「insulation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

An undoped polysilicon layer 411a is formed on a gate insulation layer 402 by silane flow process and a doped polysilicon layer 411b is formed thereon by admixing a silane flow wit a phosphine flow added with a dopant.例文帳に追加

ゲート絶縁層４０２上にアンドープポリシリコン層４１１ａをシラン流プロセスで形成し、続いてその上に、ドープ剤を添加したホスフィン流をシラン流に混合してドープポリシリコン層４１１ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a thermal head exhibiting high thermal insulation and high heat dissipation properties without requiring a complex manufacturing process, and capable of good high speed printing with low energy.例文帳に追加

複雑な製造工程を必要とすることもなく、しかも、高い断熱性と高い放熱性が得られ、低エネルギでの良好な印字かつ高速な印字を行うことができるサーマルヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition suitable for a material for forming dielectric layer of a PDP and an inter-layer insulation film of an SED made to have a relative dielectric constant of 5 or less by combination of a wet process and heating process of 600°C or less.例文帳に追加

ウェットプロセスと６００℃以下の熱処理の組み合わせによって、比誘電率が５以下である、ＰＤＰの誘電体層やＳＥＤの層間絶縁膜を形成する材料として好適なコーティング組成物、及びそれを用いた誘電体層や層間絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This makes the metal mold pair 50 move along the holding hole 61 and perform a formation process of a slot housing conductor portion forming the slot housing conductor portion 40 and a formation process of a coil end conductor portion forming the coil end conductor portion 42 from the feeded insulation coated conductor wire 30.例文帳に追加

これにより、金型ペア５０を保持孔６１上を移動させる動作を行なって、投入された絶縁被覆導体線３０に対して、スロット収容導体部４０を形成するスロット収容導体部形成工程と、コイルエンド導体部４２を形成するコイルエンド導体部形成工程とを行う。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material with a high resistance to heat and a low expansion coefficient, and excellent in peel-resistance at a low surface roughness after a roughening process adapted to a (semi)additive process, and well-balanced resin properties such as a coefficient of elasticity, a strength at break and an elongation at break.例文帳に追加

高耐熱で低膨張係数であり、(セミ)アディティブ工法に適合した粗化後の表面粗さが小さいところでの引きはがし強さに優れ、かつ弾性率、破断強度、破断伸びなどのバランスのとれた樹脂物性の層間絶縁材料を提供することである。 - 特許庁

To provide a cleaning composition capable of sufficiently removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and an interlaminar insulation structure; and to provide a cleaning process and a process for producing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After the buffer layer material 6A is coated, this undergoes a heating and melting process and furthermore a drying process, thereby a flat buffer layer 6 is formed on a first electrode 2 in the light-emitting region 1A which is insulation-divided by an insulating membrane or an insulating barrier rib 4.例文帳に追加

緩衝層材料６Ａを塗布した後、これを加熱溶融処理し、更には乾燥処理することによって、絶縁膜３又は絶縁隔壁４によって絶縁区画された発光領域１Ａ内の第１電極２上に平坦な緩衝層６を形成する。 - 特許庁

This method of detoxifying instruments containing organic halogen compounds comprises a process for filling a solution 2 formed by adding an alkaline compound to a hydrogen donator, into an instrument 1 having insulation oil containing organic halogen compounds adhering thereto; and a process for decomposing the organic halogen compounds contained in the insulation oil remaining in the instrument 1, by circulating the solution 2 through a catalyst-packed apparatuses 4.例文帳に追加

有機ハロゲン化合物を含む絶縁油が付着した機器１に、水素供与体にアルカリ化合物を添加してなる溶液２を充填する工程と、前記溶液２を触媒充填装置４に流通させながら循環させることにより、機器１に残存する絶縁油中に含まれる有機ハロゲン化合物を分解する工程とを有することを特徴とする、有機ハロゲン化合物内蔵機器の無害化処理方法。 - 特許庁

When an interlayer insulation film LI2 is formed by a plasma CVD method, the flow rate of porogen supplied into a CVD device is adjusted to 30% or more but not exceeding 60% of the total flow rate of porogen and methyl diethoxysilane to reduce the size of holes 10 formed within the interlayer insulation film LI2, thereby preventing an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film LI2 by process damage.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

To obtain a multilayer wiring substrate that can simplify the manufacturing process and which does not include close contact failures between wiring circuit layer and insulation layer, even when a wiring circuit layer having large line width and a wiring circuit layer consisting of a wide area metal foil are arranged within the insulation substrate, and also to obtain a method of manufacturing the same multilayer wiring substrate.例文帳に追加

製造工程の簡略化を図ることのできるとともに、線幅の広い配線回路層や、グランド層などの広面積の金属箔からなる配線回路層を絶縁基板内部に配設した場合においても配線回路層と絶縁層間の密着不良のない多層配線基板とその製造方法を得る。 - 特許庁

The process for producing a coating type interlaminar insulation film-forming composition comprises a step of filtration with a porous polyolefin filtering material in which a structure having at least one kind of an ion-exchange group is grafted, and the coating type interlaminar insulation film-forming composition comprises a polymeric compound having a repeating unit containing a cage structure.例文帳に追加

少なくとも一種のイオン交換基を有する構造体がグラフトされている多孔質ポリオレフィン濾材で濾過される工程を含むことを特徴とし、塗布型絶縁膜形成用組成物がカゴ型構造を含む繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The production process for an embedded printed circuit substrate includes a step 1 for forming a circuit pattern region, in which a part of an insulation layer is etched by laser-patterning the insulation layer produced by laminating photosensitive substance layers; and a step 2 for forming a circuit pattern, by filling the circuit pattern region with a substance for plating.例文帳に追加

特に、感光物質層が積層された絶縁層をレーザーパターニングして絶縁層の一部がエッチングされる回路パターン領域を形成するステップ１と、前記回路パターン領域をメッキ物質で充填して回路パターンを形成するステップ２とを含む埋込型印刷回路基板の製造工程を特徴とする。 - 特許庁

Vitreous porous granular particles 3 comprising porous spherical particles synthesized using reverse micelle process and having uniform particle diameter are filled in an insulation layer 4 between 2 sheets of plate glass 2, the outer periphery of 2 sheets of plate glass 2 is sealed with a sealing member 5 and the inside of the heat insulation layer 4 is evacuated to reduce the pressure, for example, to about 10^-1 Pa.例文帳に追加

２枚の板ガラス２間の断熱層４に、逆ミセル法を用いて合成した粒径が略均一なガラス質の多孔質球状粒子からなる粉粒体３を充填し、２枚の板ガラス２の外周間を封止部材５で封止し、断熱層４内を真空排気して、例えば、１０^−１Ｐａ程度に減圧する。 - 特許庁

To provide a sound insulation door capable of controlling resonance of the other face plate by vibration transferred from one face plate of the thick direction only by attaching a simple and easy constitution without changing the thickness of the face plate or applying any special process to one face plate and increasing sound insulation efficiency.例文帳に追加

面板の厚さを異ならせたり一方の面板に特別の加工を施すようなことをせずに、簡単・容易な構成を付加するだけで、厚み方向の一方側の表面板から伝達された振動による他方の表面板の共鳴が抑制され、遮音性能が向上させることができる遮音扉を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

Since through holes 35 made through the core board 30 and the lower interlayer resin insulation layer 50 can be desmeared with an oxidizing agent comprising chromic acid or permanganic acid simultaneously with roughening of the lower interlayer resin insulation layer 50, production process is reduced and a multilayer printed wiring board can be produced inexpensively.例文帳に追加

このため、クロム酸又は過マンガン酸からなる酸化剤で、コア基板３０及び下層層間樹脂絶縁層５０に形成したスルーホール用貫通孔３５のデスミヤ処理と、該下層層間樹脂絶縁層５０の粗化処理とを同時に行うことが可能となり、工程を削減することで、多層プリント配線板を廉価に製造できる。 - 特許庁

To provide an image recording apparatus capable of preventing a further progress of failure caused by poor insulation and conductive ink even when the poor insulation is caused in nozzles of a nozzle column in the recording process by the conductive ink and to provide a power interruption processing method and program by the apparatus.例文帳に追加

導電性インクによる記録処理において、ノズル列のノズル内部で絶縁不良が生じても、この絶縁不良と導電性インクとによって生じる更なる不具合進行を未然に防止することが可能な画像記録装置、その装置による電力遮断処理方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances such as sensitivity transmittance, insulation and chemical resistance, remarkably improves flatness and coating property in particular, and is suitable for forming an interlayer insulating film in a process for fabricating LCD, etc.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性等の性能が優れており、特に、平坦性及びコーティング性を著しく向上させ、ＬＣＤ等製造工程の層間絶縁膜等の形成に適した感光性樹脂組成物。 - 特許庁

Therefore, even if the emitter deposited at top of the upper holding cylinder evaporates in the producing process or a life test, no unnecessary thermonic emission is generated and no insulation failure occurs between the cathodes.例文帳に追加

このため製造プロセスあるいはライフ試験中に上部陰極保持シリンダの上端部に蒸着したエミッタが蒸発しても不要な熱電子放射は発生せず、陰極相互間の絶縁不良は発生しない。 - 特許庁

To provide a flame retardant resin composition which is excellent in flame retardancy, heat resistance and electric insulation property and doe not cause fuming at a molding process and pollution and corrosion on the dye by adding a phosphoric ester flame retardant having an excellent heat resistance.例文帳に追加

優れた耐熱性を持つ燐酸エステル難燃剤を添加して得られる、難燃性、耐熱性、電気絶縁性に優れ、成形加工時の発煙、金型汚染、腐食を引き起こさない難燃性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Further, the manufacturing process of the element substrate comprises: a step of forming the pixel electrode as the lower electrode; a step of forming an FFS insulation film; and a subsequent step (S26) of forming second CHs on parts corresponding to the electrode wiring lines which correspond to the upper electrode.例文帳に追加

そして下部電極である画素電極が形成され、ＦＦＳ絶縁膜が形成された後、上部電極に対応する電極配線に対応する箇所に第２ＣＨが形成される（Ｓ２６）。 - 特許庁

To provide an insulation gate type semiconductor device which is capable of enhancing hot carrier resistance without increasing the number of process steps or a device pitch for a trench lateral-type MOSFET and without damaging voltage resistance/RonA characteristics of the device.例文帳に追加

トレンチ横型ＭＯＳＦＥＴについて、プロセス工数もデバイスピッチも増やさず、デバイスの耐圧・ＲｏｎＡ特性を損なうことなく、ホットキャリア耐性を改善できる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly sensitive photocurable resin composition excellent not only in thermal shock resistance but also in electrical insulation properties, a vinyl group-containing resin used in the composition and a process for producing the vinyl group-containing resin.例文帳に追加

熱衝撃性のみならず、電気絶縁性に優れた高感度な光硬化性樹脂組成物、及びこの組成物に用いられるビニル基含有樹脂及びこのビニル基含有樹脂の製造方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that a threshold voltage varies with increase in fixed charges due to the rise in the hydrogen concentration in a gate insulation film at hydrogen terminals of defects in a channel region or source-drain region in a hydrogenising process.例文帳に追加

水素化処理におけるチャネル領域やソース・ドレイン領域の欠陥の水素終端において、ゲート絶縁膜中の水素濃度向上により固定電荷増加に伴う閾値電圧の変動が発生する。 - 特許庁

To provide a process for producing a wiring circuit board in which stripping of a conductor layer from a base insulation layer can be prevented even if a side etching portion arises in the conductor layer due to skirting portion of plating resist.例文帳に追加

めっきレジストの裾引き部に起因して、導体層にサイドエッチング部が生じても、ベース絶縁層から導体層が剥離することを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a lamination process, a plurality of conductor layers 26 and a plurality of resin insulation layers 21 to 24 are laminated to obtain a laminated structure 60 having a wiring laminated part 30 to be a multilayer wiring board on the copper foil 54.例文帳に追加

積層工程では、複数の導体層２６及び複数の樹脂絶縁層２１〜２４を積層して、多層配線基板となるべき配線積層部３０を銅箔５４上に有する積層構造体６０を得る。 - 特許庁

To achieve a method capable of manufacturing an image display device by a sealing process using a conventional frit glass at low cost by regulating material composition of a soda-lime glass substrate, a cathode wiring material, and an inter-layer insulation film material.例文帳に追加

ソーダライムガラス基板の材料組成の規定と、カソード配線材料、層間絶縁膜材料を規定することにより、従来のフリットガラスを用いた封着プロセスで安価に製造できる方法を実現する。 - 特許庁

Therefore, the hydroxyl group is removed from the Ga oxide film 108 by heating the GaAs substrate 101 by a hot plate after an etching process in order to change the Ga oxide film 108 into the Ga oxide film 109 having a higher insulation property.例文帳に追加

このため、エッチング後、このＧａＡｓ基板１０１をホットプレートで加熱することにより、このＧａ酸化膜１０８から水酸基を取り除き、絶縁性の高いＧａ酸化膜１０９に変質させる。 - 特許庁

Since the non-adhesive film (29) is used, the heat sink (22) and a support plate (23) are electrically separated through the insulation film (29), and the adhesive and a process for applying the adhesive can be eliminated.例文帳に追加

非接着性の絶縁膜（２９）を使用するため、ヒートシンク（２２）と支持板（２３）とは絶縁膜（２９）を介して電気的に分離され、接着剤及び接着剤を塗布する工程を省略することができる。 - 特許庁

To provide a print circuit board which can reduce process time and cost by using a first insulation layer as an etching resist instead of a dry film and not removing it after etching as well as the method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチングレジストとしてドライフィルムの代わりに第１絶縁層を使用し、エッチング後にも除去しないことにより、工程費用および工程時間が節減できるプリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device having a process of manufacturing an TFT which can prevent deterioration of a gate insulation film when conducting channel doping accompanying execution of the channel doping and improve reliability of the TFT.例文帳に追加

チャネルドープの際、該チャネルドープに伴うゲート絶縁膜の劣化を防ぐことができ、ＴＦＴの信頼性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing process of a semiconductor device 1, a silicon substrate 2 is separated into an NMOS formation region 8 and a PMOS formation region 9, and a high-permittivity insulation film 31 is formed on the surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１の製造工程において、シリコン基板２を、ＮＭＯＳ形成領域８とＰＭＯＳ形成領域９とに分離し、そのシリコン基板２の表面に高誘電率絶縁膜３１を形成する。 - 特許庁

In the process, a cylindrical insulation film 74 having some flexibility is disposed through the cylindrical part 73 of each bobbin 71 disposed in the shaft center direction of the coils 44 and 49, eliminating the necessity of connecting the bobbins by engagement by each other.例文帳に追加

その際、コイル44，49の軸芯方向に配置されるボビン71の各筒部73を貫通して、ある程度柔軟性を有する円筒状の絶縁フィルム74が配設されるため、ボビン71を相互に嵌合連結させる必要がない。 - 特許庁

A hard mask pattern is formed on the protective film, and a first trench 225a is formed by etching one portion of the protective film and one portion of the insulation film by a first etching process with the hard mask pattern 224 as a mask.例文帳に追加

ハードマスクパターンを前記保護膜上に形成し、ハードマスクパターン２２４をマスクとした第１エッチング工程によって前記保護膜の一部および前記絶縁膜の一部をエッチングして第１トレンチ２２５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which eliminates the need of posterior processes such as CMP in wiring formation process when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてＣＭＰ等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a molded article of a thermally conductive polymer having a high thermal conductivity with which the characteristics of a thermotropic liquid crystal polymer such as electrical insulation and a low density are fully utilized, and a manufacturing process therefor.例文帳に追加

電気絶縁性、低密度等の熱液晶性高分子の特徴を十分に生かすことができるとともに、良好な熱伝導性を有する熱伝導性高分子成形体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the following process for processing the waste material, the mixed waste material whose content of the inorganic material is adjusted is appropriately fine-pulverized and the vacuum heat insulation material is obtained by sealing the fine-pulverized mixed waste material into a covering material under a vacuum pressure.例文帳に追加

次の廃材加工工程において、無機材料含有率が調整された混合廃材は、適切な微粉化処理を施され、さらに、減圧下で被覆材へ封止されることにより、真空断熱材となる。 - 特許庁

A connecting part for conducting the outer peripheral end of the SOI layer and the support substrate is formed after a process for particularly forming an SOI structure constituted of the SOI layer, the insulation layer and the support substrate.例文帳に追加

特にＳＯＩ層、絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ構造を形成する工程の後に、前記ＳＯＩ層の外周端と前記支持基板の間を導通させるための連結部を形成することにより製造する。 - 特許庁

To provide a resin/filler composite material having a low coefficient of linear expansion and the resin fluidity suitable for lamination process, hence suitably applicable to an insulation material of a printed wiring board; and to provide a printed wiring board suitable for mounting a high performance semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、線膨張係数を低減しなおかつ積層工程において好適な樹脂流動性を有する、プリント配線板の絶縁材料として好適な樹脂／フィラー複合材料を提供する。 - 特許庁

Thereby, the glass insulating film 13 does not erode in the plating process after protective film formation, and the zinc oxide based laminated chip varistor 10 having good insulation can be obtained with good productivity.例文帳に追加

これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜１３が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ１０を良好な生産性で得る事ができる。 - 特許庁

Accordingly, whether the sprayed aluminum 17 and the cooling plate 18 are insulated from each other can be checked, so that insulation check process can be performed before molding by a resin mold part 19.例文帳に追加

これにより、溶射アルミ膜１７と冷却プレート１８との間の絶縁が行えているか否かを検査できるため、樹脂モールド部１９によるモールド化を行う前に、絶縁検査工程を行うことが可能となる。 - 特許庁

In this case, an interval between the floating wiring layer 6c and the grounded wiring layer 6a is formed so as not to exceed the breakdown voltage of the layer insulation film 7 due to an electric field applied to the floating wiring layer 6c in a manufacturing process.例文帳に追加

このとき、浮遊配線層６ｃと接地配線層６ａとの間隔は、製造過程で浮遊配線層６ｃに印加される電界によって層間絶縁膜７の絶縁耐圧を超えないように形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.例文帳に追加

２層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor package, a surface active process is performed ununiformly using plasma discharge at least to a region on a surface insulation layer where a semiconductor element is mounted.例文帳に追加

少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 - 特許庁