「layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(990ページ目) - Weblio英語例文検索

An electroless Ni plating layer 10 of base plating is formed on metal surfaces of an outer ring 7 and a lead 8 of a cylindrical airtight terminal 2, and a solder plating layer 12 is formed on the Ni plating layer 10 of the lead 8.例文帳に追加

円筒型気密端子２の外環７およびリード８の金属表面に下地めっきの無電解Ｎｉめっき層１０を形成し、リード８のＮｉめっき層１０上、はんだ用めっき層１２を形成する。 - 特許庁

In this case, when patterning of the wiring layer is applied in the external layer, laser treatment is adopted to partly remove a conductive film in the external layer and an insulating material so as to expose the confirmation hole 14 to the outside.例文帳に追加

更に本形態では、外層の配線層のパターニング等を行う際に、レーザー加工により、外層の導電膜および絶縁材料を部分的に除去して確認孔１４を外部に露出させている。 - 特許庁

Thus, the layer thickness (d) of the adhesive layer is made more uniform, without lowering the lens characteristics of the microlens 500, than when the layer thickness is regulated by a spacer separately provided from the transparent base plate 210.例文帳に追加

したがって、透明基板２１０と別個に設けられたスペーサによって層厚を規定する場合に比べて、マイクロレンズ５００のレンズ特性を低下させることなく、接着層の層厚ｄを均一にすることができる。 - 特許庁

The fixed magnetization layer group 40 has a first fixed magnetization layer group 40a magnetically coupled to the first fixed magnetization region 11a and a second fixed magnetization layer group 40b magnetically coupled to the second fixed magnetization region 11b.例文帳に追加

磁化固定層群４０は、第１磁化固定領域１１ａと磁気的に結合した第１磁化固定層群４０ａと、第２磁化固定領域１１ｂと磁気的に結合した第２磁化固定層群４０ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a conductive film with high durability through improvement of adhesion between a plastic base material of a transparent conductive film and an inorganic oxide layer or between a hard-coat layer on the plastic base material and the inorganic oxide layer.例文帳に追加

透明導電性フィルムのプラスチック基材と無機酸化物層もしくはプラスチック基材上のハードコート層と無機酸化物層の密着性を向上させ高耐久性の導電性フィルムを提供する。 - 特許庁

The layer 1 processing section 40 mainly controls a layer 1, the L3E 41 maintains a communication state through the transmission reception of a message and a message is communication between the layer 1 processing section 40 and the CME 42.例文帳に追加

レイヤ１処理部４０は主にレイヤ１の制御等を行い、Ｌ３Ｅ４１はメッセージの授受を通じて通信状態を保持すると共に、レイヤ１処理部４０とＣＭＥ４２との間でメッセージの遣り取りをする。 - 特許庁

To provide a data processing system for a communication router which is connected to a communication network and has a layered architecture including a physical layer placed immediately under a data link layer placed immediately under a network layer.例文帳に追加

通信ネットワークに接続され、ネットワークレイヤの直下に配置されているデータリンクレイヤの直下に配置された物理レイヤを含む階層アーキテクチャを有する通信ルータについてのデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

This floor material is characterized by laminating a printed film layer and a protecting layer to a floor material in which a glass fiber fabric subjected to a urethane-based resin treatment is used as a material for reinforcing a backer layer.例文帳に追加

ウレタン系樹脂処理を施されているガラス繊維布帛をバッカー層の補強材として用いた構成の床材を、更には、これに印刷フィルム層、保護フィルム層が積層されていることを特徴とする床材。 - 特許庁

The first conductivity type layer is provided above the first electrode and below the light-emitting layer and composed of a III-V compound semiconductor having band-gap energy larger than band-gap energy of the light-emitting layer.例文帳に追加

前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。 - 特許庁

Forming films so that emitter material is vertically implanted to the substrate 1, an emitter lower layer 5a is deposited on the substrate 1 and a first deposited layer 6a is deposited on the layer 3.例文帳に追加

エミッタ材料をシリコン基板１に対して垂直に入射するように成膜すると、シリコン基板１上にはエミッタ下層５ａが堆積し、第２の絶縁層２上には第１の堆積層６ａが堆積する。 - 特許庁

This heat insulating material for floor heating to be arranged under panels provided with a heater is formed of a sheet-like material layer, which dose not contain metal, a heat insulating layer and a metal layer.例文帳に追加

本発明の床暖房用断熱材は、発熱体を備えたパネルの下部に設置される床暖房用断熱材であり、金属を含まないシート状物層／断熱層／金属層からなることを特徴とするものである。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device, a first resin layer 3 inhibiting transmission of light is formed on a supporting substrate 2, and a second resin layer 4 consisting of a thermoplastic resin is formed on the first resin layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、光の透過が抑制された第１の樹脂層３を支持基板２上に形成し、第１の樹脂層上に熱可塑性樹脂からなる第２の樹脂層４を形成する。 - 特許庁

A gel coat layer 10 is formed by applying a gel coat resin on an inner surface of a mold 1 having a downward concave portion 11, and a thermal insulation layer 20 is formed by spraying a thermal insulation resin on the gel coat layer 10.例文帳に追加

下向きの凹部１１が形成された型１の内面にゲルコート樹脂を塗布してゲルコート層１０を形成し、このゲルコート層１０の上面に断熱用樹脂を吹き付けて断熱材層２０を形成する。 - 特許庁

After applying a pigment layer material 3B on a whole inner face of a face panel 1, a phosphor layer material 4B containing ultraviolet curing resin is patterned at any given position on the pigment layer material.例文帳に追加

フェイスパネル１の内面全体に顔料層材料３Ｂを塗布した後、ディスペンサを用いて、顔料層材料３Ｂ上の任意の位置に、紫外線硬化性樹脂を含有する蛍光体層材料４Ｂをパターン形成する。 - 特許庁

A screen comprising a plurality of laminated layers, includes a first layer composed of thermoplastic resin with three-dimensional shapes formed and a second layer having higher gas transmissivity than that of the first layer.例文帳に追加

複数の層が積層されたスクリーンであって、立体形状が形成された熱可塑性樹脂からなる第１層と、前記第１層より高いガス透過性を有する第２層と、を備えたことを特徴とするスクリーン。 - 特許庁

To provide a printing polyolefinic resin sheet capable of strongly bonding an ink receiving layer to the polyolefin resin-containing layer of a sheetlike base material without applying adhesiveness imparting treatment such as corona discharge treatment or the like to the polyolefin resin-containing layer.例文帳に追加

インク受容層を、シート状基材のポリオレフィン樹脂含有層上に、コロナ放電処理などの接着性付与処理を施さなくても強固に接合することができる印刷用ポリオレフィン系樹脂シート。 - 特許庁

Before or after implanting p-type impurity ions for forming a source region 4 and a drain region 5 in an n^-type epitaxial layer 2, a silicon oxide film 6 is formed on the n^-type epitaxial layer 2 as a cap layer.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２にソース領域４、ドレイン領域５を形成するためのｐ型不純物のイオン注入を行う前あるいは後、ｎ^-型エピ層２の上にキャップ層としてシリコン酸化膜６を成膜する。 - 特許庁

Then, correlation coefficients r0 to r3 of the coupled loads between the adjacent map layer units are calculated, and a gap between the map layer units U3 and U4 showing the minimum r3 is defined as a division boundary 70 in the first layer.例文帳に追加

そして、隣接するマップ層ユニット間における結合荷重の相関係数ｒ０〜ｒ３を計算し、最小のｒ３を示すマップ層ユニットＵ３，Ｕ４間を、第１層における分割境界７０とする。 - 特許庁

A first epitaxial layer 23 with a high specific resistance of 100-5,000 Ω.cm is formed on a semiconductor substrate 21 of this semiconductor device, and a second epitaxial layer 24 with a normal specific resistance is formed on the layer 23.例文帳に追加

半導体基板２１上に比抵抗が１００〜５０００Ω・ｃｍもの高比抵抗の第１のエピタキシャル層２３を形成し、その上に通常の比抵抗を持つ第２のエピタキシャル層２４を形成する。 - 特許庁

A source electrode 6, a drain electrode 7 and a semiconductor active layer 8 are formed by etching the second metal films 16a and 16b of the semiconductor active layer, the ohmic contact film 4b, and one part of the upper layer of the semiconductor active film 4a.例文帳に追加

半導体活性部の第２の金属膜１６a、１６b及びオーミックコンタクト膜４bと半導体能動膜４aの上層の一部をエッチングしソース電極６、ドレイン電極７、半導体活性層部８を形成する。 - 特許庁

In order to obtain the gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process, a nitride embedding layer having a plurality of voids therein is embedded between the GaN layer and a base substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

To provide a mold for injection molding which can accurately form a thin layer body with the same mold regardless of resin types when forms the thin layer body such as the cover layer of a golf ball.例文帳に追加

ゴルフボールのカバー層のような薄層体を成形する場合に、樹脂の種類の如何に拘らず同一金型で薄層体を精度良く成形することを可能にした射出成形用金型を提供する。 - 特許庁

To provide a waterproofing repair method capable of constructing a new waterproof layer shortening the term of works without requiring the removal of an old waterproof layer or a pressing layer, and minimizing waste materials, and having no fear of leakage during construction.例文帳に追加

旧防水層，押え層を撤去する必要がなく、新防水層の施工が可能で、工期が短縮でき、廃材の発生量も少なく、施工中の漏水の恐れもない防水改修工法を得る。 - 特許庁

The silicide layer 15 has an epitaxial layer, grown epitaxially toward the semiconductor layer 7 selectively in a specific direction, such as in the <110> direction by being subjected to a heat treatment at 600-850°C for 30 minutes or more.例文帳に追加

シリサイド層１５は、600℃〜850℃で30min以上の熱処理が行われることにより、半導体層７へ向かって、<110>方向などの特定の方向へ選択的にエピタキシャル成長して形成されたエピタキシャル層を備えている。 - 特許庁

In the laser element portion 10A and the LED element portion 10B, a semiconductor layer containing an active layer 113, a p-side electrode 117 and an n-side electrode 118 are continuously provided to be on a common layer.例文帳に追加

レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。 - 特許庁

The method for producing the medical agent container includes heat-sealing the aluminum layer and the outer layer before forming the multi-layer film formed by an inflation method into a bag body of the medical agent container.例文帳に追加

又、本発明の薬剤容器の製造方法は、インフレーション法により形成された該多層フィルムを製袋して薬剤容器の袋体とする前に、該アルミニウム層と該外層とを、ヒートシールする、薬剤容器の製造方法である。 - 特許庁

In an array substrate of an active matrix liquid crystal display device, a disconnection part 33 of the short ring 30 within a dicing line 39 forms a metal layer 32 and an ITO layer 31 on both sides of an electric insulation layer in the middle.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板で、ダイシングライン３９の内側のショートリング３０の切断部３３は、メタル層３２とＩＴＯ層３１とを、中間に電気絶縁層を挟んで形成する。 - 特許庁

The bonded polarity inverted layer 102 is a layer to prevent propagation of dislocations D_1, D_2,..., D_8 from below, and the GaN layer 102 that is doped with magnesium (Mg) until getting high concentration equal to the solid solubility or more.例文帳に追加

ボンド極性反転層１０２は、その下からの転位Ｄ_1，Ｄ_2，・・・・・，Ｄ_8の伝播を阻止するための層で、固溶度と同程度若しくは固溶度以上の高濃度にマグネシウム（Ｍｇ）をドープしたＧａＮ層１０２である。 - 特許庁

An emulsion dry plate 1 has an emulsion layer 3 of a suspension of silver halide and gelatin on a float glass plate 2 and a light wavelength conversion layer 4 containing disazo yellow dispersed in a gelatin film and formed by applying and drying a suspension on the layer 3.例文帳に追加

エマルジョン乾板１は、フロートガラス板２にハロゲン化銀およびゼラチンの懸濁液の乳剤層３、ジスアゾイエローをゼラチン膜に分散させた懸濁液を塗布して乾燥させた光波長変換層４を有する。 - 特許庁

Each of the single layer thin film molding unit molds 19-s is formed of an upstream side single layer thin film molding unit mold 19-sU, a downstream side single layer thin film molding unit mold 19-sD and an extrusion passage.例文帳に追加

単層薄膜成形単位型１９−ｓは、上流側単層薄膜成形単位型１９−ｓＵと、下流側単層薄膜成形単位型１９−ｓＤと、押出通路とから形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device; concentration of impurities is adjusted in a silicon substrate supporting a SOI layer, and a thickness is controlled in an embedded insulation layer formed on the surface of the silicon substrate in contact with the SOI layer.例文帳に追加

SOI層を支持するシリコン基板の不純物濃度を調整すると共に、SOI層と接するシリコン基板表面に形成された埋込絶縁層の厚さを制御することにより、閾値を調整できるトランジスタが得られる。 - 特許庁

In the electric wire 1 with the welded layer comprised by covering an insulator 3 on a conductor 2 and forming a welded layer 4 composed of a thermal self-welding material on the insulator 3, the welded layer 4 is composed of modified polyolefine.例文帳に追加

導体２に絶縁体３を被覆し、該絶縁体３の上には熱自己融着材で構成される融着層４を形成してなる融着層付き電線１において、前記融着層４を変性ポリオレフィンで構成する。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor layer having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁

The method for developing the heat ray reflecting performance includes a method for providing a layer supplied with glass beads or resin beads, a metallized layer 3 or a metal foil layer 5 and a method for adding a silver colorant.例文帳に追加

この熱線反射性能を発現させる方法として、ガラスビーズ若しくは樹脂ビーズを備えた層、金属蒸着層又は金属箔層を設ける方法、および銀色着色剤を混合する方法がある。 - 特許庁

Since the amount of SOx to be collected by the upper catalyst layer 3 is remarkably larger than a theoretical value and the NOx absorption capacity of the upper catalyst layer is recovered easily, the lower catalyst layer 2 is restrained from being poisoned by sulfur, and NOx can be purified by both catalyst layers.例文帳に追加

上触媒層３は、SO_x の捕捉量が理論値より格段に多く、NO_x 吸蔵能の回復も容易であるので、下触媒層２の硫黄被毒が抑制され、しかも両触媒層でNO_x を浄化できる。 - 特許庁

A semiconductor stack structure 20 includes a first conductivity type layer 11, a light absorbing layer 12, and a second conductivity type layer 13 having a light incidence plane 13A in this order from a semiconductor substrate 10 side.例文帳に追加

半導体積層構造２０は、第１導電型層１１と、光吸収層１２と、光入射面１３Ａを有する第２導電型層１３とを半導体基板１０側から順に含んで構成されている。 - 特許庁

In the bonding layer 75, a heat transfer suppressed region is arranged on the upstream of the coolant where heat transfer between the catalyst layer 70 and gas diffusion layer 72 is more suppressed compared with that in a region downstream the coolant.例文帳に追加

接合層７５には、冷媒の上流側に、冷媒の下流側の領域より触媒層７０とガス拡散層７２との間の熱の移動が抑制されている熱移動抑制領域が設けられている。 - 特許庁

An unjoined first resin layer is provided from the pellet using an extrusion machine, and an unjoined second resin layer having a metal film layer formed by applying vapor deposition to a metal and the metallic luster is heated and pressurized.例文帳に追加

次いで、このペレットを押出成形機にて未接合第１樹脂層を得ると同時に、金属を蒸着して形成された金属膜層を備え、金属光沢を有する未接合第２樹脂を加熱及び加圧する。 - 特許庁

The semiconductor element is constituted by forming the iron silicide layer on a predetermined substrate, and forming a cap layer which is made of a silicon germanium or a silicon of crystal grain of 50 nm or less of a mean particle diameter on the above iron silicide layer.例文帳に追加

所定の基板上に鉄シリサイド層を形成し、前記鉄シリサイド層上にシリコンゲルマニウム又は平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒のシリコンからなるキャップ層を形成して半導体素子を構成する。 - 特許庁

The protective film 41 also covers a region R3 sandwiched between the formation area R1 of the first electrode layer 31 and the formation region R2 of the second electrode layer 31 in the surface of the dielectric layer 2.例文帳に追加

そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。 - 特許庁

A light-emitting device is formed by forming a buffer layer 11 on a substrate 10 of sapphire or the like, by forming an n-type GaN layer 12 on the buffer layer 11, and further by laminating semiconductor layers 14 to 20.例文帳に追加

発光デバイスは、サファイア等の基板１０上にバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型ＧａＮ層１２を形成し、さらに半導体層１４〜２０を積層することにより形成される。 - 特許庁

In the forming roll, a surface of a roll barrel part comprising a steel material is covered with an amorphous nickel alloy layer, and the amorphous nickel alloy layer is covered with the hard chrome plating layer having the surface roughness of 0.1 μmRy or less.例文帳に追加

鋼材からなるロール胴部表面にアモルファス状ニッケル合金層が被覆され、当該アモルファス状ニッケル合金層上に０．１μｍＲｙ以下の表面粗さを有する硬質クロムめっき層が被覆されている。 - 特許庁