「insulation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Structure is simplified because an insulation film coating an outer circumference of the core 22 in the prior art is not required, and a manufacturing process is simplified because coating work is omitted.例文帳に追加

また、従来コア２２外周に被覆していた絶縁性フィルムが不要となるので、構造が簡単になるとともに、被覆作業を省略できるから、製造工程を簡略化できる。 - 特許庁

A hole forming process for through holes 13 is executed from a portion above the protection layer 28 at the front surface side of the insulation substrate 25 by using a punch 50 having a diameter d2 not less than the inner diameter d0 of the control electrode 14.例文帳に追加

絶縁性基板25の表面側の保護層28の上から、制御電極14の内径ｄ０以上の径ｄ２のパンチ50を用いて、通過孔13の穴開け加工を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a build-up multilayer board by a simple process more efficiently while securing a favorable adhesion property between a wiring layer and an insulation layer.例文帳に追加

有機高分子絶縁層と配線層との密着性を高めるために必須であった特殊なエッチング工程を省くことができ、高価なエッチング装置を使う必要がなく、経済的である。 - 特許庁

To provide a method for producing an inorganic foam with excellent thermal insulation, mechanical properties and water resistance, etc., through facilitating the balance control between the expansion and hardening during the production process.例文帳に追加

製造時の発泡と硬化とのコントロールを容易にし、断熱性、機械的物性、耐水性等に優れた無機発泡体を得ることが可能な無機発泡体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When it is judged that the operation start request of the fuel system 20 is generated, the control unit 50 stops the heat insulation operation of the fuel cell system 20, and starts normal operation process.例文帳に追加

制御ユニット５０は、燃料電池システム２０の運転開始要求が発生したと判定した場合には、燃料電池システム２０の保温運転を停止し、通常運転処理を開始する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process for a copper-clad laminate which retains adhesive strength sufficient to cope with the trend to finer pitch printed boards and yet copes with the trend to extremely thinner insulation resin layers.例文帳に追加

プリント基板のファインピッチ化にも応える十分な接着強度を担保しつつ、絶縁樹脂層の極薄化にも対応できる銅張積層板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which electrical breakdown of a layer insulation film between a floating wiring layer and grounded wiring layers by a plasma process is prevented, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

プラズマプロセスによる浮遊配線層と接地配線層との間の層間絶縁膜の絶縁破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric film 16a of the capacitor in the capacitor formation area and a high breakdown voltage gate insulation film 16 in an MISFET formation area are formed in the same process.例文帳に追加

また、キャパシタ形成領域におけるキャパシタの誘電体膜１６ａと、ＭＩＳＦＥＴ形成領域における高耐圧用ゲート絶縁膜１６とを同一の工程で形成する。 - 特許庁

The interposer substrate is provided with a plurality of electrode pads 1 on at least one face of an insulation resin sheet 5 that connect an electronic device in a flip chip mounting process using bumps.例文帳に追加

インターポーザー基板は、絶縁樹脂シート５の少なくとも一方の面に、バンプを用いたフリップチップ実装プロセスで電子デバイスを接続するための複数の電極パッド１を有する。 - 特許庁

A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７及びダイオードとして機能する活性領域５を設け、プラズマプロセスによって第１の層間絶縁層１０を形成する。 - 特許庁

A process for forming an opening in an insulation layer 4 formed of a silicone ladder polymer to expose a carbon nanotube layer 3 is executed by using two kinds of dry etching having distinct conditions.例文帳に追加

シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。 - 特許庁

To provide a dust core capable of securing insulation between soft magnetic particles on a ground surface in the grinding process of the surface of a heat treated compact.例文帳に追加

熱処理成形体の表面を研削しても、その研削工程に伴って研削面における軟磁性粒子同士の絶縁を確保できる圧粉磁心とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby a first insulation film 106 formed by a thermal oxidation process has a uniform thickness on the side end corner part 111 of the active layer, and local thinning does not occur.例文帳に追加

これにより、熱酸化工程により形成した第一の絶縁膜１０６は、活性層側端角部１１１においても一様な厚さとなり、局所的な薄膜化が生じない。 - 特許庁

The evaluating method for the laser workability of a printed wiring board is the one performed in the process for exposing the top surface of a lower conductor layer 1 by removing an insulation layer 2 on the lower conductor layer 1 by a laser L.例文帳に追加

下層導体層１上の絶縁層２をレーザＬにより除去して下層導体層１上面を露出させる工程でのプリント配線板のレーザ加工性評価方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal silicon solar cell having a reverse side insulation layer composed of an organic material by using a fabrication process which is suitable for mass production and less likely to have adverse effects.例文帳に追加

有機材料からなる裏面絶縁層を有する結晶シリコン太陽電池を、量産に適した悪影響の少ない工程により作製するための作製方法を提供する。 - 特許庁

Prior to a cell forming process, heat treatment equivalent to that employed in cell forming process is performed, the pixel electrode is imparted with anti-fragile properties by generating hillocks or whiskers, a light shielding interlayer insulation film is formed on the pixel electrode, hillocks or whiskers are removed by CMP represented by mechanical polishing and the surface of the pixel electrode is made flush with the surface of the light shielding interlayer insulation film.例文帳に追加

セル組み工程以前に、セル組み工程で用いる加熱処理と同等の熱処理を施し、画素電極にヒロックやウィスカーを発生させ耐脆性をもたせ、画素電極上に遮光性層間絶縁膜を形成し、機械研磨に代表されるＣＭＰによってヒロックやウィスカーを除去するとともに画素電極表面と遮光性層間絶縁膜の表面を同一表面にする。 - 特許庁

In this method, a positive electrode is formed, an insulation film is formed on the positive electrode, a plasma process is performed after forming an opening so as to expose a part of the positive electrode by etching the insulation film, a film containing an organic compound is formed on the insulation film and the exposed positive electrode, and a negative electrode is formed on the film containing the organic compound.例文帳に追加

本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成した後にプラズマ処理をし、前記絶縁膜及び前記露出された陽極上に有機化合物を含む膜を形成し、前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A liner insulation film 18 covers a side circumferential wall of a gate electrode 17a and the end of a gate insulation film to suppress damages to the gate insulation film and a semiconductor substrate caused in the manufacturing process, and a source and drain region 20 is formed and thereafter the extension region 21 is formed to make the joining depth of the extension region 21 comparatively shallow.例文帳に追加

ゲート電極１７ａの側周壁及びゲート絶縁膜端部をライナ絶縁膜１８で覆うことによって、製造工程において受けるゲート絶縁膜及び半導体基体の損傷を抑制し、かつ、ソース及びドレイン領域２０を形成した後、エクステンション領域２１を形成することによって、エクステンション領域２１の接合深さを比較的浅くする。 - 特許庁

Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.例文帳に追加

さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁

Further, the method has a process to form an insulation film on the inner wall of the through-hole; and process to form a conductive material in the through-hole whose inner wall is insulated, and to form a metal bump which brings one surface of the crystalline substrate and the other surface electrically into a conducting state.例文帳に追加

更に、スルーホールの内壁に絶縁膜を形成する工程と、内壁が絶縁されたスルーホールに導電材を形成して、結晶性基板の一方の面側と他方の面側とを電気的に導通状態にする金属バンプを形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.例文帳に追加

ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the dust core includes a preparation process to prepare the heat treated compact 100 by applying compression molding to soft magnetic particles having insulation coating and heating an obtained powder compact to a prescribed temperature, and a machining process to remove a part of the heat treated compact 100 by a machining tool 2.例文帳に追加

絶縁被覆を有する軟磁性粒子を圧縮成形し、得られた圧粉成形体を所定の温度に加熱した熱処理成形体100を用意する準備工程と、加工工具2で熱処理成形体100の一部を除去する加工工程とを備える。 - 特許庁

A method of forming an insulation film on a semiconductor substrate includes: a first process for placing the semiconductor substrate in a vacuum chamber; a second process for supplying nitrogen, oxygen, and aluminum alkoxide into the vacuum chamber; and a third process for turning the mixed air of the nitrogen, oxygen, and aluminum alkoxide supplied into the vacuum chamber into a plasma state.例文帳に追加

半導体基板に絶縁膜を形成する方法は、半導体基板を真空チャンバ内に載置する第１工程と、前記真空チャンバ内に窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドを供給する第２工程と、前記真空チャンバ内に供給した窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドの混合気をプラズマ化する第３工程を備えている。 - 特許庁

There are provided a process where an island-like semiconductor film 3 is formed on a substrate 1, a process where the semiconductor film is covered with an isolation film 4 and the side surface of the semiconductor film is enclosed with a heat insulation film 5 via the isolation film, and a process where the semiconductor film is irradiated with energy beam from above for crystallization to form an operation semiconductor film 11.例文帳に追加

基板１上に島状の半導体膜３を形成する工程と、半導体膜を分離膜４で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜５で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜１１を形成する工程とを有している。 - 特許庁

Otherwise, this method comprises a first film forming process to form an alloy film mainly formed of copper to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the alloy film, and a copper film heat treatment process to execute the heat treatment of the alloy film.例文帳に追加

また、半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、銅を主成分とする合金膜を成膜する第１の成膜工程と、合金膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、合金膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of an electron emitting element comprises a process of forming a cathode electrode 5 on a supporting substrate 4, and a process of forming an emitter layer 10 containing a fibrous emitter material and a binder material on the cathode electrode 5 through a resistor layer 21, and a process of forming an insulation film 6 on the emitter layer 10 through a close-contact layer 22.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法として、支持基板４上にカソード電極５を形成する工程と、カソード電極５上に抵抗層２１を介して繊維状のエミッタ材料とバインダ材料とを含むエミッタ層１０を形成する工程と、エミッタ層１０上に密着層２２を介して絶縁膜６を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.例文帳に追加

1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, when forming the gate insulating film 200, including the chemical oxide film 100 in the insulating film forming process, wherein low-temperature processings are carried out, insulation deterioration of the gate insulating film can be prevented.例文帳に追加

これにより、低温処理を行なう絶縁膜形成工程において、ケミカル酸化膜１００を包含したゲート絶縁膜２００を形成するときに、ゲート絶縁膜の絶縁劣化を防止することができる。 - 特許庁

To obtain a cold insulation sheet which is inexpensive and lightweight, in which a user oneself freely and readily process the size of the sheet and which is flexible and usable without selecting a place and readily handled.例文帳に追加

安価かつ軽量で、ユーザー自らが自在にその大きさを容易に加工することができ、フレキシブルで、場所を選ばずに使用することのできる、取り扱いが容易なペット用保冷シートを提供する。 - 特許庁

In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.例文帳に追加

工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁

To provide alumina fiber block which has more excellent heat resistance and thermal insulation properties and alumina fiber block that can reduce the inside of the oven from the same amount of the material through a simple production process and a method of producing the same.例文帳に追加

製作が簡単で、同じ量の材料で、より耐熱性及び断熱性に優れたアルミナ繊維ブロックと、炉内を汚染することが少ないアルミナ繊維ブロックとその製造方法を提供する。 - 特許庁

Both ends of the piezoelectricity sensor 14 (pressure reduction means) are connected to the determination means 15 so that water-proof and insulation processes are not needed in the front ends of the sensor and manufacturing process can be simple.例文帳に追加

圧電センサ１４（感圧手段）１４の両端が判定手段１５と接続されているので、従来のようなセンサ先端部の防水・絶縁処理が不要となり、製造工程を簡素化することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an R-T-B system sintered magnet having high insulation, excellent in an eddy current reducing effect and capable of coping with both of a high magnetic characteristic and high electric resistance, by a comparatively simple process.例文帳に追加

比較的簡単な工程により、絶縁性が高く、渦電流低減効果に優れた、高磁気特性と高電気抵抗を両立させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法の提供。 - 特許庁

To guarantee quality even if a motor is miniaturized for higher voltage by introducing an interphase insulation test after a process for providing a coil of a plurality of phases to a core and an interphase insulator between coils of each phase.例文帳に追加

コアに複数相のコイルと各相コイル間に相間絶縁体を設ける工程の後に相間絶縁試験を導入することにより、モータの小型・高電圧化に伴う品質保証を図ること。 - 特許庁

To shorten the connection work process and work time by fastening all neutral conductors at once through one neutral conductor terminal, and to eliminate problems of insulation, and the like, by reducing the size of a joint.例文帳に追加

一つの中性線端子を通して全ての中性線を一時に締結することで、結線作業工程および作業時間を短縮し、接続部の大きさを減少し、絶縁などの問題を解消する。 - 特許庁

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film.例文帳に追加

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The functional liquid-drawing-in protrusion Ip is formed together with the insulation membrane I by patterning a silica membrane without installing an exclusive layer, a composing material for that layer, or a manufacturing process.例文帳に追加

機能液引込み突起Ｉｐは、専用のレイヤ及びそのレイヤの構成材料、製造工程を設けることなく二酸化ケイ素膜をパターニングすることによって絶縁膜Ｉと共に形成される。 - 特許庁

To provide a printed wiring board capable of reducing dropping of fracture powder from an insulation layer at the terminal part, as much as possible and its manufacturing process, and to provide a substrate for semiconductor memory card.例文帳に追加

簡易な方法で、端子部の絶縁層からの破断粉の脱落を可及的に少なくすることができるプリント配線板およびその製造方法、並びに半導体メモリカード用基板を提供する。 - 特許庁

At that time, on the surface of an exposure part 4 of the convex part 2 exposed from the resist 5, the gas molecules 6 are dissociated by the radiated propagation lights through a heat insulation process, so as to etch the exposure part 4.例文帳に追加

このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 - 特許庁

To provide an insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant and high heat resistance and has mechanical strength and adhesiveness high enough to be tolerable to a CMP process.例文帳に追加

低い誘電率と高い耐熱性を有し、なおかつＣＭＰ工程に充分に耐えることができる良好な機械強度と密着性能を有した半導体装置の絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To reduce defects occurring at an electronic circuit module component in the reflow process when the electronic circuit module component, in which a surface of an insulation resin is covered by a shield layer, is mounted on an electronic apparatus.例文帳に追加

絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。 - 特許庁

In a process of selectively removing the second resist film 14, the opening 142 for positioning is formed so that the region of the opening 142 for positioning covers the groove part 120 in the insulation layer 12.例文帳に追加

第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 - 特許庁

To provide an exhaust gas cleaning device having a filter that excels in the rate of regeneration because of having a superior thermal insulation efficiency in the course of regenerating process for combustion removing the accumulated particulates in the filter.例文帳に追加

フィルターに蓄積されたパティキュレートを燃焼除去する再生処理において、上記フィルターの保温効率に優れるため、上記フィルターの再生率に優れる排気ガス浄化装置を提供すること。 - 特許庁

To eliminate the need for heat treatment over a long time in the impurity diffusion process while protecting a tunnel insulation film against damage due to implantation of impurity ions using a gate electrode as a mask.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとした不純物イオンの注入によるトンネル絶縁膜への損傷を防止しながら、不純物拡散工程における長時間にわたる熱処理を不要にできるようにする。 - 特許庁