「interface structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained.例文帳に追加

したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。 - 特許庁

In a certain embodiment, the system may include a user interface (504) configured to allow a user to identify the long axis of the modeled structure.例文帳に追加

特定の実施形態では、ユーザーがモデル化された構造物の長軸を識別することができるように構成されたユーザー・インターフェース（５０４）を含み得る。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

Some RTCs support a more powerful alarm interface, using these ioctls to read or write the RTC's alarm time (respectively) with this structure: +4n 例文帳に追加

RTC の中にはより強力なアラームインタフェースをサポートするものもあり、これらの ioctl を使うことで、以下のような構造体でRTC のアラーム時刻を (それぞれ) 読み書きできる:+4n - JM

To provide a semiconductor optical device having such a structure that phosphorus atoms (P) and arsenic atoms (As) are hard to substitute on the interface between two semiconductor layers.例文帳に追加

２つの半導体層の界面において燐原子（Ｐ）と砒素原子（Ａｓ）との置換が生じ難い構造を有する半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁

An interface layer 16 is added to a light emitting diode or a laser diode structure so as to act as distortion treatment and impurity gettering.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、ひずみ処理および不純物ゲッタリングの役目を果たすよう、界面層が発光ダイオードまたはレーザ・ダイオード構造に加えられる。 - 特許庁

The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.例文帳に追加

下層絶縁膜７ａがシリコン窒化膜７ａａ／シリコン酸化膜７ａｂ／界面層７ａｃ／シリコン酸化膜７ａｄの積層構造により構成されている。 - 特許庁

The descriptive language includes an integral constitution data structure in which the plural commands of a discrete interface are integrated into a single script to be executed by a machine.例文帳に追加

かかる記述言語は、離散インタフェースの複数コマンドを、マシンにより実行される単一スクリプトに統合させる統合構成データ構造を含む。 - 特許庁

To provide an office automation(OA) equipment controlling interface structure for realizing a service software excellent in extendability and reusability in multi-user/multi-function environments.例文帳に追加

マルチユーザ・マルチファンクション環境において，拡張性と再利用性に優れたサービスソフトウェアを実現するＯＡ機器制御用インターフェース構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a device structure and a manufacturing method which reduce surface and interface defects, which become the causes for reducing efficiency, in a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力デバイスにおいて、効率を低下させる原因となる表面及び界面欠陥を低減するデバイス構造、および製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a steel-aluminum joint structure having a high joint strength by inhibiting a brittle layer of Al-Fe binary alloy from expanding over the whole joining interface.例文帳に追加

脆弱なＡｌ-Ｆｅ二元合金層が接合界面全域に広がることを抑え、継手強度の高い鋼／アルミニウム接合構造体を製造する。 - 特許庁

The interface 130 is formed by applying a structure or foil embedded in a solid alloy to between the surfaces of two devices 110, 120.例文帳に追加

インタフェース１３０は、固体の合金に埋め込まれた構造またはホイルを、２つのデバイス１１０、１２０の表面の間に適用することにより形成される。 - 特許庁

The electron transit layer 16 and the electron supply layer 12 are formed into a heterojunction structure, and a two-dimensional gas channel 13 can be formed on the junction interface.例文帳に追加

電子走行層１６と電子供給層１２とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１３を形成可能とする。 - 特許庁

This structure is provided with an interface connector 20 having first and second input contacts 34 and 36 and first and second output contacts 42 and 44 at least.例文帳に追加

第１及び第２入力接点３４、３６と、第１及び第２出力接点（４２、４４を少なくとも有するインタフェース・コネクタ２０を具える。 - 特許庁

An electrode body 2 is integrally fixed with a porous structure 1 via a silicon carbide layer 3 formed on an interface between the electrode body 2 and the porous structure 1 by using the electrode body 2 being carbonaceous such as graphite.例文帳に追加

黒鉛など炭素質の電極体２を用い、電極体２と多孔質構造体１との界面に形成された炭化ケイ素層３を介して、電極体２を多孔質構造体１と一体に固着した。 - 特許庁

To provide a ferroelectric stacked-layer structure having excellent interface characteristics, and a field effect transistor or ferroelectric capacitor with superior electric characteristics using the same ferroelectric stacked-layer structure.例文帳に追加

良好な界面特性を有する強誘電体積層構造、及びかかる強誘電体積層構造を用いた、優れた電気特性を有する電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを提供することにある。 - 特許庁

Bundles of aligned carbon nanobubes are embedded into an intervention material to form a composite thermal interface structure of a polymer material and the nanotubes, and this structure is placed between the electronic device and the cooling solution.例文帳に追加

整列したカーボンナノチューブの束を介在材料に埋め込んでポリマー材料とカーボンナノチューブとの複合熱インターフェイス構造を形成し、この複合構造を電子デバイスと冷却用ソリューションとの間に配置する。 - 特許庁

To rapidly analyze and evaluate the presence of a crystal in a solid-liquid interface, a crystal structure, a crystallite dimension (crystal domain size) or a correlation length and the structure of atomic ions or molecular ions of an interfacial electric double layer.例文帳に追加

固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。 - 特許庁

To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.例文帳に追加

高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁

With this structure, formation of a depletion layer at an interface between the sulfide particle and a positive electrode active material can be restrained, and thus, formation of a depletion layer in the vicinity of an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte layer can also be restrained.例文帳に追加

この構成により、硫化物粒子と正極活物質との界面における空乏層の形成を抑制することができ、もって、正極層と固体電解質層との界面近傍における空乏層の形成をも抑制することができる。 - 特許庁

To provide a small-sized portable simplified electrophoretic type zeta electrometer of simple structure used in zeta potential measurement by a moving interface electrophoretic method, capable of forming easily a clear interface, and simplified in an operation.例文帳に追加

移動界面電気泳動法によるゼータ電位測定に用いることが出来て、明瞭な界面を容易に形成させることができる、構造が簡単で、小型で携帯も可能であり、操作が簡便な簡易型電気泳動式ゼータ電位計を提供する。 - 特許庁

In the seal structure of a motor, the grommet 13 for guiding a lead wire is provided at the interface between the bracket 11 and yoke, the grommet is integrally provided with an O-ring 14 and the O-ring is held at the interface between the bracket and yoke to seal these element.例文帳に追加

ブラケット１１とヨークの合わせ面にリード線引出用のグロメット１３が介装され、グロメットにはＯリング１４が一体的に形成され、Ｏリングがブラケットとヨークの合わせ面に挟み込まれて両者間をシールする電動モータのシール構造である。 - 特許庁

The size of a shelf body 21 is miniaturized, by mounting a DS 3 interface connector required only in the case of constitution, having no redundant length on an extended shelf 22 in a customer interface section 25, and the shelf body can be removed in the case of a redundant structure.例文帳に追加

顧客インタフェース部２５において、冗長なしの構成の場合のみに必要なＤＳ３インタフェースコネクタを拡張シェルフ２２ヘ実装することで、シェルフ本体２１のサイズを小さくし、冗長構成の場合には、取り外しが可能である。 - 特許庁

To design a sensor which can be used to monitor an interface state in a fastener position between interface regions of layers of a structure, and between other corrosion start positions, and which can be installed during manufacture or after the manufacture of a transportation means.例文帳に追加

構造物の層の境界面領域間、及び他の腐食開始位置間において、ファスナの位置で境界面状態を監視するために使用することができる、輸送手段の製造中又は製造後に設置することができるセンサを設計する。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

To provide a technique for improving the performance of a magnetic recorder by controlling the crystal structure of the interface between an MnPt alloy thin film and a ferromagnetic thin film for improving the exchange coupling bias magnetic field of a ferromagnetic antiferromagnetic interface.例文帳に追加

強磁性・反強磁性界面の交換結合バイアス磁場向上のためにＭｎＰｔ合金薄膜と強磁性薄膜界面の結晶構造を制御し、磁気記録装置の性能向上を行うための技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

The structure(250) has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the base(208) on the interface with the base(208) and has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the emitter(214) on the interface with the emitter(214).例文帳に追加

この構造（２５０）は、ベース（２０８）との界面では、ベース（２０８）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有し、エミッタ（２１４）との界面においては、エミッタ（２１４）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有する。 - 特許庁

To obtain a redundancy optical access system with a function for always performing self-monitoring of normality of a backup interface board and an optical switch for connecting the backup interface board to an optical transmission path in standby when redundant structure of N:1 is adopted in a PON system.例文帳に追加

ＰＯＮシステムにおいてＮ：１の冗長構成を採る場合に、スタンバイ時に予備インタフェース盤及びそれを光伝送路に接続する光スイッチの正常性を常時自己監視する機能を備えた冗長化光アクセス装置を得ること。 - 特許庁

The panning window interface is provided with a high level map structure panel displaying the map structure drawn in accordance with a first picture scale, a panning window displayed on the high level map structure panel since a part of the displayed map structure is selected and a minute partial structure panel where a selected part of the map structure is drawn in accordance with a second picture scale larger than the first picture scale.例文帳に追加

パニング・ウィンドウ・インタフェースは、第１の画像スケールに従って描画されるマップ構造を表示する高レベル・マップ構造パネルと、表示されるマップ構造の一部分を選択するため、高レベル・マップ構造パネルに表示されるパニング・ウィンドウと、第１の画像スケールよりも大きい第２の画像スケールに従ってマップ構造の選択された一部分を描画する詳細部分構造パネルを備える。 - 特許庁

In addition, more preferably, an antistatic agent or an electronically conductive polymeric material is applied on the interface between the structure of the smallest dielectric constant and the structure of the second smallest dielectric constant, and the structure of the highest dielectric constant preferably increases the dielectric constant by kneading in the antistatic agent.例文帳に追加

さらに、誘電率が最も小さい構造物と２番目に小さい構造物との界面に帯電防止剤や電子電導性高分子材料を施すことがより好ましく、誘電率の最も大きい構造物が帯電防止剤を練り込んで誘電率を上げることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an FRP structure, capable of exhibiting excellent strength characteristics with regard to an integrated structure, maintaining high interlaminar strength particularly at a bonding interface, and inexpensively and easily molding without using facilities such as an autoclave even though manufacturing a large-scaled FRP structure.例文帳に追加

一体化された構造体が優れた強度特性を発揮でき、とくに接合界面部分で高い層間強度を保持できるとともに、大型のＦＲＰ構造体でもオートクレーブなどの設備を使わず安価にかつ容易に成形できるようにしたＦＲＰ構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely prevent the occurrence of a tracking fire by introducing a structure such that dust, etc., hardly enters the interface between a film of insulating material for enhancing the anti-tracking characteristic and a plug body.例文帳に追加

耐トラッキング特性を高める絶縁材料製の膜とプラグ本体との界面に塵埃等が入り込み難い構造とし、トラッキング火災の発生を確実に防止する。 - 特許庁

The resin layer may be of a multi-layer structure, and in this case, the surface of the resin layer making contact with the content shows the interface free energy against water of 30 mN/m or hither.例文帳に追加

また、前記樹脂層は複層構造の樹脂層でもよく、この場合、内容物と接する樹脂層表面の水との界面自由エネルギーを３０ｍＮ／ｍ以上とする。 - 特許庁

To provide an ultrasonic sensor which can ease stress generated in each component and a component interface at manufacturing time without limiting material of the structure and the composing component.例文帳に追加

構造や構成部品の材料が限定されずに、製造時に各構成部品及び部品界面に発生する応力を緩和できる超音波センサを提供することにある。 - 特許庁

The thermal stress absorption interface structure 20 is equipped with an extended conductive bump pad 30 having a first edge face 32, a second edge face 34, and sides 30.例文帳に追加

熱応力吸収インターフェイス構造体２０は、第１端部３２、第２端部３４及び側部を有する伸長形状の導電性バンプパッド３０を備えている。 - 特許庁

By a seal structure wherein this opening 16 is sealed by a sealant 18, peeling of the sealing member 14 and the sealant 18 at the interface between them is prevented.例文帳に追加

このような開口部１６を封止材１８で封止してなる封止構造とすることで、シール材１４と封止材１８との界面における剥離を防止することができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device having a structure minimally suppressing the performance degradation of a phase-change memory or the like having a phase-change film and an interface film and a manufacturing method for the semiconductor storage device.例文帳に追加

相変化膜及び界面膜を有する相変化メモリ等の性能劣化を最小限に抑えた構造の半導体記憶装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Uniform insulation films made on the surfaces of the substrate having a three dimensional structure suppresses the increase of the interface level between the substrate and the insulation films.例文帳に追加

これにより、立体構造の基板表面に均一に絶縁膜を形成することができ、基板と絶縁膜間の界面準位の増加を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide a surface layer evaluation method capable of evaluating the surface structure highly accurately with excellent repeatability by preventing exfoliation of a multilayer thin film and deformation of the interface resulting from shape processing.例文帳に追加

表面層評価方法に関し、形状加工に伴う多層薄膜の剥離及び界面の変形を防止して、精度良く且つ再現性良く表面構造を評価する - 特許庁

To provide a light guide body having a structure that one polarized light is extracted in priority to the other when at least one face or one interface between layers are combined.例文帳に追加

少なくとも１面または層間の１界面は、組み合わせた時に、一方の偏光を他方に対して優先的に取り出す構造を有する導光体を提供する。 - 特許庁

An MRAM chip 100 is covered with an insulation layer 101 and further covered with a magnetic shield structure 102 except parts of electrode pads 103a and 103b becoming the interface with the outside (fig. (a)).例文帳に追加

MRAMチップ100は絶縁層101で覆われ、外部とのインターフェースとなる電極パッド103a,103bの部分を除き磁気遮蔽構造102で周囲を覆われた構造となっている（図（ａ））。 - 特許庁

A thermal-stress-absorbing interface structure 20 comprises an elongated conductive-bump pad 30 having a first end 32 and a second end 34, and a side.例文帳に追加

熱応力吸収インターフェイス構造体２０は、第１端部３２、第２端部３４及び側部を有する伸長形状の導電性バンプパッド３０を備えている。 - 特許庁

By adopting such a constitution, a structure, wherein the upper part of an interface between the Cu pad region 101 and the insulating region 102 is covered by the SiON film 106, is obtained.例文帳に追加

こうした構成を採用することにより、Ｃｕパッド領域１０１と絶縁領域１０２との界面の上部がＳｉＯＮ膜１０６によって覆われた構造とする。 - 特許庁

To provide a time-division transmission system, having a bandwidth not reduced by a synchronizing signal and a channel identification signal by the use of an interface, having a predetermined frame structure.例文帳に追加

フレーム構成が予め定められたインタフェースを用い、同期信号やチャネル識別信号のために帯域が削減されない時分割転送システムを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁