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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > polishing pressureに関連した英語例文

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polishing pressureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 427



例文

An internal peripheral surface of an approach section is polished by moving up and down a polishing jig 19 by pouring a polishing agent while pushing force is applied between the internal peripheral surface of the approach section and a polishing section of the polishing jig 19 by applying side pressure on the die 2 having the approach section being the tapered variant hole from the outside.例文帳に追加

テーパー状の異形孔であるアプローチ部を有するダイス2に外部から側圧をかけてアプローチ部の内周面と研磨治具19の研磨部との間に押し付け力を作用させつつ、研磨剤を入れ、研磨治具19を上下動させてアプローチ部の内周面を研磨する。 - 特許庁

Coupling between a mount plate for holding a polishing substrate and a top ring for applying load to the polishing substrate during machining is eliminated, the both are constructed in a static or dynamic pressure bearing structure, and a uniform load is applied to the polishing substrate, thereby allowing high accurate polishing.例文帳に追加

研磨基板を保持するマウントプレートと加工時に研磨基板に荷重を供与するトップリングとの結合を排し、両者の間を静圧または動圧軸受け構造とし研磨基板に均一な荷重を供与することにより、高精度の研磨加工を可能にする。 - 特許庁

A process computing portion 15 calculates a polishing rate estimated value by substituting the polishing pressure, the table rotating motor current, the surface temperature of the polishing pad, and the polishing pad remaining thickness recorded in the data recording portion 14 into a predetermined model expression.例文帳に追加

プロセス演算部15は、データ記録部14に記録された研磨圧力、テーブル回転モータ電流、研磨パッドの表面温度および研磨パッド残厚の平均値を、予め作成されたモデル式に代入して研磨レート予測値を算出する。 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) APPARATUS AND METHOD USING HEAD HAVING WAFER POLISH PRESSURE SYSTEM OF DIRECT ATMOSPHERIC-PRESSURE TYPE例文帳に追加

直接気圧式ウェハ研磨圧力システムを有するヘッドを用いた化学機械的研磨(CMP)装置及びその方法 - 特許庁

例文

To provide a carrier head having a division ring for dividing a pressure chamber into a plurality of pressure zones, in a chemical and mechanical polishing apparatus.例文帳に追加

化学機械的研磨装置において加圧チャンバを複数の加圧ゾーンに分ける区画リングを有するキャリアヘッドを提供する。 - 特許庁


例文

A polishing liquid is used wherein there exists such a contact load, pressure or frequency XD that dY/dX becomes a maximum value in the case where a polishing amount Y is expressed with the function X of the contact load pressure or contact frequency, between a film to be polished and a polishing member.例文帳に追加

研磨量Yを、被研磨膜と研磨部材との接触荷重、接触圧力または接触頻度Xの関数で表現した場合、dY/dXが極大値をとる接触荷重、接触圧力または接触頻度Xが存在する研磨液を用いる。 - 特許庁

Or, a polishing load is so set as to enable P, P1, P2, and P' to meet a formula, P2>P'>P>P1, by which polishing characteristics through which projections where a higher polishing pressure than a pressure where an inflection point appears corresponding to the pattern shape of a polished film is applied are selectively polished can be realized.例文帳に追加

或いはP_2>P'>P>P_1となるように研磨荷重を設定することにより、被研磨膜のパターン形状に応じて変曲点が現れる圧力よりも高い研磨圧力がかかる凸部を選択的に研磨する特性を実現することができる。 - 特許庁

Or, a polishing load is set so that the P_2>P'>P>P_1 is achieved, thus achieving characteristics for selectively polishing a projection where the polishing pressure being higher than pressure, where the inflexion point appears according to the pattern shape of a film to be polished, is applied.例文帳に追加

或いはP_2>P'>P>P_1となるように研磨荷重を設定することにより、被研磨膜のパターン形状に応じて変曲点が現れる圧力よりも高い研磨圧力がかかる凸部を選択的に研磨する特性を実現することができる。 - 特許庁

In this barrel polishing device, action for reducing pressure in the barrel tank 2 by the pressure reduction device 25 allows to quickly introduce abrasive materials to the barrel tank 2 from the hopper 27 and to prepare for next barrel polishing.例文帳に追加

このバレル研磨装置によれば、減圧装置25によるバレル槽2内の減圧作用により、ホッパー27より研磨石をバレル槽2内に迅速に導入して次のバレル研磨に備えることができる。 - 特許庁

例文

The pressure is increased for the place to be increased with a polishing quantity by the pressurizing member 30 corresponding to the place, and the pressure is decreased for the place to be decreased with the polishing quantity by the pressurizing member 30 corresponding to the place.例文帳に追加

研磨量を増やしたい箇所に対しては、その箇所に対応した加圧部材30による加圧力を増加させ、研磨量を減らしたい箇所に対しては、その箇所に対応した加圧部材30による加圧力を減少させる。 - 特許庁

例文

The pneumatic cylinder 12 has a large pressure-receiving area because it has an annular piston 15, and the supporting section 9 is difficult to displace even when it receives the pressure from the polishing pad 8 in the case of the polishing.例文帳に追加

空気圧シリンダ12は環状のピストン15を有しているので受圧面積が大きく、支持部9は研磨時に研磨パッド8から圧力を受けても変位し難い。 - 特許庁

The pressure control mechanism is constituted of a ring member 408 contacted with the polishing surface 22a, and a plurality of pressure chambers 410 for pushing the ring member 408 against the polishing surface 22 by fluid whose pressures are controlled independently.例文帳に追加

圧力制御機構は、研磨面22aに接触するリング部材408と、独立に圧力制御された流体によりリング部材408を研磨面22に押圧する複数の圧力室410とにより構成される。 - 特許庁

In the polishing method of polishing a wafer W by pressing the wafer W on a polishing pad stuck on the upper surface of a rotated polishing surface plate with a prescribed pressure, while rotating it, polishing friction acting between the wafer W and the polishing pad is measured continuously, and the polishing end point is decided by detecting that the polishing friction changes by a preset change amount within preset unit time.例文帳に追加

回転する研磨定盤の上面に貼付された研磨パッドにウェーハWを回転させながら所定の押圧力で押し付けることにより、ウェーハWを研磨する研磨方法において、ウェーハWと研磨パッドとの間に働く研磨摩擦力を連続的に計測し、その研磨摩擦力が予め設定された単位時間内に予め設定された変化量で変化したことを検出することにより研磨終点と判定する。 - 特許庁

To provide an abrasive material which increases the polishing rate of a ruthenium material even under low polishing pressure, enables a chemical mechanical polishing process to be carried out through a single-stage process by the use of a single kind of slurry, reduces defects in an insulating film, and is capable of improving its polishing properties so as to simplify a chemical mechanical polishing process.例文帳に追加

低い研磨圧力下においてもルテニウムの研磨速度を向上させることができ、さらに1種類のスラリーを用いて1段階の工程だけで化学機械的研磨工程が進められ絶縁膜上の欠陥を減少させると共に、研磨特性を改善させることができるので化学機械的研磨工程を単純化させる。 - 特許庁

The abrasive grain distribution and the grain size distribution of the slurry supplied to the polishing part 10 are measured by a measuring apparatus 40, and on the basis of the measurement results the polishing speed against the wafer W is maintained constant by controlling the physical quantities such as the revolution of the polishing table 11, the revolution of the polishing head 12 and the pressure applied to the polishing head 12.例文帳に追加

研磨部10に供給されるスラリーの砥粒分布および粒度分布を測定機40によって測定し、この測定結果に基づいて研磨定盤11の回転数、研磨ヘッド12の回転数、研磨ヘッド12の加圧力といった物理量を制御することにより、ウェハWに対する研磨速度を一定に維持するようにしている。 - 特許庁

The polishing device has the polishing pressure measuring method having a process of measuring and detecting polishing pressure and its distribution during polishing by comparing measured data with known data, its measuring means, and an image processing device for image-processing a two-dimensional reflection intensity image and obtaining the measured data based on strain analysis.例文帳に追加

計測データを既知データと比較することで研磨加工中の研磨加工圧及びその分布を測定検出する工程とを有する研磨加工圧測定方法とその測定手段を具備し、又、2次元反射強度像を画像処理してひずみ解析による計測データを得るための画像処理装置とを備えるよう構成する。 - 特許庁

A data recording portion 14 records polishing pressure outputted from a pressure controlling portion 4, a current supplied to a table rotating motor 5, surface temperature near a contact portion between a head 3 and a polishing pad 7 which is measured by a temperature sensor 8, and polishing pad remaining thickness measured by a polishing pad remaining thickness measuring portion 13.例文帳に追加

データ記録部14は、圧力制御部4から出力される研磨圧力、テーブル回転モータ5に供給される電流、温度センサ8によって計測されたヘッド3と研磨パッド7との接触部近傍の表面温度および研磨パッド残厚測定部13によって計測された研磨パッド残厚を記録する。 - 特許庁

Pressure in a pressure chamber 12 is controlled to adjust the applied pressure by the piston 12, thus adjusting the contact pressure distribution between the wafer 1 and polishing cloth at the circumferential section.例文帳に追加

圧力室12内の圧力を制御してピストン12による加圧力を調整することにより、周縁部におけるウエーハ1と研磨布との間の接触圧力分布の調整を行う。 - 特許庁

Pressure force by the piston 12 is adjusted by controlling a pressure in the pressure chamber 13, and distribution of contact pressure between a surface of the wafer 1 in the peripheral edge part and a polishing cloth is adjusted.例文帳に追加

圧力室13内の圧力を制御してピストン12による加圧力を調整し、周縁部におけるウエーハ1の表面と研磨布との間の接触圧力分布の調整を行う。 - 特許庁

When polishing, the inside of the first pressure chamber 13 is pressurized, thereby applying pressure to the wafer 1 through the elastic element 12, and the inside of the second pressure chamber 14 is pressurized, thereby directly applying pressure to the wafer 1.例文帳に追加

ポッリシングの際、第一圧力室13内を加圧することにより、弾性体12を介してウエーハ1が加圧され、第二圧力室14内を加圧することにより、ウエーハ1が直接的に加圧される。 - 特許庁

The pressure lap 1 with linear recesses 2 machined on the lower face continuously from the lower face side inner part to the outer peripheral part, or a pressure lap with the whole lower face side machined in a polishing face state, is used to prevent the bite of air when sticking the back pad to the pressure lap, which causes polishing unevenness.例文帳に追加

下面に下面側内部から外周部までつながった線状の凹み2を加工した加圧定盤1、もしくは下面側を全面を磨り面状に加工した加圧定盤を用い、研磨ムラの原因となる加圧定盤にバックパッドを貼着した際の空気の噛みこみを防止する。 - 特許庁

This polishing method, applying polishing while supplying an abrasive grain dispersed fluid containing it, is characterized by polishing while supplying the above abrasive grain dispersed fluid dispersion treated by a high pressure homogenizer and/or ultrasonic homogenizer.例文帳に追加

砥粒分散液を含む砥粒分散液を供給しながら研磨する研磨方法において、高圧ホモジナイザー及び/又は超音波ホモジナイザーで分散処理した前記砥粒分散液を供給しながら研磨することを特徴とする研磨方法である。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨(CMP)において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In the state that the predetermined length of tubular polishing tape 30 is looped and a predetermined pressure is applied in the tubular polishing tape 30, cut portions are joined to each other to form a looped polishing tape 40 having a bagged shape.例文帳に追加

次に、所定長さのチューブ状の研磨テープ30をループ状にしてチューブ状の研磨テープ30内に所定の圧力を掛けた状態で、切断部をお互いに接合して、袋状形状を有するループ状の研磨テープ40を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electrode for storage device, a polishing roll 32 is so arranged as to press against a fixed roll 31 by a predetermined pressure, and the fixed roll 31 is rotary-driven, and the polishing roll 32 is rotary-driven in the reverse direction, and a metal foil 30 as the collector is made to pass between the fixed roll 31 and the polishing roll 32.例文帳に追加

固定ロール31に対して所定の圧力で押圧するように研磨ロール32を配置し、固定ロール31を回転駆動し、研磨ロール32を逆方向に回転駆動し、集電体としての金属箔30を固定ロール31と研磨ロール32との間を通す。 - 特許庁

The pressure sensitive adhesive 115 is further constituted so as to form an interface capable of substantially preventing the chemical mechanical polishing pad 100 from being delaminated from the polishing platen even when it is exposed to a polishing slurry medium having pH of ≥4 at least for four days.例文帳に追加

前記感圧接着剤115はさらに、少なくとも約4日間pHが4以上の研磨スラリ媒体に曝露しても、前記化学機械研磨パッド100が前記研磨盤から剥離することが実質的に防止できる界面を形成するように構成されている。 - 特許庁

A spectacle lens 6 one surface of which is concave and the opposite surface of which is convex, is brought into pressure-contact with a lens edge polishing grinding wheel 320 having a lens edge polishing groove 310 formed into the shape corresponding to the lens edge, and a flat-ground polishing surface 313 to mirror-polish a flat-ground finished face 6a.例文帳に追加

ヤゲンに対応した形状のヤゲン研磨溝310と平摺り研磨面313を有するヤゲン研磨用砥石320に、一面が凸面で反対面が凹面の眼鏡レンズ6を圧接して平摺り仕上げ面6aを鏡面研磨する。 - 特許庁

Flowing a polishing solution on a polishing cloth 2 and on the interior of a sticking plate 3 through holes and passages formed on the sticking plate 3 permeates the polishing solution into the sticking plate 3 even if the sticking plate 3 is pressurized by a pressure cylinder 6 in rotation.例文帳に追加

研磨液を研磨布2に流すと共に、貼付プレート3に形成された孔20〜23や流路24、25を介して貼付プレート3の内側に流すことにより、貼付プレート3が回転する際に加圧シリンダ6で加圧されても研磨液が貼付プレート3の内側にも浸透する。 - 特許庁

The surface of the SiC wafer 4 to be polished is pressurized against the abrasive cloth 2 stuck on the polishing surface plate 1 by a prescribed machining pressure, the wafer holding table 3 and the polishing surface plate 1 are rotated, and the polishing is performed, while dripping the liquid chemical 6.例文帳に追加

SiCウェハ4の研磨する面を、研磨定盤1に貼り付けられた研磨布2に所定の加工圧力で押し付け、ウェハ保持用テーブル3と研磨定盤1を回転させ、研磨布2上に薬液6を滴下しながら研磨が行われる。 - 特許庁

The rotary polishing brush 4 is pushed on the roll R with an air pressure cylinder 5, and a washing liquid-jetting nozzle 6 whose tip jetting port is directed to a roll surface at the next polishing site of the rotary polishing brushes 4 with the rotation of the roll R is provided.例文帳に追加

それと共に、空圧シリンダ5で回転研磨ブラシ4をロールRに押付けるようにし、かつ先端の噴射口をロールRの回転に伴い回転研磨ブラシ4が次に研磨する部位のロール表面に向けた洗浄液噴射ノズル6を備える。 - 特許庁

To prevent the contact pressure in a contact part between the surface of a substrate and a polishing face from becoming excessive even if the polishing face is protruded from the external edge of the substrate or the surface of the substrate is protruded from the external edge of a polishing member.例文帳に追加

基板の研磨中、研磨面が基板の外縁からはみ出し、或いは基板表面が研磨部材の外縁からはみ出してしまった場合であっても基板表面と研磨面との接触部分における接触圧が過大にならないようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming wiring by which wiring can be formed by the method of damascene process by polishing the surface to be polished of the wiring to a flat surface at a high speed even under a low polishing pressure, and to provide a polishing pad that is ideal for the method.例文帳に追加

ダマシン法を用いた配線形成方法及びこれに用いる研磨パッドに関し、低い研磨圧力でも研磨速度が高く被研磨表面の平坦性が良好な配線形成方法及びこれに好適な研磨パッドを提供する。 - 特許庁

The polishing head 11 carries an impeller 16 at an upper end of a rotary spindle 14 and a polishing tool 30 at a lower end of the rotary spindle 14, and polishes a workpiece W by supplying pressure-adjusted pressurized fluid from a pressurized fluid supply part 20 to the impeller 16 to rotate the polishing tool 30 at the lower end.例文帳に追加

研磨ヘッド11は回転軸14の上端に羽根車16が、回転軸14の下端には研磨工具30が装着されており、加圧流体供給部20から圧力調整された加圧流体が羽根車16に供給されて下端の研磨工具30を回転させ、工作物Wを研磨する。 - 特許庁

At least one polishing station includes a fixed abrasive sheet 46 and a fluid bearing surface 94, that provides upward pressure against the lower surface of the polishing sheet.例文帳に追加

少なくとも一つのポリシングステーションは、固定砥粒シート46と、固定砥粒シートの下面に上向きの圧力を加える流体軸受面94を含む。 - 特許庁

Also, according to the above method, since the necessity of suppressing the size of a slurry, a frictional force and pressure in polishing work is not particularly required, the polishing time of a semiconductor substrate can be shortened.例文帳に追加

また、上記の手段によれば、研磨加工におけるスラリー、摩擦力、圧力等の大きさを小さく抑制する必要が特には生じないので、半導体基板の研磨時間を短くすることができる。 - 特許庁

To provide polishing liquid for aluminum metal with which an aluminum metal is polished at a high polishing speed with low working pressure without depending on orientation.例文帳に追加

配向性に依存することなく高研磨速度かつ低加工圧力でアルミニウム系金属を研磨することを可能とするアルミニウム系金属用研磨液を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method for fabricating an LSI with little dishing at a high polishing speed when a large wafer (semiconductor device) is polished with a low pressure.例文帳に追加

大型のウェハ(半導体ディバイス)を低圧力で研磨する時に、高研磨速度でディッシングの少ないLSIの作製が可能な化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In the case therefore, a polishing fluid is fed from the end 41a to the second passage 42 via the first orifice 51, the pressure of the polishing fluid with the flowing speed raised by the first orifice 51 lowers before the fluid reaches the second passage 42.例文帳に追加

そのため、端部41aから第一オリフィス51を経由して第二通路42へ研磨流体を流し込む場合、第一オリフィス51で流速が上昇した研磨流体は、第二通路42に到達する前に圧力が低下する。 - 特許庁

This polishing device is equipped with plural pressurizing member 30... to press an optical element A onto a rotating table 10 forming a polishing tool and a shape controlling circuit unit 36 to adjust a pressure for every plural pressurizing member.例文帳に追加

研磨工具を成す回転テーブル10に光学素子Aを押し付ける複数の加圧部材30,30,…と、複数の加圧部材毎にその加圧力を調節する形状制御回路ユニット36と、を備えている。 - 特許庁

A second surface on the opposite side to the attracted first surface of the work is brought into pressure contact with polishing cloth 3 to perform polishing for the second surface of the work.例文帳に追加

その被加工物の吸着させた第1面とは反対側の第2面を研磨布3に圧着させて、被加工物の第2面の研磨加工を行う。 - 特許庁

To provide a mechanochemical polishing method and device efficiently polishing a hard material such as SiC by a low machining pressure.例文帳に追加

SiCなどの硬質材料を低い加工圧力でも効率よく研磨することができるメカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing device for spherical bodies, having a machining pressure adjusting mechanism stable in a case where an elastic polishing pad is used as a tool and having high precision and small surface roughness.例文帳に追加

弾性を有する研磨パッドを工具として使用した場合における安定した加工圧力調整機構を持ち、高精度かつ面粗度の小さい球体の研磨装置を提供することにある。 - 特許庁

To improve the control accuracy for polishing pressure by improving a polishing tool for micro parts and lowering a spring constant of a leaf spring supporting a micro part holding piece.例文帳に追加

微小部品の研磨治具を改良して、微小部品保持片を支承しているリーフスプリングのバネ定数を低くすることにより、研磨圧力の制御精度を向上させる。 - 特許庁

A bellow part 15a having an elasticity is provided vertically on the polishing pressure adjusting prop 15 for supporting the polishing pad 2 through the rotor 16.例文帳に追加

また、研磨パッド2をロータ16を介して支持する研磨圧力調整支柱15には鉛直方向に弾性を有する蛇腹部15aが設けられている。 - 特許庁

To provide a method and device for supplying a polishing material, capable of smoothly supplying the polishing material into high pressure fluid by preventing a bridge phenomenon as much as possible.例文帳に追加

ブリッジ現象を可及的に防止して研磨材を円滑に高圧流体内に供給することができる研磨材の供給方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a polishing device capable of pressing a mount plate by air with a broad uniform pressure to make a pressing force to a workpiece uniform and improving polishing ability.例文帳に追加

マウントプレートに対して広範囲で均一な圧力でエアにより押圧してワークに対する押付け力も均一とし、研磨能力を向上させる研磨装置を提供する。 - 特許庁

It has been a problem that too much time is required to improve face pressure strength by only the conventional gyroscopic polishing technique in which the gear formed with a tooth profile is applied with a surface hardening treatment and then a gyroscopic polishing treatment.例文帳に追加

歯形形成した歯車を表面硬化処理して後、ジャイロ研磨処理を行って、面圧強度を改善するのに、従来のジャイロ研磨技術のみでは時間が掛かりすぎるのがネックになっていた。 - 特許庁

When a spindle stock unit 2 moves rightward for polishing the notch end face, only load of a weight 536 is applied as polishing pressure because only a weight 535 is put on a weight shelf 537.例文帳に追加

主軸台ユニット2がノッチ端面を研磨するため、右に移動したとき、一方のウェイト535のみがウェイト棚537に載るため残りのウェイト536の荷重のみが研磨圧として掛かる。 - 特許庁

Furthermore, a core material obtained by crushing a frozen pressure-sensitive adhesive is charged into the rotating drum and mixed with the polishing fine powder in the rotating drum to thereby apply the polishing fine powder to the core material.例文帳に追加

また、凍結させた粘着剤を破砕してなるコア材を回転ドラムに投入すると共に、該回転ドラム内にて前記コア材と研磨微粉を混ぜ合わせることによってコア材に研磨微粉を付着させる。 - 特許庁

例文

To provide a polishing method capable of eliminating pollution of a color filter by oozing out of a pressure sensitive adhesive layer between a polishing base and a buff and a polising device used therefor.例文帳に追加

研磨基盤とバフとの間の粘着層の滲出によるカラーフィルタの汚染を無くすことのできる研磨方法およびそれに用いる研磨装置を提供すること。 - 特許庁

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