「inter-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive light shielding layers 27 and 28 have parts connected to the wiring electrodes 21 and 22, in a pixel part and have their end parts provided on the flattened inter-layer insulating film 25.例文帳に追加

導電性遮光層２７、２８は、画素部において配線電極２１、２２と接続された部分を有しかつその端部が平坦化された層間絶縁膜２５上に設けられる。 - 特許庁

The inspection wiring 5, an inter-layer insulating film 6, a surface protection film 12, and the inspection outside pad 16 have a side on a level with the side of the semiconductor substrate 3 respectively.例文帳に追加

検査用配線５、層間絶縁膜６、表面保護膜１２および検査用外部パッド１６は、それぞれ半導体基板３の側面と面一をなす側面（端面）を有している。 - 特許庁

In a state that an inter-layer acting agent such as a tetraalkylammonium cation exists between layers of the crystalline layered silicate, the new crystalline microporous alkaline metal silicates one obtained by burning it.例文帳に追加

結晶性層状ケイ酸塩層間中にテトラアルキルアンモニウム陽イオンなどの層間作用剤を介在させた後、焼成することにより新規な結晶性ミクロポーラスメタロアルカリシリケートを得る。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, an impurity region 4, gate electrodes 9a and 9b, and inter-layer insulating film 10 covering the gate electrodes 9a and 9b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と、不純物領域４と、ゲート電極９ａおよび９ｂと、ゲート電極９ａおよび９ｂを覆う層間絶縁膜１０とを備える。 - 特許庁

In a gate electrode SG of a selection gate transistor, a short-circuit opening 6a is formed in the inter-electrode insulating film 6 between the lower electrode film 5B and the upper layer electrode film 7B.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタのゲート電極ＳＧは、下層電極膜５Ｂと上層電極膜７Ｂとの間の電極間絶縁膜６に短絡用開口部６ａが形成されている。 - 特許庁

Also, the laminated body 4 is formed by laminating a primary ground electrode 8, a primary coil electrode 10, an inter-coil insulating layer 12, a secondary coil electrode 13, a secondary ground electrode 15, and the like.例文帳に追加

また、積層体４は、１次グランド電極８、１次コイル電極１０、コイル間絶縁層１２、２次コイル電極１３、２次グランド電極１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

Metal electrodes 15 and 16 are arranged via an inter-layer insulation film 7 on the LDD region, and the metal electrodes are electrically connected with the gate electrode at a prescribed part.例文帳に追加

ＬＤＤ領域上には層間絶縁膜７を介して金属電極１５、１６が配置され、金属電極はゲート電極と所定の箇所で電気的に接続されている。 - 特許庁

A Schottky junction source/drain 115 comprising a silicide is formed on the silicon substrate 101 at the bottom of the groove, where the sidewall comprises the sidewall insulating film 107 and the inter-layer insulating film.例文帳に追加

側壁が側壁絶縁膜１０７及び層間絶縁膜からなる溝の底部のシリコン基板１０１上にシリサイドからなるショットキー接合・ソース／ドレイン１１５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor chip mounting substrate is a multi-layer substrate where insulating layers 2a, 2b and wiring layers 3a, 3b and 3c are alternatively laminated, and wirings composed of the wiring layers are electrically connected through inter-layer connecting via holes 4.例文帳に追加

半導体チップ実装用基板は、絶縁層２ａ，２ｂと配線層３ａ，３ｂ，３ｃを交互に積層した多層基板であって、層間導通用ビアホール４により各配線層３ａ，３ｂ，３ｃによる配線が電気的に接続されている。 - 特許庁

To prevent factors of causing wiring crack, void and broken line in the formation of a wiring at an upper layer part of metallic wires by eliminating a step difference of an inter-layer insulation film covering the metallic wires in the case of forming the metallic wires made of a thick aluminum film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に厚いアルミニウム膜の金属配線形成した際、それを被覆する層間絶縁膜の段差を取り除く事で、その上層部での配線形成における配線クラック、ボイド、断線の要因を防止する。 - 特許庁

An insulating film 10 is formed on the inter-layer insulating film 5, which is so etched that the remain between the above the bit line and word line, a conductor layer 12 of polysilicon being formed thereafter.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜５上に絶縁膜１０を形成し、ビット線上とワード線間に絶縁膜及び層間絶縁膜が残存するように層間絶縁膜及び絶縁膜をエッチングし、その後ポリシリコンからなる導体層１２を形成する。 - 特許庁

The flow out of the at least two injection openings (60) is used to energize the boundary layer flow downstream of the high-pressure turbine (22) in order to allow for the use of a more aggressively expanded inter-turbine duct (40) without boundary layer separation.例文帳に追加

少なくとも２つの注入開口（６０）から出る流れは、境界層剥離なしに、よりアグレッシブに拡張するインタータービンダクト（４０）を使用できるようにするために、高圧タービン（２２）の下流側の境界層流れにエネルギーを与えるのに使用される。 - 特許庁

To apply an electric field to an image forming layer, at least one of the electric field applying layers arranged on the top and bottom of the image forming layer is separated by an inter-electrode separation part 19 into each electric field applying area 20 to which the image is to be partially written.例文帳に追加

画像形成層に電界を印加するために画像形成層の上下に設けられた電界印加層の少なくとも一方を部分的に画像を書き込む領域となる電界印加領域２０毎に電極間分離部１９で分離する。 - 特許庁

Between a scan line 2 and a signal line 3 at the crossing part of an almost L-shaped plane of both the lines 2 and 3, a gate insulating film 12, intrinsic amorphous silicon layer 21, inter-line insulating film 22 composed of a silicon nitride and n+ silicon layer 23 are provided in this order.例文帳に追加

走査線２と信号線３との平面ほぼＬ字状の交差部における両線２、３間には、ゲート絶縁膜１２、真性アモルファスシリコン層２１、窒化シリコンからなる線間絶縁膜２２及びｎ^+シリコン層２３がこの順で設けられている。 - 特許庁

Second and third wiring layers 40 and 42 set to the ground potentials are provided which face each other through the bit lines of the first paired bit line BM/BM and the inter-layer insulating film 32, being the same layer as the second paired bit line BS/BS.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

This synthetic rope has aramid fiber strands 10 supporting load, twisted in parallel with each other at a concentric strand layer 14 and having an inter sheath 13 fitting to outside shape of adjacent strand layer.例文帳に追加

荷重を支持するアラミド繊維のストランド（９、１０、１１）が同心のストランド層（１４、１６）において互いに平行によられた合成繊維ロープにおいて、隣接するストランド層の外形形状に適合したシース面を有するインターシース（１３）を設ける。 - 特許庁

A recording head 20 is composed of: a sub-magnetic pole 21; a coil 23 embedded in an inter-layer insulating layer 22; a yoke 24 magnetically connected with the sub-magnetic pole 21 on the opposite side of the floating surface; and a main magnetic pole 25 forming the distal end of the yoke 24.例文帳に追加

記録ヘッド２０は、副磁極２１と、層間絶縁層２２に埋設されたコイル２３と、浮上面と反対側において副磁極２１と磁気的に接続されたヨーク２４と、ヨーク２４の先端部を形成する主磁極２５とで構成される。 - 特許庁

In an arrangement structure which has capacity formed at a portion where at least one of a video signal wire DL and a scanning signal wire GL and a common signal electrode CE are partially put one over the other across an inter-layer insulating film PAS, at least one layer OIL1 of an insulating film included in the inter-layer insulating film PAS is selectively formed in a partial area on a pixel electrode PX.例文帳に追加

映像信号配線ＤＬまたは走査信号配線ＧＬのうち少なくとも一方の信号配線と、共通信号電極ＣＥとが、その一部において層間絶縁膜ＰＡＳを介して重畳した部分に容量が形成された配置構造において、層間絶縁膜ＰＡＳに含まれる絶縁膜のうち少なくとも一層ＯＩＬ１を画素電極ＰＸ上の少なくとも一部の領域に対して選択的に形成する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display with a heating mechanism by a heater layer capable of operating at low temperature capable of preventing generation of a problem caused by using the same conductive material as inter-substrate conductive materials for a counter electrode and the heater layer, such as enhancement of heating efficiency or enhancement of yield and reliability by preventing a gap defect in the vicinity of an inter-substrate conductive material part.例文帳に追加

加熱効率を向上させること、或いは基板間導通材部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上を可能とすることなど、対向電極用及びヒータ層用の基板間導通材に同一の導電材料を用いることによる問題点の発生を防止でき、低温でも動作可能なヒータ層による加熱機構付きの液晶表示装置を得る。 - 特許庁

Especially, the formation end of solder resist formed at the lower substrate at a cavity bottom part is formed while providing a gap by a non-formation part with the end of the opening part of the upper substrate or the end of the opening part of the inter-substrate connection sheet to manufacture the multilayer circuit board of the all-layer IVH structure which has a cavity structure and high inter-layer connection reliability.例文帳に追加

特に、キャビティ底部の下側基板に形成されるソルダレジストの形成端が、上側基板の開口部の端部あるいは基板間接続シートの開口部の端部との間で非形成部による隙間を設けて形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁

A TFT 9 which is connected to a gate electrode 2 and a data electrode 3 formed in a grid shape and which is arranged at each grid, an inter-layer insulating film 10 which is formed on the TFT 9 and penetrated by a contact hole 12 and a detection electrode 11 which is disposed on the inter-layer insulating film 10 and penetrates the contact hole 12 are formed on an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁性基板１上には、格子状に形成されたゲート電極２およびデータ電極３に接続され、格子毎に設けられたＴＦＴ９と、ＴＦＴ９上に形成され、コンタクトホール１２が貫通した層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０上に配され、コンタクトホール１２を貫通する検出電極１１とが形成されている。 - 特許庁

A first TFT 20 has a base film 70, a semiconductor layer 23 provided on the base film 70, a gate insulation film 37 provided so as to cover the semiconductor layer 23, and a gate electrode 21 provided through the gate insulation film 37 with a first and second inter-layer insulation films 51, 52 laminated thereon.例文帳に追加

第１のＴＦＴ２０は、下地膜７０と、下地膜７０上に設けられ、半導体層２３と、半導体層２３を覆うように設けられたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７を介して設けられたゲート電極２１とを有し、さらに、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２が積層されている。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor formed in a multi-layer wiring layer for preventing the generation of the short-circuit of the upper electrode of a capacitor and wiring and the capacitor embedded in an inter-layer insulating film, or the excessive etching of a via bottom at the time of forming via/wiring on the capacitor with high reliability.例文帳に追加

キャパシタの上部電極と層間絶縁膜中に埋め込み形成された配線とキャパシタがショートする問題やキャパシタ上のビア／配線形成時にビア底の過エッチングを防ぐことができ、高い信頼性を持つ、多層配線層内に形成されたキャパシタを有す半導体装置を提供する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film is disclosed which has a 1st polyimide layer of 1 to 10 μm in thickness on one surface of a base film of 5 to 125 μm in thickness, and a 2nd polyimide layer of 10 to 50 μm in thickness on the other surface, and the flexible printed wiring board using the same insulating film.例文帳に追加

厚み５μｍ以上１２５μｍ以下の支持体フィルムの一方の面に厚み１μｍ以上１０μｍ以下の第１ポリイミド層を有し、他方の面に厚みが１０μｍを超え５０μｍ以下の第２ポリイミド層を有してなる層間絶縁膜、および該絶縁膜が使用されたフレキシブルプリント配線板。 - 特許庁

A dummy magnetic pole piece 11c is selectively formed on a recording gap layer 10, and a thin film coil 13 in the first layer is formed on the recording gap layer 10, and an inter-coil connecting part 13A integrated with the thin film coil 13 is formed on at least the peripheral wall face of the dummy magnetic pole piece 11c.例文帳に追加

記録ギャップ層１０の上に、選択的にダミー磁極片１１ｃを形成したのち、記録ギャップ層１０の上に第１層目の薄膜コイル１３を形成すると同時に、ダミー磁極片１１ｃの少なくとも周壁面に、薄膜コイル１３と一体をなすコイル間接続部１３Ａを形成する。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁

In a base material (10) for a multilayer wiring board, the insulating adhesive layer (15) with the tops (12A) of the bumps exposed or projected therefrom by optically processing a photosensitive insulating material (13) having adhesive properties is formed on the bump forming surface of a metallic layer (11), in which the bumps (12) for the inter-layer conduction are formed to one surface.例文帳に追加

多層配線板用基材（１０）は、片面に層間導通用のバンプ（１２）が形成された金属層（１１）のバンプ形成面に、接着性を有する感光性絶縁材料（１３）を光学処理することでバンプの頂部（１２Ａ）が露出または突出した絶縁接着層（１５）を形成した。 - 特許庁

This activated calcium porous body 11x obtained by dry distilling the shell 11 has a structure having a multilayer structural part 15 consisting of a layer mainly consisting of calcium oxide and secondarily consisting of carbon, and many fine pores 21 formed in the inter-layer and intra-layer of the multilayer structural part 15.例文帳に追加

貝殻を乾留することにより得られる活性カルシウム多孔体であって、酸化カルシウムを主成分とし炭素を副成分とする層からなる多層構造部と、該多層構造部の層間および層中に形成された多数の細孔とを有する構造体であることを特徴とする活性カルシウム多孔体。 - 特許庁

A 1st muntin part 23 which covers a 1st inter-electrode gap among longitudinal and lateral muntin parts of a lattice-shaped shading film 6 becomes larger reversely to the rubbing direction DR1 of the 1st alignment layer 7 to cover a side edge part of the 1st electrode 5 on the opposite side from the 1st inter- electrode gap 25.例文帳に追加

格子状の遮光膜６の縦横の組子部分のうちの第１電極間間隙２５を覆う第１組子部分２３は、第１配向膜７のラビング方向ＤＲ１とは逆方向側に大きくなっており、第１電極間間隙２５の該逆方向側にある第１電極５の側縁部を覆う。 - 特許庁

The liquid crystal device contains a liquid crystal layer which includes plural pixels insulated from one another by inter-pixel gaps, and each pixel has a first optical state where maximum light attenuation is brought about, and at least one spacer is arranged in the inter-pixel gap and practically has the same optical property as the first optical state of pixels.例文帳に追加

ピクセル間ギャップによって隔離された複数のピクセルを含む液晶層を包含する液晶デバイスであって、ピクセルの各々は、最大光減衰を生じる第１の光学状態を有し、少なくとも１つのスペーサーがピクセル間ギャップに配置され、第１のピクセル光学状態と同じ光学的性質を実質的に有する。 - 特許庁

Next, the integrated packaging style evaluation value for evaluating the stowage plan is calculated based on the volume ratio V, in-layer function ratio RCIn, and inter-layer function ratio RCOn, and compared with an evaluation criterion established in advance, so as to evaluate the stowage plan.例文帳に追加

そして、これら容積率Ｖと層内機能率ＲＣＩｎと層間機能率ＲＣＯｎに基づいて、積み付け計画を評価するための荷姿総合評価値を算出し、予め設定された判定基準と比較して、積み付け計画の評価を行う。 - 特許庁

An upper substrate having an opening part and also having a circuit formed on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening part and also having a conduction hole formed by filling a through hole with conductive paste, and a lower substrate having a circuit formed on a surface layer are laminated, and heated and pressed.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路が形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路が形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which can be improved in conductivity between conduction portions stacked with an insulating layer interposed by preventing the occurrence of a structural defect in bonding portions between an inter-layer conduction portion that electrically connects the stacked conduction portions to each other and the conduction portions.例文帳に追加

絶縁層を介して積層された導電部どうしを導通させる層間導通部と、導電部との接合部分での構造欠陥の発生を防止し、積層された導電部間の導電性を高めることが可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Thus, the Zr(BH_4)_4 is adsorbed to the surface of a silicon substrate 2, i.e. the surface of a second inter-layer insulating film and the surface of first wiring, or to the surface of a hard mask and the surface of second wiring, and a monomolecular layer composed of adsorbed molecules is formed.例文帳に追加

そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。 - 特許庁

To provide a method of inspecting whether a semiconductor integrated circuit device constituted by laminating a plurality of integrated circuit layers in a thickness direction has a defect in inter-layer connection in a short time each time one layer is laminated, and the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flat-plate solid oxide fuel battery cell enabling stable power generation and life elongation through reduction of influence of thermal stress due to difference of materials for an electrolyte layer and an electrode and through secure prevention of inter-layer exfoliation between electrolyte and the electrode.例文帳に追加

電解質層と電極の材料の違いによる熱応力の影響を低減し、電解質と電極との層間剥離を確実に防止し、安定した発電と長寿命化を可能にした平板型固体酸化物形燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can realize rapid operation by a simple method by reducing interlayer capacitance in a wiring layer and the inter-wiring capacitance on the same layer by forming a low dielectric interlayer insulation film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By the above, since a negative voltage is imposed on the electrode film layer 110 at the oxygen electrode 20 side while the electrode film layer is exposed to the oxygen in oxygen gas, an oxygen atom as a negative ion is introduced in the inter-lattice oxygen deficiency.例文帳に追加

これにより、酸素極２０の側の電解質膜層１１０は、酸素ガス中の酸素に触れた上で負の電圧印可を受けることから、電解質膜層１１０表面では、酸素原子が負の電荷のイオンとして格子間酸素欠損に導入される。 - 特許庁

To provide an integrated circuit having a structure capable of reducing an inter-line capacitance, and a method of manufacturing the integrated circuit that prevents impurities from causing a destructive reaction with a conductive element present in the next layer of a multi-layer integrated circuit structure.例文帳に追加

ライン間キャパシタンスを減少できる構造を有する集積回路および不純物が多層集積回路構造の次の層に存在する導電性要素に対し破壊的反応を起こすのを防止できる集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

At this time, steps based on the difference in height between components 52 and 53 are absorbed by deformation of the resin layers 41 and 61, and an inter-layer conductor 62 of a via structure of the connection layer 6 is compressed and deformed, whereby a substrate 1A incorporating components of direct via connection is manufactured and provided.例文帳に追加

このとき、部品５２、５３の高さの違いに基づく段差を樹脂層４１、６１の変形で吸収し、また、接続層６ビア構造の層間導体６２が圧縮変形することにより、ダイレクトビア接続の部品内蔵基板１Ａを製造して提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a conductive roller having no peculiar uneven part such as a defection line on its surface layer and also having a surface layer uniform in thickness even in an inter-roller and an intra-roller, and also to provide the conductive roller manufactured by the method.例文帳に追加

表面層に離脱線等の特異な不均一部分がなく、また、ローラ一本内でも、ローラ同士でも、厚さが均一な表面層を形成することのできる、導電性ローラの製造方法およびこの方法によって形成された導電性ローラを提供する。 - 特許庁

To provide an optical wiring board where light can be effectively propagated by improving the light propagation between optical waveguide layers and in an inter-layer light moving part for effective propagation of light between optical waveguide layers, and to provide a method for manufacturing the optical wiring board and a multi-layer optical wiring.例文帳に追加

光導波路層間の光の伝播を効果的に行える光導波路間及び層間光移行部を改良し、光の伝播を効果的に行える光配線基板、光配線基板の製造方法及び多層光配線を提供する。 - 特許庁