「laser absorption」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain both an image recording material capable of forming a high-sensitivity image by an infrared laser and an image having excellent stain prevention of non-image part and scratch resistance of image part and a high image quality, and a new polymer compound having infrared absorption ability used therefor.例文帳に追加

赤外線レーザにより高感度で画像形成可能であり、非画像部の汚れ防止性、画像部の耐傷性に優れ、高画質の画像を形成しうる画像記録材料及びそれに用いる赤外線吸収能を有する新規な高分子化合物を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium is configured such that a first pigment greatly absorbing a wavelength of a recording/reproducing laser beam and a second pigment the wavelength of greater absorption of which differs from that of the first pigment and extends toward a longer wavelength are added to the recording layer of the optical recording medium adopting the film face incidence system.例文帳に追加

膜面入射方式の光記録媒体において、記録層に、記録／再生用のレーザ光の波長に対して大きな吸収を有する第一の色素に加え、大きな吸収を呈する波長領域が第一の色素とは異なり、かつ長波長側である第二の色素を添加する構成とした。 - 特許庁

By the polishing step of subjecting the silicon wafer 2 to mirror-surface polishing, a minute flaw (abrasion) on one surface 2a of the silicon wafer 2 caused by irradiation of a laser beam in the multiphoton absorption step being a previous step is perfectly removed (as shown in Fig.4(b)).例文帳に追加

シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 - 特許庁

Then, the concentration of the trace amount of the harmful substance in the absorption liquid is detected continuously in real time, by using an analyzer 25 equipped with a laser meter, and the concentration of the trace amount of the harmful substance in the exhaust gas is calculated, based on the detection result.例文帳に追加

次いで、吸収液中の有害微量物質の濃度検出を、レーザ計を具備する分析器２５を用いて連続的にかつリアルタイムに検出し、この検出結果に基づき、排ガス中の有害微量物質濃度を算出する。 - 特許庁

The DBR laser element 150 is provided with an optical waveguide 110 extending to a second end face and formed of a DBR area 110a where a uniform grating 132 is formed, a saturable absorption area 110b and an active area 110c.例文帳に追加

ＤＢＲレーザ素子１５０は，均一格子１３２が形成されたＤＢＲ領域１１０ａと可飽和吸収領域１１０ｂと活性領域１１０ｃとから形成されて第２端面１５０ｂに至る光導波路１１０を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer manufacturing method that forms a modified part by generating a multiphoton absorption process only at a prescribed depth position of a semiconductor wafer by laser beam irradiation in a short period of time so as to utilize the modified part as a gettering sink.例文帳に追加

レーザビームの短時間の照射により半導体ウェーハの所定の深さ位置のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分を形成し、ゲッタリングシンクとして活用する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin powdery material, while maintaining the characteristics inherent in a styrene-based resin, such as impact resistance, low moisture absorption or the like, showing an abrupt lowering of its melt viscosity at equal to or higher than its glass transition point temperature similar to that of a crystalline resin and suitable for laser sintering.例文帳に追加

耐衝撃性、低吸湿性等のスチレン系樹脂の特質を維持しつつ、ガラス転移温度以上において結晶性樹脂と同様の急激な溶融粘度の低下を示すレーザー焼結に好適な樹脂粉体を提供する。 - 特許庁

The saturable absorber 13 is a laser medium which emits light and emits stronger light by saturable absorption, when the incident light becomes stronger, and the signal light transmitted through the saturable absorber 13 forms an image at a photodetector 14 and is converted photoelectrically.例文帳に追加

可飽和吸収体１３は入射光が強くなると、可飽和吸収により出射する光がより強く出射されるレーザ媒質であり、可飽和吸収体１３を透過した信号光は光検出器１４で結像して光電変換される。 - 特許庁

In the exposure optical system of this electrophotographic device, an area (saturable absorber) having saturable absorption characteristic is provided at one part of an optical path including a semiconductor laser being a light source, whereby the nonlinearity of the operating current in a state where the intensity of light is low is improved.例文帳に追加

電子写真装置の露光光学系において、光源である半導体レーザを含む光路の一部に可飽和吸収特性を有する領域（可飽和吸収体）を設け、光強度の弱い状態における動作電流の非線形性を改善する。 - 特許庁

A forward current is injected into a gain region 101 by a DC current source, and a reverse bias voltage is applied to a saturable absorption region 102 from a DC voltage source, whereby the laser device 1 is put in a mode synchronous operation nearly on a f/m repetition frequency.例文帳に追加

レーザ素子１は、利得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加することで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行う。 - 特許庁

The injection current has an amplitude, so that the optical gain process and the optical absorption process in the semiconductor laser element(SLE(i)) overweight one another longer than the holding time, so as to maintain a digital optical signal to have a prescribed digital level for the holding time.例文帳に追加

注入電流は、デジタル光信号を、保持時間の間、所定デジタルレベルに維持するために、半導体レーザエレメント（ＳＬＥ（ｉ））内の光利得プロセスおよび光吸収プロセスが、保持時間よりも長く互いに勝るような振幅を有する。 - 特許庁

To provide a wafer processing device for processing the wafer by the use of laser beam for retaining the wafer to the retaining means of the processing device without using a frame and an adhesive tape, and effectively preventing an adhesion of the processing waste material to an absorption surface of the retaining means after the processing.例文帳に追加

レーザ光線を使用してウェーハに加工を施すウェーハの加工装置において、ウェーハをフレームや粘着テープを使用せずに加工装置の保持手段に保持し、加工後の保持手段の吸着面に加工屑が付着することを効果的に防止できるウェーハ加工装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser has a waveguide structure by which oscillation in lateral mode and in multimode can be performed and has an absorption layer for increasing the loss in modes other than the (n) order mode (n≥1) or a refraction grating for selectively reducing the gain which is formed in a specified position of a resonator.例文帳に追加

横モードで多モードでの発振が可能な導波路構造を有し、その内ｎ次モード（ｎ≧１）以外のモードでの損失を大きくする吸収層又は選択的に利得を減ずる回折格子を共振器の特定位置に形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus, method, and program for stabilizing a laser frequency which do not require precision for measuring intervals between saturated absorption lines and, even if an actuator having a large elapsed time variation is used, have adequate trackability against the elapsed time variation for locking the oscillation frequency.例文帳に追加

飽和吸収線の間隔を測定する精度を必要とせず、経時変化の大きなアクチュエータを用いても、その経時変化に発振周波数の固定を十分に追従させるレーザ周波数安定化装置、レーザ周波数安定化方法、及びレーザ周波数安定化プログラムを提供する。 - 特許庁

A mode-locking semiconductor laser 10 is equipped with a gain region 19 which generates induced emission light, and a saturable absorption region 20 which partly absorbs induced emission light for mode synchronization of the induced emission light generated by the gain region 19.例文帳に追加

誘導放出光を生成するための利得領域１９および該利得領域で生成された誘導放出光のモード同期のために誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域２０が共振器長Ｌの方向に伸長するモード同期半導体レーザ１０。 - 特許庁

Although the absorption factor of the laser beams in the glass layer 3 is rapidly increased when the glass layer 3 is baked, it is suppressed that the glass layer 3 comes to a state of excessive heat input as the heat conductor 7 takes heat from the glass layer 3 as a heat sink.例文帳に追加

このガラス層３の焼付け時には、ガラス層３のレーザ光吸収率が急激に高くなるが、熱伝導体７がヒートシンクとしてガラス層３から熱を奪うため、ガラス層３が入熱過多の状態となることが抑止される。 - 特許庁

The crystal stabilization apparatus consists of a heat generation system including crystal 8 to generate heat by the incidence of a laser, a heat storage system 6 to store generated heat generated by the heat generation system (heatsink) and a heat absorption system to absorb the stored heat of the heat storage system 6.例文帳に追加

レーザーの入射により発熱する結晶８が属する熱発生系と、熱発生系が生成する生成熱を貯蔵する熱貯蔵系（ヒートシンク）６と、熱貯蔵系６の貯蔵熱を吸収する熱吸収系とから構成されている。 - 特許庁

A mode-locked semiconductor laser includes a gain region 24 for generating a stimulated emission light and a saturable absorption region 26 for partially absorbing the stimulation-emitted light generated in the region 24, in a series with respect to the longitudinal direction in an active layer 20.例文帳に追加

活性層２０に、誘導放出光を生成するための利得領域２４と、利得領域２４で生成された誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域２６とを、長手方向に対して直列に含んでいる。 - 特許庁

The control of the absorption coefficient is carried out by adding an optimum quantity of a rare earth atom such as Yb which absorbs an InGaAs semiconductor laser beam and generates heat, has no effect on the transmission characteristics of a visible region and does not deteriorating the display characteristics of glass for display into the material.例文帳に追加

吸収係数制御を、材料にＩｎＧａＡｓ半導体レーザ光を吸収発熱し、かつ可視域の透過特性に影響せず、表示器用ガラスの表示特性を悪化させないＹｂのような希土類原子を最適量添加することによって実現する。 - 特許庁

To provide a heat-developable photosensitive material superior in effects on preventing reversal imaging due to fluctuation of wavelength caused by difference in the lots of laser beams emitting element, and small in coloring in nonimage parts and superior in reproducibility and small in absorption in the ultraviolet region and an adverse effect on a time necessary for printing on a PS plate.例文帳に追加

レーザー発光素子のロット差等、波長変動による裏写りの防止効果が優れ、かつ非画像部の着色が少なく検版性に優れ、紫外領域の吸収が少なくＰＳ版への焼付時間への悪影響が少ない熱現像感光材料を提供する。 - 特許庁

A modifying layer 1c based on multiple photon absorption is formed by irradiating a laser beam 4 from a principal surface 1a of a bond wafer 1 such that a light condensing point P becomes a target depth d from the principal surface 1a, and scanning the bond wafer 1 from end to end.例文帳に追加

レーザ光４をボンドウェハ１の主面１ａから、集光点Ｐが主面１ａから目標の深さｄとなるように照射し、ボンドウェハ１の端部から端部へ走査することにより、多光子吸収による改質層１ｃを形成する。 - 特許庁

In a two-photon optical micro-shaping method, the beam from a near infrared pulse laser beam source is passed through a mirror scanner and condensed to the interior of a photosetting resin using a lens to induce two-photon absorption to cure the resin only in the vicinity of a focal point.例文帳に追加

近赤外パルスレーザ光源からの光をミラースキャナーを通した後、レンズを用いて光硬化性樹脂中に集光させ、２光子吸収を誘起することによって焦点近傍のみにおいて樹脂を硬化させることを特徴とする２光子マイクロ光造形方法。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin-impregnated fiber sheet which is suitable for an insulating material with excellent high frequency characteristics, low moisture absorption, flame retardance, heat resistance, thermal dimensional stability and processability as a circuit board such as through-hole processability by a laser and the circuit board using it.例文帳に追加

高周波特性、低吸湿性、難燃性、耐熱性、熱寸法安定性およびレーザーによるスルーホール加工性など回路基板としての加工性に優れた絶縁基材として好適な熱可塑性樹脂含浸繊維シート、およびそれを用いた回路基板を提供すること。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

An active layer 107, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a selectively growing region in a laser forming region LR are respectively formed thicker than an absorption layer 109, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a modulator forming region MR.例文帳に追加

レーザ形成領域ＬＲ内の選択成長領域における活性層１０７，クラッド層１１１，コンタクト層１１９はそれぞれ，変調器形成領域ＭＲにおける吸収層１０９，クラッド層１１１，コンタクト層１１９に対して厚く形成されている。 - 特許庁

In the laser type gas analyzer of a frequency modulation type, a signal processing circuit includes both a synchronous detection circuit for detecting the amplitude of double wave signals from output signals of a light-receiving part and an operation part for detecting the concentration of gas to be measured on the basis of a gas absorption waveform present in the output signals.例文帳に追加

周波数変調方式のレーザ式ガス分析計であって、信号処理回路が、受光部の出力信号から２倍波信号の振幅を検出する同期検波回路と、その出力信号に存在するガス吸収波形から測定対象ガスの濃度を検出する演算部と、を備える。 - 特許庁

To provide a wavelength variable optical transmitter which is compact and has a high yield and is low-cost by using a semiconductor optical element in which an electrical field absorption modulator and a semiconductor laser are integrated on the same substrate, and at the same time can keep modulation/transmission characteristics constant.例文帳に追加

電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。 - 特許庁

To obtain a new compound having excellent absorption wavelength properties and thermal decomposition properties and suitable for an optical element useful for especially an optical filter for an image display apparatus and an optical recording material for a laser beam recording, an optical filter using the compound and an optical recording material.例文帳に追加

吸収波長特性及び熱分解特性に優れ、特に画像表示装置用の光学フィルター、びレーザ光記録用の光学記録材料に用いられる光学要素に好適な新規の化合物、該化合物を用いた光学フィルター及び光学記録材料を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor short-pulse light source is provided with a mode synchronous type laser that allows SSG2A, a saturable absorption waveguide 4B, a gain waveguide 4A, and SSG2B to be arranged in series in a described order where SSG2A and 2B existing at both ends have structure where the directions and periods of a phase change match.例文帳に追加

ＳＳＧ２Ａ、可飽和吸収性導波路４Ｂ、利得導波路４Ａ、ＳＳＧ２Ｂが前記順序で直列に配設され、且つ、両端に在るＳＳＧ２Ａ及び２Ｂは位相変化の向き及び周期が一致した構造をもつモード同期型レーザを備える。 - 特許庁

In a second period following the first period, provided that the power of the stimulation light L1 is represented by P2, P2 is larger than P1, the power of the light L2 is above the absorption saturation threshold value, the Q value of the resonator 10 becomes large, and a pulse laser beam L3 is outputted to the outside from a mirror 12.例文帳に追加

第１期間に続く第２期間には、励起光Ｌ１のパワーは上記の値Ｐ１より大きい値Ｐ２とされ、光Ｌ２のパワーは吸収飽和閾値超とされて、共振器１０のＱ値が大きくなって、パルスレーザ光Ｌ３がミラー１２より外部へ出力される。 - 特許庁

To provide an optical path change unit preventing an absorber itself from being damaged by suppressing the generation of heat accompanying absorption of light while efficiently absorbing incident laser light to prevent it from leakage to the outside, and also to provide an optical damper constituted by combining the same.例文帳に追加

入射したレーザ光を効率よく吸収して外部への漏洩を防止しつつ、光の吸収に伴う熱の発生を抑制して吸収体自身の損傷を防止できる光路変更ユニットと、これを組み合わせて構成した光ダンパを提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

A stripe mask 32 having mask widths set for the regions, respectively, according to the etching rates determined, respectively, for the SCH-MQ active layer of a DFB (distributed feedback) laser region 10A and for the SCH-MQW absorption layer (active layer) of an EA optical modulator region 10B.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ領域１０ＡのＳＣＨ−ＭＱＷ活性層、及びＥＡ光変調器領域１０ＢのＳＣＨ−ＭＱＷ吸収層（活性層）のそれぞれのエッチングレートに基づいて、各領域でマスク幅が設定されたストライプマスク３２を使用する。 - 特許庁

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.例文帳に追加

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁

This mechanical element has a means having a beam formed of at least two layers with different characteristics and controlling the vibration of the beam by irradiating the beam with a laser beam of such a wavelength that provides the coefficients of absorption different from each other between the layers with different characteristics of the beam.例文帳に追加

異なる特性を有する少なくとも２つの層から構成される梁を備え、前記梁を構成する異なる特性を有する層間で異なる吸収係数を与える波長のレーザー光の照射により梁の振動を制御する手段を備えることを特徴とするメカニカル素子およびその振動を制御する方法を提供する。 - 特許庁

The light absorption layer is heated by a laser beam which has passed through the openings of the mask, and the organic compound at a position overlapped with the heated region is vaporized, and accordingly, the organic compound is selectively deposited on the deposited substrate.例文帳に追加

光吸収層、及び有機化合物を含む材料層を形成した被照射基板と、第１の電極が設けられた被成膜基板とを向かい合わせて配置し、マスクの開口を通過したレーザビームが光吸収層を加熱することによって加熱された領域と重なる位置の有機化合物を蒸発させることで被成膜基板の面上に選択的に成膜を行う。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a charge generating layer containing a charge generating material and a charge transport layer containing a charge transport material on a support, the charge generating layer contains at least a phthalocyanine pigment and a compound having absorption in the oscillation wavelength range of a laser.例文帳に追加

支持体上に、電荷発生物質を含有した電荷発生層と電荷輸送物質を含有した電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層は少なくともフタロシアニン系顔料と、レーザ発振波長域に吸収のある化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

A semiconductor wafer thinning method comprises an embrittlement layer formation step of irradiating a semiconductor wafer with laser beam while focusing on an inside of the semiconductor wafer and forming an embrittlement layer inside the semiconductor wafer by multiphoton absorption and a thinning step of thinning the semiconductor wafer by separating the semiconductor wafer into two using the embrittlement layer as a starting point.例文帳に追加

半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、脆化層を起点として半導体ウェーハを２枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程とを含む半導体ウェーハの薄厚化方法である。 - 特許庁

A compound semiconductor wafer 1, having at least two or more semiconductor layers 3 on the surface of a substrate 2, is divided by forming grooves 10 on the backside of the substrate 2, using a laser beam 9 of a wavelength that generates absorption in the substrate 2 and dividing the wafer 1 along with the grooves 10.例文帳に追加

基板２の表面側に少なくとも２層以上の半導体層３を有する化合物半導体ウエハ１を分割するにあって、前記基板２に吸収が生じる波長のレーザー光９を用いて前記基板２の裏面側に溝１０を形成し、この溝１０に沿って前記ウエハ１を分割すること特徴とする。 - 特許庁

To reduce a working time at the dicing step of dividing a semiconductor device by growing cracks along a planned dividing line starting from a reformed region after inducing multiple photon absorption by setting a laser light-condensing point within the semiconductor device to form the reformed region within the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の内部にレーザ光の集光点を合わせることで多光子吸収を引き起こし、半導体装置の内部に改質領域を形成した後、改質領域を起点として分割予定ラインに沿って亀裂を成長させて半導体装置を分割するダイシング工程において、加工時間を短縮すること。 - 特許庁

It is possible to form a waveguide of an effective refractive index type or a loss type excellent in confinement of light due to properties of light absorption and a low refractive index of the current constriction layer 24, and therefore, it is possible to obtain a GaN based semiconductor laser of a single transverse mode type by the refractive index waveguide stable in low-threshold current density.例文帳に追加

前記電流狭窄層２４の光吸収や低屈折率の性質によって光閉じ込めの良好な実屈折率導波型や損失導波型の導波路を形成することができ、低しきい値電流密度で安定した屈折率導波による単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

To provide a flexible display in which a plastic substrate is protected, a thermal treatment process for forming a polysilicon layer can be sufficiently performed, and a polysilicon layer having a good surface and excellent properties can be formed due to reflection or absorption of a laser light by the protective layer and consequently, the performance and durability of the flexible display are greatly improved, and its manufacturing method.例文帳に追加

プラスチック基板を保護し、ポリシリコン層の形成のための熱処理工程を十分に行うことができ、保護層によるレーザ光の反射または吸収を通じて、より優秀な表面および性質を持ったポリシリコン層を形成させることによって、結果的に性能および寿命が大きく向上したフレキシブルディスプレイおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each area of a thin film is formed in a storage area having any of at least three or more types of absorption spectra by applying one or more treatments among an irradiation treatment of ultraviolet light of a controlled amount of light, a heating treatment of different temperatures and an irradiation treatment of a laser beam of a controlled amount of light to the thin film of specific diaryl ethane compounds for each predetermined area.例文帳に追加

特定のジアリールエテン化合物の薄膜に対し、光量の制御された紫外光の照射処理、温度の異なる加熱処理、光量の制御されたレーザー光の照射処理のいずれか１つ以上の処理を所定領域ごとに施すことにより、前記薄膜の各領域を少なくとも３種類以上の吸収スペクトルのうちのいずれかを有する記憶領域に形成する。 - 特許庁

In the single-sided multilayer optical disk performing recording and reproduction by irradiation with a laser beam having a prescribed wavelength and having at least two recording layers independently with respect to a beam incident surface, an Ag alloy reflection layer is used on the farthest recording layer from the beam incident surface and optical absorption of the Ag alloy reflection layer is 20 to 50% to the wavelength.例文帳に追加

所定波長のレーザ光の照射によって記録と再生を行って光入射面に対して独立して少なくとも２つの記録層を有する片面多層光ディスクにおいて、前記光入射面から最も遠い記録層上にＡｇ合金反射層を用い、このＡｇ合金反射層の光吸収率が前記波長に対して２０％以上５０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁