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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > on the biasの意味・解説 > on the biasに関連した英語例文

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on the biasの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1895



例文

When the input voltage is low or the output load current is small, the voltage induced in the bias windings and the switch circuit 46 is therefore turned on to increase the supplied bias voltage.例文帳に追加

また、入力電圧が低いか、出力負荷電流が少ない状態では、バイアス巻線に誘起される電圧が低くなるため、スイッチ回路46をオンして供給されるバイアス電圧を上げる。 - 特許庁

The FETs 9, 10 are alternately turned on by a gate bias voltage of the bias circuit 11, thus repeating the operation to generate the high frequency AC voltage Vb with the high voltage in a secondary winding 8b of the transformer 8.例文帳に追加

FET9,10はバイアス回路11からのゲートバイアス電圧により交互にオンし、この動作を繰り返すことによってトランス8の2次巻線8bには高圧の高周波交流電圧Vbが発生する。 - 特許庁

The magnetic film is formed by laminating permanent magnet bias layers on a GMR film and the like, and a magnetic field in a direction along the short side of the magnetic film is added to the GMR film by the permanent magnetic bias layers.例文帳に追加

磁性膜は、GMR膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がGMR膜に加えられている。 - 特許庁

The control circuit 22 compares a detecting electric current value supplied from the electric current detector 21 with a threshold value to turn off the switch 20 when the detecting electric current value reaches the threshold value to cut off an impression of bias voltage on the bias electrode 2.例文帳に追加

制御回路22は、電流検出器21より供給された検出電流値としきい値とを比較し、検出電流値がしきい値に達するとスイッチ20をオフし、バイアス電極2へのバイアス電圧の印加を遮断する。 - 特許庁

例文

That is, the PNP 14 and the NPN 16 are connected so that both the PNP 14 and the NPP 16 become off states in the reverse bias state and at least one becomes on state in the forward bias.例文帳に追加

即ち、逆バイアスのときには、PNP14とNPN16がいずれもオフ状態となり、順バイアスのときには、少なくとも一方がオン状態となるように接続する。 - 特許庁


例文

Furthermore, the influence of the distortions on the upper limit side of the AC bias varies according to peak- to-peak voltages of the AC component, and the DC bias value thus becomes unstable.例文帳に追加

さらに、ACバイアス上限側の歪みの影響は、AC成分のピーク間電圧の大小によって変わってくるので、DCバイアスの値が不安定となる。 - 特許庁

In this display device, the deficiency of the charge and discharge is solved by writing a current in which a signal current is superimposed on a sufficiently large bias current in a signal line and by storing only the signal current while obtaining the difference with the bias current in the inside of a pixel.例文帳に追加

信号線に十分大きなバイアス電流に信号電流を重畳して電流を書き込み、画素内部でバイアス電流との差分をとり信号電流のみ記憶することにより、充放電不足を解決する。 - 特許庁

The clothes are prepared by skillfully using a first laminated fabric composed of a fabric nipping the adhesive in the sandwich form, a second laminated fabric composed of the adhesive and a fabric and a bias tape cut from the second laminated fabric on the bias.例文帳に追加

接着剤をサンドイッチ状に挟んだ生地からなる第1の積層生地、および接着剤と生地とからなる第2の積層生地、および前記第2の積層生地からバイアス取りしたバイアステープを巧みに使用した衣料品。 - 特許庁

Based on the residual amount calculated by the residual amount calculation part 24 and the relation stored in the degradation degree table 22, the value of the developing bias is set by a developing bias setting part 26.例文帳に追加

そして、残量算出部24により算出される残量および劣化度テーブル22に記憶されている関係に基づいて、現像バイアス設定部26より、現像バイアスの値が設定される。 - 特許庁

例文

The bias magnetic field Hb is functioned to disturb the external magnetic field Hex applied onto the magnetoresistance effect element 2, since the bias magnetic field Hb and the external magnetic field Hex are generated on the same straight line.例文帳に追加

バイアス磁界Hbおよび外部磁界Hexは、同一直線上に生じるので、バイアス磁界Hbは、磁気抵抗効果素子2へ印加される外部磁界Hexを妨げるように機能する。 - 特許庁

例文

During an attenuation mode, the bias circuit B2 does not supply the bias current to the amplifying transistor Tr and the current mirror circuit CM turns on the diodes Da1, Da2.例文帳に追加

減衰モードにおいて、バイアス回路B2は増幅用トランジスタTrにバイアス電流を供給せず、カレントミラー回路CMはダイオードDa1,Da2をONにする。 - 特許庁

The last optimum bias stored in the memory in the developing device is compared with the latest developing bias (S14), and a density detection interval is changed based on the difference ΔDi.例文帳に追加

現像器内メモリに格納されている前回最適バイアスと、最新現像バイアスとを比較して(S14)、その差分ΔDiによって濃度検出を行うインターバルを変更する。 - 特許庁

The oxide film is deposited on the semiconductor substrate in the state of non-bias, and the oxide film is stacked in a state where bias voltage is applied and the entire face is etched.例文帳に追加

また、半導体基板上に無バイアスの状態で酸化膜を堆積した後さらにバイアス電圧を印加した状態で酸化膜を堆積させ、その後全面エッチングを行う。 - 特許庁

Further, the bias circuit 13 inputs the voltage signal generated by the thermoelectric converter 12 and changes a gate bias voltage applied to the FET included in the amplifier 11 depending on an amplitude of a voltage signal.例文帳に追加

さらに、バイアス回路13は、熱電変換部12によって生成された電圧信号を入力し、増幅器11が有するFETに印加されるゲートバイアス電圧を電圧信号の大きさに応じて増減させる。 - 特許庁

The power supply connection part 4 in which the high-voltage wire 5 for supplying a high voltage to a bias electrode 1 is connected by the fixing material 6 is formed on the top surface of the bias electrode 1.例文帳に追加

バイアス電極1の上面にバイアス電極1へ高電圧を供給する高圧ワイヤ5が固定材6で接続される給電接続部4が形成される。 - 特許庁

Provided that the frequency of the AC bias component of a vibration bias applied on the electrifying member 2 is expressed by f (cycle/sec), and the surface moving velocity of the image carrier surface is expressed by v (mm/sec), |f/v|≥12 (cycle/mm) is satisfied.例文帳に追加

前記帯電部材2に印加する振動バイアスの交流バイアス成分の周波数をf(cycle/sec)、像担持体表面の面移動速度をv(mm/sec)、とした時、|f/v|≧12(cycle/mm)を満足する。 - 特許庁

The Kalman filter calculates an estimated value of floating ambiguity, calculates an estimated value of the integer bias based on the floating ambiguity by the LAMBDA method, and determines the surest integer bias by various kinds of tests.例文帳に追加

カルマンフィルタはfloating ambiguity の推定値を算出し、LAMBDA法でこのfloating ambiguity をもとに整数バイアスの推定値を算出し、各種検定をすることにより最も確かな整数バイアスを決定する。 - 特許庁

When a reverse bias voltage is applied, a depletion layer 22 is formed on the n-type clad layer below the n-type contact layer, the depletion layer is expanded as the increase in the reverse bias voltage, and a leakage current is suppressed.例文帳に追加

逆バイアス印加時、n型コンタクト層の下方でn型クラッド層に空乏層22が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。 - 特許庁

The positive side of a DC bias power source 48 is connected to the discharging electrode 40, and a DC bias voltage whose polarity is opposite to that of the electrostatic potential of the photoreceptor 14 is applied on the electrode 40.例文帳に追加

放電電極40は直流バイアス電源48のプラス側が接続され、感光体14の帯電電位と逆極性の直流バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

The bias checking guide 143 is provided near the edge of the intermediate transfer belt 11 so as to check the bias when the belt is rotationally driven while being stretched and laid on a roller 106 etc.例文帳に追加

中間転写ベルト11の端縁近傍に寄り止めガイド143を設け、ローラ106等へ掛け回して回転駆動した場合の寄り止めとする。 - 特許庁

A control circuit 28 independently controls the first bias generating circuit 301 and the second bias generating circuit 302 on the basis of the operating states of the circuits 10 and 15.例文帳に追加

制御回路(28)は、この回路(10、15)の動作状態に基づいて、第1バイアス生成回路(301)と、第2バイアス生成回路(302)とを独立して制御する。 - 特許庁

When forming a toner image on the entire surface of the recording material, a charging bias having the same polarity as the transfer bias is applied to recording material charging rollers 16 and 17 from a high voltage power source 18, to earth the secondary roller 10.例文帳に追加

記録材全面にトナー像を形成する場合には、記録材帯電ローラ16,17に、高圧電源18から転写バイアスと同極性の帯電バイアスを印加し、二次転写ローラ10をアースする。 - 特許庁

On the other hand, when the measured resistance value Rx is smaller than the standard resistance value Ro (for example, Rx=R10<Ro), the bias voltage VBx is set to a value smaller than the standard bias voltage VBo (VBx=VB10).例文帳に追加

一方、測定抵抗値Rxが標準抵抗値Roよりも小さい場合(例えばRx=R10<Ro)、バイアス電圧VBxは、標準バイアス電圧VBoよりも小さい値(VBx=VB10)に設定される。 - 特許庁

A patch image is formed, while a developing bias is altered and set in many steps and an optimum developing bias is calculated, on the basis of the result of the detection of the density of the patch image(steps S101 to S110).例文帳に追加

現像バイアスを多段階に変更設定しながらパッチ画像を形成し、その濃度検出結果に基づき最適現像バイアスを算出する(ステップS101〜S110)。 - 特許庁

With this configuration, a sense current from electrode layers 20 and 34 appropriately flows in the multilayer film 21 while a bias magnetic field from the bias layer 33 is supplied from the end surfaces on both sides of the free magnetic layer 30.例文帳に追加

この構成によって電極層20,34からのセンス電流は適切に多層膜21内を流れ、しかも前記バイアス層33からのバイアス磁界を前記フリー磁性層30の両側端面から供給することができる。 - 特許庁

When a fluctuation occurs in the output voltage, a processing circuit 19 generates a bias voltage control signal in response to the voltage fluctuation and performs a voltage control of a control voltage source 1E generating bias voltage on the basis of the control signal.例文帳に追加

該出力電圧に変動が生じたときにその電圧変動に応じたバイアス電圧制御信号を処理回路19が発生し、該制御信号に基づいてバイアス電圧を発生する制御電圧源1Eの電圧制御を行なう。 - 特許庁

A passive circuit 9 connected with the drain terminal 3, the source terminal 4 and the gate terminal 5 is formed on a dielectric substrate 8 along a bias circuit 10 connected with the bias terminal 7.例文帳に追加

また、誘電体基板8には、ドレイン端子3、ソース端子4、ゲート端子5に接続される受動回路9を形成すると共に、バイアス端子7に接続されるバイアス回路10を形成する。 - 特許庁

Electrodes are coupled with the substrate support while an RF power source is coupled with each electrode to apply a bias to the electrodes in order to generate a DC bias to the substrate located on the support surface.例文帳に追加

電極は、基板支持体に結合され、RF電源は、各電極に結合され、支持面に位置する基板にDCバイアスを生成させるため電極にバイアスをかける。 - 特許庁

The DC power source 3 applies DC bias voltage to the high voltage conductor 1, and pulse power source 5 superimposes pulse voltage on the DC bias voltage and applies it to the high voltage conductor 1.例文帳に追加

直流電源3は高電圧導体1に直流バイアス電圧を印加するようになっており、パルス電源5は前記直流バイアス電圧にパルス電圧を重畳させて高電圧導体1に印加するようになっている。 - 特許庁

CPU 104 leads out the optimal value of the gate bias voltage for obtaining optimal wave detecting characteristic based on the initial value of the gate bias voltage and conversion data of a wave detecting result inputted from ADC 105 to output to DAC 106 through I/0103.例文帳に追加

CPU104は、ゲートバイアス電圧の初期値およびADC105から入力された検波結果の変換データに基づき、最適な検波特性を得るためのゲートバイアス電圧の最適値を導出し、I/O103を介してDAC106に出力する。 - 特許庁

A bias current control part 9 adjusts bias currents to be supplied to the GCA circuit 5 on the basis of the judgement result of the driving force judgement part 10a.例文帳に追加

バイアス電流制御部9は駆動力判定部10aの判定結果を基にして、GCA回路5に供給するバイアス電流を調整する。 - 特許庁

A zero information current control circuit 6 outputs a control signal for controlling the bias current of the bias current drive circuit 2, based on the output signal of the zero information light power detecting circuit 5.例文帳に追加

ゼロ情報電流制御回路6は、ゼロ情報光パワー検出回路5の出力信号に基づき、バイアス電流駆動回路2のバイアス電流を制御するための制御信号を出力する。 - 特許庁

Based on the detection result of the parasitic capacitance detecting circuit 65, a reverse bias voltage generated at the reverse bias voltage control circuit 61 is changed to set the photodiodes 11 to 14 at appropriate light receiving sensitivity.例文帳に追加

前記寄生容量検出回路65の検出結果に基づいて、逆バイアス電圧制御回路61で生成する逆バイアス電圧を変化させて、フォトダイオード11〜14を適切な受光感度に設定する。 - 特許庁

After carrying out a selecting step for electrifying bias in a non-image forming step, the AC bias for removal of the foreign matter is selected and applied based on information regarding the used amount of the photoreceptor drum stored in a memory medium.例文帳に追加

非画像形成工程において、帯電バイアスの選択工程を行った後に、メモリ媒体に記憶された感光ドラム使用量に関する情報を基に、異物除去交流バイアスを選択し、印加する。 - 特許庁

To provide a single substrate type film deposition apparatus for performing the film deposition by the bias sputter on a plurality of non-conductive substrates, wherein the DC bias is allowed to be successfully applied while maintaining the productivity.例文帳に追加

複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にDCバイアスを印加することができるようにする。 - 特許庁

A discharge valve has: a socket member provided in a discharge passage; a valve element seating to a valve seat provided on the socket member; and a bias member biasing the valve element to the valve seat member, and the bias member is constructed of a leaf spring.例文帳に追加

吐出弁は、吐出通路内に設けられたソケット部材と、該ソケット部材に設けられた弁座部に着座する弁体と、該弁体を前記弁座部材に付勢する付勢部材と、を有し、該付勢部材を板バネによって構成した。 - 特許庁

On the basis of the deviation ΔD between each density Ds and the target density Dt predetermined for each color, the development bias Vs for each color is corrected to a new development bias Vb.例文帳に追加

そして、各濃度Dsと各色ごとに定められた目標濃度Dtとの各偏差ΔDに基づいて、各色の現像バイアスVsが新たな現像バイアスVbに補正される。 - 特許庁

The image sensor includes a first substrate where interconnections and the readout circuitry are formed and an image sensing device formed on the readout circuitry, and is characterized in that a reverse bias is added above the photodiode.例文帳に追加

配線とリードアウト回路が形成された第1基板と、前記リードアウト回路上側に形成されたイメージ感知部を含み、前記フォトダイオード上側にリバースバイアス(reverse bias)が加えられることを特徴とする。 - 特許庁

The resistance of the NMOS TR 15 depends on a bias circuit 16 that supplies a bias voltage VB corresponding to selection control signals SC1-SCn to the gate of the NMOS TR 15.例文帳に追加

NMOSトランジスタ15の抵抗値は、選択制御信号SC1〜SCnに応じたバイアス電位VBをNMOSトランジスタ15のゲートに供給するバイアス回路16により定まる。 - 特許庁

To reduce the supply voltage dependency of a bias circuit to the collector current of an amplifying transistor while holding temperature dependency small, and to reduce the occupying area of the bias circuit on a semiconductor chip.例文帳に追加

温度依存性を小さく保ったまま、増幅用トランジスタのコレクタ電流に対するバイアス回路の供給電圧依存性を小さくする。 - 特許庁

In the reverse bias application period, the potential of a power supply line (V) and the potential of a counter power source 109 are inverted in high/low relation and a reverse bias is applied to the light emitting element while a TFT 115 for erasure is held ON.例文帳に追加

なお逆バイアス印加期間においては、消去用TFT115がオン状態を保持した状態で、電源供給線(V)の電位と、対向電源109の電位の高低を逆にして、発光素子に逆バイアスを印可する。 - 特許庁

A high frequency coil 17 to generate plasma in the hollow container by producing an induction field of high frequency is disposed on the outer surface of the dielectric plate 16, and a negative bias is applied to the metal hollow container 11 by a bias supply 32.例文帳に追加

誘電体板16の外面に高周波の誘導電界を生じて中空容器内にプラズマを発生させる高周波コイル17を配設し、金属製中空容器11バイアス電源32で負バイアスを印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing both the reverse leak current at the time of reverse bias and the on voltage at the time of forward bias, and also to provide its fabricating process and a bidirectional switch employing it.例文帳に追加

逆バイアス時の逆漏れ電流と順バイアス時のオン電圧が共に低減できる半導体装置およびその製造方法とそれを用いた双方向スイッチ素子を提供する。 - 特許庁

The system controller 5 changes the focusing bias in positive or negative values, and calculates another focusing bias at every first period based on the digitized evaluation of the quality of reproduced signal obtained in that case.例文帳に追加

システムコントローラ5は、フォーカスバイアス値をプラスマイナスに変化させ、その際得られる再生信号の品質を数値化した評価値をもとに新たなフォーカスバイアス値を第1の周期毎に計算する。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with a supply roller 17, a developing roller 18, a blade 19, and a developing unit bias applying circuit 20 for applying a bias voltage on the supply roller 17, the developing roller 18 and the blade 19.例文帳に追加

供給ローラ17と、現像ローラ18と、ブレード19と、供給ローラ17、現像ローラ18及びブレード19にバイアス電圧を印加する現像器バイアス印加回路20とを備える。 - 特許庁

In a first processing mode, 32 patch images are formed in total while changing the developing bias in a wide range, and the optimum developing bias is decided based on the image density of them.例文帳に追加

第1処理モードは広レンジ内で現像バイアスを変化させながら合計32個のパッチ画像を形成し、それらの画像濃度に基づき最適現像バイアスを決定するものである。 - 特許庁

When astigmatism occurs, for example, a focus bias value more proper than that in the case of obtaining the proper focus bias based on the RF signal amplitude alone, can be set.例文帳に追加

これにより非点収差が生じる場合において、例えばRF信号振幅のみに基づいて最適なフォーカスバイアスを求める場合よりも適正なフォーカスバイアス値を設定することができる。 - 特許庁

A defect which is not repaired even after the forward bias Va and the reverse bias Vb are alternatively repeated several times onto the organic EL element 104, is repaired by emitting on it a third harmonic frequency of YAG laser from a laser device 24.例文帳に追加

有機EL素子104に順バイアスVaと逆バイアスVbを交互に複数回印加してもリペアされない欠陥に対して、レーザー装置24からYAGレーザーの第3高調波を出射してリペアする。 - 特許庁

The variable bias circuit 7 has a switch circuit composed of a resistor and a switch, and increases/decreases the reference bias current by turning on/off the switch circuit.例文帳に追加

可変バイアス回路7は、抵抗とスイッチとから構成されるスイッチ回路を有し、上記基準バイアス電流を上記スイッチ回路のオンまたはオフにより増減する。 - 特許庁

例文

Based on the contrast potential Vcont, the output voltage of each of high-voltage power sources 301 and 302 supplying grid bias and a high-voltage power source 303 supplying developing bias is controlled, so that the image density is controlled.例文帳に追加

このコントラスト電位Vcontに基づいて、グリッドバイアスを供給する高圧電源301,302、現像バイアスを供給する高圧電源303のそれぞれの出力電圧が制御され、画像の濃度が制御される。 - 特許庁

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