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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > polishing pressureに関連した英語例文

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polishing pressureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 427



例文

When the surface of a semiconductor wafer with wiring patterns is polished being pressed in contact with a polishing pad, the pressure therefor is changed during polishing taking into consideration the condition of the surface of the wafer changing together with the progress of polishing.例文帳に追加

配線パターンが付与された半導体ウェーハの表面を研磨パッドに圧接させながら半導体ウェーハの表面を研磨する際に、研磨の進行に伴って変化する半導体ウェーハの表面の状態を考慮して、半導体ウェーハの表面を研磨パッドに圧接するための圧力を研磨の途中で変更する。 - 特許庁

After a polishing object surface 11 of a workpiece 1 is transferred to viscous fluid 3 stored into a container 4, polishing fluid 2 mixed with abrasive agent is injected into a transferred recessed part, the workpiece 1 is placed on the polishing fluid 2, fixed pressure is applied to the workpiece 1, and ultrasonic vibration is impressed from a vibrator 12 excited from an ultrasonic oscillator 7.例文帳に追加

容器4内に収容した粘性流体3に被研磨物1の研磨対象表面11を転写した後、転写凹部に研磨材を混合した研磨流体2を注入し、被研磨物1を研磨流体2上に置き、被研磨物1に一定の圧力を加えると共に、超音波発振器7により励起される振動子12から超音波振動を印加する。 - 特許庁

To provide a method for descaling a steel material wherein surface flaw, such as biting of a foreign matter or a scale flaw, is less prone to be generated without controlling high pressure water and low pressure water with complicated combination, without using polishing powder, further by using relatively low pressure water.例文帳に追加

高圧水と低圧水を組合せ複雑に制御することなく、また硬質の砥粒剤を用いることなく、更には比較的低圧の高圧水でもって、異物の噛み込みやスケール疵などの表面疵が発生し難い鋼材のデスケーリング方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 50 determines quality of the surface oscillation of the substrate 22 based on a detection output from pressure sensors 46A and 46B under the condition that the pressure sensors 46A and 46B for detecting the pressure of water between a surface to be processed of the substrate 22 to be texture-processed and a polishing tape 34 are provided.例文帳に追加

テクスチャ加工される基板22の被加工面と研磨テープ34との間の水の圧力を検出する圧力センサ46Aおよび46Bが設けられるもとで、制御ユニット50が圧力センサ46Aおよび46Bからの検出出力に基づいて基板22の面振れの良否を判定する。 - 特許庁

例文

This wafer polishing device 10 is capable of continuously and gently changing a pressure distribution imparted to an outer peripheral part of the wafer W and a pressure distribution imparted to a center part of the wafer W, regarding a pressure distribution imparted to the wafer W.例文帳に追加

本発明のウェーハ研磨装置10は、ウェーハWに与える圧力分布に関して、ウェーハ外周部に与える圧力分布とウェーハW中央部に与える圧力分布とを連続的に緩やかに変化させることができる。 - 特許庁


例文

In implementation of the polishing tool pressure distribution measuring method, a system is employed which comprises a photoelasticity generating optical system for measuring the pressure distribution, based on the polishing device, a heterodyne polarimeter for measuring the photoelasticity with high accuracy, a photoelastic phase modulator for enabling automatic measurement, a control system for controlling a measuring system location, an image signal processing computer for processing fetched signal data, etc.例文帳に追加

構成は研磨装置をベースに圧力分布を測定する、光弾性発生光学系、光弾性を高精度に計る為のヘテロダイン偏光計と自動測定を可能にする光弾性位相変調器、測定系位置を制御する制御系、取り込んだ信号データを信号処理する画像信号処理コンピュータ等で構成される。 - 特許庁

After the polishing is completed, the machining pressure of a chuck 426 and the retainer pressure of a retainer 423 are made smaller than those in polishing, and water is supplied between the chuck 426 and the semiconductor wafer W, thus cleaning the gap between the retainer 423 and the chuck 426, a holding surface 426A of the chuck 426, and the back of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

研磨終了後に、チャック426の加工圧およびリテーナ423のリテーナ圧を研磨時よりも小さくし、チャック426および半導体ウェハW間に水を供給して、リテーナ423およびチャック426の隙間と、チャック426の保持面426Aと、半導体ウェハWの裏面と、を洗浄する。 - 特許庁

As a result, the pressurization pressure and the retainer pressure are made smaller than those in polishing and water is supplied, thus efficiently supplying water between the chuck 426 and the semiconductor wafer W, and efficiently removing slurry adhering to the holding surface 426A and the back of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

このため、加工圧およびリテーナ圧を研磨時よりも小さくして水を供給するため、チャック426および半導体ウェハW間に効率的に水を供給でき、保持面426Aや半導体ウェハWの裏面に付着したスラリーを効率的に除去できる。 - 特許庁

To provide a fluid working device for a micropore, eliminating the need of fine control for an extrusion piston for extruding slurry containing a polishing agent such as abrasive grains at extremely high pressure under extremely high pressure and inhibiting slurry from passing through a flow meter.例文帳に追加

砥粒等の研磨剤を含有するスラリを非常に高圧で押出す押出しピストンの非常な高圧での微細な制御を行う必要がなく、かつ、流量計の中をスラリを通すことがない微細穴の流動加工装置を提供。 - 特許庁

例文

The machined surface of the workpiece is polished by pressurizing the inside of a pressure container 1 to more than normal pressure, pressing a machining tool 9 in a state of strongly landing abrasive grain P on the machined surface of the workpiece immersed in polishing liquid 3 under a pressurized atmosphere, and relatively moving the machining tool 9 and a workpiece supporting part 6.例文帳に追加

圧力容器1内を常圧より加圧して、加圧雰囲気下で研磨液3に浸漬されたワーク加工面に砥粒Pを強固に着床させたまま加工具9を押し当て、該加工具9とワーク支持部6を相対的に移動させてワーク加工面を研磨する。 - 特許庁

例文

The wet blasting device consists of the structure formed by arranging a nozzle 2 of a direct flow type in place of a gun at the conventional wet blasting device and providing the device with a high-pressure pump 4 for supplying a liquid mixture composed of a polishing material 11 and liquid 12 agitated together directly under high pressure to the nozzle 2.例文帳に追加

従来の湿式ブラスト装置に於いて、ガンの代りにダイレクトフロー式のノズル2を配置させると共に撹拌した研磨材11と液体12の混合液を直接にノズル2へ高圧供給させる高圧ポンプ4を備える構造とする。 - 特許庁

To provide a CMP technology, wherein a conventional abrasive material is used, and a polishing pressure is made low, namely even if CMP is given to a substrate with a Low-k film which is brittle in resistance to the pressure, such a brittle film is not damaged, and rubbing speed is high.例文帳に追加

従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なLow−k膜を有する基板に対してCMPが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いCMP技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a polishing device capable of controlling the pressure force to an abrasive pad or an abrasive plate of a dresser tool to be lower than the pressure force by a self-weight of the dresser tool in dressing, and executing the dressing with small consumption of the abrasive pad or the abrasive plate.例文帳に追加

ドレッシングに際してドレッサーツールの研磨パッド又は研磨プレートへの押圧力をドレッサーツールの自重による押圧力以下にすることができ、研磨パッド又は研磨プレートの消耗量の少ないドレッシングを行うことができる研磨装置を提供すること。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has metal components at least a part of metal surfaces of which is exposed to the inside of a treatment chamber, wherein the top surfaces of the metal components to be exposed to the inside of a treatment chamber are beforehand subjected to the electric field compound polishing followed by the baking treatment under pressure below the atmospheric pressure.例文帳に追加

処理室内に少なくとも一部の金属表面が露出される金属部品を具備する基板処理装置であって、前記処理室内に露出される金属部品の表面には、予め、電界複合研磨が施された後、大気圧未満の圧力下でベーキング処理がなされている。 - 特許庁

[A condition] is a state that polishing strain is present on the surface of the polish-finished steel material, the steel material is kept for 10-3,600 sec in a pressure-reduced atmosphere having an oxygen partial pressure of10^-5 to10^-2 Pa by evacuating the atmosphere at 900-1,250°C.例文帳に追加

〔A条件〕研磨仕上げされた鋼材の表面に研磨歪みが存在している状態で、大気の真空排気により酸素分圧を1×10^-5〜1×10^-2Paとした900〜1250℃の減圧雰囲気下に10〜3600秒保持する。 - 特許庁

A step St5 calculates optimum conditions (polishing time and an optimum pressure value in terms of individual regions of the wafer 111) based on the results of comparison obtained in the step St4.例文帳に追加

ステップSt5で、ステップSt4での比較の結果から最適な条件(研磨時間およびウェハ111の領域ごとに対する最適な圧力値)を算出する。 - 特許庁

Another method of removing the peripheral lip includes the steps of applying still higher pressure onto the peripheral lip in the polishing process, and sending a pressurization liquid jet to the bottom part of the peripheral lip.例文帳に追加

外周リップを除去する他の方法は、研磨プロセスにおいて外周リップに更に高い圧力を加えるステップと、外周リップの下端に加圧液体ジェットを送るステップを含んでいる。 - 特許庁

Before the outlet port valve is opened or closed, and the flow through the outlet port valves stops and the pressure gap over the valves is equal, accordingly polishing flow through the valves is not generated even when the outlet port valves are closed or opened.例文帳に追加

出口バルブが開く若しくは閉じる前には、出口バルブを介する流れは停止しバルブをまたがる圧力差も均等であり、従って出口バルブが閉じたり開いたりしてもバルブを経由する研磨流は生じない。 - 特許庁

Here, the pressure plate 6 comes into contact with the outside diameter face of the product 3 at two points in the circumferential direction to press the polishing film 2 against the outside diameter face of the product 3 at the contact points.例文帳に追加

但し、プレッシャプレート6は、製品3の外径面に対し円周方向の2点で当接し、その当接点で研磨フィルム2を製品3の外径面に押し当てている。 - 特許庁

To provide a work retaining mechanism for a single-side polishing device, which satisfactorily keeps the retaining performance for the work by a chuck plate and improves the control of processing pressure.例文帳に追加

チャックプレートによる被加工物の保持性能を良好に保持するとともに、加工圧力の制御を改善することができる片面研磨装置の被加工物保持機構を提供する。 - 特許庁

The base plate A for the polishing disc is constituted such that a plurality of sheets of woven cloth consisting of natural fibers or synthetic fibers are laminated, and the laminated cloth is pressure bonded through an adhesive and formed.例文帳に追加

天然繊維又は合成繊維からなる複数枚の織布を積層し、この積層した織布を、接着剤を介して圧着成形して研磨ディスク用基板Aを構成する。 - 特許庁

Since the work is always polished by a fixed polishing pressure, even if the convex surface between the grooves of the fuel cell separator is a non-planar surface, the convex surface can be polished to a fixed depth from the surface.例文帳に追加

ワークは常に一定の研磨圧で研磨されることになり、燃料電池セパレータの溝と溝との間の凸面が非平面でも凸面を表面から一定の深さで研磨することができる。 - 特許庁

This cutting machine 40 includes an ultra-high pressure polishing water-jet (UHP) cutting nozzle coupled with a single-axis manipulator 44 so as to be movable and a collecting hood 46.例文帳に追加

切断装置40は、単軸マニプレータ44に移動可能に連結された超高圧研磨ウォータジェット(UHP)切断ノズルと収集フード46とを含む。 - 特許庁

The forming of the dynamic pressure-generating grooves by rolling is performed by using a working tool 1 fitted with balls 10 which have satin finished surfaces formed by polishing the surface of cemented carbide sintered porous.例文帳に追加

多孔質に焼結された超硬合金の表面を研磨して表面が梨子地状に形成されたボール10が、嵌め入れられた加工用治具1を用いて、動圧発生溝の転造加工を行なう。 - 特許庁

The fixing device 200 includes the heat roller 210, a pressure roller 220, a paper feed cassette 81, a paper-counting section 348, and a polishing roller 240.例文帳に追加

本発明の定着装置200は、加熱ローラ210、加圧ローラ220、給紙カセット81、枚数カウント部348および研磨ローラ240を備える。 - 特許庁

As a result, for the outer periphery of the silicon wafer W, a contact area per unit time with the polishing cloth 13 and pressure per unit area become large as compared with the center part.例文帳に追加

結果、シリコンウェーハWの外周部はその中心部に比べて、研磨布13との単位時間当たりの接触面積、単位面積当たりの圧力が大きくなる。 - 特許庁

A washing device 20 has a retaining part for retaining the retaining plate 1; and a pressure-feed part capable of passing the mixed liquid of the polishing material and a liquid through all retaining holes 25.例文帳に追加

洗浄装置20には保持プレート1を保持する保持部と、全ての保持孔25に研磨材と液体の混合液を通過させることのできる圧送部とを有している。 - 特許庁

In this foamed body for polishing, wear amount by a wear test according to JIS K 7311 prepared by making gas under ordinary temperature and ordinary pressure as foaming agent is taken as 50 to 250 mg.例文帳に追加

常温常圧下において気体であるガスを発泡剤として作製した、JIS K 7311に準じた摩耗試験による摩耗量が50〜250mgであることを特徴とする研磨用発泡体。 - 特許庁

An opening 13 for the pressure chamber and a dummy opening 14a for making cutting stock as big as the opening in the polishing process are formed on the chamber plate.例文帳に追加

チャンバープレート上に圧力室用の開口13の他に研磨加工に際しての削り代を前記開口部と同等程度にするためのダミー開口14aを形成した。 - 特許庁

These controllers are so constituted as to keep a constant torque, friction, or frictional coefficient, changing at least one of the pressure or the speed, in response to the signal depending upon the friction between the board and the polishing face.例文帳に追加

このコントローラは、基板と研磨面との間の摩擦に依存する信号に応答して圧力および速度の少なくとも一方を変え、一定のトルク、摩擦力、または摩擦係数を維持するように構成されている。 - 特許庁

In polishing the wafer 1, pressure of pure water in the cavity part 18 is adjusted, thereby uniformity of in-surface distribution of rigidity of the backing pad 12 is improved.例文帳に追加

ウエハ1の研磨の際、空洞部18内の純水の圧力を調整することによって、バッキングパッド12の剛性の面内分布の均一性を改善することができる。 - 特許庁

To provide a lapping tape for molding an FRP easy to be released capable of giving a sufficient molding pressure at a curing time as the lapping tape by eliminating or reducing polishing after molding.例文帳に追加

成形後の研磨を不要かあるいは少量としかつ、ラッピングテープとして十分なキュア時の成形圧力を付与可能な剥離容易なFRP成形用ラッピングテープを提供することにある。 - 特許庁

To increase a degree of smoothness by supplying a proper and sufficient amount of slurry between a surface of a workpiece and a polishing head and to make the distribution of pressure proper so as to increase a degree of flatness.例文帳に追加

適切かつ十分な量のスラリーを被加工物の表面とポリッシングヘッドの間に供給できるようにして平滑度を高めることができるとともに、平坦度を高められるように圧力分布を適切にする。 - 特許庁

The double-sided adhesive tape for the polishing cloth fixing has a thermal reaction type adhesive layer containing a polyurethane resin on one surface of a substrate and has a pressure-sensitive adhesive layer on the other surface of the substrate.例文帳に追加

ポリウレタン樹脂を含有する熱反応型接着剤層を基材の一方の面に有し、感圧粘着剤層を前記基材の他方の面に有する研磨布固定用両面接着テープ。 - 特許庁

To provide a pad conditioner capable of conditioning a pad surface in the same state as in polishing a wafer and adjusting a contact pressure of an abrasive grain surface with the pad to be very small.例文帳に追加

パッド表面をウエーハ研磨時と同じ状態でコンディショニングが行え、また、パッドへの砥粒面の接触圧を微小に調整することができるパッドコンディショナを提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is pressed against a polishing pad for CMP having the center line average roughness Ra of a surface of 1-3 μm by the pressure of 8-10 kPa so as to pressurize them, and a thin film formed on the semiconductor substrate is polished chemically and mechanically.例文帳に追加

表面の中心線平均粗さRaが1〜3μmであるCMP用研磨パッドに、8〜10kPaの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する。 - 特許庁

To provide a paraffin-based curing agent having workability improved to eliminate the need to remove the curing agent through sanding, surface polishing or high pressure cleaning after the curing agent is applied.例文帳に追加

パラフィン系養生剤塗布後に、サンダー掛けや下地研磨や高圧洗浄による養生剤の除去を行う必要がない施工性の改善された養生剤を提供する。 - 特許庁

Pressing force of an abrasive to a wheel is optionally set by adjusting air pressure to perform finer polishing work.例文帳に追加

該回転テーブルの上方に、上下方向、前後方向及び左右方向に往復運動可能であると共に、サンドペーパーの取り付け角度及び押圧力を任意に設定できる研磨材取り付け具を複数設ける。 - 特許庁

As the result, the quantity of rebound R1 of the cloth 11 at the polishing of the ground surface is reduced, and a pressure per unit area to the outer peripheral part of the wafer is reduced more than that per unit area to the center part of the wafer.例文帳に追加

結果、研磨時の研磨布11のリバウンド量R1が減少し、ウェーハ外周部はその中心部よりも単位面積当たりの圧力が小さくなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sealing metal foil in which defects such as side crack, level difference, depression, foil break etc. of the sealing metal foil are reduced by performing a superior electrolytic polishing, and a high pressure discharge lamp manufactured using the sealing metal foil obtained.例文帳に追加

良好な電界研磨を行って封着金属箔脇クラックや段差、凹み、箔切れなどの不具合を低減した封着金属箔の製造方法および得られた封着金属箔を用いて製造された高圧放電ランプを提供する。 - 特許庁

To provide a method of sealing through-holes by which a high-quality and high-yield sealing state of the through-holes can be obtained without any occurrence of warping defects due to polishing pressure even with a thin printed wiring board.例文帳に追加

特に、薄いプリント配線基板であっても、研磨圧力により反り不具合を生じることがなく、高品質で高い歩留まりのスルーホールの封止状態を得ることができるスルーホールの封止方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the glass substrate for the magnetic disk including a polishing step and a washing step of the glass substrate has a dry washing step using atmospheric pressure plasma as the washing step.例文帳に追加

ガラス基板の研磨工程および洗浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、洗浄工程として大気圧プラズマを用いたドライ洗浄工程を有している。 - 特許庁

To provide a nip roll whose nip pressure has a small difference in the axial direction of the nip roll and whose outer shape is linear resulting in easier precision and lower machining cost when polishing or repolishing the surface of the nip roll.例文帳に追加

ニップロールの軸方向におけるニップ圧の差異を小さくすることができ、ニップロールの表面を研磨または再研磨するときには外形が直線的であるから精度が得やすく加工費が少なくて済むニップロールを提供する。 - 特許庁

In a bar 52 where a plurality of slider forming parts 1 are arranged side by side through margins for cutting 53, a polishing pressure adjusting means (dummy pattern 55 of a convex shape) is provided at a medium-opposing plane ABS of each of the margins for cutting 53.例文帳に追加

複数のスライダ形成部1が切り代53を介して並んで配置されたバー52において、各切り代53の媒体対向面ABSに、研磨圧力調整手段(凸状のダミーパターン55)が設けられている。 - 特許庁

The transmitting means 62 is embodied on the gear coupling system to admit a high speed rotation and a high pressure and admit an inclination of polishing head 21 as tracing the surface configuration of the cathode-ray tube.例文帳に追加

伝達手段62は、高速回転および高加圧力を許容とするとともに、ブラウン管の表面形状に倣った研磨ヘッド21の傾きを許容するギヤカップリング方式を用いる。 - 特許庁

The method further comprises a step of providing first and second polishing cloth holes 6a, 6b as pressure variable parts at facing positions to a center of the part 9 of the clothes 11, 12.例文帳に追加

各研磨布11,12の、被処理部9の中央部に対向する位置に、圧力可変部としての第1および第2の研磨布穴6a,6bを設ける。 - 特許庁

To provide a substrate holding device which can apply a uniform pressure over the whole surface of a substrate such as a semiconductor wafer and uniformly grind the whole surface to be ground of the substrate, and a polishing apparatus provided with the substrate holding device.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板の全面に亘って均一な押圧力を加えることができ、基板の被研磨面の全面を均一に研磨することができる基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cutter/punch with an excellent cutting ability without using a polishing agent, which shortens a life of a nozzle, and without consuming a large amount of power energy using a high pressure compressor.例文帳に追加

ノズルの寿命を縮める研磨剤を使用しないで、高圧力の圧縮機を使用することにより電力・エネルギを多量に消費することなく、切断能力に優れた切断機及び穿孔機を提供する。 - 特許庁

A sensor 1 provided on this polishing device injects a fluid such as pure water into the layer of an abrasive pad 3 and measures a nozzle opening section pressure and a flow.例文帳に追加

本研磨装置が備えるセンサ1は、研磨パッド3の層内に純水等の流体を噴射し、その時のノズル開口部圧力と流量を測定する。 - 特許庁

例文

To provide a substrate layer and a pressure-sensitive adhesive sheet suitable for use in processing aggregates of electronic components such as cutting and polishing and a manufacturing process of electronic components using them.例文帳に追加

電子部品集合体の切断・研削等の加工に適した基材層、粘着シート、およびそれを用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

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