「p-process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring forming method has a process for applying to a substrate P a liquid containing wiring forming materials, and has a process for baking the applied liquid.例文帳に追加

基板Ｐに配線形成材料を含む液状体を塗布する工程と、塗布した液状体を焼成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit that corrects a duty ratio to a desired numeric value even if the characteristics of an N-type transistor and a P-type transistor deviate from the design stage due to variations in process and change in process.例文帳に追加

プロセスバラツキや、プロセス変更によりN型トランジスタ及びP型トランジスタ双方の特性が設計段階に対してずれても、デューティ比を所望の数値に補正するデューティ補正回路を提供する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

A P^+ buried layer 29 is formed in all or a part of the zone of the photodiode 12 through a process same as that of a P^+ buried layer 15 for device isolation.例文帳に追加

フォトダイオード12の領域の全部または一部にはＰ^＋埋め込み層29が、素子間分離用のＰ^＋埋め込み層15と同一プロセスで形成される。 - 特許庁

While the fixation of the sheet paper P is performed by a next image forming process after ejecting the sheet paper P, the paper ejecting speed of the paper ejection roller 24 is held at ordinary speed.例文帳に追加

シート紙Ｐ排出後次の画像形成プロセスによりシート紙Ｐの定着が行われる間は、排紙ローラ２４の排紙速度を通常速度に保持する。 - 特許庁

Thus, the recessed part 4 having a negative angle with the main press direction P is formed without adding a drawing process in a direction different from the main press direction P.例文帳に追加

従って、主プレス方向Ｐと別方向の絞り工程を追加することなく主プレス方向Ｐに対して負角となる凹部４を形成することができる。 - 特許庁

These electrons are generated as a result of electron avalanche in the p-D-M structure or injection process in the n^+-p-D-M structure.例文帳に追加

これらの電子は、ｐ−Ｄ−Ｍ構造における電子なだれまたはｎ^＋−ｐ−Ｄ−Ｍ構造における注入プロセスの結果として生成される。 - 特許庁

A secondary transfer part T2 secondarily transfers a toner image to the recording material P in a process in which the recording material P is superimposed on an intermediate transfer belt 606 and conveyed.例文帳に追加

二次転写部Ｔ２は、中間転写ベルト６０６に記録材Ｐを重ねて搬送する過程で記録材Ｐにトナー像を二次転写する。 - 特許庁

N-ALKYLHYDROXYLATED SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER CONTAINING p-PHENYLENEDIAMINE, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

Ｎ−アルキルアミノ第二ｐ−フェニレンジアミン、該ｐ−フェニレンジアミンを含有するケラチン繊維を染色するための組成物、該組成物の使用方法、及び該組成物の使用 - 特許庁

N-ALKYLHYDROXYLATED SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER CONTAINING p-PHENYLENEDIAMINE, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

Ｎ−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミン、前記パラ−フェニレンジアミンを含むケラチン繊維染色用組成物、前記組成物の使用方法及び使用 - 特許庁

The crushed pieces P are preheated in a preheating device 5 in a process feeding the crushed pieces P by a feeder 2 before charged in the treatment tank 3.例文帳に追加

粉砕片Ｐを処理槽３に投入する前に、その粉砕片Ｐが搬送装置２にて搬送される過程で予備加熱装置５にて予備加熱する。 - 特許庁

The method for forming the thin film pattern comprises: a process of forming a bank B on a substrate P; a process of arranging a function liquid L in an area partitioned by the bank B; and a process of forming the film pattern F by drying the function liquid L arranged on the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the main drying process, the paint P is heated and baked at a temperature increase rate which is steeper than that in the preliminary drying process.例文帳に追加

本乾燥工程では、仮乾燥工程での温度上昇率よりも急峻な温度上昇率で塗料Ｐを加熱して焼成する。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the hollow double-walled structure A comprises the process of closing a split mold 3, the process of fusion-bonding a parison P, the process of setting back a slide core, and the process of introducing a pressurized fluid.例文帳に追加

また、分割金型３を閉じる工程と、パリソンＰを融着させる工程と、スライドコアを後退させる工程と、加圧流体を導入する工程と、を備える中空二重壁構造体の製造方法。 - 特許庁

A cover opening and closing detection switch part 40 is movably arranged along the mounting direction of a process unit P.例文帳に追加

カバー開閉検知スイッチ部４０は、プロセスユニットＰの装着方向に沿って移動可能に配設されている。 - 特許庁

In the preparation process, amorphous solid electrolyte powder containing Li, P, S and O is produced.例文帳に追加

準備工程では、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ及びＯを含有する非晶質の固体電解質粉末を作製する。 - 特許庁

To provide a large-scale production process for p-hydroxy-benzoic acid inexpensively in high yield.例文帳に追加

高収率でかつ工業的に安価にパラヒドロキシ安息香酸を大量生産する方法を提供する。 - 特許庁

The pixel count converter 13 changes selectors of a SW (switch) 21 according to the value of the process control data P.例文帳に追加

この画素カウント変換器１３は、プロコンデータＰの値により、ＳＷ（スイッチ）２１のセレクタが切り替えられる。 - 特許庁

A p-side electrode 18 is used as a mask for ion implantation to further simplify the process.例文帳に追加

また、イオン注入のマスクとしてｐ側電極１８を用いて、工程を更に簡略化することができる。 - 特許庁

Using two reading lines L in which pixels P are displaced by a half pitch in the widthwise direction, a reading process is executed.例文帳に追加

画素Ｐが横方向に半ピッチずれた２本の読取ラインＬを用いて読取り処理を行なう。 - 特許庁

Further, in a ridge forming process, the second p-type clad layer 6 is removed partially by a first etching process through dry etching and a second etching process through wet etching.例文帳に追加

また、リッジ形成工程において、第２のｐ型クラッド層６を、ドライエッチングによる第１のエッチング工程と、ウェットエッチングによる第２のエッチング工程とにより、部分的に除去する。 - 特許庁

The method has a process of forming a bank B on a substrate P, a process of arranging a function liquid L on regions divided by the bank B and a process of drying the functional liquid L.例文帳に追加

基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、機能液Ｌを乾燥する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a formation process of an as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, which does not require a separate activating process.例文帳に追加

本発明は別個の活性化工程を必要とせずにａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程を提供する。 - 特許庁

The lottery process for probability setting is set that the frequency, which changes from the normal probability of prize winning p to the probability 5*p of prize winning by five times, is higher than that changes from the normal probability of prize winning p to the probability 10*p of prize winning by 10 times.例文帳に追加

この確率設定用の抽選処理では、通常の入賞確率ｐから５倍の入賞確率５＊ｐに移行する頻度が、通常の入賞確率ｐから１０倍の入賞確率１０＊ｐに移行する頻度より大きくなるように設定される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

When a hybrid structure of a silicide type transistor and a non-silicide type transistor is formed, a PSD process (a process of forming P type source and drain regions) is performed first and then an NSD process (a process of forming N type source and drain regions) is carried out.例文帳に追加

シリサイド型トランジスタおよびノンシリサイド型トランジスタの混載構造を作るにあたり、まず、ＰＳＤ工程（Ｐ型ソース・ドレイン領域を形成する工程）を行い、その後に、ＮＳＤ工程（Ｎ型ソース・ドレインを形成する工程）を行う。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer, which allows formation of a p-type diffusion layer without causing internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate during the step of producing a solar battery cell using the silicon substrate, to provide a process for forming a p-type diffusion layer, and to provide a process for producing a solar battery cell.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

In a decoder 153, a signal is changed in accordance with a value of a parameter (p) through a decoding process, thereby obtaining a student signal corresponding to the value of the parameter (p).例文帳に追加

復号化器１５３では、復号化の過程で、パラメータｐの値に応じて信号が変化するようにされ、当該パラメータｐの値に対応した生徒信号が得られる。 - 特許庁

In a process for press-fitting the lamination, the lamination is press-fitted in a pressure area ≥ pressure P (kgf/cm^2), satisfying ΔB/ΔA≤0.005 (%/(kgf/cm^2)) and ≤ (P+200) (kgf/cm^2).例文帳に追加

積層体を圧着する工程において、ΔＢ／ΔＡ≦０．００５（％／（kgf／cm^2））となるプレス圧Ｐ（kgf／cm^2）以上、（Ｐ＋２００）（kgf／cm^2）以下のプレス圧領域で圧着を行う。 - 特許庁

Furthermore, by using the Cl2H2 gas as a p-type doping material, an HEMT can be produced continuously within the same chamber 10, after the p-type doping process.例文帳に追加

また、ｐ型ドーピング材料としてCI_2H_2ガスを用いることにより、ｐ型ドーピング工程の後、同一チャンバ内で連続してＨＥＭＴを生成することが可能となる。 - 特許庁

To reduce damage on a semiconductor layer due to irradiation with an electron beam for forming a low resistance p-type layer in the fabrication process of a III nitride based compound semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体素子の製造過程において低抵抗p型化する際の電子線照射によって半導体層が受けるダメージを低減する。 - 特許庁

A group of heat plates P and P, which are arranged in upper and lower positions of a carrying path L of a twofold postcard X in the heating treatment process, is provided in the state of being vertically movable from a set position.例文帳に追加

加熱処理の工程で二つ折り葉書Ｘの搬送経路Ｌの上下に配置されるヒートプレートＰ、Ｐ群を設定位置から上下可動に設ける。 - 特許庁

In the firing process 4, a firing temperature and a firing time of the lumber P with the flame of the firing device S can be set voluntarily so as to adjust a color of the surface of the lumber P.例文帳に追加

焼成工程４は、木材Ｐ表面の色の調整を可能にすべく焼成器Ｓの炎による木材Ｐの火燃温度、火燃時間を任意に設定可能とする。 - 特許庁

Thus, the need for the mask to form the p+-type contact region 8 and the p+-type region 16a is eliminated, and the manufacturing process of the semiconductor device is simplified.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型コンタクト領域８やｐ^+型領域１６ａを形成するためのマスクが必要なくなり、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。 - 特許庁

In the raw material preparation process, a raw material for synthesis containing an Li source, an Fe source, and a P source is prepared.例文帳に追加

原料準備工程においては、Ｌｉ源と、Ｆｅ源と、Ｐ源とを含有する合成原料を準備する。 - 特許庁

To provide the method of processing a high voltage p++/n- well junction in a standard submicron CMOS process.例文帳に追加

標準サブミクロンＣＭＯＳプロセスで、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を処理する方法を提供する。 - 特許庁

Then, an anti-punch through layer 13A is formed in the P-type well 11A by a second ion implantation process.例文帳に追加

そして、第２のイオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、パンチスルー防止層１３Ａを形成する。 - 特許庁

Ni-P plating is applied to a surface of the sintered bearing after the barrel polishing process to form a plating layer.例文帳に追加

バレル研磨工程が終わった焼結軸受の表面に、Ｎｉ−Ｐ鍍金を施し鍍金層を形成する。 - 特許庁

After that, in a process in which the slurry is cured, a plate die P traveling in accordance with the velocity of a belt conveyor is pressed.例文帳に追加

その後、スラリーが硬化する過程において、ベルトコンベアのスピードに沿って移動する板状型Ｐを押し当てる。 - 特許庁

To provide an effective process for application, in particular on keratinic fibers, of a cosmetic product P including a skin care product.例文帳に追加

スキンケア製品を含む化粧製品（Ｐ）を、特にケラチン繊維に塗布するのに有効なプロセスを提供すること。 - 特許庁

A resin producing process of producing a liquid crystal resin P by melt polymerization of a material M in a polymerization vessel 3, and a resin ejecting process of ejecting the liquid crystal resin P produced in the resin producing process from the polymerization vessel 3 are executed repeatedly for a plurality of lots.例文帳に追加

重合容器３内で原料Ｍを溶融重合させて液晶樹脂Ｐを生成する樹脂生成工程と、この樹脂生成工程で生成された液晶樹脂Ｐを重合容器３から吐出する樹脂吐出工程とが、複数のロットに対して繰り返し実行される。 - 特許庁

a: When a process cartridge P is attached/detached, the process cartridge P inclines at an angle θ1 with respect to an intermediate transfer belt 9, and exposure equipment 6 inclines at an angle θ2 with respect to the intermediate transfer belt 9, where θ2>θ1.例文帳に追加

ａ；プロセスカートリッジＰを着脱する時、プロセスカートリッジＰが中間転写ベルト９に対してθ１の角度に傾き、露光装置６が中間転写ベルト９に対してθ２の角度に傾き、その時、θ２＞θ１である。 - 特許庁

The coating method includes a first process in which the material 11 is fed on the board 2 and a feed point P is shifted simultaneously and a second process in which the board 2 is rotated in conjunction with the shift of the feed point P of the material 11.例文帳に追加

この塗布方法は、材料１１を基板２上に供給すると共にその供給点Ｐを移動させる第１工程と、材料１１の供給点Ｐの移動と同時に基板２を回転させる第２工程とを有する。 - 特許庁

Since pressure in a process chamber P is kept at 10^-4 Pa or less and differential exhaust seals 150, 160 for three stage exhaust are used, leak rom the differential exhaust seal can be inhibited and pressure rise in the process chamber P can be inhibited.例文帳に追加

プロセス室Ｐ内の圧力を１０^-4Ｐａ以下としており、さらに３段排気の差動排気シール１５０，１６０を用いているので、差動排気シールからのリークを抑え、プロセス室Ｐ内の圧力上昇を抑えることができる。 - 特許庁

Then a P value is calculated for each combination of a process ID and a device ID to be contrasted and compared by applying merge data of inspection data on a product and device history data of a manufacturing device to a predetermined significant difference examination method, and a new P value is calculated based upon the P value and P-value correction factor.例文帳に追加

次に、製品の検査データと製造装置の装置履歴データのマージデータを所定の有意差検定法に適用して工程ＩＤおよび対比較される装置ＩＤの組合せ毎にＰ値を算出し、このＰ値とＰ値補正ファクタに基づいて新たなＰ値を算出する。 - 特許庁