「polishing pressure」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a machining control apparatus which cools a machining point directly by the penetration and ejection of low-temperature coolant gas or a high-pressure liquid coolant from the inside of the center of a machining tool (grinding wheel, polishing buff, etc.) to the outer peripheral surface, and guides the coolant gas or the high-pressure liquid coolant so as to be efficiently concentrated and ejected on the machining point.例文帳に追加

加工工具（研削砥石や研磨バフ等）の中心内部から外周面に低温の冷却気体や高圧冷却液を浸透噴出して加工点を直接冷却するものにして、冷却気体や高圧冷却液が効率良く加工点に集中して噴出誘導する加工制御装置を提供する。 - 特許庁

In a backing pad, used for polishing a semiconductor wafer by a wax-less method for fixing the wafer, this backing film is characterized by a constitution such that this pad is in film shape to be formed with a silicon rubber in one surface of a base film to laminate in its opposite surface a pressure sensitive adhesive layer or a pressure sensitive adhesive double coated tape.例文帳に追加

半導体ウエハをワックスレス法により研磨するのに用いるウエハ固定用のバッキングパッドにおいて、該パッドがフィルム状であり、ベースフィルムの片面にシリコーンゴムが形成されており、その反対面に粘着剤層ないしは、両面テープが積層された構成となっている事を特徴とするバッキングフィルムである。 - 特許庁

The pressure control circuit effects a pressure distribution on the outer surface of the wafer in accordance with polishing rates at various positions on the surface of the wafer.例文帳に追加

該装置は、回転研磨プラテンと、回転研磨プラテンの表面にスラリーを供給するスラリー供給システムと、ウエハーを保持し回転させると共にウエハーの表面をスラリーと回転研磨プラテンとに接触させて化学機械研磨工程を行うのに用いられる回転キャリヤーと、ウエハーの表面の異なる位置の研磨率に基づいて対応する圧力分布を前記ウエハーの表面に提供する圧力制御回路とからなる。 - 特許庁

This barrel polishing device is composed of a barrel tank 2 having a work and abrasive materials put therein to polish the work, a pressure reducing device 25 capable of being connected to the barrel tank 2 and reducing pressure in the barrel tank 2, and a hopper 27 storing abrasive materials discharged form the barrel tank 2 and capable of being connected to the barrel tank 2 and introducing abrasive materials to the barrel tank 2.例文帳に追加

バレル槽にワークと研磨石とを装入してワークを研磨するバレル槽２と、前記バレル槽２に接続可能でバレル槽２内を減圧する減圧装置２５と、前記バレル槽２から排出された研磨石を収容するとともにバレル槽２に接続可能でバレル槽２に研磨石を導入するホッパー２７とからなるバレル研磨装置である。 - 特許庁

The manufacturing method includes: (a) producing a single-phase solution by combining polymer resin with a supercritical gas which is generated by exposing a gas to high temperature and pressure, and (b) forming a polishing pad from the single-phase solution; wherein the supercritical gas is generated by exposing a gas to high temperature and pressure.例文帳に追加

生産の方法は、（ａ）ポリマー樹脂を、高い温度および圧力にガスを晒すことにより生成される超臨界ガスと組み合わせて単相溶液を生成すること、および（ｂ）該単相溶液から研磨パッドを形成することを含み、該超臨界ガスはガスを高い温度および圧力に晒すことによって発生させる。 - 特許庁

The product is used together with polishing slurry to polish or flatten the workpiece, and is composed of a polymer matrix which does not substantially polish the surface of the workpiece by itself, but is impregnated with a plurality of polymer fine elements (except for polymer fine elements having porous spaces containing gas of pressure higher than atmospheric pressure).例文帳に追加

研磨スラリーと共に使用される、加工品を研磨又は平坦化するための製品であって、それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなる製品（ただし、高分子微小エレメントが大気圧より大きい圧力のガスを含む空隙スペースを有するものを除く）である。 - 特許庁

In a carrier plate 16 which brings a wafer 20 in pressure contact with a polishing pad 14 and holds the wafer 20 attached thereto when the wafer 20 is polished according to a relative motion with the polishing pad 14, an uneven spectrum in the wavelength direction on an attached surface 16a of the wafer 20 of the carrier plate 16 has an amplitude intensity that can avoid transfer of the unevenness to a polished surface of the wafer 20.例文帳に追加

ウェーハ２０を研磨パッド１４に圧接させ、前記研磨パッド１４との相対運動により前記ウェーハ２０の研磨を行なう際に前記ウェーハ２０を貼り付けて保持するキャリアプレート１６であって、前記キャリアプレート１６の前記ウェーハ２０の貼り付け面１６ａの凹凸形状の波長方向のスペクトルが、前記ウェーハ２０の被研磨面への前記凹凸形状の転写を回避可能な振幅強度を有することを特徴とする。 - 特許庁

A pressure to be applied to a wafer W by the abrading holder K is set at 100 g/cm^2-1,500 g/cm^2, and the stripe type group III nitride wafer is polished while a polishing liquid at pH of 1-12 is being supplied, and the abrading holder and the polishing platen are being rotated.例文帳に追加

圧縮率が１％〜１５％のパッドを持つ研磨定盤を用い、複数のストライプ型３族窒化物ウエハをストライプＳの方向が回転方向Ｇと垂直になるように研磨ホルダ−Ｋに放射状に貼付け、研磨ホルダーＫがウエハＷに与える圧力を１００ｇ／ｃｍ^２〜１５００ｇ／ｃｍ^２にして、ｐＨが１〜１２の研磨液を供給しつつ研磨ホルダ−と研磨定盤を回転させながらストライプ型３族窒化物ウエハを研磨する。 - 特許庁

Cleaning tools 2 include powered rotating, reciprocating, vibrating, oscillating and/or linear brushes, wrap-around cleaning belts, sonic horns, ultrasonic vibrating guns, lasers, pressure washing and/or water jetting nozzles on stationary, rotating or oscillating spray bars and spinning heads using steam, tap or pure water, and pneumatic polishing nozzles.例文帳に追加

洗浄具２は、動力式回転、往復動、震動、振動、及び／又は線状ブラシ、巻き付け洗浄ベルト、音響ホーン、超音波震動ガン、レーザー、蒸気、水道水もしくは純水を使用する、固定、回転又は振動スプレーバー及び回転ヘッド上の加圧洗浄及び／又はウォータジェット・ノズル、並びに空気式研磨ノズルを含む。 - 特許庁

At this time, since the polishing roll 32 rotates in the reverse direction of a reel-out direction of the metal foil 30 by the fixed roll 31, an uneven surface 32a is pressed against the surface of the metal foil 30 by the predetermined pressure and frictionally moved, and the surface of the metal foil 30 is ground, and a roughened surface 30a is formed on the surface of the metal foil 30.例文帳に追加

このとき、研磨ロール３２が、固定ロール３１による金属箔３０の繰り出し方向と逆方向に回転するので、凹凸面３２ａが金属箔３０の表面に対して所定の圧力で押圧されて擦動し、金属箔３０の表面が削られて、粗面化３０ａが金属箔３０の表面に形成される。 - 特許庁

To improve flatness accuracy of a chamber plate in a polishing process in a liquid ejection head having a flow path unit where a nozzle plate with a plurality of nozzles, the chamber plate with a pressure chamber in communication with the nozzles, and a diaphragm plate for sealing one side surface of the chamber plate are laminated.例文帳に追加

複数のノズルを有するノズルプレート、前記ノズルと連通する圧力室を有するチャンバープレート、前記チャンバープレートの一側面を封止するダイアフラムプレートを積層した流路ユニットを有する液体吐出ヘッドにおいて、研磨加工時におけるチャンバープレートの平坦度精度を向上すること。 - 特許庁

To provide finely single crystal type polishing material particles which are produced from diamond synthesized under an ordinary static very-high pressure using a press as a raw material and can simultaneously satisfy a large processing quantity per unit time and small processed surface roughness, and to provide a method for producing the particles.例文帳に追加

本発明は、プレスを用いる通常の静的超高圧力下で合成されたダイヤモンドを原料としながら、大きな単位時間当たりの加工量と小さな加工面の面粗さとを同時に満たすことを可能とした、微細単結晶タイプ研磨材粒子、およびそれらの製造方法を提供することを、主な目的とする。 - 特許庁

The jig tool 13 for polishing work is provided with an auxiliary tool 13b holding an outer edge of the optical element, workpiece hold implement rotatably holding the auxiliary tool 13b by an opening also fixed to a prescribed position by a chuck or the like, and a low elastic pressure implement 13a fitted into the auxiliary tool 13b so as to be placed on the optical element.例文帳に追加

研磨加工用治工具１３は、光学素子Ａの外縁を保持する補助工具１３ｂ、補助工具１３ｂを開口で回転自在に保持すると共にチャック等によって所定の位置に固定されるワーク保持具１３ｄ、光学素子Ａ上にのるように補助工具１３ｂにはめ込まれた低弾性加圧具１３ａを備えている。 - 特許庁

This manufacturing equipment is provided with a housing H forming a closed space divided from external circumstances K, a means for keeping the space clean, a polishing part 1 and a cleaning part 10 which are installed in the space and treat a semiconductor wafer W, and a means which increases the pressure in the space higher than that of the external circumstances K.例文帳に追加

外部環境Ｋと仕切られた密閉された空間を形成するハウジングＨと、前記空間を清浄に保つ手段と、前記空間内に設置され半導体ウエハＷの処理を行う研磨部１および洗浄部１０と、前記空間内の圧力を外部環境Ｋの圧力より高める手段とを有する。 - 特許庁

To obtain a workpiece holding agent which can precisely and stably fix a workpiece on the fixed plate of a polisher by pressure-sensitive adhesiveness during polishing, can permit easy release when the workpiece is released from the fixed plate, and does not necessitate conventional cleaning with an organic solvent or a surfactant and to provide a method for releasing a workpiece held with the agent.例文帳に追加

被加工物を研磨時には高精度にしかも安定的に研磨機定盤に粘着固定し、研磨機定盤から剥離する際には容易に剥離ならしめ、しかも従来の有機溶剤や界面活性剤による洗浄を必要としない被加工物用保持剤および保持剤を用いた被加工物の脱着方法を提供すること。 - 特許庁

On the upper surface plate 30, there are installed a thickness measurement sensor part 115 as thickness measurement means which is disposed on an orbit of the wafer in polishing and which measures a thickness of the wafer and a pressurizing apparatus 125 which is disposed at a position distant from the thickness measurement sensor part 115 on the orbit and which pressurizes a local pressure onto the upper surface plate 30.例文帳に追加

また、上定盤３０には、研磨加工するときのウェハの軌道上に配置されウェハの厚みを測定する厚み測定手段としての厚み測定センサ部１１５と、前記軌道上の厚み測定センサ部１１５と離間した位置に配置され上定盤３０に局部的な圧力を加える加圧装置１２５とが設置されている。 - 特許庁

When pressing a wafer under another pressure according to the regions too, the fixed slide ring 240 moves with the press portion of the membrane 230, therefore, in the section which divides the membrane 23 into each regions, the lower surface of the membrane 230 adjacent to the wafer becomes flat, thereby, the polishing uniformity can be improved.例文帳に追加

ウェーハを領域に応じて他の圧力に加圧する場合にも、メンブレイン２３０を各領域に区切る区画部は固定されたスライドリング２４０がメンブレイン２３０の加圧部と共に移動するので、ウェーハと接するメンブレイン２３０の下部面が平たくなり、これによって、研磨均一度を向上させることができる。 - 特許庁

A carrier head 52 of chemical and mechanical polishing apparatus has a support part, an elastic membrane 300 having a pressure chamber 520 formed between the support part and a bottom face, by being fixed to an annular fixing part and separated from the bottom face of the support part, and at least one dividing ring 400, extending from the bottom face of the support part and composed of an elastic material.例文帳に追加

化学機械的研磨装置のキャリアヘッド５２は支持部と、環形固定部に固定されて支持部の底面と離隔されることによって、支持部の底面との間に加圧チャンバ５２０が形成される弾性メンブレン３００と、支持部の底面から延長され、弾性材料からなる少なくとも一つの区画リング４００と、を有する。 - 特許庁

To provide a copper plating method by which the formation of a releasable film of a sulfurous compound contained in a brightener or a hardener is inhibited before a nickel-plated face is plated with copper to increase the adhesion between the nickel-plated face and copper-plated face, and the copper plating is never released from the nickel-plated face as if it were Ballard plating when a high polishing pressure is exerted.例文帳に追加

ニッケルメッキ面に対して、銅メッキが行なわれる前に、光沢剤や硬質化剤に含まれる硫黄系化合物の剥離性膜が形成されないようにして、ニッケルメッキ面と銅メッキ面との密着力を高めて、大きな研磨圧力が加わって銅メッキがあたかもバラードメッキであるかのようにニッケルメッキ面より剥がれ落ちることがないようにする、銅メッキ方法。 - 特許庁

The present polishing equipment of semiconductor wafer forms a processing chamber which is arranged extendedly in an aperture of head body and in partition from exterior between it and the head body, comprises a roughly circular membrane holding the semiconductor wafer with an inner circumference lower surface, and prepares an air temperature controlling means for controlling a temperature of air directly pressurizing the membrane with air pressure.例文帳に追加

本半導体ウェーハの研磨装置は、ヘッド本体の開口部に張設されてヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で半導体ウェーハを保持するほぼ円形のメンブレンとを有し、メンブレンを直接空気圧により加圧する空気の温度を制御する空気温度制御手段を備える。 - 特許庁

The polishing head includes a cavity adapted to be filled with a pressure-controlling medium, and a tip region having a shape that matches a shape of the notch.例文帳に追加

一部の実施形態において、基板のノッチ１１６に研磨テープ３１８を付けるように適合された研磨ヘッドが設けられ、上記研磨ヘッドは、圧力制御媒体で充てんされるように適合された空洞と、ノッチの形状に対応する形状を有した先端領域とを含み、研磨パッド３１６は、研磨テープ３１８に接触して、ノッチ１１６に研磨テープ３１８を押し付けるように適合される。 - 特許庁

The surface of a base material roughened into the surface roughness Rz of 0.1 to <1 μm is coated and formed with a coating film material for sliding composed so as to incorporate acute hard powder, a solid lubricant and an extreme-pressure additive and further incorporated with a resin binder and having a polishing function to obtain the valve system sliding material.例文帳に追加

表面粗さＲｚが０．１μｍ以上１μｍ未満に粗面化した基材上に、鋭角形状の硬質粉末及び固体潤滑剤、極圧添加剤を含有し、さらに樹脂バインダーを含有して構成される研摩機能を有する摺動用コーティング皮膜材料を被覆形成することにより、動弁系摺動材料を得る。 - 特許庁