「laser absorption」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a copper foil for making a hole directly by carbon dioxide gas laser under a state where an auxiliary metal layer of nickel and a coating of an organic material for enhancing absorption of laser light are not present on the surface of the outer layer copper foil of a copper clad laminate.例文帳に追加

銅張積層板の外層銅箔の表面にレーザー光の吸収を高めるためのニッケル補助金属層及び有機材被膜等のない状態で、炭酸ガスレーザーによる銅箔の直接穴明け加工が可能な銅箔の提供を目的とする。 - 特許庁

Hereby, in the state where the main shaft 2 is rotated around the axis T, a laser beam L1 is absorbed or diffused by the axial scale absorption part 52, and the laser beam L1 is reflected and diffracted by the axial scale reflection part 53.例文帳に追加

よって、主軸２が軸心Ｔを中心として回転している状態において、アキシャルスケール吸収部５２でレーザー光線Ｌ１が吸収または拡散されて、アキシャルスケール反射部５３でレーザー光線Ｌ１が反射回折される。 - 特許庁

To provide a noncontact recordable heat sensitive recording material for infrared laser, which is low in cost, the absorption in the visible part of which is small and has a light color, with an infrared beam-radiating laser by a method wherein a copper compound is employed as an infrared absorbing coloring matter.例文帳に追加

赤外線吸収色素として銅化合物を用いることにより、赤外線を放射するレーザーを用いて非接触で記録できる赤外レーザー用感熱記録材料を、安価で、かつ可視部の吸収が少ない淡色のものを提供すること。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier foil for making a hole by carbon dioxide laser under a state where an auxiliary metal layer of nickel and a coating of an organic material for enhancing absorption of laser light are not present on the surface of the outer layer copper foil of a copper clad laminate.例文帳に追加

銅張積層板の外層銅箔の表面にレーザー光の吸収を高めるためのニッケル補助金属層及び有機材被膜の無い状態で、炭酸ガスレーザーによる穴明け加工が可能なキャリア箔付銅箔の提供を目的とする。 - 特許庁

To improve slope efficiency, while operation current and threshold current are reduced by suppressing the leakage current at a laser as well as an absorption loss at a spot size conversion part, related to a semiconductor laser, where a spot size converter is integrated and unified.例文帳に追加

スポットサイズ変換器を集積・一体化した半導体レーザにおいて、レーザ部のリーク電流を抑制し、スポットサイズ変換部の吸収損失を抑制して、スロープ効率の向上、動作電流および閾値電流の低減を図る。 - 特許庁

The control of the absorption coefficient is obtained by adding irradiated laser beam absorbing impurities with which the brittle material generates heat by absorbing the laser beam, which does not affect transmission property in visible area and does not deteriorate the indication property of the glass for indicators.例文帳に追加

吸収係数の制御は、脆性材料にレーザ光を吸収発熱し、かつ可視域の透過特性に影響せず、表示器用ガラスの表示特性を悪化させない照射レーザ光吸収用不純物を添加することによって実現する。 - 特許庁

To the vicinity of the plane 51b opposite to the incident plane 51a of laser light 4 in a quartz substrate 51 in which a plurality of display panels 31 are formed, at first, basic modified layers 55, in which multiphoton absorption is more easily generated than the case of quartz, are formed by femtosecond laser beam 4a.例文帳に追加

複数の表示パネル３１が形成された石英基板５１のレーザ光４の入射面５１ａと反対面５１ｂ近傍へ、まず、フェムト秒レーザ光４ａにより、石英自体より多光子吸収の生じ易い基礎改質層５５を形成する。 - 特許庁

As a result, the backward light from the laser element 1 is made to irradiate backward through the through hole 4, or the backward light is prevented from returning to the laser element 1 by scattering or absorption in the through hole, and the backward light is prevented by reflection from leaking to outside from the front side.例文帳に追加

このことで、レーザ素子１からの後方光を貫通孔４を介してそのまま後方へ照射させるか、もしくは、貫通孔４において散乱あるいは吸収してレーザ素子１に戻ることを防止すると共に、後方光が反射して前面側から外部に漏れ出ることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser using a nitride based III-V compound semiconductor capable of very easily forming an end face window structure and suppressing optical waveguide loss and light absorption/local heating at the time laser operation and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Before the pair of glass substrates 1 and 11 are stuck to each other, films on the respective glass substrates 1 and 11 are patterned so that films having absorption coefficients for laser light higher than those of the glass substrates are not present on the irradiation area of the laser light.例文帳に追加

このとき、一対のガラス基板１・１１を貼合わせる前に、レーザ光の照射領域にレーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜が存在しないように各ガラス基板１・１１上の膜をパターン形成する。 - 特許庁

An absorption coefficient to a laser beam for the brittle material is controlled and the laser beam is penetrated through the overall thickness of the material or penetrated to a sufficient depth even if not penetrated to a back face and then a scribing face occurs with the thermal stress through the overall thickness of the material.例文帳に追加

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御し、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。 - 特許庁

A scribe surface caused by the thermal stress is produced through the whole thickness of the material by controlling the absorption coefficient of the brittle material to the laser beam to transmit the beam extending to the whole thickness of the material or extending to the sufficient thickness even if the laser does not transmit up to the back surface.例文帳に追加

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御して、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to realize a photolithography device even when the photolithography device is tried to produce by using a conventional calcium fluoride crystal as an optical material and F2 laser as a light source, because the influence on absorption caused by lead is large in the wavelength of F2 laser.例文帳に追加

従来のフッ化カルシウム結晶を光学材料としてＦ_2レーザを光源とした光リソグラフィー装置を製造しようと試みても、鉛に起因する吸収がＦ_2レーザの波長において影響が大きく、光リソグラフィー装置が実現できない。 - 特許庁

In this structure, the current constriction to the active layer 24 and light loss caused by free carrier absorption in the embedded InP layers 40 can be reduced markedly; consequently, the luminous efficiency and luminous output of this semiconductor laser are improved, and in addition, this laser can well be coupled optically even with an SMF.例文帳に追加

このような構造においては、活性層への電流狭窄とＦｅドープＩｎＰ埋め込み層４０中でのフリーキャリア吸収による光損失が格段に低減でき、大きな発光効率および発光出力を有し、かつＳＭＦにも良好に光結合することができる。 - 特許庁

As the sample of the saturable absorber, (1) a nonconductive area is provided at one part of the semiconductor laser being the light source and set as the saturable absorber, (2) a thin-film layer having the saturable absorption characteristic is provided at one part of the coating film of the end face of the semiconductor laser and made the saturable absorber.例文帳に追加

可飽和吸収体の例としては、（１）光源になる半導体レーザの一部に非通電領域を設け、この非通電領域を可飽和吸収体にする、（２）半導体レーザの端面コーティング膜の一部に可飽和吸収特性を有する薄膜層を設け、この薄膜層を可飽和吸収体にする。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive adhesive sheet for laser dicing which can dice a machining object surely with high productivity efficiency to element pieces in discrete dicing by providing a modified region in the inside of the machining object by optical absorption ablation, and to provide a method for manufacturing element pieces surely with high productivity efficiency by using the pressure sensitive adhesive sheet for laser dicing.例文帳に追加

レーザー光の光吸収アブレーションにより被加工物の内部に改質領域を設けて個片化する際に、確実にかつ生産効率よく被加工物を素子小片に個片化することのできるレーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the groove is formed on the scribe line by the first laser light 8a, the generation of chips or cracks can be suppressed independently of the surface state of the semiconductor substrate and the semiconductor substrate 1 can be easily cut off after forming the reformed area 10 based on the multiple photon absorption by the second laser light 8b.例文帳に追加

第一のレーザ光８ａにより、スクライブライン２上に溝を形成することで、半導体基板１の表面状態に関わらず、表層の欠けや割れを抑え、第二のレーザ光８ｂで多光子吸収による改質領域１０を形成した後の切断を容易にする。 - 特許庁

Particularly, such elements as germanium, tin, aluminum, bismuth or the like having absorption effect to the solid laser light are added to the core of the optical fiber by 10 mol% or larger and the core is irradiated with the solid laser light with a power of 50 W/cm^2 or larger.例文帳に追加

特に、光ファイバには、固体レーザ光に対して吸収作用を有するゲルマニウム、スズ、アルミニウム、ビスマスなどの元素をコアに１０ｍｏｌ％以上添加し、固体レーザ光を５０Ｗ／ｃｍ^２以上のパワーで照射する。 - 特許庁

The projecting part 22, which has a form whose thermal capacity is small, is fused by being irradiated with a low output laser beam even when the material of the projecting part has a low absorption efficiency of the laser beam or a high heat conductivity, and the male terminal 20 and the bus-bar 10 can be welded together.例文帳に追加

突起部２２が低熱容量形状であるため、その材質がレーザ光吸収効率の低い材料や熱伝導率の高い材料であったとしても、低出力のレーザ照射で溶融させることが可能であり、雄端子２０とバスバー１０とを溶接することができる。 - 特許庁

A photocurable resin 42, after rough photo-fabrication is done by an ultraviolet irradiation photo-fabrication method by radiating laser beams from the first light source 12, is subjected successively to fine photo-fabrication by a two photon absorption photo-fabrication method by radiating laser beams from the second light source 14.例文帳に追加

光硬化性樹脂４２へ、第１光源１２からのレーザビームの射出によって紫外線照射光造形法による粗い光造形を実施した後に、第２光源１４からのレーザビームを射出によって２光子吸収光造形法による微細な光造形を連続して行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser using a nitride-based group III-V compound semiconductor, capable of easily forming an end face window structure, and capable of suppressing optical waveguide loss, light absorption at laser operation, at local heating.例文帳に追加

端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, based on the detected resonance absorption conditions, an infrared laser beam having a wavelength with which the detected pollutants can be selectively decomposed is selected.例文帳に追加

次に、検知された共鳴吸収状態に基づき、この汚染物質を選択的に分解することのできる波長を有する赤外レーザーを選択する。 - 特許庁

Double wavelength laser energy in low infrared electromagnetic spectrum destructs bacteria via optical interaction of optical injury by direct selective absorption of optical energy by intracellular bacterial chromophore.例文帳に追加

低赤外線電磁スペクトルにおける二重波長レーザーエネルギーは、細胞内細菌発色団による光エネルギーの直接的選択的吸収による光損傷の光学的相互作用を経由して細菌を破壊する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 200 is separated in the hydrogen ion implantation layer 205 thereof by irradiating the semiconductor substrate 200 with a laser beam 630 having an absorption wavelength of the semiconductor substrate 200.例文帳に追加

半導体基板２００による吸収波長のレーザ６３０を半導体基板２００に対して照射することにより、半導体基板２００の水素イオン注入層２０５において半導体基板２００を分離する。 - 特許庁

Phosphors, containing absorption of a single photon in short-wavelength band, are excited by strongly-imaged pulse on the sub-picosecond time scale from laser beam of relatively longer wavelength band.例文帳に追加

短い波長領域における単一光子の吸収を有する蛍光体は、比較的長い波長領域のレーザ光による、強く結像されたサブピコ秒のパルスのビームにより励起させられる。 - 特許庁

In the case of the gold colloid, a surface plasmon absorption wavelength exists near 520 nm, and excitation is possible only by hitting laser light having a wavelength in the periphery thereof (in this case, 532 nm).例文帳に追加

金コロイドの場合、520nm付近に表面プラズモン吸収波長があるが、その付近（本件では532nm)のレーザー光を当てさえすれば励起可能である。 - 特許庁

To provide a molecule injection method using laser beam in which energy absorption efficiency is improved and a low molecule material is injected efficiently into a target regardless of the concentration of the functional low molecule material in the source.例文帳に追加

レーザーを用いる分子注入法において、ソース中の機能性低分子材料の濃度に関わりなく、エネルギー吸収効率を高め、前記低分子材料をターゲットに効率よく注入する。 - 特許庁

The emitted light is a laser beam with the wavelength between 400 nm - 600 nm or monochromatic light with an absorption peak between 400 nm - 600 nm.例文帳に追加

照射する光は、波長が４００ｎｍ〜６００ｎｍの間にあるレーザー光、あるいは、４００ｎｍ〜６００ｎｍの間の波長に吸収ピークを有する単色光である。 - 特許庁

In different ridges or valleys in an absorption spectrum of a substance in a sample, at each of at least two wavelengths, semiconductor lasers 4 and 5 to emit an intermediate infrared laser beam 10.例文帳に追加

各々がサンプル内の物質の吸収スペクトルにおける異なった山あるいは谷において、少なくとも２つの個々の波長において、中間赤外線レーザー光１０を放出するための半導体レーザー４，５を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical integrated device which can easily achieve compatibility between the oscillation wavelength of a DFB semiconductor laser and the absorption end wavelength of an EA modulator.例文帳に追加

ＤＦＢ半導体レーザの発振波長とＥＡ変調器の吸収端波長との調整をとることが容易な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

Two near-infrared short-pulse laser beams of different wavelengths which are less likely to be affected by absorption and scattering due to the material are used.例文帳に追加

物質による吸収・散乱の影響を受けにくい波長の異なる二つの近赤外短パルスレーザー光をもちいるところが本願発明の要点である。 - 特許庁

Further, by washing with a fluorine gas, even if a deposition starts immediately after washing, the residual gas incorporated in a film does not cause the optical absorption in 157 nm laser wavelength range.例文帳に追加

また、フッ素ガスを用いて洗浄を行うことにより、洗浄直後に成膜を開始しても、膜中に取り込まれた残留ガスが１５７ｎｍレーザー波長領域で光学吸収の原因とならない。 - 特許庁

This optical transmitter/receiver has an electron absorption modulator integrated distributed feedback laser (EML) for sending the digitally modulated RF carriers of a sub-octave frequency range.例文帳に追加

本発明の光送信機は、サブオクターブ周波数レンジのデジタル変調されたRFキャリアを送信するための電子吸収変調器統合分布帰還レーザ（EML）を備える。 - 特許庁

To provide a compound having a squarylium backbone which has a good performance of optical absorption in a wavelength region of 330-500 nm, allowing using blue semiconductor laser beam to record/regenerate.例文帳に追加

青色半導体レーザーで記録再生可能な３３０〜５００ｎｍの波長領域に良好な光吸収特性を有するスクアリリウム骨格を有する化合物の提供。 - 特許庁

The laser microscope uses simultaneous absorption of three or more photons to cause molecular excitation in the target substance, yielding intrinsic three-dimensional resolution.例文帳に追加

レーザ走査顕微鏡は、３つ又はそれ以上の光子の同時吸収により、目的物における分子励起を生じさせて、内在的な３次元分解能をもたらす。 - 特許庁

The preparation process of the hydrophilic-group containing resin structure consists in introducing the hydrophilic group by the laser processing utilizing the multiple photon absorption process.例文帳に追加

親水性基含有樹脂構造体の製造方法は、多光子吸収過程を利用したレーザー加工により、親水性基を導入して、親水性基含有樹脂構造体を製造する。 - 特許庁

To provide a pickup lens for a short wavelength semiconductor laser, the lens excellent in transmission for rays at 405 nm and light resistance, and further excellent in heat resistance and low moisture absorption.例文帳に追加

４０５ｎｍの光線透過率および耐光性に優れ、しかも耐熱性、低吸湿性に優れた短波長型半導体レーザー用ピックアップレンズを提供する。 - 特許庁

To provide a photodetector for calibration that stably makes the wavelength of laser light to conform to the absorption wavelength of a gas in order to improve the measurement accuracy of the gas.例文帳に追加

ガスの測定確度向上のために、レーザ光の波長を目的とするガスの吸収波長に安定に合わせる校正用光検出器を提供する。 - 特許庁

The saturable absorption region 4 and the optical amplification regions 5, 6. are constituted by conditions under which the wavelength conversion element 1 is a semiconductor laser of a bistable state.例文帳に追加

可飽和吸収領域４および光増幅領域５，６は、波長変換素子１が双安定状態の半導体レーザとなる条件で構成されている。 - 特許庁

The photosensitive composition for near-infrared laser exposure contains (A) an epoxy acrylate resin, (B) an infrared absorbing dye having its absorption maximum at a wavelength of 650-1,300 nm and (C) a halomethyl-group-containing compound.例文帳に追加

（Ａ）エポキシアクリレート系樹脂、（Ｂ）波長６５０〜１，３００ｎｍに吸収極大を有する赤外吸収色素、及び（Ｃ）ハロメチル基含有化合物を含有する近赤外レーザー露光用感光性組成物。 - 特許庁

To provide a photomask having little absorption of light even for F2 laser beams, having good resistance against UV rays and good processing workability which realizes high accuracy.例文帳に追加

Ｆ_２ レーザ光に対しても光吸収が少なく、耐紫外線性が良好で、かつ加工作業性が良く、高精度を実現できるフォトマスクを提供することである。 - 特許庁

A saturable absorption area 73 is arranged at the mirror formation part of one multimode optical interferometer and mode synchronous laser oscillation is induced.例文帳に追加

さらに前記一方のマルチモード光干渉計の前記ミラー形成部分に可飽和吸収領域７３を配置し、モード同期レーザ発振を誘起する。 - 特許庁

The resin composition for laser marking comprises a thermoplastic resin and a colorant having an absorption maximum of 500-550 nm, and has a spectral reflectance at 500-550 nm of ≤50%.例文帳に追加

熱可塑性樹脂に対し、５００〜５５０ｎｍに吸収極大を有する着色剤を含有してなり、５００〜５５０ｎｍの分光反射率が５０％以下であるレーザーマーキング用樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

The resin composition comprises (A) a binder polymer, (B) light/heat conversion agent having absorption at 700 to 1,300 nm and (C) polyaniline and can be engraved by laser beams of 700 to 1,300 nm wavelength.例文帳に追加

（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）７００〜１３００ｎｍに吸収を有する光熱変換剤、及び、（Ｃ）ポリアニリンを含有し、波長が７００ｎｍ〜１３００ｎｍのレーザーにより彫刻可能な樹脂組成物。 - 特許庁