「interface structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To make good use of the induction welding technique heretofore limited to joining simple single-walled cylindrical petroleum piping in order to join complicated piston structure in a manner to attain a strong, high connectibility joint with a uniform but minimally heat-affected zone across the interface of the joining surfaces.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for imaging a two-dimensional electron density distribution and a nucleus scattering length density distribution on a surface, an interface and a specific depth position of a thin film and a multilayered film having nonuniform and different structure for every place in plane, by an X-ray reflectometry and neutron reflectometry.例文帳に追加

Ｘ線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The thin film having the laminar structure of a smooth surface, an underlayer thereof and a steep interface is manufactured by depositing the film and bombarding the surface region of a depth of ≤20 nm of the deposited film with the ions of rare gas which has an energy within a range from 100 to 300 eV and is heavier than Ne.例文帳に追加

２０ｎｍ以下の深さの表面領域に対して、１００〜３００ｅＶの範囲内のエネルギーをもつＮｅより重い希ガスのイオンを膜堆積後に衝撃させることにより、滑らかな表面の層状構造とその下地層と急峻な界面をもつ薄膜の作製方法を提供する。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

A graphing calculator (10) includes a user interface on a screen display (100) that assists the user to learn the symbolic aspects of algebra and calculus by helping them analyze the structure of the mathematical objects they are working with, the legal transformation (Fig. 2b) that can be applied to those objects and the result (Fig. 2e) of the transformation.例文帳に追加

グラフイング計算機（１０）は、ユーザが勉強している数学的オブジェクトの構造を解析することを助けて代数及び微積分の記号的観点を学ぶことを補助するスクリーン・ディスプレイ（１００）上のユーザ・インフェイスと、これらのオブジェクトへ適用できる適法な変換（図２ｂ）と、その変換の結果と（図２ｅ）を含む。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor apparatus having a high-yield wiring structure and high reliability by preventing interface peeling between a liner film which is formed under a low-dielectric constant film by a UV curing process to the low-dielectric constant film and on wiring and a film layered under the liner film without using a UV blocking film.例文帳に追加

低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode catalyst that largely forms a three phase interface and has high active catalytic abilities, which is constituted from a carrier having a porous structure mainly formed of a carbon particle of nano size and a nano particle of which the size of a material having catalytic abilities is controlled.例文帳に追加

本発明は、ナノサイズのカーボン粒子を中心に形成された多孔質構造を有する担体と、触媒能を有する材料のサイズ制御されたナノ粒子から構成される、三相界面を多大に形成し高活性な触媒能を有する電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加

冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のＣ面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for joining different metals by the resistance welding, which method can remove an oxide film in a joined interface, and can firmly join the different metals while suppressing the generation of intermetallic compound in a joining process, and further to provide a strong joined structure of the different metals by the resistance welding.例文帳に追加

抵抗溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film lamination structure capable of preventing any exfoliation and crack from occurring owing to reduction in strength of a junction interface between a substrate material and a PZT film, upon heat treatment in formation of the PZT film and upon continuous driving as an actuator and having high reliability and excellent piezoelectric characteristics, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜形成時の熱処理時やアクチュエータとしての連続駆動時に、基板材料とＰＺＴ膜との接合界面の強度低下によるハクリやクラックなどが発生しない、高信頼性を有する圧電特性の優れた圧電膜積層構造体およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

For this reason, even when an electronic component, having such a structure that surface mounting components have been mounted and sealed on a wiring substrate, has been heated, the intrusion of the solder material into the interface between the wiring substrate having the surface mounting components thereon and the sealing material is suppressed, and the failure due to a short circuit, etc. can be prevented.例文帳に追加

このため表面実装部品を配線基板に実装して封止した構造の電子部品が加熱されても、配線基板及び表面実装部品と封止材料との間の界面にはんだ材料が侵入することが抑えられるので、電極間の短絡等による故障が防がれる。 - 特許庁

The semiconductor layer has a hetero structure that a first layer (SiGe layer 14) containing at least Si and Ge, and a second layer (Si layers 13, 16) having a composition different from the first layer and containing at least an Si are laminated in such a manner that a carbon exists in the interface region between the first layer and the second layer.例文帳に追加

半導体層は、少なくともＳｉおよびＧｅを含む第１層（ＳｉＧｅ層１４）と、前記第１層と異なる組成を有し、かつ少なくともＳｉを含む第２層（Ｓｉ層１３，１６）と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第１層と前記第２層との界面領域に炭素が存在する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

The interface of a bus master element 31 and bus slave elements 32-1 to 32-n connected to the fast bus system of a serial structure where one of buses 34 and 35 is terminated and the other is unterminated, is provided with a current mode driving driver circuit operating by differentiation and/or a differential amplification receiver circuit.例文帳に追加

バス３４，３５の一方が終端され、他方が無終端されたシリアル構造の高速バスシステムに接続されているバスマスタ素子３１とバススレーブ素子３２−１〜３２−ｎのインターフェイス部に、差動で動作する電流モード駆動型のドライバ回路及び／または差動増幅型のレシーバ回路を設けることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an ejector and a freezing system using the same, capable of inhibiting the loss of effective energy and improving the efficiency of the ejector by making the primary fluid into unsteady flow with a relatively simple structure, and making the interface between the primary fluid and the secondary fluid nearly perpendicular to the flow direction of the fluid.例文帳に追加

比較的簡単な構成で一次流体を非定常流とし、さらに一次流体と二次流体の界面が流体流れ方向に対してほぼ鉛直となるようにすることにより、有効エネルギーの損失を抑制し、エジェクタの効率を向上することができるエジェクタおよびこれを用いた冷凍システムを提供する。 - 特許庁

The engine combustion chamber structure includes an annular groove 40 formed in an interface portion between a cylinder head 41 and a cylinder block 42 to open in a combustion chamber 10, the annular ignition plug 20 arranged in the annular groove 40, and an elastic holding member 52 provided in a vertical gap between the annular groove 40 and the annular ignition plug 20.例文帳に追加

シリンダヘッド（４１）とシリンダブロック（４２）との合わせ面部分に燃焼室（１０）に開口して形成される環状溝（４０）と、前記環状溝（４０）に配置される環状点火プラグ（２０）と、前記環状溝（４０）と前記環状点火プラグ（２０）との上下方向の隙間に設けられる弾性保持部材（５２）と、を備える - 特許庁

For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.例文帳に追加

例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A user interface 109 supports the generation and compilation of inner document structure data 108 by a document generator, and generates the corresponding entity declaration and describes it in inner document-type definition data 103 when processing for replacing the entity included in the document in the middle of compilation by an entity name is performed.例文帳に追加

ユーザインタフェース１０９は、文書作成者による内部文書構造データ１０８の作成、編集を支援するとともに、編集中の文書に含まれるエンティティをエンティティ名に置換する処理が実行されると、対応するエンティティ宣言を生成し、内部文書型定義データ１０３に記述する。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device comprising a charge holder to the side wall of the gate electrode, in the structure that the charge holder is allocated lower than the interface between a gate insulating film and a channel region, in order to improve the write operation rate wherein length of the read current path is restricted and read access time is shortened.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に電荷保持部を有する半導体記憶装置で、書き込み動作の速度を向上させるために電荷保持部をゲート絶縁膜とチャネル領域との界面よりも下に配置する構造では、読み出し電流経路が長くなることを抑制し、読み出しのアクセス時間を短くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.例文帳に追加

太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

Since the clad 2 and the substance 10 comprise portions at which they directly touch each other, constituents of the propagating light passing through the outside of a side edge of the thin film 3 are kept from being absorbed into or lost in the thin film 3, allowing light energy to be more supplied to an interface as against a conventional whole-area structure.例文帳に追加

クラッド２と被測定物質１０とが直接に接する部分を有することから、伝搬する光は、金属薄膜３の側縁の外側を透過する成分では金属薄膜３による吸収，損失がなくなり、従来の全面域の構成よりも界面へ光エネルギを高く供給できる。 - 特許庁

This method comprises irradiating a polytetrafluoroethylene resin with ionizing radiation at a temperature lower than its crystalline melting point and subjecting the resultant radicals to graft reaction with tetrafluoroethylene monomers, thus forming the crosslinked structure round the amorphous region and interface of the resin.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン樹脂にその結晶融点以下の温度において電離性放射線を照射し、それによって生成したラジカルにテトラフルオロエチレンモノマーをグラフト反応させることにより、前記樹脂の非晶領域と界面を中心に架橋構造を形成させることを特徴とする、架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法である。 - 特許庁

As the zinc-doped yttrium oxide sintered compact has such a constitution that zinc (Zn) is segregated in each grain boundary (crystal interface) formed by an infinite number of yttrium oxide single crystal grains constituting the sintered compact, the sintered compact has such a dense structure that the relative density is ≥90%, approximately 90 to 99% or higher.例文帳に追加

本発明の亜鉛ドープ酸化イットリウム焼結体は、焼結体を構成する無数の酸化イットリウム単結晶体により形成される粒界（結晶界面）に亜鉛（Ｚｎ）が偏析している構成となるので、相対密度が９０％以上、概ね９０〜９９％あるいはそれ以上と緻密な構造となる。 - 特許庁

The liquid reagent for measuring a very small amount of albumin in the liquid sample contains an indicator having a chemical structure represented by the chemical formula 1, at least one of a citric acid buffer solution adjusted to 1.0-3.0 in pH and an acetic acid buffer solution and a nonionic interface activator.例文帳に追加

液体試料中の微量アルブミンを測定するための液状試薬であって、化学式１で示される化学構造を有する指示薬と、ｐＨを１．０〜３．０に調整したクエン酸緩衝液および酢酸緩衝液のうちの少なくとも一方の緩衝液と、非イオン性界面活性剤と、を含ませた。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁

To provide a method for joining different metals in which, when different metals are joined by resistance welding, intermetallic compounds are prevented from generating in the welding process, an oxide film in the welding interface is removed and strong joining can be made, and to provide a strong joining structure of different metals made by resistance welding.例文帳に追加

抵抗溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

In the system for testing the characteristics of the interface in between thin films by measuring the mechanical and thermal characteristics, the light from a laser 136 is absorbed into the thin films or a structure made of multiple thin films, and variations in the transmission or the reflection of which are measured and are analyzed by using an analyzer 134.例文帳に追加

機械的特性及び熱特性の測定による薄膜と薄膜間の界面との特性調査のためのシステムにおいて、レーザ１３６からの光は、薄膜や、複数の薄膜で作製された構造物に吸収され、光の透過あるいは反射の変化が測定されて、解析器１３４を使用して分析される。 - 特許庁

The isochronous packet transmitting part 131 generates a packet for USB isochronous transfer that is an isochronous packet having a predetermined structure including a second data area by integrating at least one bulk packet to the second data area, and isochronously transfers it to a cellular phone 2 through a USB interface.例文帳に追加

アイソクロナスパケット送信部１３１は、ＵＳＢのアイソクロナス転送におけるパケットであって、第２のデータ領域を含む所定の構成を有するアイソクロナスパケットを、少なくとも１個のバルクパケットを第２のデータ領域に組み込むことにより生成し、ＵＳＢインタフェースを介して、携帯電話２にアイソクロナス転送する。 - 特許庁

The glass melting furnace 10 comprises a glass melting vessel used for melting multi-component inorganic oxide glass G and made from a platinum group element and has a structure that buffering refractory 22 is arranged along an inner wall material 21 in the vessel on a place which is in contact at least with a gas-liquid interface of molten glass.例文帳に追加

本発明のガラス熔融炉１０は、多成分系無機酸化物ガラスＧの熔融に供する白金族元素で作製されたガラス熔融容器よりなるガラス熔融炉１０であって、少なくとも熔融ガラスの気液界面に接する箇所に該容器内の内壁材２１に沿って緩衝耐火材２２を配設した構造であることを特徴とする。 - 特許庁

In the method in which the corrosion of the composite steel structure such as a root-winding concrete steel bridge pier 100 is inspected, an ultrasonic probe 1 is scanned on the pier 100, and a corrosion part 104 existing in the interface between the pier 100 and a root-winding concrete part 102 is inspected quantitatively by the high-output ultrasonic angle flaw detection method.例文帳に追加

根巻きコンクリート鋼製橋脚１００のごとき複合鋼構造物の腐食を検査する方法において、超音波探触子１を鋼製橋脚１００上にて走査し、該鋼製橋脚１００と根巻きコンクリート部１０２との界面に存在する腐食部１０４を高出力超音波斜角探傷法により定量的に検査する。 - 特許庁

The electroluminescent element includes a substrate; an anode formed on the substrate; an organic electroluminescent layer formed on the substrate and formed by a multilayered structure including a positive hole injecting layer and a positive hole transport layer; a cathode formed on the electroluminescent layer; and an interface deterioration preventing layer formed between the anode and the electroluminescent layer.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板と、該基板上に形成された陽極と、該陽極上に形成され、正孔注入層及び正孔輸送層を含む多層構造からなる有機電界発光層と、該有機電界発光層上に形成された陰極と、陽極と有機電界発光層との間に形成された界面劣化防止層とを備えてなる。 - 特許庁

Impurity diffusion is computed by adding to an interface a virtual film of the same material as that of a neighboring area which was taken into consideration in original computation, but excluded from a computation area because of area limitation for shortening a computation time, an impurity concentration of an original structure is updated from the computation result, and data of the virtual film is discarded in transition to a following process.例文帳に追加

元々の計算では考慮されていたが、計算時間を削減するための領域限定により計算領域から除外された隣接領域と同一材質の仮想膜を界面に付加して不純物拡散の計算を実行し、計算結果から元の構造の不純物濃度を更新し、後続のプロセスに移る際に仮想膜のデータを破棄する。 - 特許庁

When resticking a floor material in the adhesion method for a floor structure where the floor material is stuck on a substrate material by an adhesive, the old floor material is peeled in the boundary surface between the rear cushion of an old floor material and an old adhesive for fixing the old floor material (interface breakage), after which a new adhesive is applied on the remaining adhesive layer, and the new floor material is stuck.例文帳に追加

下地材に接着剤によって床材を貼り付ける床構造体の接着工法において、床材を貼り直す作業をする際に、床材の裏面クッションと、床材を固定する接着剤との界面で、床材を剥離（界面破壊）させた後、残存する接着剤層の上に、新たな接着剤を塗布し、新しい床材を貼り付ける。 - 特許庁

After an electrophoretic gel cassette body (1) having an edge face sealing tape (2) pasted on the lower edge face thereof is filled with a first gel solution (3), ultrasonic vibration (4) is applied to the gel cassette body, without having to install an aqueous solvent stratified layer or a shielding structure so as to horizontally form the interface (5) of the first gel comprising a filled separation gel solution, or the like.例文帳に追加

下端面に端面封止テープ(２)を貼り付けた電気泳動用ゲルカセット本体(１)に第１のゲル溶液(３)を充填後、水系溶媒の重層や遮蔽構造物の設置を行うことなく、超音波による振動(４)をゲルカセット本体に与えることにより、充填した分離ゲル溶液などからなる第１のゲルの界面（５）を水平に形成させる。 - 特許庁

This mechanism is provided with a development supporting means for attaining arbitrary combination of definition information inevitably required for a link system by defining and managing the interface definition of inter-application linkage while dividing it into the field structure information of transmitting/receiving data, field attribute information and communication link procedure information.例文帳に追加

本発明においては、アプリケーション間連携のインタフェース定義を、送受信データのフィールド構造情報と各フィールド属性情報と通信連携手順情報に分割定義し管理することにより、連携方式に最低限必要となる定義情報を任意に組合わせることを可能にする開発支援手段を提供することにより解決される。 - 特許庁

In a gate insulator capacitor made of MIS structure, a low permittivity layer inhibition layer 2 is interposed between the insulating film 3 made of a material having high permittivity of CeO_2 and a semiconductor substrate 1 to inhibit the generation of a low-permittivity layer such as an SiO_2 at the interface between the insulating film 3 and semiconductor substrate 1, and to inhibit reduction in capacity.例文帳に追加

ＭＩＳ構造からなるゲート絶縁体キャパシタにおいて、ＣｅＯ_2の高い比誘電率の材料からなる絶縁膜３と半導体基板１との間に低誘電率層抑制層２を介在させて、絶縁膜３と半導体基板１との界面にＳｉＯ_2等の低誘電率層が発生することを抑制し、容量低下を抑える。 - 特許庁

To provide a fuel system resin hose which is excellent in fuel barrier properties, heat resistance, heat-aging resistance and has high interlayer adhesive force of each layer even when each layer is laminated directly (direct lamination structure) without forming an adhesive layer on the interface of each layer and without being subjected to adhesive treatment such as plasma treatment (without using an adhesive).例文帳に追加

燃料低透過性、耐熱性や耐熱老化性に優れるとともに、各層の界面に接着剤層を形成したり、プラズマ処理等の接着処理を行うことなく（接着剤レスで）、各層を直接積層する直接積層構造としても、各層の層間接着力に優れている燃料系樹脂ホースを提供する。 - 特許庁

The proton conduction membrane using no platinum catalyst and having no layer-interface structure is manufactured by making dye molecules, such as porphyrin or phthalocyanin, coexist so as to act as an oxidation catalyst and an oxidation reduction catalyst to an anisotropic conduction polymer membrane obtained by combining Langmuir-Blodgette multilayer film (LB multilayer film) production technique and a conduction polymer production technique.例文帳に追加

ラングミュア‐ブロジェット多層膜（LB多層膜）作製技術と導電性高分子製造技術を組み合わせた異方導電性高分子膜に、ポルフィリンやフタロシアニンなどの色素分子を共存させて水素酸化触媒と酸素還元触媒として動作させ、白金触媒を使用せず層状界面構造を持たないプロトン伝導膜を作製する。 - 特許庁