「insulation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The electron emitting element is manufactured through a first process forming a cathode electrode and an emitter layer 4 on a cathode substrate 1, a second process forming an insulation layer, a gate electrode, and gate holes 12 on a supporting substrate 5 different from the cathode substrate 1, and a third process sticking the supporting substrate 5 on the cathode substrate 1 in a state of positioning the gate holes 12 on the emitter layer 4.例文帳に追加

カソード基板１上にカソード電極及びエミッタ層４を形成する第１の工程と、カソード基板１と異なる支持基板５上に絶縁層、ゲート電極及びゲートホール１２を形成する第２の工程と、エミッタ層４上にゲートホール１２を位置合わせした状態でカソード基板１と支持基板５とを貼り合わせる第３の工程とによって電子放出素子を製造する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck capable of obtaining a stable suction and release characteristics against a change in a refrigerant temperature or process temperature, with a simple manufacturing process, having a high durability of a waferless plasma cleaning of halogen gas, and having a high wafer cooling capability and high reliability in electric insulation between an electrode and a metal plate.例文帳に追加

製造プロセスが簡便で、ハロゲンガスのウェーハレスプラズマクリーニングの耐久性が高く、ウェーハ冷却能力が高く、冷媒温度やプロセス温度の変化に対し安定な吸着離脱特性を得る事ができ、電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性が高い等を同時に解決する事ができる静電チャックを提供する。 - 特許庁

For removing a natural oxide film 9 on the exposed surface of buried wirings 7a from an insulation film 3 made of an organic material or a material containing a silicone-carbon bond, a plasma process is applied with a reductive gas such as hydrogen gas, and an organic compound gas such as ethylene supplied in a process atmosphere.例文帳に追加

有機材料またはシリコン−炭素結合を有する材料からなる絶縁膜３から露出した埋め込み配線７ａ表面の自然酸化膜９を除去する際、処理雰囲気中に水素ガスのような還元性ガスと、エチレンのような有機化合物ガスとを供給したプラズマ処理を行う。 - 特許庁

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process.例文帳に追加

予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。 - 特許庁

To provide a highly qualified composite film which shows excellent dimensional stability at a high temperature, and is suitable particularly for a process mold releasing material and an electrical insulation material in a circuit material manufacturing process, a flooring material for a building, a molding, a magnetic recording medium, a print material and the like.例文帳に追加

高温における寸法安定性に優れた高品質の複合フィルムを提供することにあり、特に回路材料製造工程の工程離型材料や電気絶縁材料、建築物の床材、成形用、磁気記録媒体用および印刷部材などに好適である複合フィルムを提供することにある。 - 特許庁

This cooling method is accomplished by a first cooling process of cooling the steam turbine until the steam turbine temperature reaches a designated temperature after the stop of the steam turbine and a second cooling process of removing a second thermal insulation layer 14 and further cooling the steam turbine when the steam turbine temperature becomes a designated value or lower.例文帳に追加

蒸気タービン停止後、蒸気タービン温度が所定温度になるまで該蒸気タービンの冷却を行う第１の冷却工程と、前記蒸気タービン温度が所定値以下になった時に、第２の保温層１４を取り外して更に前記蒸気タービンの冷却を行う第２の冷却工程とによって達成される。 - 特許庁

To provide a process of producing a semiconductor package in which electric insulation can be maintained even in an atmosphere of high temperature and high humidity and soldering junction can be achieved with high junction strength and reliability, without any necessity of cleaning removal of remaining flux after soldering junction, nor charging of under fill or the like, and provide the semiconductor package obtained by the process.例文帳に追加

半田接合後の残存フラックスの洗浄除去、そして、アンダーフィルの充填などが必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とした半導体パッケージの製造方法及びその製造方法により得られる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To improve a manufacturing yield by reducing a short-circuit failure of wiring and also shorten a process time by eliminating a heat treatment process to fulfill voids by forming an insulation film without the generation of voids between wirings of fine structures in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、微細構造を有する配線間にボイドを発生させること無く絶縁膜を成膜することによって、配線のショート不良を低減させて歩留まりの向上を図るとともに、ボイドを埋めるための加熱処理工程を不要にしてプロセス時間の短縮化を図る。 - 特許庁

The surface of the multilayer printed wiring board is made flat when resin for forming an interlayer resin insulation layer 60 is applied on the layer of a plane layer 53 in a manufacturing process because the resin is escaped into the recess 50a of a via hole 50A of the plane layer 53 and the thickness of the interlayer insulation layer 60 can be made uniform.例文帳に追加

また、製造工程においてプレーン層５３の上層に層間樹脂絶縁層６０を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ樹脂を逃がすこができるため、層間樹脂絶縁層６０の厚みを均一にでき、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することが可能となる。 - 特許庁

A building and a construction method are provided for coexisting with a comfortable environment by energy-saving as a result of improving the airtight performance and the thermal insulation performance while avoiding complication of the construction process by developing a required member, combining the members and developing a combining method of the members for securing the airtight performance and the thermal insulation performance of a building.例文帳に追加

建物の気密性能・断熱性能を確保する上で必要な部材の開発・部材の組み合わせ・部材の組み合わせの方法の開発を図り、施工工程の複雑化を避けながら、気密性能・断熱性能の向上を実現し、結果として、省エネルギーで快適な環境と共生できる建物及び建築方法を提供する。 - 特許庁

In the process of manufacturing the liquid crystal display device including a matrix of scan lines and signal lines arranged on a substrate, TFT connected to these lines and pixel electrodes connected to TFT with an applied interlayer insulation film, the temperature of the substrate at the formation of the transparent conductive film on the interlayer insulation film is regulated within 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

As a process in which two types of gate insulation films 9a and 9b are formed on the substrate 1 is carried out continuously in a multichamber type processing apparatus and the substrate is not exposed to the atmosphere, the penetration of undesirable foreign substances and the formation of undesirable natural oxide films on boundary planes between the substrate 1 and the gate insulation films 9a and 9b can be suppressed.例文帳に追加

基板１上に２種のゲート絶縁膜９ａ、９ｂを形成するプロセスは、マルチチャンバ方式の処理装置内で連続して行われ、基板１が大気に曝されることはないので、基板１とゲート絶縁膜９ａ、９ｂとの界面に不所望の異物が混入したり、自然酸化膜が形成されたりすることを抑制できる。 - 特許庁

The cylindrical metal master-block for forming a flexible seamless member with an electrocasting process comprises filling ceramic with thermal spraying as an insulation material of an electric insulation part which is provided to form a U-shaped groove surrounding the peel initiation part for the deposited film on the surface of the circumference of the cylindrical metal master-block.例文帳に追加

継ぎ目なし可撓性無端状部材を電気鋳造にて形成するための電気鋳造処理用円筒状金属母型において、該円筒状金属母型の外周表面に形成される析出膜の剥離開始部を取り囲むようにコの字状の溝を形成して設ける電気絶縁部に絶縁材としてセラミックを溶射充填する。 - 特許庁

To provide a CMP pad for cerium oxide polishing agent and a polishing method of a substrate, which enable a silicon oxide film to be polished effectively and rapidly and realize easy process management, by holding the surface state of a pad fixed without requiring dressing treatment in a CMP technique which flattens a layer insulation film, a BPSG film and a shallow trench isolating insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、ドレッシング処理を必要とせずパッドの表面状態を一定に保つことにより、酸化珪素膜の効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

The assembled conductor collectively arranging a plurality of conductive wires having a polygonal cross-section shape in parallel with each other comprises wire-rod insulating films coating each conductive wire, and an outermost insulation film coating an outermost layer of the assembled conductor, of which, the outermost insulation film is made of heat-resistant resin formed in an extrusion process.例文帳に追加

多角形の断面形状を有する導体線が互いに平行に複数本集合配置した集合導体であって、各導体線を被覆する線材絶縁膜と、集合導体の最外層を被覆する最外層絶縁膜を有し、最外層絶縁膜が、押出し方法で形成された耐熱性樹脂からなることを特徴とする集合導体である。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus that can simplify the insulation structure between a process chamber and heating means, can improve the heating efficiency of a substrate to be processed, and can prevent progression of aged deterioration due to overheating by the heating means.例文帳に追加

プロセス室と加熱手段との間の遮蔽構造を簡単化すると共に、被処理基板の加熱効率を向上させ、加熱手段の過加熱による経年劣化の促進を防ぐことのできる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A coil forming process implementing winding of an insulation coating conductor 1A can easily be carried out with high accuracy without losing the shape stability of the magnetic core part 12C, resulting that the antenna with high productivity can be realized even when the antenna is miniaturized.例文帳に追加

このことにより芯部１２Ｃの形状安定性を損なうことなく絶縁被覆導線１Ａの巻回に基づくコイル形成工程を精度良く容易に行うことができるので、小型であっても生産性に優れる。 - 特許庁

To suppress the formation of undesirable natural oxide films on the boundary planes between a semiconductor substrate and gate insulating films of MIS-FETs, which have the respective gate insulation films with thicknesses different from each other in a process in which the MIS-FETS are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の厚さが互いに異なるＭＩＳＦＥＴを同一基板上に形成するプロセスにおいて、半導体基板とゲート絶縁膜との界面に不所望の自然酸化膜が形成されることを抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device of a film-armored battery preventing an insulation property from being degraded by reducing the film thickness of a part of a resin film in a cooling process after thermal welding, and also to provide a manufacturing method of the film-armored battery.例文帳に追加

熱融着後の冷却過程で樹脂フィルムの一部の膜厚が薄くなることで絶縁性が低下してしまうのを防止することができるフィルム外装電池の製造装置およびフィルム外装電池の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a new fabric for simultaneously meeting lightweightness and thermal insulation, and to provide a method for producing such a fabric by a special and ideal hollow structure forming process comprising fabric formation followed by running out and removing the core component in the dyeing finishing step.例文帳に追加

布帛形成後に染色加工での芯成分溶出除去という特殊かつ理想的な中空構造形成法により、軽量性と保温性を同時に満足するための新規な布帛とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A slider support beam 11, a bending part 13, a slider support 14 and a wiring structure 12 are formed on the basis of an etching process to a multilayer sheet 20 comprising a metallic material 21, an insulation material 22, and a conductive material 23.例文帳に追加

スライダ支持ビーム１１、たわみ部１３、スライダ支持部１４および配線構造体１２が、金属材料２１、絶縁材料２２および導電性材料２３の積層シート２０に対するエッチング処理に基づいて形成されている。 - 特許庁

In a process for filling an isolation trench with an insulation film, a silicon oxide film deposited by HDP-CVD and a silicon oxide film deposited by SOG are laid in layer thus preventing the generation of void and enhancing yield.例文帳に追加

素子分離用の溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程において、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜とＳＯＧ法によるシリコン酸化膜とを積層させることにより、ボイドの発生を防止し歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To prevent generation of pin holes in a vacuum heat insulation material pierced therein from the inside even when its outer wrapping material uses a thin innermost layer, thereby dispensing with a bag breakage inspection process and suppressing temporal gas intrusion due to permeation through the innermost layer.例文帳に追加

真空断熱材の外包材の最内層を薄くした場合にも、内部からの突き刺しピンホールの発生を防止でき、破袋検査工程を不要とし、さらに最内層を透過する経時的なガス侵入を抑制する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable stator of motor that can easily process the lead-out wire without insertion of extra insulation tube to the end of coil and can surely be fixed without addition of any excessive force to the end of coil.例文帳に追加

本発明は、巻線端末に対して余分な絶縁チューブを挿入することなく口出し線の処理を容易化し、かつ巻線端末に無理な力が加わらず確実に固定でき、信頼性の高い電動機の固定子を提供する。 - 特許庁

In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加

工程（ｂ）で、拡散層３及びゲート電極４の表面にＴｉＳｉ膜を形成し、該表面全体に酸化膜６を形成し、酸化膜６を研磨してゲート電極４の表面を露出させる。 - 特許庁

The opening end part 60a of the battery container 60 compresses the insulation gasket 43 so as to pressure-pinch both faces of a flange part 50F of the sealing lid 50 in a caulking process to have sealing faces formed on the both faces of the flange part 50F.例文帳に追加

電池容器６０の開口端６０ａは、かしめ加工により、密閉蓋５０のフランジ部５０Ｆの両面を挟圧するように、絶縁ガスケット４３を圧縮し、フランジ部５０Ｆの両面において、シール面を形成する。 - 特許庁

To simplify a construction process by enhancing construction accuracy by adding a simple device to a house having high thermal insulation performance and airtight performance for attaining an environmental countermeasure and energy-saving.例文帳に追加

環境対策及び省エネルギーを実現する為に、断熱性能・気密性能の高い住宅を、簡単な工夫を加えることで、施工精度を高め・施工工程の簡略化を図ることの出来る建物及び建物の建築方法を提供する。 - 特許庁

A first exposure process is conducted on a microlens material film formed on an insulation film 13 via a first photo mask to form a first lens pattern 24 wherein individual portions that will become microlenses are divided by division recesses 17.例文帳に追加

絶縁膜１３上に形成されたマイクロレンズ材料膜に、第１のフォトマスクを介して第１の露光処理を行うことにより、マイクロレンズとなるべき各部分が分離溝１７により分離された第１のレンズパターン２４を形成する。 - 特許庁

To solve the problem in generation of peeling and crack which are generated in the CMP process to form damascene and in the heat cycle, by eliminating mismatch of dynamics characteristic among inorganic system insulation films used for copper diffusion preventing layer, wiring layer and via layer.例文帳に追加

銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。 - 特許庁

Next, a contact hole 109a is formed on the interlayer insulation film to expose two regions composed of silicon 106, 107, polysilicon 104A, 104B, or metal silicide 108A, 108B in the semiconductor device (second process).例文帳に追加

次いで、半導体装置内のシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂからなる２つの領域が露出するように層間絶縁膜にコンタクトホール１０９ａを形成する（第２工程）。 - 特許庁

To provide a printed circuit board manufacturing method that enables implementation of a fine circuit pattern and a high density circuit pattern, reduction of cost and time involved in the manufacturing process, and enhancement of reliability in insulation between patterns.例文帳に追加

微細回路パターン及び高密度回路パターンが実現でき、かつ、製造工程にかかる費用及び時間を減らすことができ、パターン間の絶縁信頼性を向上させることができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate having film patterns of an insulation film, a semiconductor film, a conductive film, and the like through a simple process, and provide a manufacturing method for a semiconductor device with high throughput and high yield at low cost.例文帳に追加

簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

To provide a capacitance element, a manufacturing method therefor, a semiconductor device and a manufacturing method therefor which easily process a ferroelectric film and suppresses voids from being formed in an insulation film to improve the coverage of the film on the capacitance element.例文帳に追加

強誘電体膜の加工が容易で、絶縁膜にボイドが発生するのを抑制し、容量素子上の膜のカバレージを良くすることができる容量素子、製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a magnetic layer is accurately etched to obtain a prescribed form in an etching process of the magnetic layer and etching going to be applied to a conductive layer and an insulation layer can be prevented and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

磁性層のエッチング工程において、磁性層を正確にエッチングして所定の形状とすることができ、かつ、導電層や絶縁層がエッチングされることを防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this, in the process of slide connection with the counter connector, the reduction of contact reliability due to the peeling-off of plating can be restrained even if numerous slide connections are performed without the contact of the counter contact to contact with the insulation housing.例文帳に追加

これによって、相手方コネクタとのスライド接続の過程で、相手方コンタクトが絶縁ハウジングに接触することなく、多数回のスライド接続を行った場合でもメッキ剥離による接触信頼性の低下を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor whereby a high-quality gate insulation film good in charge behavior in a low temperature process can be formed at a uniform film thickness over a large-area substrate at a high film forming rate.例文帳に追加

低温プロセスでありながら、電荷の挙動が良好で高品質なゲート絶縁膜を、大面積の基板上にわたって均一の膜厚に、高い成膜速度で、形成できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for insulation testing, which make it possible to inspect all defect parts where sounding winging coils are abnormally close to laminate coarse (at intervals of <1 mm) through nondestructive inspection in a mass-production process.例文帳に追加

健全な巻線コイルがラミネートコアに異常接近（１ｍｍ以内）した状態にある欠陥部分を、非破壊検査により量産工程で全数検査を可能にした絶縁試験方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant porous silica film suited to layer insulation films which stably reveals a low dielectric constant and has a mechanical strength durable against the latest high degree integration process, including the CMP method and various chemicals resistances.例文帳に追加

低誘電率を安定的に示すと共に、ＣＭＰ法をはじめとする最新の高集積化プロセスに耐えうる機械的強度と各種の耐薬品性を兼ね備えた層間絶縁膜に適した多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁

After a resist layer 22 having a hole 22a exposing a shoulder of the insulation film 16a and a part of the resist layer 20B near the shoulder is formed, a connection hole 24 is formed in a wet-etching process with the resist layers 22, 20B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

To avoid the variation of the threshold voltage or the mobility of a transistor due to the variation of a gate insulation film, resulting from the change of its manufacturing process or the discrepancy of a used substrate in addition to the variation factor of the crystallizing condition in the channel forming region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of eliminating difference in polishing speed due to density of a trench pattern by a relatively simple process in manufacturing the semiconductor device including trenches having an insulation film buried.例文帳に追加

絶縁膜が埋め込まれたトレンチを備えた半導体装置の製造に際し、比較的簡単なプロセスでトレンチパターンの疎密による研磨速度の差異を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive laminated adhesion core ensuring space factor and core shape equivalent to or better than those of an adhesion film by not using an adhesion film but using a soft magnetic material of conventional insulation film, and to provide its production process.例文帳に追加

接着皮膜を使用せず、従来の絶縁皮膜の軟磁性材料を使用し、接着皮膜と同程度以上の占積率、及びコア形状を確保できる、安価な積層接着コアおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁