「magnetron sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a manufacturing method of the highly resistant transparent conductive film using the target.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a high resistance transparent conductive film which can be used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and high resistance film, and to provide a manufacturing method of high resistance transparent conductive film.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.例文帳に追加

銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target for magnetron sputtering which can form a metal fluoride film free from optical absorption with high reproducibility, and in which the occurrence of deformation or cracks can be suppressed even in a high temperature state upon sputtering, and to provide a sputtering method using the target.例文帳に追加

光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

In this method in which a magnet 6 is moved, and magnetron sputtering is executed, in the process of the movement of the magnet, it is moved to the direction vertical to the surface in accordance with the increase and decrease of the voltage of magnetron discharge, and the voltage of the discharge is retained to the approximately certain one.例文帳に追加

マグネット６を移動させてマグネトロンスパッタリングする方法に於いて、該マグネットをその移動中にマグネトロン放電の電圧の増減に応じて該表面と垂直方向へ移動させてその放電の電圧をほぼ一定に維持する。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering cathode, a magnetron sputtering apparatus, and a method of manufacturing a magnetic device, for generating a leakage magnetic field sufficiently large to form a magnetic tunnel necessary for discharge on the surface of a target even when the target is a magnetic body and thick and a ferromagnetic body is used as the target.例文帳に追加

ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus for forming a transparent conductive film and a method for producing the transparent conductive film, in which equalization of thickness distribution and specific resistance distribution is achieved and a uniform region can be increased than before in the longitudinal direction of a target, in the film formation of the transparent conductive film using a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing a transparent conductive film on an organic film by a DC magnetron sputtering method using an In-Sn-O based target, the sputtering is performed with the bias voltage of -70 to -130V, and the target current of 0.1-0.7A.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により有機フィルム上に透明導電膜を形成する方法であって、前記スパッタリングは、−７０〜−１３０Ｖのバイアス電圧、０．１〜０．７Ａのターゲット電流で行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Mg metal on which an Ni treatment layer improving wear resistance is film-deposited with high adhesion by using a magnetron sputtering method, and to provide a production method thereof.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法を用いて、耐摩耗性等の向上を実現するＮｉ表面処理層を高密着に成膜したＭｇ系金属およびその製造法を提供する事。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of sputtering with sputtering apparatus for depositing a layer upon a substrate which includes a sputter target with a face exposed to the substrate and a magnetron providing a magnetic field that moves relative to the target face.例文帳に追加

基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, a highly resistant transparent conductive film using the same; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which realizes such a magnetic field shape as to enable plasma to be generated in a wide region over the surface of a target, enhances a use efficiency of a target material, and can inhibit dust and abnormal electrical discharge, and to provide a sputtering method using the apparatus.例文帳に追加

プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.例文帳に追加

ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁

A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加

カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

The method in this invention comprises: a deposition step for the film by arc evaporation; and a deposition step for the film by dual magnetron sputtering, and the deposition is performed in succession or simultaneously.例文帳に追加

本発明の方法は、アーク蒸発による前記被膜の堆積工程、およびデュアルマグネトロンスパッタリングによる前記被膜の堆積工程を含んでなり、前記堆積が順次または同時に実施される。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

The sliding mechanism is manufactured by the non-balancing type magnetron sputtering method, and a sliding material consisting of hard carbon with the hydrogen content of 20-25 at% is used.例文帳に追加

非平衡型マグネトロンスパッタリング法により製造され、水素含有量２０〜２５ａｔ％である硬質炭素からなる摺動材料を用いる。 - 特許庁

To provide a method for producing a Fe-Co-Ni-based alloy target material by which large leakage magnetic flux is obtained, of which the magnetic permeability is high, and the use efficiency in magnetron sputtering is high.例文帳に追加

大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system using an inexpensive magnetic field forming part with a simple structure, and to provide a film deposition method using the same.例文帳に追加

安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force.例文帳に追加

高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for supporting the design of magnetron sputtering, a device therefor and a program, capable of calculating and estimating an erosion distribution of a target and a film deposition distribution of a wafer in a short time only from a magnetic field structure enclosing plasma.例文帳に追加

プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering method using a magnetic substance having thickness suitable for mass production as a target, good in productive efficiency, low in the cost and excellent in cost effectiveness.例文帳に追加

量産に適した厚みをもつ磁性体をターゲットとして用い、生産効率がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加

【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁

In this method for depositing a magnetic material film, magnetron sputtering is performed by using a magnetic material target in which the maximum magnetic permeability in the thickness direction is double or above the maximum magnetic permeability in the direction vertical to the thickness direction.例文帳に追加

厚さ方向の最大透磁率が厚さ方向と垂直な方向の最大透磁率の２倍以上である磁性材ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングする磁性材膜の成膜方法。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which enables a via hole with a high aspect ratio to be filled up, and has a function of restraining peeling of dust from a deposition shield, and provide a method therefor.例文帳に追加

高いアスぺクト比のビアホールの孔埋めを可能とするとともに、防着板からの剥離ダストを抑制する機能を備えたマグネトロンスパッタ装置とその方法を提供すること。 - 特許庁

In a magnetron sputtering film deposition method for producing a thin film by which the film deposition is performed by masking a part of a target, the mask includes an area where the re-adhesion (deposition) amount on the target is larger than the sputtering amount of the target, and includes an area where the sputtering amount of the target is comparable with the re-adhesion (deposition) amount on the target.例文帳に追加

薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus capable of producing an electrolyte thin film free from damage to the surface due to energy in plasma, to provide a method for producing a solid electrolyte thin film using the apparatus, and to provide a method for producing a thin film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

The first porous electrode is manufactured by a magnetron sputtering method at low temperature in a vacuum vessel in which an inert gas and an oxygen gas in its rate of 10 to 90% expressed in terms of patial pressure exist and which has 0.5 to 6.0 Pa total pressure.例文帳に追加

第１の多孔質電極は、不活性ガスの他に酸素ガスが分圧換算で１０％以上、９０％以下の割合で存在し、全圧が０．５Ｐａ以上、６．０Ｐａ以下である真空槽中でマグネトロンスパッタリングによって低温下で形成される。 - 特許庁

By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁