「polishing pressure」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the temperature distribution, rotational speed of a polishing head 13, rotational speed of a polishing plate 12, polishing pressure from the polishing head 13, polishing liquid supply, temperature of a carrier plate 16 and coolant supply to a coolant channel 12a are controlled such that the temperature becomes constant in the polishing surface.例文帳に追加

これに従って、研磨面内の温度が一定になるように研磨ヘッド１３の回転速度、研磨定盤１２の回転速度、研磨ヘッド１３からの研磨圧力、研磨液の供給量、キャリアプレート１６の温度、冷媒流路１２ａへの冷媒の供給量を制御する。 - 特許庁

The air line 105 comprises a high pressure air line 105a for producing first polishing pressure in the cylinder 104, and a low pressure air line 105b for producing second polishing pressure smaller than the first polishing pressure in the cylinder 104.例文帳に追加

エアーライン１０５は、シリンダー１０４内に第１の研磨圧力を生成するための高圧エアーライン１０５ａと、シリンダー１０４内に第１の研磨圧力よりも小さい第２の研磨圧力を生成するための低圧エアーライン１０５ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an inductor for a semiconductor device, which enables high-speed copper polishing under the same polishing conditions as a conventional one or conditions of lower polishing pressure by using slurry having a high polishing speed.例文帳に追加

高研磨速度を有するスラリーを利用することにより、従来と同じ研磨条件、または、低研磨圧力条件下でも高速銅研磨を可能にした半導体素子のインダクタ形成方法を提供する。 - 特許庁

The lens polishing device 1 carries out the polishing of the lens 2 by bringing the lens into surface contact with the polishing disc 3 for rotating the lens 2 and by pressure-oscillating the lens on the spherical axis of the polishing disk 3.例文帳に追加

レンズ研磨装置１は、レンズ２を回転する研磨皿３に面接触させ、研磨皿３の球芯軸上を加圧揺動させてレンズ２の研磨を行う。 - 特許庁

To equalize the contact (polishing) pressure to be given from the polishing surface over the whole area of the substrate which is held by a top ring and is pressed down on the polishing surface of a turntable for polishing.例文帳に追加

トップリングにより保持されターンテーブルの研磨面に押し付けられて研磨される基板を、研磨面から加えられる接触(研磨)圧力が、その全面にわたって均一になるようにする。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method enabling high polishing speed and low dishing even in conditions of low contact pressure between a polished surface of a wafer and a polishing pad and the less number of rotations of a plate in polishing the wafer.例文帳に追加

ウェハを研磨する際に、ウェハの被研磨面と研磨パッドの接触圧と定盤の回転数が共に低い条件であっても高い研磨速度で低ディッシングの研磨が可能な化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In the polishing particle, the particle is deformed when a polishing pressure becomes high, generation of scratch is suppressed by maintaining the polishing speed, and sufficient polishing performance can be exhibited.例文帳に追加

この研磨用粒子は、研磨圧が高くなると粒子が変形し、研磨速度を維持して、スクラッチ発生が抑制され、良好な研磨性能を示すことができる。 - 特許庁

On the polishing surface 25, a polishing suppressing region 26 is arranged which suppresses the polishing pressure applied to the center part including a vertex of the aspheric surface shaped in the polishing surface 25.例文帳に追加

研磨面２５には、研磨面２５に形成される非球面の頂点を含む中央部分に加わる研磨圧を抑制する研磨抑制領域２６が設けられている。 - 特許庁

To provide a base board polishing device capable of accurately controlling a polishing quantity, even if a little variation is caused in polishing pressure acting on a processing surface of a polishing object base board.例文帳に追加

被研磨基板の加工面に作用する研磨圧力に多少の変動が生じても研磨量を正確に制御することができる基板研磨装置を提供する。 - 特許庁

To make a polishing surface formable in small size and reduce polishing work, by installing a sphere to a part forming the polishing surface of a workpiece containing abrasive material, applying pressure to transcribe a surface shape of the sphere, and forming the polishing surface.例文帳に追加

小サイズの研磨面の形成が可能であり、生産性が高く、また研磨の際に研磨剤を用いる必要がなく、研磨作業を軽減することがでる。 - 特許庁

The polishing cloth 7 has a polishing cloth main body, and a pressure sensitive adhesive layer in order to adhere the polishing cloth main body 5 laminated on one side surface of the polishing cloth main body to surface plates 11 and 12.例文帳に追加

研磨布７は、研磨布基体５と、研磨布基体５の片面に積層されており研磨布基体５を定盤１１，１２に接着するための感圧接着剤層３とを有する。 - 特許庁

This end surface polishing device has a polishing force applying device A to apply the pressure contact force of a ferrule 34 to a polishing board surface through a polishing arm holder 14.例文帳に追加

端面研磨装置は、研磨ホルダアーム１４を介してフェルール３４と研磨盤面との圧接力を付加する研磨力付加装置Ａを構成している。 - 特許庁

To provide a polishing device allowing polishing in an optimum state by bringing a working surface of an object to be polished into uniform pressure contact with the surface of a pad and improvement of polishing performance, a polishing rate and productivity.例文帳に追加

被研磨物の加工面をパッド表面に均一に圧接させることにより最適な状態で研磨でき、研磨性能、研磨レートおよび生産性の向上が可能な研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing laminate used for a polishing pad whose polishing speed is on a practical level while combining both flatness and uniformity, even when carrying out polishing particularly at low pressure.例文帳に追加

特に低圧で研磨する場合においても、平坦性と均一性の両立がはかれ、かつ研磨速度が実用的なレベルである研磨パッドに用いられる研磨用積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing device for evenly allowing the pressure applied on the back surface of a polishing article to act over the entire surface of a wafer, thereby making polishing thickness of the polishing article even.例文帳に追加

被研磨物の後面に加わる圧力をウエハーの全体面にわたって均等に作用させ被研磨物の研磨厚さを均一にする研磨装置及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method for a polished object that is efficient in polishing on every polished object and can suppress a variation in polishing characteristics such as polishing pressure whether the surface of the polished object is conductive or nonconductive.例文帳に追加

被研磨物の表面が導電性及び非導電性に拘わらず、あらゆる被研磨物に対して研磨効率がよく、研磨圧等の研磨特性の変動を抑制することを可能とした被研磨物の研磨方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the change of the polishing rice pressure in the rice polishing chamber 30 can be restricted and the change of the degree of polishing grain in the rice grains and of the yield of polishing rice can be restricted.例文帳に追加

このため、精米室３０での米粒の精米圧力の変動を抑制できて、米粒の精穀度及び精米の歩留の変動を抑制できる。 - 特許庁

The method for polishing the substrate comprises a step of polishing the substrate by an abrasive containing an additive for imparting a point of inflection of polishing pressure dependence to the abrasive and a polishing speed.例文帳に追加

本発明は、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨法を提供するものである。 - 特許庁

A worker controls a pressurizing force acting upon the substrate holder 15 to let it approach the polishing pad 11, the rotational speed of the polishing platen 10, and the rotational speed of the substrate holder 15 in the range of the product of the polishing pressure and the relative polishing speed.例文帳に追加

作業者は、研磨の圧力と研磨の相対速度との積の範囲内で、基板ホルダー１５を研磨パッド１１に接近させる加圧力、研磨定盤１０の回転速度及び基板ホルダー１５の回転速度を制御する。 - 特許庁

To change polishing pressure for each abrasive disc during operation in an apparatus for mirror-polishing wafer notch, having a plurality of abrasive discs and applying polishing pressure with a weight.例文帳に追加

複数の研磨ディスクを備え、ウェイトによって研磨圧を与える形式の鏡面研磨装置であって、運転中に研磨ディスク毎に研磨圧を変更することができるウェハノッチの鏡面研磨装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a polishing method for a semiconductor wafer that can effectively apply pressure to a broad area of a semiconductor wafer's peripheral part, thus polishing it.例文帳に追加

半導体ウェハの周縁部の広い領域に効果的に圧力を加えて研磨を行うことが可能な半導体ウェハの研磨方法を提供する。 - 特許庁

The pressing mechanism 60 presses the work 10 to the polishing surface 24a of the polishing plate 24 at a predetermined pressure.例文帳に追加

押圧機構６０は、被加工物１０を研磨プレート２４の研磨面２４ａに対して所定圧力で押圧する。 - 特許庁

Thereafter, a second polishing processing in which a polishing pressure is set to 1.5 times or more is executed on the surface of the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

その後、研磨圧力を１．５倍以上にした第２研磨処理を層間絶縁膜３の表面に対して実行する。 - 特許庁

To perform uniform polishing and high-speed and high-pressure polishing and to improve using efficiency of slurry.例文帳に追加

均一な研磨，高速・高加圧研磨を行うことおよびスラリーの利用効率を高めることを可能とする。 - 特許庁

The polishing of the diamond D is carried out in the vacuum chamber for polishing adjustable in both oxygen partial pressure and internal temperature.例文帳に追加

ダイヤモンドＤの研磨加工は、酸素分圧および内部温度のそれぞれ調整可能な研磨作業用真空チャンバ内においてを行なう。 - 特許庁

To improve the flatness of a work on the whole after polishing by equalizing the working pressure during the polishing over the work.例文帳に追加

研磨中の加工圧力をワーク全体にわたって均一にし、研磨後のワーク全体の平坦性をより向上させる。 - 特許庁

To provide a polishing head reducing influence on a polishing rate against fluctuation of thickness and pressure of a wafer and a retainer.例文帳に追加

ウエーハやリテーナの厚さ、及び圧力の変動に対しての研磨レートへの影響が低減できる研磨ヘッドを提供する。 - 特許庁

Also highly accurate polishing can be accomplished because, at the time of polishing, the slippage prevention layer is of thickness not effecting the pressure applied to a material being polished.例文帳に追加

またすべり防止層は研磨時に被研磨材料にかかる圧力に影響を与えない厚さなので、高精度の研磨を行うことができる。 - 特許庁

To improve uniformity for contacting pressure distribution between a wafer and polishing cloth in a place close to the peripheral part of the wafer in a polishing device.例文帳に追加

ポリシング装置において、ウエーハの周縁部の近傍におけるウエーハと研磨布との間の接触圧力分布の均一性を改善する。 - 特許庁

The pressure sensitive adhesive 115 is constituted so as to stick the chemical mechanical polishing pad 100 to a polishing platen.例文帳に追加

前記感圧接着剤１１５は、化学機械研磨パッド１００を研磨盤に接着するように構成されている。 - 特許庁

The grinding wheel 3 is moved from one end to the other end of the cylindrical body W while keeping a polishing pressure constant for uniform polishing of a cylinder.例文帳に追加

砥石３を研磨圧力を一定に保って円筒体Ｗの一端から他端まで移動して均一に円筒研磨する。 - 特許庁

The grinding wheel 3 is moved from one end to the other end of the cylindrical body W while keeping a polishing pressure constant for uniform polishing of a cylinder.例文帳に追加

砥石３を研磨圧力を−定に保って円筒体Ｗの一端から他端まで移動して均一に円筒研磨する。 - 特許庁

To provide a chemical and mechanical polishing apparatus wherein a polishing head to which gas pressure of plural systems is applied may be easily replaced regardless of its type.例文帳に追加

複数系統からのガス圧を受ける研磨ヘッドをその種類に拘わらず容易に交換することのできる化学機械研磨装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluid-pressure regulated wafer polishing head which secures a uniformity in polishing of a wafer.例文帳に追加

ウエハの研磨の均一性を確保することが可能な流体圧制御式ウエハポリシングヘッドを提供する。 - 特許庁

Rough polishing is performed by high-speed reciprocating motion, and finish polishing is performed by low-pressure reciprocating motion.例文帳に追加

高速で往復動させることにより粗研磨を行い、低圧往復動で仕上げ研磨を行うようにしている。 - 特許庁

An wafer 5 turns while being held on a polishing head 6 and touches the polishing pad 3 with a specified pressure.例文帳に追加

ウェハ５は研磨ヘッド６に保持された状態で回転し、ウェハ５の表面は研磨パッド３に所定の加圧力で接触する。 - 特許庁

A surface of the adjusting part 6 is machined to be higher where a polishing surface of the film 5 is higher, and lower where it is lower, so that the polishing surface adjusts contact pressure of the polishing surface to get in contact with the polishing pad 1 in accordance with height of the polishing surface of the film 5.例文帳に追加

この調整部６の表面は被研磨膜５の研磨面の高低に応じて研磨面が研磨パッド１に接触する接触圧力の大小を調節するように、被研磨膜５の研磨面が高い部位が調整部表面が高く、低い部位が低くなるように加工されている。 - 特許庁

To prevent a polishing liquid from entering an inner part of a device to deteriorate rotating accuracy in the polishing device which allows a polishing tool to come into contact with a surface to be polished by pressure, rotates the polishing tool and supplies the slurry type polishing liquid including micro particles to polish the surface.例文帳に追加

研磨工具を被加工面に圧接して回転させ、微粒子を含むスラリー状の研磨液を供給しながら研磨加工を行う研磨装置において、研磨液が装置内部へ侵入して回転精度の低下等を招くのを防ぐ。 - 特許庁

Further, the workpiece is brought into contact with a polishing pad with the predetermined pressure while feeding the blended polishing liquid with the transition metal particles, oxide particles and hydrogen peroxide solution as the catalyst being the base on the polishing pad with CeO_2 impregnated therein, and the polishing pad and the workpiece are relatively moved for polishing.例文帳に追加

また、触媒としての遷移金属微粒子、酸化物微粒子及び過酸化水素水をベースとした配合研磨液を、ＣｅＯ_2を含浸させたポリッシングパッド上に供給しながら被加工物を所定の押圧力で接触させ、前記ポリッシングパッドと被加工物を相対的に移動させて研磨する。 - 特許庁

The polishing liquid for CMP process containing polishing materials and an aqueous solvent has a characteristic presented by a relation between polishing speed (R), which is measured by a polishing-speed measuring method explained below, and the pressure of a polishing head (P) in equation (1) which is represented by a line (T).例文帳に追加

研磨材と水系溶媒とを含有してなり、下記の研磨速度測定法により測定した研磨速度（Ｒ）と研磨ヘッド圧力（Ｐ）とを直線（Ｔ）が式（１）で表されることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨液を用いる。 - 特許庁

In a polishing device, polishing tapes are arranged so that the tapes are brought into pressure contact with the surface of an electrophotographic photoreceptor and the surface of the photoreceptor is first polished using a first polishing tape and then polished using a second polishing tape which is rougher than the first polishing tape.例文帳に追加

電子写真感光体の表面に研磨テープを加圧当接させるように配置されており、はじめに第一の研磨テープを用いて、次に第一の研磨テープよりも粗い第二の研磨テープで研磨することにより上記課題は達成される。 - 特許庁

To provide a rice-polishing device having the function of polishing polished rice to remove oxides from the surface of polished rice and the function of pounding unpolished rice partly and the function of polishing rice and allowing fine setting of the polishing pressure to enable polishing of partly pounded to polished rice.例文帳に追加

精白米の表面についた酸化物を除去する白米みがき機能、玄米の分つき機能および精白機能を有する精米器において、きめ細かい精米圧力の設定ができるようにして、歩つき米から白米まで精米できるようにする。 - 特許庁

Or, by setting the polishing weight so as to satisfy the relation P2>P'>P>P1, it is possible to realize a polishing characteristic in which the polishing is selectively progressed at the protruding parts to which a higher polishing pressure than the pressure at which the inflection point appears according to the pattern shape of the film to be polished is applied.例文帳に追加

或いは、Ｐ2＞Ｐ'＞Ｐ＞Ｐ1となるように研磨荷重を設定することにより、被研磨膜のパターン形状に応じて変曲点が現れる圧力よりも高い研磨圧力がかかる凸部を選択的に研磨する特性を実現することができる。 - 特許庁

A computer 22 finds out the range of the product of polishing pressure and a relative polishing speed based on an equation RR_min≤k×P×V≤RR_max (where RR_min is the lower limit of the polishing rate, RR_max is the upper limit of the polishing rate, (k) is a constant determined by experiments, P is the polishing pressure, and V is the relative polishing speed).例文帳に追加

コンピュータ２２は、ＲＲ_min ≦ｋ×Ｐ×Ｖ≦ＲＲ_ma_x （但し、ＲＲ_min は研磨レートの下限値であり、ＲＲ_max は研磨レートの上限値であり、ｋは実験により決まる定数であり、Ｐは研磨の圧力であり、Ｖは研磨の相対速度である。）の式に基づいて、研磨の圧力と研磨の相対速度との積の範囲を求める。 - 特許庁

The polishing surface 4 is simultaneously formed relating to both the workpieces 1 in a single pressure process.例文帳に追加

この研磨面４は、１回の加圧工程で両被加工材１に対し同時に形成される。 - 特許庁