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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > laser absorptionに関連した英語例文

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laser absorptionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 526



例文

To minimize the background absorption of a moisture meter without using large-scaled accessory equipment in the moisture meter having a laser as a light source and using a multiple reflection type gas cell.例文帳に追加

レーザを光源とし、多重反射型ガスセルを用いる水分計において、大掛かりな付属設備を用いずに水分計のバックグラウンド吸収を最小限に抑える。 - 特許庁

The laser amplifier changes the polarization direction of the excitation light 7 with which the gain medium 1 is irradiated and, therefore, easily increases or decreases a degree of absorption of the excitation light 7 through the rotation of the 1/2-wavelength plate 2.例文帳に追加

本レーザ増幅器では、1/2波長板2の回転操作を通じて、利得媒質1に照射される励起光7の偏光方向、ひいては励起光7の吸収の度合いを簡単に増減させることができる。 - 特許庁

To solve the problem wherein, when black plastic containing a carbon filler is irradiated with a strong laser beam, the plastic is melted by heat generated by absorption by the carbon filler, and thereby a Raman scattered spectrum cannot be measured.例文帳に追加

炭素充填剤を含有する黒色プラスチックに強いレーザ光を照射すると、炭素充填剤の吸収による発熱でプラスチックが溶融し、ラマン散乱スペクトルが測定できない。 - 特許庁

To provide a glass material which has sufficient light absorption in a wide wavelength range and can be sealed by softening and fluidizing by light irradiation from visible or near-infrared laser light source equipment or a high luminance light source, or the like for wide uses.例文帳に追加

広い波長域で十分な光吸収を有して汎用の可視または近赤外レーザ光源設備または高輝度光源等からの光照射で軟化流動し、封着できるガラス材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

To provide a separate electrode type nitride semiconductor laser element in which the carrier life of a saturable absorption region is shortened to obtain excellent self-excitation characteristics (namely, to easily perform self-excitation oscillation).例文帳に追加

本発明は、分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子において、可飽和吸収領域のキャリア寿命を短くし、以って良好な自励発振特性を得ること(すなわち容易に自励発振すること)を目的とする。 - 特許庁


例文

To form end face protection films which are suppressed in light absorption and do not cause optical breakdown even at high-power operation to a nitride semiconductor laser element.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子に、高出力動作持においても光吸収が少なく且つ光学破壊を起こさない端面保護膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To shorten the carrier lifetime in a saturable absorption region and thereby attain superior self-oscillation characteristics (that is, to readily cause self oscillations), in a separated electrode type semiconductor laser element.例文帳に追加

本発明の課題は、分離電極タイプの半導体レーザ素子において、可飽和吸収領域のキャリア寿命を短くし、以って良好な自励発振特性を得ること(すなわち容易に自励発振すること)にある。 - 特許庁

To obtain an interference moisture concentration on an optical path other than the inside of a gas to be measured within a sample cell in a moisture measurement apparatus using an absorption of laser light.例文帳に追加

レーザ光の吸収を利用した水分測定装置において、サンプルセル内の測定対象ガス中以外の光路上での妨害水分濃度を把握する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser structure which has high tunneling efficiency, in a tunnel junction layer and in which light confinement or absorption is less likely to occur in the tunnel junction layer.例文帳に追加

トンネル接合層のトンネル効率が高く、トンネル接合層における光の閉じ込めや吸収が生じにくい半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a surface emission semiconductor laser which can suppress the light absorption at a contact layer and can obtain a low threshold current and high light output, and to provide an optical transmission module, an optical exchange device, and an optical transmission system.例文帳に追加

コンタクト層における光吸収を抑制し、低閾電流と高い光出力を得ることの可能な面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システムを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a laser device that does not require any saturable absorption region and oscillates in a state where all modes are synchronously in-phase regardless of oscillating conditions.例文帳に追加

可飽和吸収領域が不要であり、発振する条件によらず、すべてのモードが同相でモード同期して発振するレーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an optical integrated device including a nitride-based semiconductor laser, prevent light absorption by a substrate, and to easily realize integration of various optical components.例文帳に追加

ナイトライド系半導体レーザを備えた光集積装置に関し、基板における光吸収を防止するとともに、各種の光部品の集積化を容易にする。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser capable of efficiently injecting a current into an active layer and increasing the power of output as well as suppressing optical absorption.例文帳に追加

光吸収を抑制することができると共に、活性層への電流注入が効率よく行うことができ、高出力化を図ることが可能となる面発光レーザを提供する。 - 特許庁

A manufacturing method is constituted by forming an optically absorption film 2 on a glass substrate 1, forming a thin buffer film 3, forming an amorphous or similar semiconductor film 4 thereon and irradiating the film 4 with a laser beam 5 to crystallize it.例文帳に追加

ガラス基板1上に光吸収性の膜2を形成し、薄いバッファー膜3を形成してから、その上に非晶質等の半導体膜4を形成し、レーザ光5を照射して半導体膜を結晶化させる。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost configuration reducing parasitic capacitance in the integrating structure of an electro-absorption modulator and a distributed feedback laser.例文帳に追加

電界吸収型変調器および分布帰還型レーザの集積構造において、寄生容量を低減し、かつより簡単で低コストの構成を提供する。 - 特許庁

To obtain a light modulation element in which an absorption at a mirror or at a light shielding film is extremely low, and which is endurable against high power laser light, and to improve an operational reliability.例文帳に追加

ミラー或いは遮光膜における吸収が極めて少なく、高出力のレーザ光に耐えることが可能な光変調素子を得、動作信頼性の向上を図る。 - 特許庁

In this laser beam machining method, a cut-off starting point zone 8 is formed in the inner part of the objective material 1 to be machined along the cut-off scheduled line 5 with a reformed zone 7 formed with a multiple photon absorption.例文帳に追加

多光子吸収により形成される改質領域7によって、切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に切断起点領域8を形成する。 - 特許庁

This laser beam machining method is formed as a cut-off starting point zone 8 in the inner part of the objective material 1 to be machined along the cut-off scheduled line 5 with a reformed zone 7 formed with a multiple photon absorption.例文帳に追加

多光子吸収により形成される改質領域7によって、切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に切断起点領域8を形成する。 - 特許庁

The current block layer 21, which is in contact with the mesa-type second conductivity-type cladding layer 5 is formed of an A1InP layer 21, having no light absorption capability with respect to the oscillation light from the laser and in-plane compressive strain, is introduced to the active layer.例文帳に追加

メサ型の第2導電型クラッド層5に接する電流ブロック層21は、レーザの発振光に対して光吸収能のないAlInP層21で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。 - 特許庁

A property modification zone is formed inside the work 1 to be machined by irradiating the planned cutting line 5 with a pulse laser beam L by placing the focal point inside the work 1 to be machined under a condition that a multiphoton absorption takes place.例文帳に追加

多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物1の内部に集光点を合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライン5に照射することにより、加工対象物1の内部に改質領域を形成している。 - 特許庁

To provide an insulated wire with an insulating film that facilitates peeling by thermally decomposing the insulating film by heat generated in absorption of Nd-YAG laser beam by an optical absorber, and also to provide a rotary device that is reduced in size even with the same output by using the insulated wire.例文帳に追加

Nd−YAGレーザー光を光吸収剤に吸収させたときに生じる発熱により絶縁皮膜を熱分解することで、絶縁皮膜を容易に剥離できる絶縁電線を提供する。 - 特許庁

Further by covering a side surface part and a lower surface part of copper 1a, 5a with barrier metal 1b, 5b at the copper fuse 1 and the copper wiring 5, an absorption factor of the laser beam 4 is improved, an uncut remainder is reduced, and leakage is decreased.例文帳に追加

更に、銅とヒューズ1及び銅配線5において、銅1a,5aの側面部及び下面部をバリアメタル1b,5bで覆うことにより、レーザ光4の吸収率を向上させ、切れ残りを少なくし、リークを減小させる。 - 特許庁

A constant current is injected to a saturable absorption region 7b through a terminal 1b in this case, and the laser element 10 is adjusted so that a hysteresis is formed in the relationship of an injection current to the optical amplifying region 7a and an optical output.例文帳に追加

このとき、端子1bを介して可飽和吸収領域7bに定電流を注入し、光増幅領域7aへの注入電流と光出力との関係にヒステリシスが形成されるように調整する。 - 特許庁

To obtain a new anionic infrared absorbent having absorption in long wavelength capable of preferably using for an image forming material and capable of providing a photosensitive composition for infrared laser for direct plate making having good development latitude in high sensitivity.例文帳に追加

高感度で、現像ラチチュードの良好なダイレクト製版用の赤外線レーザ用感光性組成物及びそれに適する新規アニオン性赤外線吸収剤を提供する。 - 特許庁

The photodiode absorbs one part (for example, approximately two thirds) of laser output and transmits the remainder (approximately one third), and is a PIN photodiode consisting of a p-type contact layer (p layer) 29, a light absorption layer (i layer) 30, and an n-type contact layer (n layer) 31.例文帳に追加

このフォトダイオードは、p型コンタクト層(p層)29、光吸収層(i層)30、およびn型コンタクト層(n層)31からなるPINフォトダイオードである。 - 特許庁

Next, a part along the intended dividing line L1 is irradiated with a laser beam 4, so that a converging point P is formed in the semiconductor substrate 1, and a reformed area 1c by multiphoton absorption is formed in the converging point P.例文帳に追加

次に、レーザ光4をその集光点Pが半導体基板1の内部に形成されるように、分断予定ラインL1に沿って照射し、集光点Pに多光子吸収による改質領域1cを形成する。 - 特許庁

To provide a laser diode structure where an enhanced coefficient of transverse optical confinement and a low series resistance are realized, and whose absorption loss due to a p-electrode can be controlled.例文帳に追加

高い横方向光閉じ込め係数と低い直列抵抗とを実現し、かつp電極による吸収損失を抑制できるレーザダイオード構造を提供する。 - 特許庁

To provide coloring matter of a triallyl metal chelate complex for forming a recording layer of an optical recording medium, which is excellent in the solubility in a coating solvent and in an absorption spectrum pattern and capable of responding also to optical recording using blue laser light.例文帳に追加

塗布溶剤への溶解性および吸収スペクトル形状に優れ、青色レーザー光を用いた光記録にも対応可能な光学記録媒体の記録層形成用のトリアリール金属キレート錯体系色素を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor laser element that easily reduces absorption of light vertically leaking out of an active layer.例文帳に追加

活性層から垂直方向へしみ出す光の吸収を容易に低減するとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor laser device that has current restricting layers having a sufficient thickness to reduce a light absorption loss and threshold currents and working currents as well.例文帳に追加

電流狭窄層の厚さを十分に厚くでき、もって光吸収損失を低減でき、閾値電流や動作電流も低減できる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the irradiating step, the laser light 113 is irradiated at a given interval Lm so as to make a condensing point agree with the inside of the micro-lens 3, to generate a multiphoton absorption at the condensing point, and to form reformed areas 21.例文帳に追加

照射工程では、マイクロレンズ3の内部に集光点を結ぶように所定の間隔Lmでレーザ光113を照射し、集光点において多光子吸収を発生させ、改質領域21を形成する。 - 特許庁

To provide a self-oscillating type semiconductor laser, the saturable absorption layer of which is not affected by carrier overflows and which makes stable self-pulsating operations up to a high temperature.例文帳に追加

可飽和吸収層がキャリアオーバーフローの影響を受けず、高温まで安定な自励発振動作をする自励発振型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To establish such a semiconductor laser device that is provided with an end-face window that is hard to produce cracks or the like due to a difference in lattice constant and is low in optical absorption and heat generation.例文帳に追加

格子定数の差に起因するクラック等が発生しにくく且つ光吸収及び発熱が小さい端面窓部を備えた半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

This amorphous film 2 is formed so as to satisfy the relation of 1/10<αd<20, where α (1/μm) is an absorption coefficient to an illuminating laser beam and d (μm) is a film thickness.例文帳に追加

この非晶質系膜2は、照射されるレーザ光に対する吸収係数をα(1/μm)、膜厚をd(μm)とするとき、1/10<αd<20の関係を満たすように形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, using a nitride-based III-V group compound semiconductor, which can have an end surface window structure formed extremely easily, can suppress optical waveguide loss, can suppress light absorption and local heat generation in laser operation due to presence of a surface level, and is high in a manufacturing yield and excellent in a shape of a far-field image; and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser.例文帳に追加

端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pulse laser beam stimulated from a pulse laser oscillator 21 is emitted to an electrode region including IDT electrodes 3 and reflectors 4, at least part of the emission region is eliminated by means of multiphoton absorption caused by the emission of the pulse laser beam to adjust the frequency of the surface acoustic wave element.例文帳に追加

パルスレーザ発振器21から発振されたパルスレーザビームをIDT電極3と反射器4とを含む電極領域に照射し、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行う。 - 特許庁

At the time of executing this APC, the APC operation is executed by putting the laser beam emitted from the semiconductor laser 10 into the state of irradiating a light absorption member 43 with this laser beam where, for example, the marking of the character string or character to be marked or its segment ends, by which the return of the reflected light to the photodetector 12 is prevented.例文帳に追加

このAPC制御を行う際には、例えばマーキングすべき文字列、文字、或いはその線分のマーキングが終了したところで、半導体レーザー10から出射されたレーザー光を光吸収部材43に照射した状態としてAPC動作を行わせることにより、反射光が受光素子12に戻らないようにする。 - 特許庁

The machining method by high-power ultra-short pulse laser is characterized in that a single high-power ultra-short pulse laser ray applied to solid organic-compound 10, the absorption coefficient of which is not more than 10 μm-1, only surface layer of the area where solid organic-compound 10 absorbs a half of laser beam, is machined.例文帳に追加

高強度超短パルスレーザー加工方法であって、高強度超短パルスレーザーを、吸収係数が10μm^-1以下の固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物10に吸収される領域の表面層のみが加工されることを特徴とする。 - 特許庁

Then, during either of or both of the periods from the starting of output of the laser beam 6 to the starting of working or from the finish of working to the decay of the laser beam 6, the laser beam 6 is deflected to the side of an absorption plate 24, by which major part of the beam energy is absorbed and changed into heat.例文帳に追加

そして、制御装置12により、レーザ光6の出力開始から加工開始までの期間または加工終了からレーザ光6が減衰する期間のいずれか一方または両方の期間は、レーザ光6を吸収板24側に屈折させ、吸収板24により、ビームエネルギの大部分を吸収させて熱に換える。 - 特許庁

Since a laser driver 63 is controlled by negatively adding a signal wherein an effect of an absorptivity of water is corrected to a signal for keeping a conventional laser output constant, by forming the correction plate 33 from a material having a similar absorption characteristic to pure water, the laser light 21 can be emitted with an output wherein the absorptivity by water is corrected.例文帳に追加

補正板33を純水の吸光特性と同等の材質とすることにより、水の吸光率の影響を補正した信号と、従来のレーザ出力を一定に維持する信号を負加算してレーザドライバ63を制御するため、水による吸光率を補正した出力でレーザ光21を出射することができる。 - 特許庁

The method and equipment of the hybrid welding is for welding a metallic work piece, a tailored blank for example, by using a laser beam and an electric arc, a plasma arc in particular, by which method the laser beam 3 is transmitted to a radiation-absorbing means, an absorption cavity 2 for example, which absorbs the radiation of the laser beam and/or deflected after the weld joint is formed.例文帳に追加

金属製ワークピースたとえばテーラードブランクを、レーザービームと電気アーク特にプラズマアークとを用いて溶接するためのハイブリッド溶接方法および装置であって、溶接継手を形成した後にレーザービーム3を、前記レーザービームの放射を吸収可能な放射吸収手段たとえば吸収キャビティ2に送りおよび/または偏向する方法。 - 特許庁

A fiber mount device 2 includes a fiber sub-mount body 31 comprising ceramic transmitting a laser beam of prescribed wavelength, a bonding pad 33 provided on the top face of the fiber sub-mount body 31, and a laser absorption layer 32 provided on at least part of undersurface of the fiber sub-mount body 31 and for absorbing the laser beam of prescribed wavelength.例文帳に追加

ファイバマウント装置2は、所定波長のレーザ光を透過するセラミックから成るファイバサブマウント本体31と、ファイバサブマウント本体31の上面に設けられるボンディングパッド33と、ファイバサブマウント本体31の下面の少なくとも一部に設けられ、所定波長のレーザ光を吸収するレーザ吸収層32と、を備える。 - 特許庁

Color display of the information recording layer for drawing can be performed by using a sensitizer absorbing the laser light to generate heat and a dye precursor which can generate a dye by the heat or a dye precursor which can generate a dye by absorbing the laser light when the dye precursor has absorption to a wavelength of the used laser light upon recording as the recording layers (14, 14', 14").例文帳に追加

記録層(14,14’,14”)として、記録時にレーザー光を吸収して熱に変換する増感剤及びその熱によって色素を生成できる色素前駆体、又は使用するレーザー光波長に対し色素前駆体が吸収を持つ場合、レーザー光を吸収して色素を生成できる色素前躯体を用いることで、描画用情報記録層をカラー表示できる。 - 特許庁

Further, since a semiconductor laser 21 with InGaAs as an active layer is employed, laser beams in matching with the absorption wavelength of the Yb:YAG crystal 25 are emitted therefrom, make it excited effectively, and also unlike the conventional structures which use the semiconductor laser 21 with AlGaAs as the active layer, there is no possibility of oxidization of Al, and a long lifetime can be obtained.例文帳に追加

また、InGaAsを活性層とする半導体レーザ21を用いているから、ここからYb:YAG結晶25の吸収波長に合ったレーザ光と出射して効率良く励起させるとともに、AlGaAsを活性層とする半導体レーザ21を用いた従来構成のようなAlの酸化の心配がなく、長寿命化を図ることができる。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置10は、基板20上に、n型の多層膜反射鏡24、活性層26、およびp型の多層膜反射鏡28とを含むレーザ素子部34が形成され、さらに、レーザ素子部34と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域50を有する。 - 特許庁

To provide a simultaneous two-photon absorption recording material capable of performing reproduction with high sensitivity using reproduction laser light in a wavelength range of 400-550 nm by producing a fluorescent chromogen having a large molar extinction coefficient in a wavelength region near 400-550 nm; and to provide a two-photon absorption optical recording and reproducing method, a recording medium and the like using the recording material.例文帳に追加

400〜550nm近傍の波長領域にモル吸光係数の大きい蛍光性発色体を生成させることで、上記波長範囲の再生レーザー光を用いて高感度に再生を行うことができる同時2光子吸収記録材料、それを用いた2光子吸収光記録再生方法記録媒体等を提供する。 - 特許庁

An absorption type multilayered film is made by forming a multilayered film obtained, alternately laminating oxide dielectric film layers and metal film layers at least on one surface of a resin film and irradiated with a laser beam of a wavelength, within the absorption band of a metal film layer to oxide all the entire boundary of the metal film layer.例文帳に追加

吸収型多層膜として酸化物誘電体膜層と金属膜層とを交互に積層させた多層膜を樹脂フィルムの少なくとも片面に成膜した後、金属膜層の吸収波長帯の波長のレーザーを照射するレーザートリートメントを行い、各金属膜層の全ての界面付近のみを酸化させる。 - 特許庁

To provide an oxide glass material having low absorption and producing a heterogeneous phase having sufficiently high absorption by condensed irradiation of short pulse laser light, for manufacturing an optical device such as a waveguide by forming an inner structure in the glass material, and to provide a method for manufacturing the material.例文帳に追加

ガラス材料に内部構造を形成することにより導波路等の光学素子作製を行うために用いられる、吸収等が小さくかつ短パルスレーザー光を集光照射することにより吸収等が十分に大きな異質相を形成することができる酸化物系ガラス材料及びその製造方法等を提供する。 - 特許庁

The conductive roll can be manufactured by a step in which the outermost layer containing the organic polymer having at least the light absorption coloring matter is formed around the periphery of the roll and the subsequent step in which a laser beam including a wavelength absorbed by the light absorption coloring matter is emitted to the surface of the outermost layer, thereby forming a large number of pores.例文帳に追加

上記導電性ロールは、ロール最外周に、少なくとも光吸収色素を含有する有機ポリマーを含む最外層を形成し、その後、最外層の表面に、光吸収色素に吸収される波長を含んだレーザー光を照射し、孔部を多数形成することにより製造することができる。 - 特許庁

例文

The production method of single-walled carbon nanotubes in which chirality is controlled is characterized by forming and growing single-walled carbon nanotubes by an alcohol chemical vapor deposition method while irradiating the carbon nanotubes with a free electron laser beam having a light absorption wavelength or a wavelength approximate to the light absorption wavelength which corresponds to the transition energy of the single walled carbon nanotubes having predetermined diameters, that is searched from Kataura plot.例文帳に追加

片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 - 特許庁

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