「laser absorption」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an ultraviolet-curable resin composition that is extremely useful for an optical disk for reading and/or writing by using a blue laser, has excellent transparency and low water absorption properties, slight warpage and high durability and is a protective coating agent for a high-density optical disk and a cured material thereof.例文帳に追加

透明性、低吸水性に優れ、かつ反りの少ない高耐久性を有する紫外線硬化型樹脂組成物である高密度光ディスク用保護コート剤とその硬化物を提供することを可能にしたものであり、青色レーザーを用いて読み取り及び／又は書き込みを行う光ディスクに極めて有用である。 - 特許庁

The production method of an electro-optical device comprises a step for sticking a semiconductor substrate to the surface of a supporting substrate 500, step (A) for forming a semiconductor layer 220 by separating the semiconductor substrate in a hydrogen ion implantation layer, and step (B) for melting the surface layer part of the semiconductor layer 220 by irradiating it with a laser beam having an absorption wavelength of the semiconductor layer 220.例文帳に追加

支持基板５００の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、（Ａ）半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層２２０を形成する工程と、（Ｂ）半導体層２２０による吸収波長のレーザを半導体層２２０に対して照射することにより、半導体層２２０の表層部を溶融させる工程とを有する。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

An organic compound such as dimethylzinc and a gas element compound such as oxygen are used for starting materials, which are dissociated and ionized by non-resonant multiple photon absorption not through an intermediate level by emission of an excimer laser 21, and impurities are separated from the ionized elements by the mass separation method using an electromagnetic field 55 to deposit only the prescribed ionized elements onto a target 61.例文帳に追加

ジメチル亜鉛などの有機化合物及び酸素などの気体元素化合物を出発原料として、エキシマレーザー２１照射により中間準位を経ない非共鳴の多光子吸収により解離及びイオン化し、イオン化された元素を電磁場５５による質量分離法により不純物を分離して所定のイオン化元素のみをターゲット６１上に堆積させる。 - 特許庁

The method for introducing a medicine to cells comprises chemically modifying a medicine with a positive charge-having substance which has an interaction with the medicine to form a complex with the medicine, accumulating the chemically modified substance in the vicinity of cells, irradiating a light absorption body arranged in the vicinity of the cells with a laser beam and applying an induced stress wave to the cells.例文帳に追加

薬剤と相互作用して薬剤と複合体を形成し得る正電荷を有する物質で薬剤を化学修飾し、該化学修飾した薬剤を細胞の近傍に集積させ、該細胞の近傍に配置した光吸収体へレーザー光を照射し誘起された応力波を細胞へ適用することを含む、薬剤を細胞内に導入する方法。 - 特許庁

A passive mode-locked semiconductor laser 10 is equipped with a gain region 17 for generating an induced emission light, and a saturable absorption region 18 for partially absorbing an induced emission light for mode-locking the induced emission light generated by the gain region 17, where the regions 17 and 18 are provided between a pair of clad layers 12 and 13.例文帳に追加

一対のクラッド層１２および１３間に形成された誘導放出光を生成するための利得領域１７および該利得領域で生成された誘導放出光のモード同期のために誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域１８を備える受動モード同期半導体レーザ１０。 - 特許庁

A Curie temperature of a soft magnetic layer 21 of a magnetic disk 20 is lower than that of a hard magnetic layer 23, so that a part of magnetic flux absorption capability can be lost by heating an adjacent track 62 using a photoirradiation head 50 (laser diodes 150A and 150B) to set a part of the soft magnetic layer 21 corresponding to the heating part at the Curie temperature or more.例文帳に追加

磁気ディスク２０が有する軟磁性層２１が、硬磁性層２３のキュリー温度よりも低いキュリー温度であるため、光照射ヘッド５０（レーザダイオード１５０Ａ，１５０Ｂ）を用いて隣接トラック６２を加熱して、加熱部分に対応する軟磁性層２１の一部をキュリー温度以上とすることにより、当該一部の磁束吸収能力を失わせることができる。 - 特許庁

A laser beam is irradiated from either of both sides of a semiconductor wafer to a prescribed depth position of the semiconductor wafer by aligning a focal position with the prescribed depth position of the semiconductor wafer so as to generate a multiphoton absorption process only in a specific part, located at the prescribed depth position, of the semiconductor wafer, thereby forming a gettering sink by making the specific part as a modified part.例文帳に追加

半導体ウェーハの両面のいずれか一方の面から、該半導体ウェーハの所定深さ位置に、焦点位置を合わせてレーザビームを照射し、前記所定深さ位置にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分としゲッタリングシンクを形成する。 - 特許庁

An output light from a laser diode 1 is modulated and transmitted through a frequency discriminator element 4 to control the frequency of the output light so as to coincide with the center frequency of an absorption line of the discriminator element 4, thus stabilizing the frequency, wherein a polarizer 10 is disposed between the discriminator element 4 and an optical detector 5 for detecting the transmitted light from this discriminator element 4.例文帳に追加

レーザダイオードの出力光に変調をかけて周波数弁別素子内を透過させて、出力光の周波数を周波数弁別素子の吸収線の中心周波数に制御することにより周波数を安定化させる周波数安定化レーザ光源において、周波数弁別素子とこの周波数弁別素子の透過光を検出する光検出器との間に偏光子を設ける。 - 特許庁

Multiphoton absorption is carried out by such irradiation with laser light that points of light convergence are formed in the pair of substrates 1 and 2 and the dust-proof glass 12 on the side where the light is made incident and modified layers 7, 8, and 13 having light shield properties are formed in the substrates 1, 2, and 12 in a frame shape enclosing a display region D.例文帳に追加

一対の基板１，２と光が入射する側の防塵ガラス１２の内部に集光点を結ぶようにレーザ光を照射して多光子吸収を発生させ、各基板１，２，１２の内部に表示領域Ｄを囲むように額縁状にそれぞれ遮光性を有する改質層７，８，１３を形成した。 - 特許庁

By forming a cavity part CA which has a stripping suppressing layer CE between an anode AD and an organic light emitting layer OLE formed on the main substrate SUB1, and which is made by evaporation by absorption of a laser beam LE, a defective part is separated electrically, and a dark-point defective pixel is restored into a light emitting pixel.例文帳に追加

メイン基板ＳＵＢ１上に形成された陽極ＡＤと有機発光層ＯＬＥとの間に剥離抑制層ＥＣを有し、メイン基板ＳＵＢ１と剥離抑制層ＥＣとの間にレーザ光ＬＥの吸収によって蒸発させた空洞部ＣＡを形成することにより、欠陥個所を電気的に切り離し、黒点欠陥画素を発光画素に修復する。 - 特許庁

A silane compound or the like is introduced into the reaction chamber 10 of a plasma CVD device to form an antireflection SiON film on a wafer 5, and the antireflection SiON film formed on the wafer 5 is thermally treated at a required temperature in an inert gas atmosphere of nitrogen gas or the like so as to be kept stable in KrF laser beam absorption characteristics after a film forming process is finished.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置の反応室１０内にシラン系化合物等を導入してウェハー５上に反射防止ＳｉＯＮ膜を成膜後、該成膜工程終了後に窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で反射防止ＳｉＯＮ膜を所望の温度で熱処理し、反射防止ＳｉＯＮ膜のＫｒＦレーザ光吸収特性を安定化させる。 - 特許庁

The present invention relates to: the transparent member for constituting the finder optical system, having a scattering face in its inside; and the method for manufacturing the transparent member that forms a scattering face by fine cracks caused by a nonlinear absorption phenomenon of a transparent base material generated when converging a laser beam of high intensity in the inside of the transparent member to be irradiated therewith.例文帳に追加

ファインダー光学系を構成する、内部に散乱面を有する透明部材、及び高強度のレーザ光を前記透明部材の内部に集光させて照射した時に生じる前記透明基材の非線形吸収現象に起因する微細なクラックにより前記散乱面を形成することを特徴とする透明部材の製造方法。 - 特許庁

The pickup lens for the short-wavelength type semiconductor laser is formed by using an acrylic resin having ≥90% light transmittance at 405 nm, ≥85% light transmittance at 405 nm after light resistance tests, ≥110°C deformation temperature under load and ≤1.2% moisture absorption rate without substantially containing an N-substituted maleimide compound and an aromatic vinyl compound.例文帳に追加

４０５ｎｍの光線透過率が９０％以上、耐光性試験後の４０５ｎｍの光線透過率が８５％以上、荷重たわみ温度が１１０℃以上、且つ吸湿率が１．２％以下であり、且つＮ−置換マレイミド化合物および芳香族ビニル化合物を実質的に含有しないアクリル樹脂を用いて、短波長型半導体レーザー用ピックアップレンズを形成する。 - 特許庁

To provide a gas concentration measuring instrument constituted so that the saw-toothed sweep waveform oscillated from a laser diode LD is flatly smoothed to be guided to the irradiation part of a measuring cell and a measuring target gas is irradiated with the flatly smoothed waveform not only to precisely grasp the magnitude of an absorption spectrum but also to remove an optical fringe (optical noise).例文帳に追加

レーザダイオードＬＤから発振されるノコギリ歯形状の掃引波形を平坦状に平滑化してから計測セルの照射部に導き計測対象ガス中に照射するようにして、吸収スペクトルの大きさを精度よく把握できるようにするとともに、光学フリンジ（光学ノイズ）も除去可能にするガス濃度計測装置を提供す。 - 特許庁

In the aluminum welding method for welding a thin aluminum sheet at a high speed, the welding positions of aluminums 2a, 2b are irradiated with a laser diode beam which is absorbed at a high absorption rate by aluminum to melt the welding positions, and an MIG (metal inert gas) arc is generated between the molten welding positions and a welding wire 5 of an MIG welding power source to carry out welding.例文帳に追加

アルミニウム２ａ、２ｂの溶接位置にアルミニウムに対する吸収率の高いレーザダイオード光を照射して溶接位置を溶融し、上記溶融された溶接位置とＭＩＧ溶接電源の溶接ワイヤ５との間にＭＩＧアークを発生させて溶接を行うアルミニウムの溶接方法であって、薄板のアルミニウムを高速で溶接する溶接方法。 - 特許庁

A laser oscillation device comprises: a first gain fiber 12 and a second gain fiber 14 which have gain characteristics and different absorption characteristics with respect to wavelengths of light and perform laser oscillation at different wavelengths; and a focusing optical system 16 which has the plurality of gain fibers disposed thereinside and into which broadband light enters so that sunlight enters from side surfaces of the gain fibers as excitation light.例文帳に追加

レーザ発振装置置は、利得特性を有すると共に、光の波長に関する異なる吸収特性を有し、かつ、異なる波長でレーザ発振する第１の利得ファイバ１２及び第２の利得ファイバ１４と、内部に複数の利得ファイバを配置した集光光学系１６であって、太陽光が励起光として利得ファイバの側面から入射されるように、広帯域光が内部に入射される集光光学系１６と、を備えている。 - 特許庁

The recording film comprises a layer 2 of an organic material which is degraded mainly by the absorption of laser light and causes a refractive index change and the reflectance of the optical recording medium to laser light of 380-450 nm wavelength for reproduction is 15-25% before the degradation and 0-10% after the degradation.例文帳に追加

そして、本発明による光学記録媒体は、基板１上に、単層もしくは多層構造による記録膜を有する光学記録媒体であって、その記録膜は、主としてレーザ光を吸収して分解し、屈折率変化を生じる有機物質材料層２よりなり、かつ波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの再生レーザ光に対する光学記録媒体としての反射率が、上述の分解前の反射率が１５％〜２５％であり、分解の後の反射率が０％〜１０％とされる。 - 特許庁

Signs including characters and symbols which are visually recognized as white color are obtained by adding at least one of carbon black, calcium carbonate, black iron oxide, titanium black, and titanium dioxide as a colorant or filler to thermoplastic resin, thermoset resin, or rubber, applying a laser beam to the added portion, foaming the colorant or filler by the absorption of the laser beam to scatter a light from the outside.例文帳に追加

熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又はゴムに着色剤・充填剤としてカーボンブラック、炭酸カルシウム、黒色鉄酸化物、チタンブラック又は二酸化チタンのうち少なくとも１つを添加し、この添加した部位にレーザ光を照射して当該レーザ光の吸収により着色剤・充填剤を発泡させ、外部からの光を散乱することによって視覚的に白色に認知される文字、記号を含む符号を表示する。 - 特許庁

An optical semiconductor device 1 has a semiconductor laser 2 and a MZ interference optical modulator 4 connected by a branching coupler 3, a multiplexing coupler 5, and optical waveguides 11 to 16 and is monolithically integrated, and absorption layers 6 having a longer band gap wavelength than that corresponding to operation light emitted from the semiconductor laser 2 are provided adjacently to at least an output end of the multiplexing coupler 5 and the optical waveguide 16.例文帳に追加

半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。 - 特許庁

In the photopolymerizable composition for near infrared laser exposure containing (A) an ethylenically unsaturated compound, (B) a cyanine sensitizing dye and/or a phthalocyanine sensitizing dye having a structure with heterocycles bonded through a polymethine chain and (C) a compound containing an organic boron anion and/or a halomethyl group, (D) 1-3 wt.% coloring dye having the absorption maximum at 450-650 nm is contained.例文帳に追加

（Ａ）エチレン性不飽和化合物、（Ｂ） ポリメチン鎖を介して複素環が結合した構造のシアニン系増感色素カチオン及び／又はフタロシアニン系増感色素、（Ｃ）有機硼素アニオン及び／又はハロメチル基含有化合物、を含有する近赤外レーザー露光用光重合性組成物において、該組成物が（Ｄ）４５０〜６５０ｎｍに吸収極大を有する着色染料を、１〜３重量％含有することを特徴とする近赤外レーザー露光用光重合性組成物。 - 特許庁