「insulation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which can be manufactured without adding a process where a defect part does not occur in an insulation protection film and the manufacturing cost is raised after an etching process for opening a bonding pad, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程後、絶縁保護膜に欠損部が発生せず、製造コスト上昇となる工程の追加無しに製造できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a filling process of filling the light transmissive thermal insulation gel 2 in the recessed part 1d of the hollow block body 1a and a film covering process of covering the recessed part 1d with the resin film 3, and forms the thermal insulation layer 4 on the outside surface of the light transmissive part 1b of the hollow block body 1a.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、中空ブロック体１ａの凹部１ｄに透光性断熱ゲル２を充填する充填工程と、凹部１ｄを樹脂フィルム３で覆うフィルム被覆工程とを有し、中空ブロック体１ａの透光部１ｂの外面に断熱層４を形成するものである。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the insulation film forming apparatus 1 can form the nitrided hafnium silicate film 76 that can function as a high dielectric constant gate insulation film easily in a short time by performing a process of depositing the hafnium fine particles 73 on the substrate 70 and a process of emitting the active particles 74 consisting of a nitrogen plasma thereto.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method of an embodiment comprises: a process of forming a photodiode layer 4 which is an active region including a photodiode on a principal surface of a first substrate 1; a process of forming a wiring layer 7 including wirings 70, 71 and an insulation layer 6 covering the wirings 70, 71 on the photodiode layer 4; and a process of forming an insulation film 8 on the wiring layer 7.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板１の主表面上にフォトダイオード含んだ活性領域であるフォトダイオード層４を形成する工程と、前記フォトダイオード層４の上に、配線７０、７１およびそれを覆う絶縁層６を含む配線層７を形成する工程と、前記配線層７の上に絶縁膜８を形成する工程を備える。 - 特許庁

The gate insulation film forming method includes a process for preparing a substrate, a process for forming a silicon dioxide layer on the top surface of the substrate, a process for exposing the silicon dioxide layer to a plasma-nitride forming process in order to change the silicon dioxide layer into a silicon nitride oxide layer, and a process for subjecting the silicon nitride oxide layer to spike-like rapid annealing.例文帳に追加

基板を準備し、基板の上表面に二酸化シリコン層を形成し、二酸化シリコン層を窒化酸化シリコン層に変換するためにプラズマ窒化物形成工程に二酸化シリコン層を露出し、および窒化酸化シリコン層にスパイク状急熱アニ−ルを実施することを含むゲート絶縁膜の形成方法により信頼性の高いゲート絶縁膜を提供する。 - 特許庁

After forming element areas 1aa to 1ac by an element forming process, the element separation areas 1ba and 1bb are etched by an element separation area etching process, and an insulation film 20 is embedded to their etching parts 16b and 16c by a trench element separation area embedding process.例文帳に追加

素子形成工程によって素子領域１ａａ〜１ａｃを形成した後に、素子分離領域エッチング工程によって、素子分離領域１ｂａ、１ｂｂのエッチングを行い、トレンチ素子分離領域埋め込み工程によって、そのエッチング部１６ｂ、１６ｃに絶縁膜２０を埋め込む。 - 特許庁

With the introduction of a structure with only one electrode used to a drive section to conduct multipl-axis drive, the insulation process in the manufacturing process can be eliminated to simplify the manufacturing process, and moreover the coupling movement in different directions can also be eliminated owing to the multi-folded spring structure.例文帳に追加

駆動部に１つの電極のみを使用して多軸駆動を行うように構成することにより、製造時の絶縁工程が不要となって製造工程が単純化され、しかもマルチフォールデッドスプリング構造によって相異なる方向のカップリング運動が排除される。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for insulation treatment of a coil capable of preventing varnish from being attached at a core by means of a drip-impregnation process by using varnish with various viscosities in an impregnating process, and more efficiently performing manufacture of the coil by omitting a trimming process for removing varnish hardened objects.例文帳に追加

含浸工程において異なる粘度のワニスを用いることで、滴下含浸法においてコアーにワニスが付着することを防止し、ワニス硬化物を取り除くトリミングの工程を省略してコイルの製造をより効率的に行うコイルの絶縁処理方法及び絶縁処理装置を提供する。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

To provide a solar cell module in which insulation between an electrode and a substrate is ensured, and the insulation is ensured with a simple process in aligning and arranging solar cells in series and parallel on a trimmed metal substrate, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

トリミングした金属基板上の太陽電池を直・並列に並べて配置するときに、電極と基板との絶縁を確保し、しかも簡易なプロセスにより絶縁を確保する太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel and its manufacturing method which realizes forming of an insulation film without generating defects such as a crack during drying and baking processes and so realizes a high-definition display in the insulation film forming process.例文帳に追加

絶縁膜を形成する工程で、乾燥および焼成プロセス中にクラック等の膜欠陥を発生させることなく絶縁膜の形成を可能とし、高品位な表示を可能とするプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a process for producing a polycarbonate resin extruded foam having small thermal conductivity and excellent heat insulation properties, capable of sustaining the excellent heat insulation properties for a long period, and having a high mechanical strength, and to provide the polycarbonate resin extruded foam.例文帳に追加

熱伝導率が小さく断熱性に優れると共に、その優れた断熱性を長期間維持でき、かつ高い機械的強度を有するポリカーボネート樹脂押出発泡体の製造方法、及びポリカーボネート樹脂押出発泡体を提供する。 - 特許庁

In a process in which an interface including an insulation layer composed of an insulation membrane covering a TFT on a substrate and a flattened membrane, an electrode and pixel separation membrane or the like is formed, a dehydration treatment is carried out in an environment where a dew-point temperature is controlled at -60°C or lower.例文帳に追加

基板上のＴＦＴを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を−６０℃以下に管理した環境下で脱水処理を行う。 - 特許庁

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112.例文帳に追加

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。 - 特許庁

To complete planarization of all insulation separation grooves formed on a substrate or steps generated at a wiring pattern formation, in a process for embedding an insulation material into the groove or wiring gap without using a CMP technology.例文帳に追加

基板上に形成された絶縁分離用溝もしくは配線パターン形成により生じた段差を、ＣＭＰ技術を用いることなく、溝もしくは配線間隙への絶縁材料埋め込み工程段階ですべて平坦化を完了させるようにする。 - 特許庁

The process of forming the top electrode comprises processes of forming an interlayer insulation film on the base film 8 and on the dielectric film 12, forming an opening existing above the dielectric film in the interlayer insulation film, depositing a conductor inside the opening and on the interlayer insulation film, and forming the top electrode by removing the conductor from above the interlayer insulation film.例文帳に追加

上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To solve problems that gas is generated due to electric erosion reaction by developer and peeling of film is generated at a contact part in an organic insulation film patterning process for forming relief structure of a reflection film in an array process of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のアレー工程において、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタクト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 - 特許庁

The -Z surface side electrode forming process and +Z surface side electrode forming process are processes of forming electrodes on the +Z surface side and -Z surface side by vacuum-depositing metal, wherein the -Z surface side electrode 24 is formed via the insulation film.例文帳に追加

-Z面側電極形成工程及び+Z面側電極形成工程は金属を真空蒸着することによって+Z面側及び-Z面側に電極を形成する工程であり、-Z面側電極24は、絶縁膜を挟んで形成される。 - 特許庁

In addition, two treatments of a heat treatment to the gate insulation film and an activation process of an impurity element added to the semiconductor and a gettering process of a metal element added to the semiconductor are simultaneously conducted using the RTA.例文帳に追加

また本発明は、ゲート絶縁膜に対する加熱処理と、半導体に添加された不純物元素の活性化処理又は半導体に添加された金属元素のゲッタリング工程の２つの処理を同時にＲＴＡを用いて行う。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises loading a voltage of several thousands of volt units for about 1 hour (voltage treatment process S3) on the brown rice after the crushing process, subjecting it to placement on a stand and application of insulation from a floor, in order to adjust the charge balance of the brown rice and to sterilize.例文帳に追加

その後、玄米の電荷バランスを整えると共に殺菌を行うため、床面と絶縁を施した台上に載せた粉砕工程後の玄米に、数千ボルト単位の電圧を約１時間負荷させる（電圧処理工程Ｓ３）。 - 特許庁

Since the antenna element (2) is cast by the casting mold, the antenna element (2) is hardly deformed and the electric characteristic is unchanged due to the shape change in the integral forming process or the covering assembling process, where the antenna element (2) is covered by an insulation cover (5).例文帳に追加

また、アンテナエレメント（２）を鋳型で鋳造するので、変形しにくく、絶縁カバー（５）で覆う際の一体成形工程や覆い被せる組み立て工程において、形状変化によって電気特性が変化することがない。 - 特許庁

An electric chage of muscles of a sample is detected by an electrode part 6, a process of amplification or the like is conducted by an insulation amplifier part 7, and it is converted into digital data by an AD part 8.例文帳に追加

被検体の心筋の電気的変化を電極部６により検出し、絶縁増幅部７により増幅等の処理を行い、AD部８でディジタルデータに変換する。 - 特許庁

To provide a resin composition for the insulation process of an electric apparatus having high thermal conductivity, low viscosity, high adhesive strength and excellent crack resistance so as to satisfy performance currently required.例文帳に追加

近年の要求性能を満足すべく、熱伝導率が高く、低粘度で、接着力が強く、耐クラック性に優れた電気機器絶縁処理用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To avoid the exposure of a gate electrode in a part near a scribe region on a chip (that is, a peripheral part of the chip), in a process of polishing an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層を研磨する工程において、チップ上におけるスクライブ領域に近い部分（すなわち、チップの周辺部）におけるゲート電極が露出しないようにする。 - 特許庁

To provide a weight accumulation device capable of automating placement and collection of a weight on a panel in a heat insulation panel manufacturing process and capable of attempting compact facilities.例文帳に追加

保温パネル製造工程におけるパネル上への重りの載置及び回収を自動化することができ、設備のコンパクト化も図れる重り集積装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the practical resist removing velocity can be attained in the mass-production system without any problems of variation in quality and side etching of insulation film, and insufficient exposure in the lithography process.例文帳に追加

本発明によれば、絶縁膜の変質やサイドエッチ、リソグラフィー工程における露光不良の問題がなく、量産で実用的なレジスト除去速度が得られる。 - 特許庁

To provide a floor heating panel where panel base material, a heating element, and shock absorbing material can be stacked efficiently in one time of adhesive process, without dropping the sound insulation effect.例文帳に追加

遮音効果を低下させることなく、パネル基材、発熱体及び緩衝材を１回の貼着工程で効率的に積層することのできる床暖房パネルを提供する。 - 特許庁

In the process, not short-time heating by lamp anneal but furnace anneal is added as heat treatment after formation of an NSG layer 16 which is an uppermost layer of the first interlayer insulation film 10.例文帳に追加

このとき第１の層間絶縁膜１０の最上層であるＮＳＧ層１６の形成後の熱処理として、ランプアニールによる短時間加熱ではなく炉アニールを加える。 - 特許庁

To provide a process for producing a brush holder capable of holding an electric circuit component easily and rigidly while ensuring waterproofness and insulation of the electric circuit component.例文帳に追加

電気回路部品を容易に強固に保持することができるとともに、電気回路部品の防水性や絶縁性を確保することができるブラシホルダの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of electrically connecting a conductor of a flexible flat cable (FFC) with a terminal with a simple equipment and process without peeling off an insulation coating.例文帳に追加

絶縁被覆を剥がさずに、簡単な設備と工程でフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の導体と端子とを電気的に接続することのできる方法を提供する。 - 特許庁

Further, the extended part 4b can be made thick in a process of forming only the fusion part 2 into a desired shape, which can be utilized for fixing of the insulation housing.例文帳に追加

さらに、溶断部２のみを所望の形状に形成する工程により、延設部４ｂを厚くすることができ、絶縁ハウジングの固定に利用することができる。 - 特許庁

After covering a metallic electrode material, a lift-off using a contact pattern formed on an intermediate insulation film 22p and a first resist 20p is used to process a metallic electrode.例文帳に追加

金属電極材料を成膜した後、中間絶縁膜２２ｐ及び第１レジスト２０ｐに形成されたコンタクトパターンを用いたリフトオフにより金属電極を加工する。 - 特許庁

To prevent electrical static damage of the capacity insulation film of a capacitor due to static electricity in the manufacturing process of a semiconductor device having the capacitor of an MIM structure.例文帳に追加

ＭＩＭ構造のキャパシタを有する半導体装置の製造工程において、帯電による上記キャパシタの容量絶縁膜の帯電破壊を簡便な手法で防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a low permittivity film exhibiting excellent bonding resistance in the assembling process and exhibiting excellent breakdown voltage between interconnect lines on the same layer is employed as an interlayer insulation film.例文帳に追加

組立工程でのボンディング耐性に優れ、また同層配線間耐圧に優れた、低誘電率膜を層間絶縁膜に用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a touch screen panel and a method for manufacturing the same, wherein the number of masks is reduced, a process is simple, and an insulation property between sensing patterns is sufficiently secured.例文帳に追加

マスク数が低減され、工程が単純であると共に、感知パターン間の絶縁特性が十分に確保されたタッチスクリーンパネル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulation can be formed only by recessing a groove 2 on the electrode substrate 1, thus achieving a process for forming the insulated part extremely easily.例文帳に追加

絶縁された部分を形成するのに電極基板１に溝部２を刻設するのみで行うことができ、絶縁された部分を形成するのが極めて簡便な工程となり得る。 - 特許庁

To provide a high-voltage feed-through capacitor capable of filling an insulation filler in one process and ensuring high sealing function and withstand voltage function, and to provide a magnetron.例文帳に追加

絶縁充填物を一工程で充填でき、しかも高い封止機能、及び、耐圧機能を確保し得る高電圧貫通型コンデンサ、及び、マグネトロンを提供すること。 - 特許庁

To provide a high-voltage feed-through capacitor capable of filling an insulation filler in one process and ensuring high sealing function and withstand voltage function, and to provide a magnetron.例文帳に追加

絶縁充填物を一工程で充填でき、しかも高い封止機能及び耐圧機能を確保し得る高電圧貫通型コンデンサ、及び、マグネトロンを提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film is formed so as to cover the projection part formed thus, and a pixel TFT and a TFT included in a driver circuit formed in the same process.例文帳に追加

こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is processed through a dehydration catalyst following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後に脱水触媒により処理して得られた絶縁体である。 - 特許庁

To provide an electronic component comprising a heating resistor element operating well even with low energy in which high thermal insulation is attained without requiring an intricate fabrication process.例文帳に追加

複雑な製造工程を必要とすることもなく、高い断熱性が得られ、低エネルギでも良好に動作する発熱抵抗素子から成る電子部品を提供する。 - 特許庁

By executing the former process, depletion of oxygen contained in the insulation film which is the TaO_X film is filled and the oxygen depletion is removed.例文帳に追加

前者の工程を実行することにより、ＴａＯ_Ｘ膜たる絶縁膜中に含まれる酸素空乏を埋めることができ、酸素空乏を除去することができる。 - 特許庁

To provide the formation method of an interlayer insulation film, especially for shortening chemical mechanical polishing process time in the manufacturing method of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の製造方法に関し、特に化学的機械研磨工程時間を短縮させるための半導体素子の層間絶縁膜の形成方法に関するものである。 - 特許庁