| 例文 |
memory processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2040件
To avoid interruption in process of data reading when reading and processing data from a memory having a slow data transfer rate such as a disk storage.例文帳に追加
ディスクストレージなどのデータ転送速度が遅いメモリからデータを読み込んで処理する場合において、処理が、データ読み込みによって中断しないようにすることができる。 - 特許庁
To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.例文帳に追加
製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁
When the transmission time calculated in the process comes, transmission images are pulled out of an image memory, and a transmission operation is performed via a communication control part and a modem.例文帳に追加
上記過程において算出した送信時刻が来た場合、画像メモリから送信画像を引き出し、通信制御部及びモデムを介して送信動作を行なう。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of preventing damage of etching by protecting a tunnel insulating film exposed upon a gate pattern etching process.例文帳に追加
ゲートパターンエッチング工程の際に露出するトンネル絶縁膜を保護してエッチング損傷を防止することが可能な半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method of this semiconductor memory device, a source wiring layer is formed under a field oxide film by implantation of ions with a high acceleration energy without a field oxide film removing process.例文帳に追加
その製造方法は、フィールド酸化膜の除去工程を経ずに、高加速エネルギーでのイオン注入によりフィールド酸化膜下にソース配線層を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can ensure high yield while suppressing electric resistance between a capacitor and a capacity contact plug, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
キャパシタ−容量コンタクトプラグ間の電気抵抗を小さく抑えることができ、高い歩留まりが得られる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pulse-width control circuit and a semiconductor memory capable of appropriately controlling a pulse width depending on process dependence and variation in wiring width of a transistor.例文帳に追加
トランジスタのプロセス依存と配線幅のばらつきとに応じて適切なパルス幅に制御することが可能なパルス幅制御回路及び半導体メモリを提供すること。 - 特許庁
The image adjusting process control is performed whenever the number of printed sheets reaches a prescribed value, and the adjusted output value is recorded in the nonvolatile memory on the toner cartridge.例文帳に追加
この画像調整プロセス制御は、プリント枚数が所定の値となる毎に実行し、調整後の出力値を上記トナーカートリッジ上の上記不揮発性メモリに記録する。 - 特許庁
The control circuit varies the level of the step-up voltage according to a distribution width of a first threshold voltage distribution generated in the process of writing operation to the memory cells.例文帳に追加
制御回路は、メモリセルに対する書き込み動作の過程において生じる第1の閾値電圧分布の分布幅に従って、ステップアップ電圧の大きさを変更する。 - 特許庁
Transaction information including a transaction amount, transaction date and time transmitted by a credit terminal of a credit system is stored in the memory of the IC card in process of processing about credit transaction.例文帳に追加
クレジット取引についての処理の過程でクレジットシステムのクレジット端末が送信する取引金額と取引日時とを含む取引情報をICカードのメモリに記憶する。 - 特許庁
To allow the user of a client device to independently and quickly process job information by temporarily preparing a specific memory box for each job requested from a client device.例文帳に追加
クライアント装置から要求されるジョブ毎に特定のメモリボックスを一時的に作成して該ジョブ情報をクライアント装置のユーザが独自に、かつ、高速に処理することである。 - 特許庁
To provide a data processor capable of preferentially starting an interrupt process if an interrupt request occurs in the middle of burst transfer into a cache memory.例文帳に追加
キャッシュメモリへのバースト転送が行われている最中に割り込み要求が発生した場合に、割り込み処理を優先的に開始することが可能なデータ処理装置を得る。 - 特許庁
DISPLAY METHOD OF ANALYTIC RESULT OF INJECTION MOLDING PROCESS, METHOD FOR SETTING AND SUPPORTING INJECTION MOLDING CONDITION, APPARATUS FOR SETTING AND SUPPORTING INJECTION MOLDING CONDITION, PROGRAM AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
射出成形過程の解析結果の表示方法、射出成形条件の設定支援方法、射出成形条件の設定支援装置、プログラムおよび記憶媒体 - 特許庁
To save and effectively use a storage capacity of a recording medium such as a memory card and reduce tabulation process time by shortening a collected operation information data length.例文帳に追加
運行情報収集データ長を短縮化して、メモリカード等の記録媒体の記憶容量の節約、有効利用及び集計処理時間の短縮化を達成する。 - 特許庁
A process can overlay itself with the memory image of another program, passing to the newly created image a set of parameters, using the system call execve . 例文帳に追加
プロセスは execveシステムコールを用いることで、 別のプログラムのメモリイメージで自分自身を上書きして、新しい引数の組をその新しく作成したイメージに引き渡すことができます。 - FreeBSD
These IDs are used by the kernel to determine the permissions that the process will have when accessing shared resources such as message queues, shared memory, and semaphores. 例文帳に追加
これらの ID は、メッセージキュー、共有メモリ、セマフォなどの共有リソースにアクセスしようとした際にそのプロセスがアクセス許可を持っているかをカーネルが判定するのに使用される。 - JM
was specified and the size of the to-be-locked segment would mean that the total bytes in locked shared memory segments would exceed the limit for the real user ID of the calling process. 例文帳に追加
が指定され、ロックされる予定のセグメントのサイズ(ロックされる共有メモリ・セグメントの合計バイト数) が、呼び出したプロセスの実ユーザー ID についての制限を超えた。 - JM
An asynchronous processing device is configured to process data stored in a local storage and a memory which is accessible by at least several of asynchronous processing devices.例文帳に追加
非同期の処理デバイスは、ローカルストレージおよび複数の非同期の処理デバイスのうちの少なくともいくつかによってアクセス可能なメモリに記憶されるデータを処理する。 - 特許庁
Then the electronic signature of the USB memory 20 is verified in a retrospective and recursive fashion so as to verify if the user has performed a process conforming to the access right given.例文帳に追加
そして、事後的にUSBメモリ20の電子署名を再帰的に検証することで、ユーザが与えられたアクセス権に従った処理を行っていたかを検証する。 - 特許庁
The reduced power state entry process includes saving expedited recovery information in registers of an always on domain and putting an external memory in a self-refresh mode to preserve a system context.例文帳に追加
減少電力状態エントリープロセスは、迅速回復情報を常時オンドメインのレジスタにセーブし、外部メモリを自己リフレッシュモードとしてシステムコンテクストを保存する。 - 特許庁
To surely prevent a capacitive insulating film constituting the capacitor of a semiconductor memory device from being degraded due to hydrogen, by means of a simpler manufacturing process than before.例文帳に追加
従来よりも簡素化された製造プロセスにより、半導体記憶装置のキャパシタを構成する容量絶縁膜の水素による劣化を確実に防止できるようにする。 - 特許庁
The PDF rendering process of the printer accesses the database to obtain the next memory location of the data block of PDF, which is required for rendering, and retrieves the data block for processing.例文帳に追加
プリンタのPDFレンダリング処理は、レンダリングのために次に必要なるPDFのデータブロックの記憶場所を得るために、データベースにアクセスし、処理のためにデータブロックを読み出す。 - 特許庁
The host processor 20 includes: a scheduling processing part; and a shared memory allocation processing part allocating an application are corresponding to a process allocated to each the slave processor 30.例文帳に追加
ホストプロセッサ20は、スケジューリング処理部と、各スレーブプロセッサ30に割り振ったプロセスに対応したアプリケーション領域を割り当てる共有メモリ割り当て処理部とを含む。 - 特許庁
In order to process a frame of source data for interleave/de- interleave or an interleaved data frame, the memory stores the frame in the interleave/de-interleave processing unit.例文帳に追加
インターリーブ/ディインターリーブを行うためのソースデータのフレーム、またはインターリーブされたデータフレームを処理するために、インターリーブ/ディインターリーブ処理単位別にメモリに格納する。 - 特許庁
An image input device 10, processing parts 11 to 14, and an image output device (processing parts 10 to 15) process data asynchronously and share a memory 18.例文帳に追加
画像入力装置10と処理部11〜14と画像出力装置15(以下、処理部等10〜15という)とは、非同期でデータ処理を行ない、メモリ18を共有する。 - 特許庁
Meanwhile, the processor 10 reads a group of instructions about the OS from a flash memory 14 and executes them concurrently in time with the execution of the preparatory process by the processor 11.例文帳に追加
一方、プロセッサ10は、プロセッサ11による準備処理の実行と時間的に並行して、フラッシュメモリ14からOSに関する命令群を読み出して実行する。 - 特許庁
To provide a portable terminal device that can process and edit pleasant memory video by skillfully combining video imaged by a camera, video sent from a partner and the like.例文帳に追加
カメラで撮影した映像、相手から送信された映像などを巧みに組み合わせて楽しい思い出映像を加工、編集できる携帯端末装置を提供する。 - 特許庁
When it is not the same as the previous ON key, a key history in a memory is updated (step S6), key processing is executed (step S7), and thereafter the process returns to the step S1.例文帳に追加
しかし、前回のONキーと一致しない場合には、メモリのキー履歴を更新するとともに(ステップS6)、キー処理を実行した後(ステップS7)、ステップS1に戻る。 - 特許庁
A recording and reproducing device includes read/write control means for performing a writing process of information concerning contents transmitted from a higher-level CPU section 2 into an optical disk 24 and a nonvolatile memory 23.例文帳に追加
上位CPU部2から送信されるコンテンツに関する情報を光ディスク24に書き込む処理を行うリードライト制御手段と、不揮発性メモリ23を備えている。 - 特許庁
To provide a control unit for a vehicle for enhancing reliability in rewriting a program in nonvolatile memory, and increasing the flexibility of process settings in a manufacturing line and a maintenance line.例文帳に追加
この発明は、不揮発性メモリのプログラムの書換え時の信頼性を向上し、製造ラインや整備ラインでの工程設定の自由度を増すことを目的とする。 - 特許庁
When the instruction cache memory 5 is hit as stated above, the need for the process of randomly accessing the SDRAM 3 is eliminated and the CPU 2 does not wait for operation.例文帳に追加
また、上記のように命令キャッシュメモリ5がヒットしているとき、SDRAM3に対してランダムアクセスの処理を行う必要がなく、CPU2の動作にウエイトが生じない。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has a non-volatile semiconductor memory, in which trenches different in depth can be formed without complicating a process and a detailed memory cell can highly precisely be formed, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリを有する半導体装置において、工程の複雑化を招くことなく深さの異なるトレンチを形成しうるとともに、微細なメモリセルを高精度に形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
An information processor specifies a free space allocated to none of processes within a shared memory 103A when a first OS 300 that controls a first process 310 requesting allocation of the shared memory 103A has no virtual storage functions.例文帳に追加
共有メモリ103Aの割り当てを要求した第1のプロセス310を制御する第1のOS300が仮想記憶機能を有しない場合に、共有メモリ103A内でどのプロセスにも割り当てられていない空き領域を特定する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース/ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming the nonvolatile memory in a memory region Rm on a silicon substrate 1, wherein a selection gate electrode CG is formed on the principal surface of the silicon substrate 1 and a dummy gate DG adjoining one sidewall surface is formed.例文帳に追加
シリコン基板1上のメモリ領域Rmに不揮発性メモリを形成する工程であって、シリコン基板1の主面に選択ゲート電極CGを形成し、いずれか一方の側壁面に隣り合うダミーゲートDGを形成する。 - 特許庁
A process known as loading operation reads out an instruction and data from a cache memory element, decodes the instruction, converts a memory format into a register format, and writes the converted data in a register file block 56 in a floating point unit 50.例文帳に追加
キャッシュメモリ要素(81)からの命令及びデータの読み出し、該命令のデコード、メモリフォーマットからレジスタフォーマットへの変換の実行、及び該変換したデータの浮動小数点ユニット(50)のレジスタファイルブロック(56)への書き込みを行うプロセスは、ロード動作として知られる。 - 特許庁
An internal impedance value in an initial state of each pre-measured battery cell at a stage of a manufacturing process is stored in the memory, and the internal impedance newly obtained during charging is stored for update in the memory every time charge/discharge is repeated.例文帳に追加
メモリには予め製造工程の段階で測定された各電池セルの初期状態における内部インピーダンスの値が記憶されており、充放電が繰り返される毎に、充電時に得た新たな内部インピーダンスをメモリに記憶して更新する。 - 特許庁
Replacement data holding section 104 and 204 store address information corresponding to a defective memory cell detected in a manufacturing process of a memory chip, and can change address information outputted in accordance with additional replacement information externally given.例文帳に追加
置換データ保持部104および204は、メモリチップの製造工程中において発見された不良メモリセルに対応するアドレス情報を記憶し、かつ外部から与えられる追加置換情報に応じて、出力されるアドレス情報を変更可能である。 - 特許庁
Next, in response to this instruction, the buffer memory is configured so as to give the number of image frames corresponding to the discontinuity in the numbering of image frames, and the image frames to be given by the buffer memory are used in a decoding process.例文帳に追加
次に、この指示に応答して、上記のバッファメモリを、画像フレームの番号付けにおける不連続に対応する数の画像フレームを与えるように構成し、このバッファメモリによって与えられる画像フレームを復号プロセスにおいて使用する。 - 特許庁
A memory cell left in an initial state is provided without performing write-in/erasure even in an inspection process in a region of a memory cell side storing data, Vt setting of a reference cell is performed performing verifying of the reference cell basing the cell as reference.例文帳に追加
本発明は、データを記憶するメモリーセル側の領域で、検査工程中も書込み/消去を行わず初期状態で残しておくメモリーセルを設け、そのセルを基準としてリファレンスセルのベリファイを行いながら、リファレンスセルのVt設定を行う。 - 特許庁
In this process, the hologram memory 1 is irradiated with first reference light from a second light source to reproduce all the recorded multi-hologram and the hologram memory 2 to be a copy is irradiated with the above multi-hologram and second reference light from a third light source 5.例文帳に追加
この時、ホログラムメモリ2に第二光源から第一参照光を照射して、記録されている多重ホログラムを一括再生し、コピーとなるホログラムメモリ2に上記多重ホログラムと第三光源5から第二参照光とを照射する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory capable of reducing a load in a process of a controller or an exchange between a flash memory and the controller, achieving a simplification of the controller and an improvement of the performance, and further materializing a new function which has not been achieved up to this time.例文帳に追加
コントローラの処理の負荷やフラッシュメモリとコントローラ間のやり取りを低減でき、コントローラの簡略化や性能の向上を実現でき、さらに、今まで得なし得なかった新しい機能を実現することが可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
To provide an inexpensive, large storage capacity, low-crosstalk nonvolatile memory being driven with low power consumption and especially optimal as the memory of a portable apparatus by providing a metal oxide having variable electric resistance between opposing electrodes, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、低消費電力で駆動する低コスト、大記憶容量の低クロストークの特に携帯用機器のメモリとして最適な不揮発性メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory structure having a constitution of a memory cell array which can process many input/output data simultaneously in parallel and a redundant relieving circuit which can perform efficiently redundant relieving for the above.例文帳に追加
同時並列に多数の入出力データを取扱うことができるメモリセルアレイの構成と、これに対して効率的に冗長救済を行なうことのできる冗長救済回路とを併せ持つ半導体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁
A parameter calculating unit 48 calculates a parameter value at each time through an interpolation process based on a parameter value at a telediastole stored in a telediastole memory 42 and a parameter value at a telesystole stored in a telesystole memory 44.例文帳に追加
パラメータ演算部48は、拡張末期用メモリ42に格納された拡張末期におけるパラメータ値と、収縮末期用メモリ44に格納された収縮末期におけるパラメータ値に基づいて、各時刻のパラメータ値を補間処理により算出する。 - 特許庁
Since the LSU4 can access the SPRAM 42 with almost the same latency as the DCACHE, once data stored in the external memory is stored in the SPRAM 42, a processor subsequently accesses the SPRAM 42, can perform data processing and can process more mass data than the external memory in a short time.例文帳に追加
LSUは、DCACHEとほぼ同じレイテンシーでSPRAMにアクセスできるため、外部メモリに格納されたデータを、いったんSPRAMに格納すれば、その後、プロセッサはSPRAMにアクセスしてデータ処理を行うことができ、外部メモリよりも短時間に大量のデータを処理できる。 - 特許庁
In the judging device 2, the number of printed sheets stored in a memory chip 90, that is, the number of printed sheets in accordance with the residual toner amount in the process cartridge 46 with the attached memory chip 90 is input by the reading part 400 of a judgement program 4.例文帳に追加
判定装置2において、判定プログラム4の読込部400は、メモリチップ90に記憶されている印刷枚数であって、このメモリチップ90が取り付けられていたプロセスカートリッジ46のトナー残量に応じた印刷枚数を入力する。 - 特許庁
To provide a method of forming a floating gate of a flash-memory device capable of perfectly eliminating the influence on a moat and EFH, simplifying the manufacturing process, and solving the wafer stress by a nitride film, to effectively enhance the coupling ratio of the flash-memory device.例文帳に追加
モウト及びEFHに対する効果を完全に除去するうえ、工程の単純化及び窒化膜によるウェーハストレスを解決し、フラッシュメモリ素子のカップリング比を効果的に向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁
Whether or not the memory of the event condition needed for in-day fluctuation correcting computation is satisfied is determined (S11), and the event condition memory data needed for in-day fluctuation correcting computation are read (S12) and in-day fluctuation correcting computation process is carried out (S13).例文帳に追加
日内変動補正演算に必要なイベント条件のメモリを満足しているか否かを判定し(ステップ11)、日内変動補正演算に必要なイベント条件下メモリデータを読み出し(ステップ12)、日内変動補正演算処理を行う(ステップ13)。 - 特許庁
An interruption control circuit 24 stops the process being executed by issuing an interruption to the CPU 1 and with the instruction of the memory over-write control circuit 25, the write/read/erase control circuit 16 over-writes the data stored in the memory cell 6.例文帳に追加
割り込み制御回路24は、CPU1に割り込みをかけて実行中の処理を停止させ、メモリ上書き制御回路25の指示により、書き込み/読み出し/消去制御回路16がメモリセル6に格納されているデータの上書きを行う。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright 1994-2010 The FreeBSD Project. All rights reserved. license |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|