「insulation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, the semiconductor layer contains a compound having a porphyrin skeleton, and a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film.例文帳に追加

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、半導体層がポルフィリン骨格を有する化合物を含有し、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide with a simple process a semiconductor manufacturing apparatus for forming a low specific dielectric const. polymer composite film for an layer insulation film, having stable physical properties, and a method of easily forming the low specific dielectric const. polyimide film in a semiconductor element through evaporation-polymerization.例文帳に追加

簡易な工程で安定した物性を有する層間絶縁膜用の低比誘電率高分子複合膜を形成するための半導体製造装置および半導体素子内の低比誘電率ポリイミド膜を蒸着重合により容易に形成する方法の開発。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁

The resin composition may be used for an insulation layer of the multilayer printed wiring board and comprises a thermosetting resin and/or a thermoplastic resin, a dispersion hardening agent having completed the dispersion process with ultrasonic wave vibration, and an inorganic filling material.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、多層プリント配線板の絶縁層に用いる樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂および／または熱可塑性樹脂と、超音波振動により分散処理された分散型硬化剤と、無機充填材とを含むものである。 - 特許庁

In a process of forming an auxiliary wiring layer of the organic EL device, after a side of a transfer material 1 where a conductive layer 11 is formed is insulation-displaced at a side of the substrate 120 where barrier ribs 116 are formed, the base material 10 is pulled off the substrate 120.例文帳に追加

有機ＥＬ装置の補助配線層を形成する工程では、転写材１において導電層１１が形成されている側を、基板１２０において隔壁１１６が形成されている面側に圧接させた後、基板１２０から基材１０を引き離す。 - 特許庁

To provide a polishing composition for use in a CMP process for a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of a tantalum compound and a SiO_2 insulation layer so as to be sufficiently greater in the polishing rate of the tantalum compound than copper and hardly cause SiO_2 polishing.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate plate for flexible printed wiring board, particularly having higher migration resistance and electrical characteristics such as electrical insulation property, in which a film, having removed copper foil with the etching process, has superior transparency and automatic image recognition can be realized easily with a CCD camera or the like.例文帳に追加

銅箔をエッチングにより除去したフィルムが透明性に優れ、ＣＣＤカメラ等による自動画像認識を容易に行うことができ、かつとりわけ耐マイグレーションや電気絶縁性等の電気特性に優れるフレキシブルプリント基板用積層板を提供すること。 - 特許庁

To provide an inspection device and a test method for circuit board which can precisely judge quality in continuity/insulation performance of a circuit within the inspecting circuit board even if the circuit board has no inside layer conductive plane, in order to promote efficiency of circuit board inspection process.例文帳に追加

検査対象の回路基板が内層導電プレーンを持たなくとも、回路基板内の回路の導通性能、絶縁性能の良否を高速で高精度で判定できる回路基板検査装置及び検査方法を提供し、回路基板検査工程の効率化を図る。 - 特許庁

Next, this method of manufacturing the wiring substrate further includes a projecting part formation process of removing the support and the first metal layer, and forming projecting parts 11 composed by including the second metal layer and the third layer, and projecting from the other surface of the insulation layer.例文帳に追加

次に、前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部１１を形成する突出部形成工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in such performances as sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness and coating property, having improved adhesiveness particularly to an inorganic material, and suitable for forming an interlayer dielectric in an LCD manufacturing process.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性、平坦性、コーティング性などの性能に優れているだけでなく、特に無機質材料との接着性が顕著に向上して、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To make it possible to proceed straight to a curing process after completion of placing of concrete without requiring large-scale curing installation and also ensure the efficient heat insulation and curing of the concrete with a small amount of thermal energy, in an inner form for manufacturing a hollow PCa member.例文帳に追加

中空ＰＣａ部材製造用内型枠に係り、大掛かりな養生設備を必要としないで、コンクリート打設完了後にそのまま養生工程に移行することができ、しかも少ない熱エネルギーにより効率よくコンクリートを保温養生できるようにする。 - 特許庁

Heat treatment is performed at about 300-500°C for about 5-60 minutes in a hydrogen atmosphere diluted by hydrogen or nitrogen as first heat treatment, and a defect produced by the MOS transistor, an insulation film formation process or the like is restored.例文帳に追加

その後、第１の熱処理として水素、又は窒素等で希釈された水素雰囲気中にて、３００乃至５００℃程度の温度で、５乃至６０分間程度の熱処理し、ＭＯＳトランジスタ及び絶縁膜形成工程等によって生じる欠陥を回復する。 - 特許庁

To provide a battery which can prevent occurrence of inner short circuit and can facilitate an assembling process as well as lessen accumulation of accuracy errors by integration of an anode current collecting connector 5, a cathode current collecting connector 8 and an insulation material 4.例文帳に追加

負極集電接続体５と正極集電接続体８を絶縁材４と一体化することにより、部品精度誤差の累積を減少させると共に、確実な組み立てを容易にして、内部短絡の発生を防止することができる電池を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board in which solder bridge is prevented without requiring solder resist because a wiring pattern is formed to be entirely recessed from an insulation layer and mounting of solder balls is facilitated by recognizing the boundary of the recess, and also to provide its producing process.例文帳に追加

配線パターンの全体が絶縁層に対して凹状に形成されているため、ソルダーレジストを設けなくても、はんだのブリッジ等を防止でき、しかも凹部境界を認識してハンダボールの搭載等が容易になる配線基板、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify the work process by reducing the insulation layer having a surface to be flattened so that a chip can be vacuum-sucked at the time of packaging through packing and resulting bulk supply and to suppress variation of inductance under packaged state.例文帳に追加

袋詰め梱包とそれによるバルク供給が可能であり、実装に際してバキューム吸着できるように表面を平坦化すべき絶縁層を減らして作業工程を簡素化し、更に実装状態によるインダクタンスのばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition that has a long pot life at room temperature in the pressure bonding process, hardens in a short time and can form a hardened resin layer that is voidless and has insulation characteristics in order to improve the production efficiency of a semiconductor device by flip chip mounting.例文帳に追加

フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において室温での可使時間が長く、短時間で硬化し、ボイドレスで絶縁特性を備えた硬化樹脂層を形成することができるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The production process of FPC comprises a step for forming a desired circuit on the copper foil of a copper clad plate where a copper foil is laminated on one or both sides of the insulation film layer, a step for forming a bending groove by mechanical technique at least at one position of the insulation film layer, and a step for laminating a coverlay on the circuit forming surface after each step.例文帳に追加

絶縁フィルム層の一方の面又は両方の面に銅箔が積層された銅張積層板の該銅箔に所望の回路を形成する工程と、前記絶縁フィルム層の少なくとも１箇所に、機械的手法によって折り曲げ用の溝を形成する工程と、前記各工程の後に、前記回路形成面にカバーレイを積層してＦＰＣを得ることを特徴とするＦＰＣの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing that has practical polishing speed, also has high polishing selectivity to copper that is a metal wiring material, tantalum used as a barrier layer, and an insulation film that is an underlayer, suppresses the occurrence of erosion, and is used suitably for a semiconductor CMP process.例文帳に追加

実用的な研磨速度を有しつつ、金属配線材料である銅と、バリヤ層として用いられるタンタルと、下地層である絶縁膜に対して高い研磨選択性を有し、エロージョンの発生を抑制する、半導体ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a rubber-cord composite capable of more surely obtaining the rubber-cord composite in which major axes of ellipsoidal cross sections of cords are equal in the treat width direction by suppressing a variation in the arranging direction of a flat steel cord cross section in an insulation process.例文帳に追加

インシュレーション工程における扁平スチールコード断面の配列方向のバラツキを抑制して、コードの楕円形断面の長径がトリート幅方向に揃ったゴム−コード複合体を、より確実に得ることができるゴム−コード複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a duct for reducing noise of a compressor of an air conditioner and wind noise of air passing through the duct, having excellent dew formation preventing nature, heat insulation, heat resistance and lightweight nature, having satisfactory strength in practical use, and manufactured in a simple process.例文帳に追加

本発明は、エアコンのコンプレッサーが発生する騒音や、ダクトを通る空気の風切り音を低減でき、しかも結露防止性、断熱性、耐熱性、軽量性に優れ、実用上十分な強度を有すると共に、簡素な工程で製造可能なダクトを提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a highly reliable gas-insulated switch that can prevent release of electromagnetic wave from an insulation spacer, control induction of outer sheath surge and also prevent damage on an electronic device of a control system without increase in the number of parts and complicating the assembling process.例文帳に追加

部品点数を増やすことなく、また、組立て工程を複雑にすることなく、絶縁スペーサから電磁波が漏洩するのを防止するとともに、外被サージの誘導を抑制し、制御系の電子機器の損傷を防止することができる信頼性の高いガス絶縁開閉装置を得る。 - 特許庁

According to the optical modulation element, a crystal can be grown in a predetermined direction from a crystalline nucleus formed at an arbitrary position of a semiconductor film deposited on an insulation substrate with a predetermined thickness, and an alignment mark AM can be formed at an arbitrary position of the semiconductor film in the same process.例文帳に追加

この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reactor excelling in quality, a manufacturing efficiency property and a yield property because a bobbin for a coil is integrally formed of an insulation resin body simultaneously with a gap layer without subjecting magnetic cores to press work or the like in its manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

その製造過程で磁性コア同士をプレス加工等することがなく、さらには、コイル用のボビンがギャップ層と同時に絶縁樹脂体にて一体に成形されることから、品質に優れ、製造効率性と歩留まり性に優れたリアクトルと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flexible printed board by which metal residues between wiring lines are removed through an inexpensive and easy process without performing side etching of a copper layer and even a microwiring processed article has sufficient insulation reliability, and also to provide the printed wiring board obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

安価でかつ簡単な工程で銅層のサイドエッチングなしに配線間の金属残りを除去でき、微細配線加工品でも十分な絶縁信頼性を有するフレキシブルプリント基板の製造方法、および該製造方法により得られたプリント配線基板を提供する - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子８下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極４と下層の配線層３の層間にある絶縁膜５中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

When a contact hole 13 is to be formed with plasma dry-etching process of an insulation film 11 formed on a silicon substrate 10 within an evacuable chamber, pressure within the chamber (point a) is raised to make small the pressure difference from the pressure at the points (b, c, d, e) within the contact hole 13 under formation.例文帳に追加

減圧可能なチャンバー内でシリコン基板１０上の絶縁膜１１をプラズマドライエッチング処理してコンタクトホール１３を形成する際に、前記チャンバー内（ａ点）の圧力を、形成されつつあるコンタクトホール１３の内部（ｂ，ｃ，ｄ，ｅ点）との圧力差が小さくなるように上昇させる。 - 特許庁

To provide a water-tight normal temperature thermo-shrink insulation cylinder and a cable connector using the same that assures excellent water-tight characteristic and efficiency for connection and water-tight processes in order to realize easier cable connection and water-tight process even in the area where use of heat source is restricted.例文帳に追加

遮水性能が優れ、接続、遮水処理の作業性が良好であり、さらに熱源の使用が制限等されているところでも、ケーブル接続、遮水処理作業を容易に行うことができる遮水型常温収縮性補強絶縁筒及びこれを用いたケーブル接続部を提供する。 - 特許庁

To provide a means of improving reliability while reducing a cost and simplifying a manufacturing process for a manufacturing method of an electronic device having a structure for connecting a substrate body with a conductive pattern formed thereon via an insulation layer using a bump, a substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

基板本体とその上部に絶縁層を介して形成される導電パターンとをバンプを用いて接続する構造を有する電子装置の製造方法及び基板及び半導体装置に関し、低コスト化及び製造工程の簡単化を図りつつ信頼性の向上を図る手段を提供する。 - 特許庁

A photoresist film 5 is applied by photolithography to a laminate Josephson junction element base composed of a lower electrode 1 formed on a substrate 7, a insulation layer 3 formed thereon and an upper electrode 2 formed thereon, except a Josephson junction forming portion, thus performing a masking process.例文帳に追加

基板７上に下部電極１が形成され、その上に絶縁層３が形成され、さらにその上に上部電極２が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜５を塗布してマスキング処理を行う。 - 特許庁

In the chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device, the object to be polished with an embedded interconnection formed in the low relative permittivity insulation film via the barrier metal is polished, by using a polishing solution containing colloidal silica, with a part of the surface covered with aluminum atoms.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる被研磨体を、表面の一部がアルミニウム原子で覆われたコロイダルシリカを含有する研磨液を用いて研磨する。 - 特許庁

To keep pattern constituent materials to a minimum that are removed during the process of forming a metal or metal pattern to be used as an electrode, wire, or insulation layer so as to minimize the burden of recovering and reusing the pattern constituent materials.例文帳に追加

電極、配線または絶縁層として用いられる金属または金属化合物パターンを形成するに際し、工程途中で除去されるパターン構成材料を最小限に抑制し、パターン構成材料の回収再利用にかかる負荷を最小限に止めることができるようにする。 - 特許庁

The heat insulation method for a concrete surface comprises the following process: using the culture container; charging soil in the inside of the cylindrically partitioned section to plant evergreen herbaceous perennials; spreading the mosses all over the outside part of the section; and laying the moss-spread containers on the rooftop of the ferroconcrete building side by side.例文帳に追加

またコンクリート面の断熱方法は、上記の培養容器を使用し、筒状に仕切られた区画の内部には土壌を充填して常緑性の多年草を植え込み、その外の部分にコケ類を敷き詰めたものを鉄筋コンクリート建築の屋上に敷き並べる。 - 特許庁

To solve the problem in which crack, or the like, is generated in the surface of an alumite layer by heat, or the like, generated during a wiring electrode formation process when a wiring electrode is formed after the alumite layer is formed on the upper surface of an aluminum substrate, and affects adversely on the insulation characteristics of a circuit board.例文帳に追加

アルミニウム基板の上面にアルマイト層を形成した後、配線電極形成を行った場合、配線電極形成のプロセス時に発生する熱等によりアルマイト層の表面にクラック等が発生し、回路基板の絶縁性特性に対して悪影響が生じる。 - 特許庁

The preheeling method for a metalized film (21), formed with a metal film (23) on one face or both faces of a film body (22) by vapor deposition, includes a voltage application process for applying an AC voltage between the both faces of the metalized film (21) to melt an insulation defective part (25) for removal.例文帳に追加

フィルム体（22）の一方の面又は両面に蒸着によって金属膜（23）が形成された金属化フィルム（21）のプレヒーリング方法において、金属化フィルム（21）の両面間に交流電圧を印加し、絶縁欠陥部（25）を溶融させて除去する電圧印加工程を設ける。 - 特許庁

After applying RTA process higher than the film-forming temperature to a layer insulation film 15, composed of phosphorus-added silicon oxide film, this film 15 and a silicon nitride film 14 are etched through a mask having a photoresist pattern 16 to form contact holes 17.例文帳に追加

リンが添加された酸化シリコン膜によって構成される層間絶縁膜１５に、成膜温度以上の温度でＲＴＡ処理を施した後、フォトレジストパターン１６をマスクとして層間絶縁膜１５および窒化シリコン膜１４を順次エッチングし、コンタクトホール１７を形成する。 - 特許庁

To reduce the amount of shrinkage at the process of the hardening shrinkage by controlling the cellular form of foam at foaming by a simple structure allowing the foaming on the high temperature side of an under roof or on the back side of a wall giving a certain degree of resistance in the formation of an insulation layer at site.例文帳に追加

現場発泡により断熱層を形成するにあたり、天井裏や壁裏の高温側における発泡を、ある程度の抵抗を与えながら許すようにして、簡単な構成で発泡時の気泡形状を制御し、硬化収縮過程での収縮量を少なくする。 - 特許庁

To obtain a wall underlayer material of a wooden fibrous board type having a high wall bearing force, which does not cause the decrease in the humidity adjusting capability and heat insulation property that are characteristic of the wooden fibrous board and which, as a result, does not bring about the bedewing in the wall inside, using an economically excellent method, and to obtain its manufacturing process.例文帳に追加

木質繊維板の特徴である調湿性能や断熱性能を低下させたり、その結果壁内部結露を引き起こすようなことがなく、かつ、経済的にも優れた方法で壁耐力性能の高い木質繊維板系の壁下地材とその製造方法を得る。 - 特許庁

Continuously, the metal wiring film 6 on the recessed part 3 is shaved chemically and physically by performing CMP(chemical-mechanical polishing) process, and when the surface of the metal wiring film 6 is almost flush with the surface of the exterior part of the recessed part 3 of an insulation film 2 as shown in figure (i), the CMP processing is finished.例文帳に追加

つづいて、ＣＭＰ処理が行われることにより、凹部３上の金属配線膜６が化学的および物理的に削られていき、図１(i) に示すように、金属配線膜６の表面と絶縁膜２の凹部３外の表面とがほぼ面一になると、このＣＭＰ処理が終了される。 - 特許庁

In this way, by disposing the dummy elements in the outermost portions of rows and columns likely to cause variations in well domain widths, gate electrode lengths, insulation film thicknesses, etc., in a manufacturing process, variations in the Hall elements for measurement are suppressed, making it possible to suppress variations in detection results.例文帳に追加

このように、製造過程でウェル領域幅やゲート電極長、絶縁膜厚などにばらつきが生じやすい行及び列の最も外側の部分にダミー素子を配置することで、測定用ホール素子のばらつきを抑え、検知結果のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁