「melting interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To lower interface resistance between a polysilicon film and a high- melting point metal film, in a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

An interface surface 31 of the doubling plate 3 has an aluminum thermal spraying layer 32 formed by spraying aluminum put in a melting state.例文帳に追加

添板３の接合面３１は、溶融状態にしたアルミを吹き付けることによって形成されるアルミ溶射層３２を有する。 - 特許庁

Desirably, compression is carried out so that permanent compressive distortion in the joint interface becomes 4% or more, and in connecting, it is recommend that the joint interface be heated at a temperature lower than the melting point of the brazing filler material.例文帳に追加

接合界面の永久圧縮歪みが４％以上となるように圧縮するのが良いし、接合に際して、接合界面をろう材の融点よりも低い温度に加熱するのが良い。 - 特許庁

Furthermore, the method for manufacturing the resin coated metal plate comprises the step of heating an interface region between the tin-plated layer and the silane coupling agent coating layer, the silane coupling agent coating layer, and the interface region between the silane coupling agent coating layer and the resin layer to (the melting point of the resin)-10°C to (the melting point of the resin)+100°C.例文帳に追加

また、少なくとも、前記錫めっき層と前記シランカップリング剤塗布層との界面領域、シランカップリング剤塗布層及び前記シランカップリング剤塗布層と前記樹脂層との界面領域を、前記樹脂の融点−１０℃〜前記樹脂の融点＋１００℃に加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

To attain unidirectional crystal growth of large size grains by making the recessed surface of a solid-liquid interface into a horizontal surface within a melting furnace.例文帳に追加

溶解炉内において、固液界面が凹面状から水平面状となるようにし、一方向性の大粒径の結晶成長を可能とする、 - 特許庁

To provide a structure of the detail of a dual interface IC card, capable of preventing any obstacle due to any flux scattering in case of cream solder melting, and to provide a method for manufacturing the dual interface IC card.例文帳に追加

本発明の解決しようとする課題は、クリーム半田溶融時のフラックス飛散による障害を防止することが可能な、デュアルインターフェイスＩＣカードの細部の構造ならびに製造方法を提案するものである。 - 特許庁

The solder bonding part has segregation of a low-melting-point phase of solder on an interface between the land 32 on the back surface 13b side and a fillet 22 of lead-free solder 21.例文帳に追加

はんだ接合部は、裏面１３ｂ側のランド３２と鉛フリーはんだ２１のフィレット２２との界面に、はんだの低融点相の偏析を有する。 - 特許庁

To inhibit the formation of alloy layer with low strength and low melting point at the interface between a land and solder, and to assure satisfactory quality and reliability of solder bonding.例文帳に追加

ランドとはんだとの界面に低強度・低融点合金層が形成されることを抑制し、はんだ接合の品質や信頼性を充分に確保する。 - 特許庁

Further, the overlapped synthetic output of a plurality of laser beams causes absorption and melting at the contact interface of the thermoplastic transparent resins.例文帳に追加

また、複数のレーザー光を重ね合せた合成出力は、熱可塑性透明樹脂の当接界面において吸収溶解が起こる出力である。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate substrate using conductive paste having a low melting point metal, which does not cause a void on an interface between copper foil and the conductive paste having the low melting point metal and is highly reliable in connection.例文帳に追加

低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイドが発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an increase in interface resistance caused by the natural oxidation of a high melting point silicide layer can be prevented while relaxing restrictions on a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセス上の制約を緩和しつつ、高融点金属シリサイド層の自然酸化による界面抵抗の増大を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The glass melting furnace 10 comprises a glass melting vessel used for melting multi-component inorganic oxide glass G and made from a platinum group element and has a structure that buffering refractory 22 is arranged along an inner wall material 21 in the vessel on a place which is in contact at least with a gas-liquid interface of molten glass.例文帳に追加

本発明のガラス熔融炉１０は、多成分系無機酸化物ガラスＧの熔融に供する白金族元素で作製されたガラス熔融容器よりなるガラス熔融炉１０であって、少なくとも熔融ガラスの気液界面に接する箇所に該容器内の内壁材２１に沿って緩衝耐火材２２を配設した構造であることを特徴とする。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

To suppress the generation of oxygen bubble on the contacting interface between a molten glass and a noble metal component of a glass-melting apparatus, especially a noble metal-lined component of a feeding channel.例文帳に追加

ガラス溶融体と、ガラス溶融装置の、貴金属から成る構成部品、特に供給路の貴金属ライニングの構成部品との接触界面における酸素気泡の形成を抑制する。 - 特許庁

To provide surface treatment copper foil without generating a void or a crack in an interface between copper foil and conductive paste including a low melting point metal, and to provide a laminated circuit substrate capable of using the conductive paste including the low melting point metal by using the copper foil and high in connection reliability.例文帳に追加

銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない表面処理銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide the subject structural body where a metallic cap is sealed via low-melting glass on a glass ceramic base in a surface-mounted type quartz oscillator or the like, causing no debonding at the seal interface between the low-melting glass and glass ceramic.例文帳に追加

表面実装型水晶振動子等におけるガラスセラミック製ベースに低融点ガラスを介して金属製のキャップを封止した封止構体において、低融点ガラスとガラスセラミックとの封止界面で剥離することがない低融点ガラスおよびガラスセラミック封止構体を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加

高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide an apparatus for detecting a solid-liquid interface with which the position of the solid-liquid interface in a melting crucible can accurately and easily be grasped at real time, and to provide a casting apparatus and a casting method with which a good quality ingot suitably controlled in the solidifying direction can be cast by using the above detecting apparatus.例文帳に追加

溶融ルツボ内での固液界面の位置を正確かつリアルタイムで容易に把握することができる固液界面検出装置、およびこれを用いて固化方向が適切に制御された良質なインゴットを鋳造可能な鋳造装置及び鋳造方法を提供する。 - 特許庁

When a predetermined current is passed to the storage unit, the recording layer is heated by substantially exceeding a melting point, and a cavity is formed near the interface between the recording layer 103 and the lower electrode layer 102.例文帳に追加

記録ユニットに所定の電流を流すと、記録層１０３は融点を大幅に超えて加熱され、記録層１０３と下部電極層１０２との界面近傍に空洞Ｒが形成される。 - 特許庁

By installing the metal covered layer, invasion of the low melting point metal into a joining interface in joining the electric contact with the electrode rod can be inhibited, and generation of joint defect and peeling-off can be prevented.例文帳に追加

金属被覆層を設けたことで、電気接点を電極棒に接合する際に接合界面に低融点金属が侵入するのを阻止でき、接合不良や剥離が生ずるのを防止できる。 - 特許庁

When the position P of the solid-liquid interface of lithium tetraborate reaches a position corresponding to the melting point temperature of lithium borate single crystal in the vertical Bridgman furnace 11, raising of the crucible 15 is stopped and the crucible is kept at the position.例文帳に追加

四ほう酸リチウムの固液界面位置Ｐが、垂直ブリッジマン炉11内の四ほう酸リチウム単結晶の融点温度位置に達すると、るつぼ15の上昇を停止させ、その位置で保持させる。 - 特許庁

To provide a rubber composition having high elasticity, high tensile strength, excellent heat generation property and fatigue property, and excellent dispersibility of an inorganic filler by melting and kneading vulcanizable rubber, a polyamide elastomer having a melting point of 100-180°C, and a silane coupling agent together to activate the interface between different kinds of polymers for compatibilization.例文帳に追加

加硫可能なゴム、融点が１００〜１８０℃のポリアミドエラストマーおよびシランカップリング剤を溶融混錬することで、異種高分子間の界面を活性化させることで相溶化し、高弾性で、引張強度が高く、発熱性、疲労性さらには無機充填剤の分散性の優れたゴム組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated circuit board with high connection reliability, in which voids or cracks do not occur in an interface of copper foil and conductive paste comprising a low melting point metal in the laminated circuit board using conductive paste formed of tin and silver.例文帳に追加

錫と銀からなる導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド、亀裂が発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁

To remove soot attached around a spray 22 by adjusting an introduction amount of an organic solvent, a heating temperature and the like according to physical properties such as a melting point of an analyzing object without decomposing an ionized interface for an APCI.例文帳に追加

APCI用のイオン化インタフェイスの分解をせずに、分析対象物の融点等、物性に応じて有機溶媒の導入量や、加熱温度等によって、噴霧部２２周辺に付着したすすを除去することを目的とする。 - 特許庁

At the interface between the welt part 1 and the hollow sealing part 3, a thin layer 7 constituted by an ethylene copolymer of which melting point is lower than that of a construction material is placed, and a similar thin layer 8 is placed along the outer side of a core material 5.例文帳に追加

ウエルト部１と中空シール部３との界面には、構成材料よりも融点が低いエチレン−酢酸ビニル共重合体からなる薄層７が設けられ、芯材５の外側の面に沿って、同様の薄層８が設けられる。 - 特許庁

To solve the problem that a contact resistance in an interface between silicon films is increased by the mutual diffusion of dopants between the p-type silicon and the n-type silicon through a high-melting point metal and a metal nitride film formed above the silicons, in a dual polymetal gate electrode.例文帳に追加

デュアルポリメタルゲート電極において、ｐ型シリコンの不純物とｎ型シリコンの不純物がその上に形成した高融点金属や金属窒化膜などを介して相互に拡散することによりシリコン膜界面の接触抵抗が増大する。 - 特許庁

To provide an information recording medium having excellent rewriting performance over a number of times and provided with interface layers having an excellent storage life under humidification environment, in the information recording medium using a high melting point phase transition recording layer material.例文帳に追加

本発明の目的は、高融点相変化記録層材料を使用した情報記録媒体において、多数回書換性能に優れ、なおかつ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層を備える情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive fine particles which can hardly generate destruction on an interface between a conductive layer and a low melting-point metal layer and can attain high reliability, to provide an anisotropic conductive material using the conductive fine particles, and to provide a connection structure.例文帳に追加

導電層と低融点金属層との界面において破壊が生じにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。 - 特許庁

Since respective metal films 6, 10 have a metal element of which the melting point is higher or lower in ionization tendency, or easier to form passivity than respective oxide films 7, 9, it becomes difficult to react at an interface of respective film layers with the oxide films 7, 9 in high temperature environment.例文帳に追加

各金属膜６、１０は各酸化物膜７、９よりも融点の高い、若しくはイオン化傾向の低い、または不動態を形成し易い金属元素を有するので、高温環境下で酸化物膜７、９とのそれぞれの膜層の界面で反応し難くなる。 - 特許庁

A method for producing the heat resistant air filter comprises steps of joining the filter element 1 and the outer frame 2 by applying the adhesive for the heat resistant air filter in the joining interface between the filter element 1 and the outer frame 2, removing the dispersant by heating, and melting and solidifying the glass powder.例文帳に追加

この耐熱エアフィルタ用接着剤をフィルタ素子１と外枠２との接着界面に介在させてフィルタ素子１と外枠２とを当接し、加熱により分散媒を除去した後、ガラス粉末を溶融固化させる耐熱エアフィルタの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electronic part, after a terminal part is soldered with the solder mainly composed of Sn and Zn, heat treatment is performed at a temperature of 80°C or above and not over a melting temperature of the solder, to deposit a Zn layer on an interface between the solder joint part and the terminal part of the electronic part.例文帳に追加

SnとZnを主とするはんだにより端子部をはんだ付けした後、80℃以上、該はんだの溶融温度以下の温度で熱処理を行い、はんだ接合部と電子部品の端子部との界面にZn層を析出させる電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide an electric earthing device of a float glass manufacturing apparatus which inhibits an interface reaction in the manufacturing process so that the flow of direct electric current depending on an electrochemical influence between a melting tank and a downstream float tank is at least minimized.例文帳に追加

製造過程における境界面反応を抑制して溶融タンクと下流のフロートタンク間における電気化学的影響に依存した直流電流の流れが少なくとも最小限に抑えられるフロートガラス製造装置の電気的設置装置を提供する。 - 特許庁

The vicinity of the interface between the lower end of a core rod 10 and a dummy rod 17 is annealed at 1,550°C prior to drawing to form a mixed phase of a foreign matter contained in the dummy rod and silicon oxide around it, thereby reducing the melting point of the foreign matter.例文帳に追加

線引に先立ち、コアロッド１０の下端側のダミーロッド１７との界面近傍を１５５０℃でアニールし、ダミーロッドに含有される異物とその周囲の酸化シリコンとで混合相を形成するようにし、異物を低融点化したことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a control method of the position of an axial direction on a phase interface where a melt crystallizes, in a method for producing a single crystal of a semiconductor material by melting granules of a semiconductor material on a dish having a run-off tube made of the semiconductor material and growing a single crystal downward.例文帳に追加

半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。 - 特許庁

There is provided at least one of a bubbling lance and a furnace structure penetration nozzle for producing fluidization from a furnace peripheral edge section toward a furnace center section on an interface between a melting slag melt section and a covering layer of an inserted waste located just above the former, and for promoting a heat movement to the inserted waste.例文帳に追加

ガス吹込みにより溶融スラグ浴部とその直上の装入廃棄物のカバーリング層との界面に炉周縁部から炉中心部に向かう流動を生じさせ、装入廃棄物への熱移動を促進させるバブリングランスおよび炉体貫通ノズルのうちの少なくとも一方を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby no damage is caused to an Si substrate, controllability of high melting point metallic silicide (Ti silicide)/Si interface is improved, junction leakage is reduced, thin junction is formed, and thermal stability of a silicide film is improved.例文帳に追加

Ｓｉ基板にダメージを与えることがなくなり、高融点金属シリサイド（Ｔｉシリサイド）／Ｓｉ界面の制御性をよくし、接合リークを低減し、浅い接合形成を可能にし、シリサイド膜の熱的安定性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Lines of magnetic flux M generated in a coil 22 surrounding the periphery of the melting crucible 11 are directly transmitted into a region of solidified silicon 41 having low conductivity, but are deformed so as to avoid a region of fused silicon 42 having high conductivity by making the boundary of the solid-liquid interface S (lines of magnetic flux Ma portion in the figure 3).例文帳に追加

溶解ルツボ１１の周縁を取り巻くコイル２２に生じる磁束線Ｍは、導電率の低い固化シリコン４１の領域はそのまま透過するが、固液界面Ｓを境にして導電率の高い溶融シリコン４２の領域を避けるように歪む（図３中の磁束線Ｍａ部分）。 - 特許庁

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.例文帳に追加

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

A high-hardness hydrophobic porous complex with carbon fine particles uniformly dispersed is obtained by condensing dispersed liquid of FEP resin and the carbon fine particles by an electrophoretic deposition method or a phase separation method using a colloidal state of non-ion interface activator and heating it up to a temperature higher than a melting point of the FEP resin.例文帳に追加

フッ素樹脂及び炭素微粒子の分散液を、電気泳動電着法又は非イオン界面活性剤のコロイド化を利用した相分離法で濃縮し、これをフッ素樹脂の融点以上の温度に加熱することにより、炭素微粒子が均一に分散されかつ硬度の高い疎水性多孔質複合体を得る。 - 特許庁

To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.例文帳に追加

高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁

This method comprises irradiating a polytetrafluoroethylene resin with ionizing radiation at a temperature lower than its crystalline melting point and subjecting the resultant radicals to graft reaction with tetrafluoroethylene monomers, thus forming the crosslinked structure round the amorphous region and interface of the resin.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン樹脂にその結晶融点以下の温度において電離性放射線を照射し、それによって生成したラジカルにテトラフルオロエチレンモノマーをグラフト反応させることにより、前記樹脂の非晶領域と界面を中心に架橋構造を形成させることを特徴とする、架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法である。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁