1016万例文収録!

「polishing pressure」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > polishing pressureに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

polishing pressureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 427



例文

To provide a wafer polishing device that can polish a wafer under a dynamic pressure and can surely transport the wafer at the time of ending or starting the polishing.例文帳に追加

動圧状態でウェーハの研磨を行なえるとともに、研磨終了の際に、又は研磨開始の際に、ウェーハを確実に搬送できるウェーハ研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible membrane for a polishing head that can pressurize with uniform pressure, and to provide polishing equipment that can grind the front surface of a substrate to a uniform thickness.例文帳に追加

均一な圧力で基板を加圧することができる研磨ヘッド用フレキシブルメンブレインと、これを含み、基板表面を均一な厚さで研磨することができる研磨装置とを提供する。 - 特許庁

To carry out mirror finishing without a polishing flaw even on a large-area silicon wafer or the like; to improve the flatness of a working surface 16 by applying uniform pressure on the whole large-area working surface 16 for polishing.例文帳に追加

大面積のシリコンウエハ等であっても、研磨痕の無い鏡面仕上をし、広い作用面16全体に均一な圧力をかけて研磨し、作用面16の平坦度を高くする。 - 特許庁

To precisely through-polish a pipe material to be polished, by constantly and uniformly applying on polishing pressure to a polishing roller and the pipe material without the sway of the pipe material.例文帳に追加

研磨ローラーと被研磨管材とに常に均一に研磨圧力を掛け続けて被研磨管材が振れることなく精密に通し研摩することができる装置を提供する。 - 特許庁

例文

The slurry type polishing liquid 11 including the micro particles is introduced from a hollow part 1a formed at a rotating shaft of the polishing tool 1 and supplied to a pressure contact part 23 of an object 22 to be polished to polish the object.例文帳に追加

研磨工具1の回転軸に形成された中空部1aから微粒子を含むスラリー状の研磨液11を導入し、被加工物22との圧接部位23に供給しながら研磨する。 - 特許庁


例文

The polishing pad fixing mechanism 1 is composed of a support pad 4 where a polishing pad 2 is fixed with a pressure sensitive adhesive double coated tape 3 and a platen 5 which fixes the support pad 4.例文帳に追加

本発明の研磨パッドの固定機構1は、研磨パッド2を両面テープ3を介して固定する支持台4と、支持台4を固定する定盤5から構成される。 - 特許庁

To provide a polishing device which can keep the relative speed between a polishing head and a wafer constant, give a constant pressure and uniformly polish the surface of the wafer.例文帳に追加

研磨ヘッドとウエハとの相対速度を一定にすると共に、一定の加工圧を付与することができ、ウエハの表面を均一に研磨することができる研磨装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for collecting a polishing agent in which a slurry obtained by condensing the polishing agent to a high concentration can be collected while suppressing increase of a pressure loss or considerable reduction of a collection rate caused by clogging a film.例文帳に追加

圧力損失の増大や、膜の閉塞による回収率の大幅な低下を抑制しながら、研磨剤が高濃度に濃縮されたスラリーを回収可能な研磨剤の回収装置および研磨剤の回収方法を提供する。 - 特許庁

Since polishing can be performed by making the angle of the polishing head 5 to the surface of the pad 2 same as that of the pad conditioner 4 to the surface of the pad 2, the working surface of the object 3 to be polished is in uniform pressure contact with the surface of the pad 2.例文帳に追加

研磨ヘッド5のパッド2表面に対する角度を、パッドコンディショナ4のパッド2表面に対する角度と同一して研磨することができるため、被研磨物の加工面がパッド表面に均一に圧接する。 - 特許庁

例文

To provide a rectangular substrate polishing method for polishing a rectangular substrate using a rectangular substrate holding jig and a substrate holding jig capable of holding the substrate without giving impact to it, during grinding the large-size rectangular substrate at a high speed and pressure.例文帳に追加

大判矩形状の基板の高速高圧研磨時において基板に衝撃を与えることなく保持することができる矩形基板保持治具および該基板保持治具を用いて矩形基板を研磨する矩形基板研磨方法を提供する。 - 特許庁

例文

In addition, after the chip electrode 12a is polished with a polishing disk 14, the pulverized dry ice fine particles 8a are injected against the chip electrode region by the high-pressure air so as to remove the oxide film and blow off polishing powder.例文帳に追加

また、一旦研磨ディスク14でチップ電極12aを研磨してから、粉砕したドライアイス微粒子8aを高圧空気でチップ電極部位に当てて酸化皮膜を除去すると共に、研磨粉を吹き飛ばす。 - 特許庁

In the case that the obtained polishing efficiency is out of the range, an indication is given to a dressing device 20, and a dress pressure is changed, to suppress dress efficiency in a fixed range also the polishing efficiency in a fixed range.例文帳に追加

求めた研磨能率が範囲外である場合には、ドレッシング装置20に指示を与え、ドレス圧を変更して、ドレス能率を一定の範囲内に抑えると共に、研磨能率を一定の範囲内に抑える。 - 特許庁

Then a lock structure 60 is provided for applying required amount of pressure in an axial direction from the polishing pin 5 to the projection by regulating the movement of the polishing pin 5 toward the anti-substrate direction.例文帳に追加

研磨ピン5の反基板方向への移動を規制して、研磨ピン5から上記突起に対して必要量の軸方向押圧力を付与するロック構造60を設けた。 - 特許庁

A elastic member 21 is prepared on the polishing head 2 to support the polishing tape 22, and an air cylinder 3 is prepared to press the tape 22 to the fringe of the wafer 100 with the head 2 at prescribed pressure.例文帳に追加

また、研磨ヘッド2には、研磨テープ22を支持する弾性体21を設け、研磨ヘッド2を所定の押圧力で押圧して研磨テープ22をウェハ100の周縁部に押圧するエアシリンダ3を設けた。 - 特許庁

In pressing a film 5 on a wafer 4 onto a polishing pad 1 to get in contact with it for CMP polishing, the wafer 4 is supported by a backing plate 2 through a contact pressure adjusting part 6.例文帳に追加

ウエハ4上の被研磨膜5を研磨パッド1に押圧接触させてCMP研磨する際、ウエハ4を接触圧力調整部6を介してバッキングプレート2に支持させる。 - 特許庁

A molten resin is extruded in a sheetlike form from a die 24 to be supplied to the nip between a pair of polishing rollers 26 and 28, and the sheetlike extrudate is cooled while held under pressure between the pair of polishing rollers 26 and 28 to form a cellulose acylate film 12.例文帳に追加

溶融樹脂をダイ24からシート状に押し出して、一対のポリシングローラ26、28の間に供給し、一対のポリシングローラ26、28で挟圧しながら冷却してセルロースアシレートフィルム12を形成する。 - 特許庁

To provide a technology that minimizes delamination in the CMP process while increasing the polishing speed which has decreased as the polishing pressure decreased.例文帳に追加

CMP工程における膜剥がれを抑制すると共に、研磨圧力の低下に伴う減少した研磨速度を高めることが出来る技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a work holding head and a polishing device having the work holding head capable of unifying a polishing rate on a substantially whole surface of work, wherein pressure distribution in processing is unified even when an orientation flat or a notch is provided on the work.例文帳に追加

ワークにオリフラやノッチが設けられていても、加工時の圧力分布が均一となり、ワークの略全面において研磨レートを均一とできるワーク保持ヘッド及び該ワーク保持ヘッドを有する研磨装置を提供する。 - 特許庁

A wafer carrier 13 holds a semiconductor wafer 14 and brings the surface of the wafer into contact with the polishing pad 12 horizontally at an appropriate pressure in a region which is located away by a prescribed distance from the center (marked by x in Figure) of the polishing disc 11.例文帳に追加

ウェハキャリア13は半導体ウェハ14を保持して研磨盤11の中心(×印)から所定距離離れた領域でウェハ表面を水平に研磨パッド12に適当な圧力で接触させる。 - 特許庁

An abrasive material 5 is laid between a window 15 on the polishing head 13 and the reflector and the reflector is pushed against a polisher pad 13 with the same pressure as in polishing the wafer 4.例文帳に追加

研磨ヘッド13の窓15と反射体との間に研磨剤5を介在させ、ウエハ4の研磨時と同じ圧力で反射体を研磨体パッド13に押し付ける。 - 特許庁

A semiconductor substrate wafer 2 is supported on an wafer supporting table 3 while directing the plane to be polished upward and a polishing roller 1 is brought into pressure contact with the plane to be polished of the semiconductor substrate wafer 2 thus rolling the polishing roller 1.例文帳に追加

ウエハ支持台3に半導体基板ウエハ2を被研磨面を上向きになるよう支持し、研磨ローラー1を半導体基板ウエハ2の被研磨面に加圧接触させて転動させる。 - 特許庁

The retainer ring 302 is provided with a pressure control mechanism for controlling a pressure for pushing the polishing surface 22a by the retainer ring 302, so as to form a predetermined pressure distribution not uniform along the circumferential direction of the retainer ring 302.例文帳に追加

リテーナリング302は、リテーナリング302の周方向に沿って一様でない所定の圧力分布を形成するように、リテーナリング302が研磨面22aを押圧する圧力を制御する圧力制御機構を備えている。 - 特許庁

Defects such as undercutting can be prevented by gradually increasing the slurry supply pressure and setting the slurry supply pressure in the early stage of polishing to a low pressure.例文帳に追加

このように、スラリー供給圧力を徐々に増加させること及び研磨開始初期のスラリー供給圧力を低圧にすることにより、アンダーカット等の不具合が防止できる。 - 特許庁

The polishing pad 100 comprises a thermoplastic backing film 105 and pressure sensitive adhesive 115 coupled to the thermoplastic backing film 110.例文帳に追加

研磨パッド100は、熱可塑性バッキング・フィルム105と、前記熱可塑性バッキング・フィルム110に結合した感圧接着剤115を含む。 - 特許庁

Thus toner can be stuck to the polishing roller 82 by applying pressure with the auxiliary roller 85.例文帳に追加

これにより、トナーを、補助ローラ85によって圧力を掛けて、研磨ローラ82に付着させることができる。 - 特許庁

The substrate where a wiring pattern is formed between materials having permittivity of two or below is polished with a polishing pressure that is set at 0.01 to 0.2 psi.例文帳に追加

誘電率が2以下の材料間に配線パターンが形成された基板を研磨圧力を0.01〜0.2psiとして研磨する。 - 特許庁

To provide a paraffine based curing agent which is not needed to remove by ground polishing with sander or high pressure washing.例文帳に追加

サンダー掛けによる下地研磨や高圧洗浄による養生剤の除去を行う必要のないパラフィン系養生剤の提供。 - 特許庁

The operating rod 2 is operated from the ground to press the polishing mechanism 7 on a lower surface of the section insulator I elastically with a given pressure.例文帳に追加

操作棒2の操作で、地上から研磨機構7を所定の圧力で弾性的にセクションインシュレータIの下面に押しつける。 - 特許庁

The washing liquid is atomized in the air by being injected by high pressure and atomized body impinges against the polishing tape 16 with sufficient momentum.例文帳に追加

この洗浄液は、高圧で噴射されることにより空中で霧粒状になり、霧粒状体が研磨用テープ16に勢いよく衝突する。 - 特許庁

In the sputtering target produced through a surface polishing stage, water is sprayed under a prescribed pressure, so that surface treatment is performed thereto.例文帳に追加

表面研削工程を経て製造されたスパッタリングターゲットにおいて、水を所定の圧力で噴射することにより表面処理を施したもの。 - 特許庁

When the peripheral circuit region 12 and the memory cell region get flush with each other, a polishing pressure becomes nearly equal anywhere at CMP.例文帳に追加

周辺回路領域12とメモリセル領域との段差が無くなれば、CMP時の研磨圧力がどこでも概略同じとなる。 - 特許庁

To provide a composition and a method for polishing a copper interconnect effectively at a low down force pressure.例文帳に追加

小さいダウンフォース圧力で銅配線を効果的に研磨するための研磨組成物及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate holding device capable of strictly controlling the back pressure of a substrate and the temperature of a polishing boarder face in a relatively simple structure.例文帳に追加

基板の背圧や研磨境界面の温度の制御を、比較的簡単な構成でより厳密に行うことができるような基板把持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of an embedded wiring structure capable of realizing relatively high throughput even when a polishing pressure is lowered.例文帳に追加

研磨圧力を低下させても比較的高いスループットを実現できる埋め込み配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

A pressure sensitive adhesive layer 7b on one surface side of the double-sided adhesive tape 7 and the urethane sheet 2 constitute the polishing member 6.例文帳に追加

両面テープ7の一面側の粘着剤層7bとウレタンシート2とが研磨部材6を構成する。 - 特許庁

To provide a substrate retaining device capable of controlling a pressure for pushing a polishing surface by a retainer ring along the circumferential direction.例文帳に追加

リテーナリングが研磨面を押圧する圧力を周方向に沿って制御することができる基板保持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a blasting apparatus or dentistry easily capable of adjusting polishing agent injecting quantity by a specific gas jet pressure.例文帳に追加

所定の気体噴射圧により、研摩剤噴射量を調整することが容易な歯科用ブラスト装置を提供すること。 - 特許庁

Without a high-precision pressure sensor, a complex mechanism and complex control, the simple structure can precisely control the removal by polishing of the polished surface.例文帳に追加

高精度な圧力センサや複雑な機構、複雑な制御を必要とせず、簡単な構成で被研磨面の研磨除去量を精密に制御できる。 - 特許庁

Specifically, cotton is coarsely wound on a core bar, and then the cotton is tightly wound from above, to thereby form the cotton portion 13 having an arbitrary pressure distribution imparted to the polishing tool 10.例文帳に追加

芯棒に粗く綿を巻き、その上から密に綿を巻いて研磨工具10に任意の圧力分布を持たせた綿部分13を作る。 - 特許庁

To provide a connecting seal mechanism for feeding a high-pressure polishing fluid between a non-rotating first cylindrical member and a rotating second cylindrical member.例文帳に追加

非回転の第1の筒部材と回転する第2の筒部材との間を高圧研磨流体を移送させるための結合シール機構を提供する。 - 特許庁

By providing the elastic means 19, the arm, at whatever angle may be, can apply a suitable polishing pressure to an unpolished surface 20.例文帳に追加

また、弾性手段19があるので、アームがどの角度にあっても、適当な研磨圧を研磨面20に加えることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the pressure of a polishing tape is suitably dispersed onto a surface to be polished.例文帳に追加

研磨テープの圧力を被研磨面に好適に分散できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The residual stress of the tension produced during the heat treatment is made into compressive pressure by this polishing treatment, by which the resistance to the stress corrosion cracking can be additionally improved.例文帳に追加

このみがき処理により、加熱処理時に生じた引張りの残留応力が圧縮圧力となり、より耐応力腐食割れ性を向上できる。 - 特許庁

Thus, a polishing pressure to be applied to the center of the part 9 is reducing from other part, and the part 9 is subjected to CMP processing.例文帳に追加

これにより、被処理部9の中央部にかかる研磨圧力を他の部分よりも低減させつつ、被処理部9にCMP処理を施す。 - 特許庁

An air cylinder 36 to press a holding plate 55, holding a ferrule 60, against the polishing sheet side is capable of regulating an air pressure.例文帳に追加

フェルール60を保持する保持板55を研磨シート側に押圧するエアーシリンダ36は、エアーの圧力調整が可能である。 - 特許庁

To provide an air pressure type polishing method and a device therefor to prevent adhesion of slurry grinding grains to a part to be machined occurring due to air drying.例文帳に追加

空気乾燥によって生じる被加工部へのスラリ砥粒の固着を防止することができるエアー加圧式研磨方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Pressure mechanisms 20, 20 are provided for pressing the cup-shaped grinding wheel 10 against the subject of polishing 100 at a position other than the rotational axis of the cup- shaped grinding wheel 10.例文帳に追加

カップ型砥石10をカップ型砥石10の回転中心軸以外の位置で被研磨物100に押し付ける加圧機構20,20を設ける。 - 特許庁

To polish the surface of a magnetic disk by pressing a polishing material onto the surface of the magnetic disk at a low pressure.例文帳に追加

磁気ディスクの表面に研磨材を低圧力で押圧して、上記磁気ディスクの表面を研磨することができるようにする。 - 特許庁

In a second texture working, the surfaces are polished for 20 sec at 2 kg tape pressing pressure using polycrystalline diamond particles having 80 nm average particle diameter as polishing particles.例文帳に追加

2段目の加工では、平均粒径80nmの多結晶ダイヤモンドを砥粒として、押しつけ圧2kgで、20秒間研磨加工を行った。 - 特許庁

例文

To provide a chemical mechanical polishing(CMP) control system for controlling pressure distribution on the back face of a semiconductor wafer to be polished.例文帳に追加

研磨される半導体ウエハの裏面にわたる圧力分布を制御する化学機械研磨(CMP)制御システムを提供する。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS