「inter-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To effectively protect a fragile part, which constructs the part of angle part, at the outer tube by inter posing an impact absorption layer, which is softer than the outer tube, between the outer tube and the end part ring that constructs a bending tube.例文帳に追加

外皮チューブと湾曲管を構成する端部リングとの間に外皮チューブより柔軟性のある衝撃吸収層を介装して、アングル部の外装部を構成する外皮チューブにおける破損し易い部分を有効に保護する。 - 特許庁

According to the mapping above, an applied job independent of the transfer provides the QOS of the inter-terminal applied job layer in all networks independently of a kind of a network configuring a communication path between terminations.例文帳に追加

かかるマッピングによって、転送とは独立した適用業務は、終端間の通信経路を構成するネットワークの種類に関わりなく、全てのネットワークで端末間適用業務層のＱＯＳを提供することが可能になる。 - 特許庁

To provide a movable landing device of an elevator for a base-isolated building capable of preventing a movable plinth closing the clearance between a movable side wall and a movable floor plate from being damaged even if the movable side wall and the movable floor plate are largely tilted diagonally when an inter-layer displacement occurs during an earthquake.例文帳に追加

可動側壁と可動床板との隙間を塞ぐ可動巾木が、地震時の層間変位発生時に可動側壁と可動床板が斜めに大きく傾いても破損しない免震建物用エレベータの可動乗場装置を得る。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a memory cell transistor MT in which a gate insulating film 12; a floating gate electrode film 13; an inter-electrode insulating film 14; and a control gate electrode 15 are stacked in turn on a channel semiconductor layer.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、チャネル半導体層上に、ゲート絶縁膜１２、浮遊ゲート電極膜１３、電極間絶縁膜１４および制御ゲート電極１５が順に積層されるメモリセルトランジスタＭＴを有する。 - 特許庁

Without intending to be limited by theory, it is believed that the strength and rigidity of the polymeric restraint can help the capacitor element better withstand vibrational forces incurred during use without resulting in inter-layer delamination.例文帳に追加

理論によって制限することを意図するわけではないが、ポリマー拘束物の強度及び剛性は、コンデンサ素子が、使用中に受ける振動力に、層間剥離を伴わずにより良好に耐えるのに役立つことができると考えられる。 - 特許庁

While, the tire side layer 23 is formed of nonwoven fabric where granular binder resins 29 are fused to bond and fix the reproduced fibers 28 in an inter-engaging state of the reproduced fibers 28 made of waste material of the air bag.例文帳に追加

一方、タイヤハウス側層２３を、エアバッグの廃材からなる再生繊維２８が相互に交絡した状態でその再生繊維２８を粒状のバインダー樹脂２９同士の融着により接合固定する不織布から構成する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an optoelectronic device of which the display quality is improved by relaxing the variance of an inter-substrate distance while effectively utilizing a thick photosensitive resin layer formed in an image display area, and electronic equipment using the optoelectronic device.例文帳に追加

画像表示領域に形成されている分厚い感光性樹脂層を有効利用して基板間距離のばらつきを緩和して、表示品位の向上を図った電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting device in which the fluctuations of intra-pixel and inter-pixel thickness of organic functional layer can be suppressed, even when the discharge rate of a liquid composition from a nozzle opening fluctuates, and to provide a manufacturing method of the light emitting device.例文帳に追加

ノズル開口からの液状組成物の吐出量がばらついた場合でも、画素間および画素内での有機機能層の厚さばらつきを抑えることのできる発光装置、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the drawing lines in the neighborhood of the contact holes, a pattern 12 of a semiconductor film which shuts off ongoing to the drawing line surface of residual moisture in the anisotropic conductive resin via a first inter-layer insulator film is formed.例文帳に追加

該コンタクトホール近傍の引き出し配線上に第１の層間絶縁膜を介して異方導電性樹脂中の残存水分の引き出し配線表面への進行を遮断する半導体膜のパターン１２が形成される。 - 特許庁

The laminated terminal 12 comprises a wire connection part 22 at one end side thereof, and a penetrating contact part 24 into which, inter-layer connecting terminals 20 are penetrated and made to contact with a prescribed distance in a longitudinal direction.例文帳に追加

積層端子１２は、一端側に電線接続部２２を有し、その電線接続部２２の先に長手方向に所定の間隔をおいて層間接続子２０を貫通接触させる貫通接触部２４を有するものからなる。 - 特許庁

Insulating paste is applied onto the ceramic board 11 covering the lower conductor pattern 1a and then rinsed out with a solvent, until the upside of the lower conductor pattern 1a is exposed, and an inter-line insulating layer 23 is formed.例文帳に追加

下部導体パターン層１ａを覆ってセラミック基板１１の上に絶縁ペーストを付与し、該絶縁ペーストを少なくとも下部導体パターン層１ａの上面が露出するまで溶剤で洗い流し、ライン間絶縁層２３を形成する。 - 特許庁

A display device is featured to obtain the sufficient reliability by suppressing deterioration of the element by blocking the intrusion of water from an inter-layer insulating film by focusing attention on water permeability of the insulating film.例文帳に追加

上記課題を鑑み、本発明では層間絶縁膜の透水性に注目し、層間絶縁膜からの水の浸入を阻害することで電界発光素子の劣化を抑制して十分な信頼性を得ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a tungsten layer capable of increasing an apparent film forming rate on the whole by the elimination of incubation time after the formation of a nuclear crystal film and moreover capable of increasing the inter facial uniformity (reproducibility) of the film thickness.例文帳に追加

核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均一性（再現性）を高めることができめるタングステン層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite display device where a depression input part is juxtaposed at the back side on an EL display part for preventing inter-layer peeling, the distortion of an EL display part and the detection failure of a depression input part, and for reducing the overall thickness.例文帳に追加

ＥＬ表示部の背面側に押下入力部を併設した複合型表示装置において、層間剥離、ＥＬ表示部の歪み、押下入力部の検出不良等を回避しつつ、全体の厚みを削減する。 - 特許庁

On an array substrate 100 for the liquid crystal panel, pixel electrodes 131 and a common electrode 133 are layered across an inter-layer insulating film 132 and the alignment state of liquid crystal is controlled with an electric field between both the electrodes 131 and 133.例文帳に追加

液晶パネル用アレイ基板１００では画素電極１３１と共通電極１３３とが層間絶縁膜１３２を挟んで積層され、両電極１３１，１３３間の電界によって液晶の配向状態を制御する。 - 特許庁

Nitrogen gas and hydrogen gas, the volume of hydrogen gas being 2-80% of that of nitrogen gas, are introduced in a chamber where the semiconductor substrate is provided so that the inter- layer insulating film 8 is exposed to a nitrogen plasma and hydrogen plasma.例文帳に追加

そして、水素ガスの体積を窒素ガスの体積の２乃至８０％として、窒素ガス及び水素ガスを前記半導体基板が配置されたチャンバ内に導入し層間絶縁膜８を窒素プラズマ及び水素プラズマに曝す。 - 特許庁

Since it becomes difficult that the second catalyst metal 21 intrudes into the void 11 in the inter-layer of the first oxide 10, Grain growth or alloying of the first catalyst metal 12 and the second catalyst metal 21 can be suppressed to a higher degree.例文帳に追加

第２触媒金属21が第１酸化物10の層間の空隙11内に進入することが困難となるため、第１触媒金属12と第２触媒金属21とが粒成長あるいは合金化するのを高度に抑制できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, wherein drop in operation speed is suppressed (prevented), while improving reliability by preventing increase in the inter-wiring capacitance caused by an insulating coat layer such as PTEOS.例文帳に追加

ＰＴＥＯＳなどの絶縁被覆層に起因する配線間容量の増大を防止して動作速度の低下を抑制（防止）し、かつ信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A hole for a through-hole is formed in a base, and a conductor is formed on the inner wall of the through-hole so that a board having the through-hole can be constituted, packing materials are packed in the through- hole, and inter-layer insulating material layers are formed on the both faces of the board.例文帳に追加

基体にスルーホール用の貫通孔を設けた後、貫通孔内壁に導体を形成してスルーホールを有する基板とし、スルーホールに充填材料を充填後、基板の両面上に層間絶縁材層を形成した。 - 特許庁

To provide a wiring route determination method which decides a wiring route which makes connection distance between predetermined terminals of components connected via inter-layer connecting parts short as much as possible in a substrate on which the components are mounted and stacked.例文帳に追加

部品が搭載され積層される基板において、層間接続部を経由して接続される各部品の所定の端子間の接続距離が可及的短くなるような配線ルートを決定する配線ルート決定方法を提供する。 - 特許庁

When a sufficiently higher voltage is impressed to the electrode 2 as compared with the electrode 1 in a low resistance state, the oxidation-reduction reaction active substance (nickel) included in the electrode 2 is oxidized, and an electrode reaction inhibition layer 4 composed of an oxidant is formed on the whole interface area between the electrode 2 and an inter-electrode substance layer 3.例文帳に追加

低抵抗状態にあるとき、電極２に電極１よりも十分に高い電圧を与えると、電極２に含まれる酸化還元反応活性物質（ニッケル）が酸化され、電極２と電極間物質層３との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層４が形成される。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

The conductor layer 13 is formed on a first substrate 15, the wireless tag chip section 14 is mounted on a second substrate 16, and the conductor layer 13 and wireless chip section 14 are electrically connected across a step between the first substrate 15 and second substrate 16 by an inter-substrate connection path 22 formed of a conductive paste material.例文帳に追加

導体層１３は第１基板１５に形成され、無線タグチップ部１４は第２基板１６に搭載され、導電性ペースト材によって形成される基板間接続路２２によって第１基板１５と第２基板１６と段差を乗り越えて、導体層１３と無線タグチップ部１４とが電気的に接続される。 - 特許庁

The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。 - 特許庁

When a wiring groove and a connection hole are formed by etching in the porous insulating film employed as the inter-layer insulating film, a permeation-preventive film 22 is formed on only the surface of the porous insulating film 20 exposed in an opening 21a of a mask layer 21 to prevent permeation into an antireflective film 23 and a resist 24.例文帳に追加

層間絶縁膜として採用するポーラス絶縁膜２０に配線溝と接続孔をエッチング加工する際に、マスク層２１の開口２１ａに露出したポーラス絶縁膜２０の表面上にのみ浸透防止膜２２を形成することで、反射防止膜２３やレジスト２４の浸透を防止する。 - 特許庁

Afterwards, a medium 13 of the core of copper plating is applied to the surface of the insulating resin layer 4 and the surface of plating- resistant insulating materials, non-electrolytic copper plating 7 is carried out, and the copper plating and medium layer on the plating resist 5 are removed with the inter-plating resist pattern copper plating left over.例文帳に追加

その後、絶縁樹脂層４の表面及び耐めっき性の絶縁材料の表面に銅めっきの核となる触媒１３を付与、無電解銅めっき７を行い、続いて、めっきレジストパターン間の銅めっきは残し、めっきレジスト５上の銅めっき及び触媒層を除去するよう構成する。 - 特許庁

On a substrate 10, a drain electrode 11, a source electrode 12, a drain line 13, a semiconductor layer 14, a gate insulating film 15, a gate electrode 16, and a gate line 17 are provided to constitute a TFT, and on an inter-planarization-layer insulating film 29 covering TFTs and their electrode lines, reflecting electrodes 29 are formed and are connected to the source electrodes 12.例文帳に追加

基板10上にドレイン電極11、ソース電極12、ドレインライン13、半導体層14、ゲート絶縁膜15、ゲート電極16、ゲートライン17が設けられてＴＦＴが形成され、これらＴＦＴとその電極ラインを覆う平坦化層間絶縁膜29上に、反射電極29が形成されてソース電極12に接続される。 - 特許庁

Different kinds of materials composed of pure Ti/copper alloy (inserting material)/cryogenic stainless steel are directly superimposed and then processed by high temperature isotropic pressurization (HIP), so that nonfused joining is performed without forming a reaction layer such as an inter-metallic compound in the contact area.例文帳に追加

純Ｔｉ／銅合金（間挿入材）／極低温用ステンレスからなる異種材を直接重ね合わせ、これを高温等方加圧（ＨＩＰ）することにより、接触箇所に金属間化合物等の反応層を形成させずに無溶解接合する。 - 特許庁

To provide a planar heating element using a polyarylene sulfide film excellent in heat resistance at 200°C or more, inter-layer adhesion, a hydrolysis-proof property, planarity, and flexibility, in one consisting of a metal foil resistive element or a metal resistive element.例文帳に追加

金属箔抵抗体または金属抵抗体からなる面状発熱体において、２００℃以上での耐熱性、層間接着性、耐加水分解性、平面性、屈曲性に優れるポリアリーレンスルフィドフィルムを使用した面状発熱体を提供する。 - 特許庁

To provide a two-dimensional(2D) image reader with which erroneous reading operation, lowering in detection sensitivity or damage to the device can be prevented by suppressing inter-layer short-circuiting or generation of parasitic capacity caused by a transparent conductive film formed on a photosensor device.例文帳に追加

フォトセンサデバイス上に形成される透明導電膜に起因する層間ショートや寄生容量の発生を抑制して、読取誤動作や検出感度の低下、デバイスの破損等を防止することができる２次元画像読取装置を提供する。 - 特許庁

An external electrode 4 formed on the outer surface of the base 1 is connected to an inner electrode 6 formed on an inner surface of the base 1 and stored in the closed space by an inter-layer electrode 12 via a junction surface between the cover 2 and the base 1.例文帳に追加

ベース１の外側の面に形成された外部電極４とベース１の内側の面に形成されて密閉空間内に収容された内部電極６とは、蓋２とベース１の接合面を経由する層間電極１２により接続されている。 - 特許庁

With this method, the carbon material having inter carbon surface layer gap of 0.37 nm or larger (d002) inside thereof while having the layered structure similar with the graphite structure in a surface thereof is realizes, and characteristics such as a low irreversible capacity and repeating stability are obtained.例文帳に追加

この方法により表面は黒鉛構造に近い層状構造を有するが、内部は炭素層面間隔（ｄ_002 ）が０．３７ｎｍ以上の炭素材料が実現され、低い不可逆容量と繰り返し安定性が高いという特性が得られる。 - 特許庁

Then even when a shoulder cut 20 and a punch-through 21 take place in the resist 6 at dry etching for forming a wire pattern and the resist 6 result in being destroyed, the sacrificial protective film 4 protects the inter-layer isolation film 3 to prevent the surface roughness from being caused.例文帳に追加

これにより、配線パターン形成のためのドライエッチング時にレジスト６に肩落ち２０や突き抜け２１が生じて破壊された場合でも、犠牲保護膜４によって層間絶縁膜３は保護されており、表面荒れは発生しない。 - 特許庁

A positive photosensitive insulating material applied on a ceramic substrate 11 is exposed through a photo-mask 30, and developed, and then the exposed part of the positive photosensitive insulating material is removed so that an inter-line insulating layer 14 having a spiral groove 13 can be formed.例文帳に追加

セラミック基板１１上に付与されたポジ型感光性絶縁材料をフォトマスク３０を通して露光した後、現像してポジ型感光性絶縁材料の露光部分を除去し、スパイラル溝１３を有するライン間絶縁層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a light-accumulating stud which can be used in a place where vehicles frequently tread thereon, and has fine nighttime visibility, while inter-layer peeling is not generated even when a heavy load is applied, and to provide a manufacturing method of the light-accumulating stud.例文帳に追加

本発明は、頻繁に車両に踏みつけられる場所での使用が可能であると共に、夜間の視認性が良く、大きな荷重が掛っても、層間剥離が発生することの無い蓄光鋲及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a protective film and an inter-layer insulating film which are superior in transparency, and heat resistance, and have high adhesion to an ITO substrate and high crack resistance, and to provide a radiation-sensitive composition with full resolution.例文帳に追加

透明性、耐熱性等が優れると共に、ＩＴＯ基板密着性及び耐クラック性が高い保護膜及び層間絶縁膜を形成可能であり、かつ十分な解像性を有する感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of producing conductive particles with insulating particles in which a conductive layer is less susceptible to rusting, and high conductivity can be maintained over a long term, and which can enhance conduction reliability when used for inter-electrode connection.例文帳に追加

導電層に錆が生じ難く、長期間にわたり高い導電性を維持でき、従って電極間の接続に用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the needle-punched nonwoven cloth having inter-fiber space exists in a center part and also the foam resin layer is formed on the opposite surface, especially excellent heat insulating property is provided by including much air with little heat conductivity.例文帳に追加

また中心部にニードルパンチ処理が施されて繊維間空間を有する不織布が存在し、かつ反対面に発泡樹脂層が形成されているので、熱伝導性の小さい空気を多く含み、特に優れた断熱性を有するものとなる。 - 特許庁

An inter-layer insulation film 14 is formed, and a group electrodes G1 of having a plurality of electrodes 15 are formed in the n-type region 12, and a group electrodes G2 having a plurality of electrodes 16 are formed in the n-type region 13 via a plurality of open holes.例文帳に追加

層間の絶縁膜１４が形成され、複数の開孔を介してＮ型領域１２上に複数の電極１５を有する電極群Ｇ１、Ｎ型領域１３上に複数の電極１６を有する電極群Ｇ２が形成されている。 - 特許庁

To provide an inter-layer insulating film and a radiation-sensitive resin composition suitable for forming a microlens, which have a high radiation-sensitive sensitivity and an excellent development margin, and with which a pattern thin film with excellent adhesion with a ground can be easily formed.例文帳に追加

高い感放射線感度と優れた現像マージンを有しそして下地との密着性にも優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成に好適な、感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a simple and highly productive method of producing a multilayered coating film having extremely excellent inter-layer adhesion, by applying a plurality of coating liquids altogether without using a gelling agent or the like for adjusting the viscosity of a coating liquid in laminating the same.例文帳に追加

粘度を調整して積層させるゲル化剤などを用いることなく、複数の塗工液を一括で塗布することにより、層間の密着性に極めて優れる多層塗工膜を、簡便かつ生産性良く製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a simple and highly productive method of producing a multilayered coating film having excellent inter-layer adhesion, by applying a plurality of coating liquids altogether without using a gelling agent or the like for adjusting the viscosity of a coating liquid in laminating the same.例文帳に追加

粘度を調整して積層させるゲル化剤などを用いることなく、複数の塗工液を一括で塗布することにより、層間の密着性が良好な多層塗工膜を、簡便かつ生産性良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

An element structure 4 to be measured having the same pattern as that of a structure 2 being the object of the management, of the film thickness of the residual film of an inter-layer insulating film in a chip 1 and optical film thickness measuring patterns 5 and 6 are arranged in a scribe line 3 outside the chip 1 as a pair.例文帳に追加

チップ１内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造２と同じパターンの被測定対象素子構造４と、光学式膜厚測定パターン５，６とを１組にして、チップ１外のスクライブライン３に設ける。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 6 composed of a photosensitive resin is provided from a terminal part on the side of a guard resistor 7 of each terminal in a terminal area to a substrate peripheral edge part including the guard resistor and a short ring as well as between the respective terminals for the width narrower than a terminal interval.例文帳に追加

感光性樹脂よりなる層間絶縁膜６を、端子領域の各端子のガード抵抗７側の端部からガード抵抗及びショートリングを含む基板周縁部と、各端子間にも端子間隔よりも狭い幅で設けた。 - 特許庁