「memory reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A part which has high correlation to an input block 13 is extracted from the image 14-1, which is present in a decoded image memory 8 and has been decoded last to obtain a reference image candidate area 15-1.例文帳に追加

入力ブロック１３と相関性の高い部分を復号画像メモリ８内に存在する最後に復号化された画像１４−１から抽出して参照画像候補領域１５−１とする。 - 特許庁

Consequently, the reference information of the system is recorded in the two memories or recording areas alternately, and the memory area to be used is displayed.例文帳に追加

これにより、システムの参照情報を二つのメモリあるいは記録領域に交互に記録し、使用するメモリ領域を表示することにより貯蔵エラーが発生しても参照情報を安全に貯蔵しうる。 - 特許庁

From a temperature detected by means of a temperature sensor 110 arranged in the reference position, a matching deviation temperature inside the constitutional information memory 105 is read so as to be added/ subtracted for predicting a temperature of the part with a life.例文帳に追加

上記基準位置に設けた温度センサ１１０で検出した温度から、構成情報メモリ１０５内の対応偏差温度を読み出し加減算し、各有寿命部品温度を予測する。 - 特許庁

According to the method, reference potential connection patterns 15 are formed on high-frequency signal lines arranged on the print board 11 of a memory module, and/or on the extensions of the terminals of the signal lines.例文帳に追加

従来、メモリモジュール基板内部の信号線をグランド層、又は、配線で取り囲むといった対策、更に、金属カバーの接地による遮蔽法があったが、その効果は十分なものではなかった。 - 特許庁

Two sets of memory cell arrays U and L are provided, reference cells RCELLU and RCELLL discharging respective bit lines, when they are selected are connected to respective bit lines BITUn and BITLn.例文帳に追加

２組のメモリセルアレイＵ・Ｌが設けられ、それぞれのビット線ＢＩＴＵｎ・ＢＩＴＬｎには、選択されたときに各ビット線をディスチャージするリファレンスセルＲＣＥＬＬＵ・ＲＣＥＬＬＬが接続されている。 - 特許庁

The fluctuation of image pickup signal level to a reference level when using the flash device is checked for every set of the image pickup device beforehand and an adjustment value for correcting the fluctuation is obtained and stored in the nonvolatile memory 22.例文帳に追加

予め撮像装置のセット毎にストロボ使用した場合の撮像信号のレベルの基準レベルに対する変動を調べ、この変動を補正する調整値を求め、不揮発性メモリ２２に格納する。 - 特許庁

Each magnetic memory cell (302) features at least one ferromagnetic data layer (304) of a first size, an intermediate layer (306) that contacts the data layer (304), and at least one ferromagnetic reference layer (308) of a second size.例文帳に追加

各磁気メモリセル(302)は、第１のサイズの少なくとも１つの強磁性データ層(304)と、データ層(304)に接触する中間層(306)と、第２のサイズの少なくとも１つの強磁性基準層(308)を提供する。 - 特許庁

The control part 3 reads a reference angle and middle and low traveling speeds from a memory, and immediately controls a traveling motor 7, and switches the traveling speed of a traveling wheel 10a to the middle speed.例文帳に追加

制御部３は、メモリから基準角度と、中速および低速の走行速度とを読み込み、直ちに走行モータ７を制御し走行車輪１０ａの走行速度を中速に切り替える。 - 特許庁

A semiconductor memory 100 is provided with a differential sense amplifier 9 having an input terminal 9a and an input terminal 9b, an information read-out section 110a, a reference section 110b, and a control section 140.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、入力端９ａと入力端９ｂとを有する差動センスアンプ９と、情報読出し部１１０ａと、レファレンス部１１０ｂと、制御部１４０とを備える。 - 特許庁

An arithmetic operation part 18 detects the defective pixel of the imaging device 8 based on the picked-up image of the reference plate 14, generates pixel defect information based on the result of the detection, and stores it in a memory 12.例文帳に追加

演算部１８は、基準板１４の撮像画像に基づいて撮像素子８の欠陥画素を検出し、その検出結果に基づいて画素欠陥情報を生成し、メモリ１２に記憶する。 - 特許庁

Sum of electric resistance of the parts included in the current path among the bit lines BL and the reference voltage wirings SL is set so as to be approximately a fixed value without depending on a row to which the selection memory cell belongs.例文帳に追加

ビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬのうちの電流経路に含まれる部分の電気抵抗値の和は、選択メモリセルが属する行に依存せず、ほぼ一定値となるように設定される。 - 特許庁

A shutter key 9a is depressed to reference a header of a flash memory 8a to determine whether a corresponding erasable/non-erasable information WE is '0', i.e., erasable (overwritable).例文帳に追加

シャッターキー９ａが押下されると、フラッシュメモリ８ａのヘッダ部を参照し、対応する消去可／不可情報ＷＥが「０」であるか否か、すなわち消去可（上書き可）であるか否かを判断する。 - 特許庁

Temperature difference between the temperature detecting part 105 in the electronic equipment and the fine fluid passage, and data of temperature-pressure-remaining capacity are stored in a reference data memory 120b_2.例文帳に追加

また、上記電子機器の温度検出部１０５と上記微細流体流路内の温度との温度差、及び温度・圧力−電池残容量のデータは基準データ記憶部１２０ｂ_2 に記憶される。 - 特許庁

A picture reproduction device reads the main information M and the highlight information H in cross-reference with each other as one picture from the image recording memory 125, expands the both on a common axis Q and synthesizes them.例文帳に追加

画像再生装置では、画像記録メモリ 125より１画像として互いに関連するメイン情報Ｍとハイライト情報Ｈを読み出し、両者を共通の軸Ｑ上に展開して合成する。 - 特許庁

To provide a technology by which a signal is supplied by using a self-measuring method and a sense amplifier is turned on, and multi-memory cells in a duplication column are made approximately the same capacitance as a reference bit line.例文帳に追加

自己計測方法を使って信号を供給し、センス増幅器をオンにする技術を取り入れ、重複列内の多数メモリセルを標準ビット線と略同等なキャパシタンスにする技術を提供する。 - 特許庁

The position of the lower face 41 of the slide 4 in the bottom dead center position of the slide 4 is detected by a sensor 15, and the position is memorized in the memory part 32 of the arithmetic control means 31 as a reference point upon stop.例文帳に追加

センサ１５でスライド４の下死点位置におけるスライド４の下面４１の位置を検出し、その位置を停止時基準点として演算制御手段３１の記憶部３２に記憶させる。 - 特許庁

When it is determined that the state of the first region is the state of the problem, an update part 405 updates the reference state of the second region which is stored in the memory 404 from the state of the second region.例文帳に追加

更新部４０５は、第１部位の状態が課題の状態であると判定された場合、第２部位の状態により、記憶部４０４に記憶される第２部位の参考状態を更新する。 - 特許庁

Read-word lines RWL are arranged corresponding respectively to rows of a memory cell MC arranged in matrix, and bit lines BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding respectively to columns.例文帳に追加

行列状に配置されたメモリセルＭＣの行にそれぞれ対応して、リードワード線ＲＷＬが配置され、列にそれぞれ対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁

The FAX 1 is provided with a hard disk that stores a file resulting from applying image processing to facsimile data and a memory that stores dial numbers from opposite parties and respective IP addresses of the PCs 21-23 in cross-reference with each other.例文帳に追加

ＦＡＸ１は、ファクシミリデータをイメージ化したファイルを保存するハードディスクと相手先からのダイヤル番号と複数のＰＣ２１〜２３の夫々のＩＰアドレスとを対応付けて記憶するメモリを設けている。 - 特許庁

To smoothly print a large document even by a small memory in a device which prints a document such as HTML capable of describing data to be incorporated in an output image in a form of reference to the outside.例文帳に追加

出力画像に組み込むデータを外部への参照の形で記述できるＨＴＭＬ等の文書を印刷する装置において、小さいメモリでも大きい文書を円滑に印刷できるようにする。 - 特許庁

In normal reading and reading for verification, the reading is executed based on a series of reference cells for tracking changes in a memory cell to adjust them with respect to a series of threshold levels.例文帳に追加

通常の読み出しおよびベリファイ用の読み出しにおいて、一連のしきい値レベルに対して、メモリセルにより生じる変化をトラッキングし調整する一連の参照セルによって読み出しを行う。 - 特許庁

The chilling temperature control includes a temperature measuring treatment measuring a surface temperature of the cooled rubber-like sheet per temporal pitch to get a temperature measuring value, a temperature memory treatment for memory of a reference temperature span of the previously set surface temperature, and a cooling drum temperature control treatment controlling the drum temperature of the cooling drum on the basis of the reference temperature span and the measured temperature value.例文帳に追加

冷却温度制御は、冷却されたゴム状シートの表面温度を時間ピッチ毎に測定して温度測定値をうる温度測定処理、予め設定される前記表面温度の基準温度範囲を記憶する温度記憶処理、及び前記基準温度範囲と、測定された前記測定温度値とに基づいて冷却ドラムのドラム温度を制御する冷却ドラム温度制御処理を含む。 - 特許庁

By providing an access queue holding circuit 18 for holding an access queue for starting a memory read cycle to the memory and a buffer number holding circuit 19 for holding a buffer number at that time, the access queue of the memory read cycle is prevented from being lost and reference is enabled without competition in the empty buffer number of a data buffer common for write and read processing.例文帳に追加

メモリに対してメモリ・リード・サイクルを起動するためのアクセスキューを保持するアクセスキュー保持回路１８と、そのときのバッファ番号を保持するバッファ番号保持回路１９を設けることで、メモリ・リード・サイクルのアクセスキューの消失を防ぎ、書き込みおよび読み出し処理に共通化したデータバッファ１３の空きバッファ番号を競合することなく参照できるようにする。 - 特許庁

This image and sound synchronizing device for synchronizing a video signal inputted according to an input synchronizing signal with a reference synchronizing signal and outputting the resultant video signal is provided with: an asynchronous memory device for synchronizing the inputted video signal in a line unit; and a synchronous memory device for synchronizing the video signal outputted from the asynchronous memory device in a frame unit.例文帳に追加

入力同期信号に従って入力されたビデオ信号を，基準同期信号に同期させて出力する画像音声同期化装置であって：入力されたビデオ信号をライン単位で同期化する非同期メモリ装置と；非同期メモリから出力されたビデオ信号をフレーム単位で同期化する同期メモリ装置と；を備えることを特徴とする，画像音声同期化装置が提供される。 - 特許庁

An image coding unit includes a reference image memory 102 for preserving the reference pictures, and a plurality of motion vector detectors 103, 104, 105 provided in parallel for simultaneous motion detection of a plurality of pictures having different coding timing.例文帳に追加

本発明の画像符号化装置は、参照ピクチャを保存する参照画像メモリ１０２と、参照画像メモリに保存されている同一の参照ピクチャを参照して、符号化のタイミングが異なる複数のピクチャの動き検出を同時に行う並列に備えられる複数の動きベクトル検出器１０３、１０４、１０５とを備える。 - 特許庁

A holografic memory system includes a light source for generating a reference beam having a prescribed wavelength, and a photodetector for detecting a reconstituted signal beam corresponding to the reference beam having the prescribed wavelength, the photodetector detects selectively light in the prescribed wavelength band including a wavelength of the signal beam.例文帳に追加

本発明のホログラフィックメモリシステムは、所定の波長を有する参照ビームを発生させる光源と、前記所定の波長の参照ビームに対応する再構成された信号ビームを検出する光検出デバイスとを含み、前記光検出デバイスは信号ビームの波長を含む所定の波長帯域の光を選択的に検出する。 - 特許庁

In the case where a lens is situated at a place capable of detecting the reference position in the operating condition of a camera 10, a position correcting part 15 compares the driving phase outputted by the motor driving part 17 with the driving phase stored in the internal memory 15a, discriminating, if the two are different from each other, as the deviation of the reference position.例文帳に追加

カメラ１０の使用状況で基準位置の検出が可能となる箇所にレンズが位置する場合、位置補正部１５はモータ駆動部１７が出力する駆動位相と内部メモリ１５ａに記憶された駆動位相を比較し、両者が相異すれば基準位置のズレが生じていると判断する。 - 特許庁

The value of the reference voltage, actually measured for each power supply circuit 16, is stored beforehand in an EEPROM 12a inside a memory 12, and the CPU 11 calculates the analog detection value, on the basis of the voltage value corresponding to the lowest resolution determined, by using the value of the reference voltage stored in the EEPROM 12a.例文帳に追加

メモリ１２内のＥＥＰＲＯＭ１２ａには、あらかじめ電源回路１６毎に実測した基準電圧の値が記憶されており、ＣＰＵ１１は、ＥＥＰＲＯＭ１２ａに記憶した基準電圧の値を用いて定まる最小分解能相当の電圧値に基づいてアナログ検出値の算出を行う。 - 特許庁

A pattern memory 43 stores in advance, in an address assigned to each of possible values that each of fields of a section header can have, reference data which indicate that the possible value is coincidence with the detection condition ("coincidence") or reference data which indicate that the possible value is noncoincidence with the detection condition ("noncoincidence").例文帳に追加

パターンメモリ４３には、セクションヘッダの各フィールドがとりうる値の各々に対応づけられたアドレスに、当該とりうる値が一致検出条件に一致すること（「一致」）を示す参照データまたは当該とりうる値が一致検出条件に一致しないこと（「不一致」）を示す参照データがあらかじめ記憶されている。 - 特許庁

When it is confirmed with the frequency counter that a difference between the frequency of the clock for test and a target frequency is within a predetermined range, an in-test level when the clock for test is generated by the VCXO is stored as a reference level in the memory, and the frequency of the clock for test is stored as a reference frequency.例文帳に追加

試験用クロックの周波数と目標周波数との差が所定の範囲内であることが周波数カウンタによって確認できたら、メモリに、この試験用クロックがＶＣＸＯによって発生された際の試験時レベルを基準レベルとして記憶させ、この試験用クロックの周波数を基準周波数として記憶させる。 - 特許庁

When the data in the RFID memory 40 cannot be recognized, a T/C in a developing device 16 is set to be smaller than a reference value, and the number of times of developer refresh operations, the number of drum refresh operations and the number of transfer refresh operations are set to be larger than the normal number of times (reference execution number of times).例文帳に追加

ＲＦＩＤメモリ４０内のデータが認識不可能である場合は、現像装置１６内のＴ／Ｃを基準値よりも小さく設定するとともに、現像剤リフレッシュ動作、ドラムリフレッシュ動作、転写リフレッシュ動作の回数を通常の回数（基準実行回数）よりも多く設定する。 - 特許庁

A sound signal of a time threshold T3 before a reference start point which is a start point of the speech period (S250), and a sound signal of a time threshold T4 after a reference end point which is an end point of the speech period (S340), are also stored in the second memory as a part of speech retention period.例文帳に追加

音声期間の開始時点である基準開始時点よりも前の時間閾値Ｔ３分の音響信号（Ｓ２５０）、及び音声期間の終了時点である基準終了時点よりも後の時間閾値Ｔ４分の音響信号（Ｓ３４０）も、音声保存期間の一部として第二メモリに格納する。 - 特許庁

After pre-charging, to a high voltage, the reference bit line and the normal bit line connected with anti-fuse elements to be read, this memory starts to draw charges from the reference bit line by a current a little smaller than from the normal bit line when starting to draw charges by a certain current from the normal bit line.例文帳に追加

参照ビット線と読み出し対象となるアンチヒューズ素子が接続された通常のビット線とをそれぞれ高電位にプリチャージした後、通常のビット線からはある電流量によって電荷を引き抜き始めると同時に、参照ビット線からは通常のビット線よりも若干小さい電流量で電荷を引き抜き始める。 - 特許庁

A correction value acquiring part 16 which acquires scanned image data of the scanned medium from an image data memory part 15, acquires: the maximum brightness value of the region where the high reflection part becomes a background (high reflection brightness reference value); and a brightness value of show-through image from the region where the low reflection part becomes a background (low reflection brightness reference value).例文帳に追加

読み取った媒体の読取画像データを画像データ記憶部１５から取得した補正値取得部１６は、高反射部が背景となる領域の明度最高値（高反射明度基準値）と、この低反射部が背景となる領域から裏写り画像の明度値（低反射明度基準値）とを取得する。 - 特許庁

A control portion 72 judges whether all the formulae (1)-(3) are satisfied between detection values of a DC input voltage Vin, an input current Iin, and a DC output voltage Vout and a minimum regulation input voltage Vin(reg) stored in a memory 71, a reference input current Iin(ref), and a reference output voltage Vout(ref).例文帳に追加

制御部７２が、直流入力電圧Ｖin、入力電流Ｉinおよび直流出力電圧Ｖoutの検出値と、記憶部７１に記憶されている最低レギュレーション入力電圧Ｖin（reg）、基準入力電流Ｉin（ref）および基準出力電圧Ｖout（ref）との間で、（１）式〜（３）式をすべて満たすか否かを判定する。 - 特許庁

A plurality of reference cells (RMC1-RMC5) are connected to the same bit line (/BL), and the capacitance of each ferroelectric capacitor (RCF1-RCF5) in the plurality of reference cells is set so as to be 2^n (wherein n is an integral multiple) times the capacitance of the ferroelectric capacitor (CF1) of the main body memory cell (MC1).例文帳に追加

リファレンスセル（ＲＭＣ１〜ＲＭＣ５）は同一のビット線（／ＢＬ）に複数個接続され、複数個のリファレンスセルの各強誘電体キャパシタ（ＲＣＦ１〜ＲＣＦ５）の容量は本体メモリセル（ＭＣ１）の強誘電体キャパシタ（ＣＦ１）の容量の２^n倍（ｎは整数倍）の値を有するように設定される。 - 特許庁

In a predetermined set time stored in a memory after the sheet top surface became higher than a reference height P1 at a reference detection position P1a a predetermined interval spaced from an abutting position P20 of the pick up roller 20 on the sheet during rising of the lifting platform 10, the lifting platform 10 is stopped and positioned.例文帳に追加

昇降台１０上昇中に，ピックアップローラ２０のシートへの当接位置Ｐ２０から所定間隔を隔てた基準検出位置Ｐ１ａにおいて，シート上面が基準高さＰ１以上になったことが検出されてから，メモリに記憶された所定の設定時間後に昇降台１０を停止させて位置決めする。 - 特許庁

Bit line pre-charge circuits PCt, PCb pre-charging bit lines BLt, /BLt to ground voltage GND are arranged, and reference word lines RWLo, RWLe and a reference memory cell RMC are arranged so that potential difference is caused surely between bit lines BLt and /BLt when a word line WL is activated.例文帳に追加

ビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔを接地電圧ＧＮＤにプリチャージするビット線プリチャージ回路ＰＣｔ，ＰＣｂを設け、ワード線ＷＬが活性化されたときビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔ間に必ず電位差が生じるように参照ワード線ＲＷＬｏ，ＲＷＬｅ及び参照メモリセルＲＭＣを設ける。 - 特許庁

The controller IC 21 performs digital conversion on a voltage inputted from the power line 31 using the ADC 21b, measures the reference voltage value of the image reading sensor 5, and then identifies the machine type of the image reading sensor 5 based on the measured reference voltage value and the machine type identification data being stored in the memory 22.例文帳に追加

コントローラＩＣ２１は、電源ライン３１から入力される電圧をＡＤＣ２１ｂによりデジタル変換して、画像読取センサ５の基準電圧値を測定し、そして、この測定した基準電圧値と、メモリ２２に記憶している機種識別データとに基いて、画像読取センサ５の機種を識別する。 - 特許庁

The touch panel comprises a memory storing a measurement value of surface acoustic wave in a state where a cover film 42 is not pressed as a reference value 91, and a determination part detecting, a position where the difference 97 of a surface acoustic wave measurement value 92 during use of the touch panel from the reference value 91 is significant as a touch input position.例文帳に追加

カバーフィルム４２を押圧しない状態での表面弾性波の測定値を基準値９１として格納するメモリと、タッチパネル使用中における表面弾性波の測定値９２と前記基準値９１との差分９７が有意となる位置を、タッチ入力位置として検出する判断部とを備える。 - 特許庁

When the non- plotting pixel-including flag is 'non-including', since it is not necessary to wait the judgement of whether a certain pixel is non-plotting or not, processing such as reference of a Z buffer and processing such as reference of a texture memory can be parallel executed and three-dimensional plotting processing can be executed at high speed.例文帳に追加

非描画ピクセル含有フラグが「非含有」である場合は、あるピクセルが非描画であるか否かの判断を待ち合わせる必要がないため、Ｚバッファの参照等の処理とテクスチャ・メモリの参照等の処理とを並列的に実行することができ、３次元描画処理を高速に実行することができる。 - 特許庁

A noise level is read by a noise level detector 5 and the value N thereof is comparared with a reference value Rn by a comparator 6 and, when the value N is less than the reference value Rn, the repeated scanning is stopped through the controller 3 and the output of the integrator 2 at this time is outputted as final measuring data or stored in a memory device 8.例文帳に追加

ノイズレベルはノイズレベル検出器５によって読み取られ、その値Ｎがコンパレータ６において基準値Ｒｎと比較され、基準値Ｒｎを下回るとコントローラ３を介して繰り返しスキャンニングを停止し、そのときの積算器２の出力が最終の測定データとして出力され、またはメモリー装置８に保存される。 - 特許庁

A controller 101 retrieves values (data Ds) outputted from a reflection sensor 121 to the fixing roller 131 on which no sheet is wound in synchronization with rotation reference position signals Vh outputted from a rotation reference position sensor 122 and prepares, in a memory unit 104, profile data (data Dm) for one revolution of the fixing roller 131.例文帳に追加

制御部１０１は、回転基準位置センサ１２２から出力される回転基準位置信号Ｖｈと同期して、シートの巻き付きがない定着ローラ１３１に対する反射センサ１２１から出力された値（データＤｓ）を取り込み、定着ローラ１３１の１周分のプロファイルデータ（データＤｍ）をメモリ部１０４内に作成する。 - 特許庁

The nonvolatile memory in which data is stored depending of a difference in threshold voltage has the core-side cell transistor C-MC to which an electric charge is injected depending on stored data and the reference-side cell transistors RA-MC and RB-MC supplying a reference level when reading data from the core-side cell transistor.例文帳に追加

閾値電圧の違いによりデータが記憶される不揮発性メモリにおいて、記憶データに依存して電荷が注入されるコア側のセルトランジスタＣ−ＭＣと、コア側のセルトランジスタからデータを読み出すときに基準レベルを供給するレファレンス側のセルトランジスタＲＡ−ＭＣ、ＲＢ−ＭＣとを有する。 - 特許庁

The frequency of the system clock outputted from a 27 MHz clock control circuit 226 being a reference of a decoder LSI 224 is fine-adjusted so that a data residual amount is within a reference range in response to a state that a data residual amount of an FIFO memory 222 provided to a pre- stage of the decoder LSI 224 is increased/decreased.例文帳に追加

デコーダＬＳＩ２２４の前段に設けたＦＩＦＯメモリ２２２のデータ残量が増減する状況に応じて、データ残量が基準範囲内となるように、デコーダＬＳＩ２２４の基準となる２７ＭＨｚクロックコントロール回路２２６から出力されるシステムクロックの周波数を微調整する。 - 特許庁