「inter active」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.例文帳に追加

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁

Since the source and drain regions 4 are provided being overlaid with each other on an inter-layer insulation film, the active region and the cell area the reduced.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域４が層間絶縁膜上に重なって設けられているため装置の活性領域及びセル面積を縮小できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of having sufficiently high electric conversion efficiency by suppressing inter-electrode resonance of laser light emitted from an active layer.例文帳に追加

活性層から発するレーザ光の電極間共振を抑えて電気変換効率を十分に高くすることのできる半導体レーザ装置を得る。 - 特許庁

In a first mode for implementing virtual active set updates, the network authorizes the user equipment unit (UE) to report the occurrence of events of inter-frequency measurement to the network.例文帳に追加

仮想アクティブセット更新の第１モードにおいて、ネットワークはユーザ装置（ＵＥ）に、周波数間測定イベントの発生をネットワークに報告するよう委任する。 - 特許庁

Resistive heaters connected in series and inter-active paired diodes are installed in a superconducting coil protective circuit, while diodes are installed in a permanent current switch protective circuit.例文帳に追加

直列に接続した抵抗ヒータおよび双方向ダイオードを超電導コイル保護回路へ設置し、永久電流スイッチ保護回路にダイオードを設置する。 - 特許庁

Inter-terminal voltage of the auxiliary winding 102 is fixed to battery voltage during non-conductive state of the diode 131 and is fixed to inter-terminal voltage of a capacitor 121a which constitute the active clamp circuit 121 during non-conductive state of the diode 130.例文帳に追加

補助巻線１０２の端子間電圧が、ダイオード１３１の非導通時にバッテリの電圧に固定され、ダイオード１３０の非導通時にアクティブクランプ回路１２１を構成するコンデンサ１２１ａの端子間電圧に固定される。 - 特許庁

This lithium secondary cell uses a negative electrode, in which Mg2Sn inter-metal compound alloy having crystallization structure of a rhombic system, especially Mg2Sn inter-meta compound alloy, made of mixture phase of cubic crystal phase and rhombic crystal phase, is a negative electrode active material.例文帳に追加

斜方晶系の結晶構造を有するＭｇ_2 Ｓｎ金属間化合物合金、特に、立方晶相と斜方晶相との混合相からなるＭｇ_2 Ｓｎ金属間化合物合金を負極活物質とする負極を用いる。 - 特許庁

To provide a method for forming an active material layer having a desired inter-layer distance, an active material layer formed by the same, and a lithium secondary battery including the same formed by the method.例文帳に追加

所望の層間距離を有する活物質層を形成する方法、当該方法により形成される活物質層、及び、当該方法により形成される活物質層を備えるリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

A temperature compensating element is constituted of a bi-polar transistor of the same type as that of a bi-polar transitor constituting an active element so that this temperature compensating element can accept a temperature corresponding to the temperature of the active element, and the base bias of the active element is controlled based on the inter-base and emitter voltage of the temperature compensating element.例文帳に追加

能動素子を構成するバイポーラトランジスタと同じタイプのバイポーラトランジスタにより温度補償素子を構成し、この温度補償素子が能動素子の温度に対応した温度を受けるようにし、温度補償素子のベース、エミッタ間電圧に基づいて能動素子のベースバイアスを制御する。 - 特許庁

The second electrode is connected to the active region and the spacer through a conductive inter-layer oxide layer, and a curved region of a depression region is formed so as to be separated from the boundary of the active region by a predetermined length and so as to cover the active region, the spacer and a portion of the termination structure oxide layer 245.例文帳に追加

第２の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁

An inter-frequency hard handover for a connection with a user equipment unit (UE) is performed by switching either from a cell or a current active set of base stations on a first frequency to a virtual active set of base stations on another (new) frequency.例文帳に追加

第１の周波数上のセル又は基地局の現行アクティブセットから、他の（新しい）周波数上の基地局の仮想アクティブセットへ切り替えることにより、ユーザ装置（ＵＥ）との通信に対する周波数間ハードハンドオーバを行う。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device of which the picture is deteriorated little in quality due to inter-phase crosstalk even when video signals are supplied in parallel and multiple phases.例文帳に追加

映像信号を並列多相化して供給する場合にも相間クロストークによる画質劣化の小さいアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To prevent inter-layer short-circuits even when a defective part such as a pinhole is present on a gate insulation film in an active matrix liquid crystal display element provided with a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート絶縁膜にピンホール等の欠陥部があっても、層間ショートが発生しないようにする。 - 特許庁

To obtain an active and highly anti-corrosive hydrogen storage alloy, and provide an alkaline battery having good cell properties such as low- temperature discharging, cycle and inter cell pressure properties.例文帳に追加

活性で耐食性に優れた水素吸蔵合金を得て、低温放電特性、サイクル特性および電池内圧などの電池特性の優れたアルカリ蓄電池を提供する。 - 特許庁

A multi-crystal semiconductor layer 3 is formed as an active layer, and wiring is connected through a contact hole 7 formed in an inter-layer insulating film 6 to the multi-crystal semiconductor layer 3.例文帳に追加

多結晶半導体層３を活性層とし、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介して配線が多結晶半導体層３に接続されている。 - 特許庁

To obtain a system for switching an inter-LAN connection device capable of making switching from an active system to a standby system in a WAN side failure and reducing time needed for switching.例文帳に追加

ＷＡＮ側障害時における現用系から予備系の切替えを可能とすると共に、切替えに要する時間を短縮可能なＬＡＮ間接続装置の切替え方式を得る。 - 特許庁

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10, an active area 50 formed in the semiconductor substrate 10, a silicide layer 45 formed on the upper layer of the active area 50, a first inter layer insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 10 and silicide layer 45, and a contact plug 60 which is formed on the silicide layer 45 and passes through the first inter layer insulating film 15.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。 - 特許庁

To improve speech quality by removing a sense of incompatibility which occurs when inter-switching an active state to suppressing residual echo and an inactive state, and reducing signal distortion.例文帳に追加

残留エコーを抑圧するアクティブ状態とインアクティブ状態との相互の切り替えの際に生じ得る違和感を取り除き、また信号歪みを軽減して、通話品質を高くすることができるようにする。 - 特許庁

The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon.例文帳に追加

基板１０上に、能動層１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４を備えた画素選択トランジスタＴＲ１が形成され、この上に層間絶縁膜１６、パッシベーション膜１７が積層されている。 - 特許庁

In a second mode, the network authorizes the user equipment unit (UE) to perform an autonomous virtual active set update upon occurrence of certain network-specified events, and issues an inter-frequency handover command.例文帳に追加

第２のモードにおいて、ネットワークはユーザ装置（ＵＥ）に対し、ネットワークが指定したイベントの発生時の自立的な仮想アクティブセット更新実行を委任し、またネットワークが周波数間ハンドオーバコマンドを発行する。 - 特許庁

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁

The negative electrode active material used is a carbon whose inter layer distance d(002) by an X-ray diffraction method is not less than 0.377 nm, and the size of the crystalit in the c-axial direction is not larger than 1.29 nm.例文帳に追加

負極活物質として、Ｘ線回折法による層間距離ｄ（００２）が０．３７７ｎｍ以上であり、ｃ軸方向の結晶子の大きさＬｃが１．２９ｎｍ以下である炭素材料を用いる。 - 特許庁

The remedy or preventive for renal tubolointerstitial disorder contains as the active ingredient a specific 4,8-inter-m-phenylene prostaglandin I_2 derivative (e.g., beraprost sodium) or its pharmaceutically acceptable salt.例文帳に追加

ベラプロストナトリウムのような、特定の４，８−インタ−ｍ−フェニレンプロスタグランジンＩ_２誘導体または薬理学的に許容し得るその塩を有効成分として含有する尿細管間質障害の治療または予防薬を提供した。 - 特許庁

Inter-market competition in commodity futures markets is constantly intensifying across national borders and sectors owing partly to fierce international competition for resources and energy and partly to ever more active global movement of funds.例文帳に追加

商品先物市場についても、国際的な資源・エネルギーの獲得競争の激化、資金の世界規模での移動の一層の進展等を背景に、国境・分野を超えた市場間競争が日々激しさを増している。 - 経済産業省

To achieve system switching by maintaining the sequence of control signals thereby matching the inside data of both processors of active system/reserve system, and preventing the missing of the control signal in switching those systems, and securing inter-system synchronization.例文帳に追加

制御信号の順番を維持して、現用系／予備系の両処理装置の内部データを一致させ、系切り替え時における制御信号の欠落を防ぎ、系間の同期を確保して系切り替えを行うことができるようにする。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

To realize a current mirror circuit capable of making the voltage of a current input terminal which is needed to be equal to or more than the conventional 2VBE (VBE is an inter-BE voltage of a transistor when current is caused by flow in an active region) for switching small almost to the VBE.例文帳に追加

スイッチングのため従来２ＶＢＥ（ＶＢＥは活性領域で電流を流している場合のトランジスタのＢＥ間電圧）以上必要とした電流入力端子の電圧をＶＢＥ程度に小さくできるカレントミラー回路を実現する。 - 特許庁

To reduce display irregularity and to display an high quality image in an electrooptical device such as a liq. crystal device with an active matrix driving system by forming a storage capacitance having sufficiently large in every pixel and high uniformity every inter-pixel without reducing pixel aperture rate.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置において、画素開口率を低めることなく各画素毎に十分に大きく且つ各画素間で均一性の高い蓄積容量を形成し、表示ムラを低減すると共に高品位画像を表示する。 - 特許庁

Concerning this communication network system, ring networks A and B are provided with two inter-ring connection node devices 113A, 114A, 113B and 114B, a control node device 110A controls the devices 113A and 114A while switching them and a control node device 110B controls the devices 113B and 114B while switching them as active or reserve systems.例文帳に追加

リングネットワークＡとＢに、各々２つのリング間接続ノード装置（１１３Ａ，１１４Ａ）と（１１３ｂ，１１４ｂ）を設け、制御ノード装置１１０Ａが１１３Ａと１１４Ａとを、制御ノード装置１１０Ｂが１１３Ｂと１１４Ｂとをそれぞれ現用系または予備系として切り換え制御する。 - 特許庁

The processing host 1, upon receiving switching control data as a cue, sequentially transmits, by inter-system transfer, every data stored in the reception data buffer unit 4, thereby allowing the data to be stored in a reception data buffer unit 14 of a processing host 11 which is a standby system currently and which will be newly switched to the active system.例文帳に追加

処理ホスト１は切替制御用データの受信を契機として、受信データバッファ部４に格納されていた全てのデータを系間転送にて順次送信して、現在予備系で新たに現用系に切り替わる処理ホスト１１の受信データバッファ部１４に格納させる。 - 特許庁

To provide a copper foil for a current collector of a lithium secondary battery including a nodule cluster having an inter-nodule aspect ratio capable of sufficiently securing the adhesive strength with an active material of the lithium secondary battery, of which factors such as a texture coefficient of a crystal structure, a water contact angle, impurities, and the like are optimized.例文帳に追加

リチウム二次電池の活物質との密着力を十分確保することができる縦横比を有したノジュールクラスターを備え、結晶構造の集合組職係数、水接触角、不純物などの因子が最適化されたリチウム二次電池の集電体用銅箔を提供する。 - 特許庁

To provide an 8-pole 8-core modular plug type optical active connector that enables inter-LAN equipment connection using optical fiber cables only, without changing the electric connector interface of existing pieces of LAN equipment, and that also enables efficient heat radiation inside the connector as well as suppression of electromagnetic wave radiation outside the connector.例文帳に追加

既存のＬＡＮ装置の電気コネクタインタフェースを変更することなく、ＬＡＮ装置間を光ファイバケーブルだけで接続でき、かつコネクタ内部での効率的な放熱、コネクタ外部への電磁波放射の抑圧を可能とする８極８芯モジュラプラグ形光アクティブコネクタを提供する。 - 特許庁

Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

When a sufficiently higher voltage is impressed to the electrode 2 as compared with the electrode 1 in a low resistance state, the oxidation-reduction reaction active substance (nickel) included in the electrode 2 is oxidized, and an electrode reaction inhibition layer 4 composed of an oxidant is formed on the whole interface area between the electrode 2 and an inter-electrode substance layer 3.例文帳に追加

低抵抗状態にあるとき、電極２に電極１よりも十分に高い電圧を与えると、電極２に含まれる酸化還元反応活性物質（ニッケル）が酸化され、電極２と電極間物質層３との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層４が形成される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁

To easily and inexpensively provide an SOI wafer whose electric reliability is high in a device manufacturing process by making excellent electric characteristics without generating a fine pit by carrying out fluorinated acid cleaning or the like even when an extremely thin silicon active layer is formed, or maintaining high insulating performance even when an extremely thin inter-layer insulating film is formed.例文帳に追加

極めて薄いシリコン活性層を形成した場合であっても、弗酸洗浄等により微小ピットが発生せずに優れた電気特性を持ち、あるいは、極めて薄い層間絶縁膜を形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いＳＯＩウェーハを簡単かつ安価で提供する。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁