves takes place through the exposed dielectric window.例文帳に追加

誘電体窓を介した電磁波の誘導結合によりプラズマを発生させ、被処理物を加工する誘導型プラズマ処理装置に関し、誘電体窓表面が導電体部で被覆されるとともに、導電体部で囲まれ、表面が露出するように導電体部の一部が切り欠かれており、露出する誘電体窓を介して電磁波の誘導結合が行われるように構成した。 - 特許庁

The analyzing method is characterized by that a sample pretreatment method is used having processes of dissolution of a fluorite sample, removal of a great deal of coexisting substances (such as Ca, F and solvent used for dissolution), and concentration of residual contained impurity elements, and that an ICP-MS(an inductively coupled plasma mass spectrometer) is used as an analyzer.例文帳に追加

本発明の一側面としての分析方法は、蛍石試料の溶液化、多量共存物（Ｃａ、Ｆ及び溶解に用いた溶媒など）の除去、及び残る含有不純物元素の濃縮過程を持つ試料前処理法と、分析装置としてＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置）を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction.例文帳に追加

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 - 特許庁

The non-contact communication type information carrier is constituted of a semiconductor chip 2 where an antenna coil 1 is integrally formed, a booster coil 3 electromagnetically inductively coupled with the antenna coil 1 integrally formed on the semiconductor chip 2 and the antenna coil provided in a reader-writer, and an insulating member 4 carrying the semiconductor chip 2 and the booster coil 3.例文帳に追加

アンテナコイル１が一体形成された半導体チップ２と、半導体チップ２に一体形成されたアンテナコイル１及びリーダライタに備えられたアンテナコイルと電磁誘導結合するブースタコイル３と、これら半導体チップ２及びブースタコイル３を担持する絶縁部材４とをもって非接触通信式情報担体を構成する。 - 特許庁

A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.例文帳に追加

本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁

To provide a plasma source equipped with a ferrite structure in which the ferrite structure is installed in arch shape on a linear antenna of a built-in type inductively coupled plasma generating device and a field formed radially from the linear antenna can be concentrated on a treating substrate, and to provide a plasma generating device employing the same.例文帳に追加

内蔵型誘導結合プラズマ発生装置の線形アンテナ上にフェライト構造体をアーチ型に装着し、線形アンテナから放射状に形成されるフィールドを処理基板に集中させることができるフェライト構造体を備えるプラズマソース及びこれを採用するプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

Into a plant for manufacturing a cooking oil to manufacture it by treating at least one of a seed material and a material oil, inductively coupled plasma emission spectrometry system 100 is established for simultaneously measuring plural elements contained in at least one of crude oil and a material oil wrung from a seed material and in at least one of an intermediate product and a final product in the plant.例文帳に追加

種子原料及び原料油のうち少なくとも一方を処理して食用油を製造する食用油製造プラントに、種子原料から搾油された原油及び原料油のうち少なくとも一方と当該プラントにおける中間製品及び最終製品のうち少なくとも一方とに含まれる複数の元素を同時測定する誘導結合プラズマ発光分析システム１００を併設した。 - 特許庁

The plasma source assembly 160 includes: coils 109, 111 configured to inductively couple RF energy into the process chamber 110 to form and maintain plasma in the process chamber 110; a phase controller for controlling the relative phase of an RF current applied to each of the coils 109, 111; and an RF generator 118 coupled to the phase controller 104 and the coils 109, 111.例文帳に追加

プラズマソースアセンブリ１６０は、ＲＦエネルギーを処理チャンバ１１０に誘導結合することによっての処理チャンバ１１０内でプラズマを形成し及び維持するように構成されたコイル１０９，１１１と、コイル１０９，１１１のそれぞれに印加されるＲＦ電流の相対位相を制御するための位相コントローラと、位相コントローラ１０４及びコイル１０９，１１１に連結されたＲＦ発生器１１８を含む。 - 特許庁