「polishing pressure」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet capable of providing an abrasive cloth layered product hardly causing extreme change in dynamic compression storage modulus, not requiring a long-time soaking of an abrasive cloth layered product in a polishing slurry before polishing, and hardly causing deformation by swelling caused by the polishing slurry under polishing; and to provide the abrasive cloth layered product.例文帳に追加

動的圧縮貯蔵弾性率に著しい変化を発生せず、研磨前に研磨布積層体を研磨スラリーに長時間浸漬する必要もなく、研磨中に研磨スラリーによる膨潤変形を生じることのない研磨布積層体を形成可能な両面粘着シート、及び研磨布積層体を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

With the use of the polishing agent in an conventional polishing machine having a holder for holding a semiconductor substrate and a platen to which an abrasive pad is applied, polishing is conducted under a pressure of pressing the semiconductor substrate having a film to be polished being 100-1,000 gf/cm2 while continuously supplying the polishing agent to the abrasive pad.例文帳に追加

これらの研磨剤を用いて、半導体基板を保持するホルダーと研磨布（パッド）を貼り付けた定盤を有する一般的な研磨装置で、被研磨膜を有する半導体基板の研磨布への押しつけ圧力が特定な条件となる１００〜１０００ｇｆ／ｃｍ^2で、研磨布に研磨剤を連続的に供給しながら研磨する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesion double-coated tape for fixing an abrasive, stably exhibiting strong adhesive strength and strong shear adhesive strength to a polishing pad even under a heated environment, especially a polishing pad composed of a rigid urethane foam, removable from a platen with the polishing pad, and having strong resistance to polishing agent slurry.例文帳に追加

研磨パッド、特に硬質ウレタン発泡体からなる研磨パッドに対して加熱環境下でも安定した強粘着力・強せん断接着力を示し、定盤から研磨パッドごと再剥離可能かつ、研磨剤スラリーに対して強い耐性を有する研磨材固定用両面粘着テープを提供する。 - 特許庁

High pressure clean water 13 is stored at the upper part of the tank 5 and high pressure high concentration water 12 containing a polishing material at a high concentration is stored at the lower part respectively, and working water 16 containing the polishing material is injected from the nozzle 3 to an object 15 to be worked at a high speed.例文帳に追加

タンク５の上部には高圧の清水１３が、下部には研磨材が高濃度に含まれる高圧の高濃度水１２が各々貯留され、研磨材を含む加工水１６がノズル３から被加工物１５に向かって高速で噴射される。 - 特許庁

The surface polishing device has surface plates 30 and 40 for pressing the workpiece 10 held by a carrier, and a pressure controlling means 50 for reducing pressure applied to the workpiece 10 by a singular point S of an end of the surface plate 30 within a predetermined period just before the finishing of the polishing.例文帳に追加

キャリヤに保持された被加工物１０を押圧するための定盤３０，４０と、研磨終了直前の所定期間において、定盤３０の端部の特異点Ｓが被加工物１０に及ぼす圧力を、低減させるための圧力制御手段５０を有する。 - 特許庁

When a polishing pad 3 is cleaned, water of superhigh pressure is generated by a superhigh pressure water generating device 15, a vacuum is produced by a vacuum pump 16, and cleaning nozzles 10 to 12 are swung in the radial direction of the polishing pad 3.例文帳に追加

研磨パッド３の洗浄を行う際、超高圧水発生装置１５によって超高圧水を発生させながら真空発生装置１６により真空を発生させ、同時に、揺動機構１４により洗浄ノズル１０〜１２を研磨パッド３の半径方向に揺動させる。 - 特許庁

A polishing cloth 27 to polish the surface of a wafer 29 is installed on a surface plate 28, and the wafer 29 held by a chuck 36 is contacted by pressure to the polishing cloth 27, and a retainer 39 to be in pressure contact with the cloth 27 is installed at the periphery of the chuck 36 in such a way as surrounding the wafer 29.例文帳に追加

ウェーハ２９の表面を研磨する研磨クロス２７が定盤２８に設けられ、チャック３６に保持されたウェーハ２９が研磨クロス２７に圧接され、ウェーハ２９の外周を包囲するように研磨クロス２７に圧接するリテーナ３９がチャック３６の外周に設けられる。 - 特許庁

This polishing device is provided with an air cylinder reciprocating the polishing tool 1 relative to the workpiece 16, a rotating means varying the tilt angle of the polishing tool and the air cylinder, and a control means controlling at least one or the other of pressure of the air cylinder in the thrust direction and pressure compensating its own weight of a movable section in the air cylinder.例文帳に追加

研磨工具１を被加工物１６に対して進退させるエアシリンダと、研磨工具及びエアシリンダの傾斜角度を可変させる回転駆動手段と、前記傾斜角度に応じてエアシリンダの推力方向の圧力及びエアシリンダにおける可動部の自重を補償する圧力の少なくとも一方の圧力を制御する制御手段とを具備する。 - 特許庁

The work W is applied with primary load pressing force through the polishing shaft 22 by a piston rod 36 of the primary pneumatic cylinder 35 actuated by the first air pressure and the work W is applied with secondary pressing force through the polishing shaft 22 by a piston rod 46 of the secondary pneumatic cylinder 45 actuating by second air pressure of higher pressure than the first air pressure through a lever member 43.例文帳に追加

第１の空気圧により作動する一次空気圧シリンダ３５のピストンロッド３６により研磨軸２２を介してワークＷには一次荷重の押し付け力が加えられ、第１の空気圧よりも高い圧力である第２の空気圧により作動する二次空気圧シリンダ４５のピストンロッド４６によりてこ部材４３を介して二次荷重の押し付け力が研磨軸２２を介してワークＷに加えられる。 - 特許庁

The film pressing means holds a pressure plate 6 made of a rigid body such as iron by a cushion plate 5 which is an elastic body to press the polishing film 2 against the outside diameter face of the product 3 through the pressure plate 6.例文帳に追加

そのフィルム押圧手段は、弾性体であるクッションプレート５にて鉄等の剛体から成るプレッシャプレート６を保持し、そのプレッシャプレート６を介して研磨フィルム２を製品３の外径面に押し当てている。 - 特許庁

In operation, a pressure and/or a vacuum pressure is applied so as to chuck the wafer 56 through one or more gaps and to pressurize the gaps in a polishing process.例文帳に追加

動作中、一つまたは複数の空隙を通じてウェハをチャックする目的および研磨中に空隙を加する目的で、圧力および／または真空圧が加えられる。 - 特許庁

Water of superhigh pressure is jetted out from the nozzles of the cleaning nozzles 10 to 12, by which foreign objects such as agglomerate slurry residing on the surface and in grooves of the polishing pad 3 are exhausted and removed by water of superhigh pressure.例文帳に追加

超高圧水は、洗浄ノズル１０〜１２の噴射ノズルから噴射され、この水圧によって研磨パッド３の表面、および溝の凝集スラリーなどの異物を排出して除去する。 - 特許庁

The pressure surface plate 71 applies pressure downward to the polished workpiece 78 and polishes the undersurface of the polished workpiece 78 with a polishing cloth 75 by rotating a rotating surface plate 72.例文帳に追加

加圧定盤７１で被研磨物７８を下方に加圧しながら回転定盤７２を回転させることで、被研磨物７８の下面を研磨布７５で研磨加工する。 - 特許庁

The pressure of an operating fluid supplied to the pressing mechanism part 17 is controlled through a pressure control valve 31 or the like to maintain the pressing force of the polishing cloth 20 to the silicon wafer 1 constant.例文帳に追加

加圧機構部１７に供給される作動流体の圧力を圧力制御バルブ３１等を介して制御することによって、シリコンウェーハ１に対する研磨布２０の押し付け力を一定に維持する。 - 特許庁

This end effector assembly is furnished with a cutting head 15 coupled to a supply source of high pressure fluid and a supply source of an abrasive, and generates high pressure polishing fluid jet.例文帳に追加

このエンドエフェクタアセンブリは、高圧流体の供給源および研磨剤の供給源に結合された、切断ヘッド１５を備え、高圧研磨流体ジェットを発生させる。 - 特許庁

When the etching of the substrate 10 is performed Since the etching of the surface of the substrate 10 is performed while the atmospheric pressure in the furnace 1 is maintained at ≤760 Torr (one atmospheric pressure), the etching rate can be improved and, at the same time, a flat surface can be obtained by removing polishing marks from the surface.例文帳に追加

雰囲気圧力を７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）より小さい減圧下で行うことで、エッチングレートを向上させるとともに基板の研磨傷を除去し、平坦面を得ることができる。 - 特許庁

Pressure fluid introduced from the upper end part of the pressure fluid feed passage of the dresser body 11 is supplied in the second space part 15 from the first space part 13 through a through-hole 17, whereby the diamonds 18c arranged at each of the vertical movement members 18 is forced into slide contact with the polishing surface of the polishing pad 2 with a uniform pressure.例文帳に追加

ドレッサー本体１１の加圧流体供給路１９の上端部から導入される加圧流体は第１の空間部１３から貫通孔１７を通って第２の空間部１５に供給されるので、各上下動部材１８に設けられたダイヤモンド１８ｃは均一な圧力で研磨パッド２の研磨面と摺接する。 - 特許庁

At least in either of the first member 14 and the second member 15, a part including a polishing surface (dynamic pressure clearance formation surface) facing to the dynamic pressure clearance 17 is constituted of ceramic and the apparent density of alumina-based ceramic comprising a polishing-finished dynamic pressure clearance formation surface is adjusted to 3.5-3.9 g/cm3.例文帳に追加

そして、第一部材１４及び第二部材１５の少なくともいずれかにおいて、動圧隙間１７に面する研磨表面（動圧隙間形成面）を含む部分が少なくともセラミックにて構成されるとともに、その研磨仕上げされた動圧隙間形成面を構成するアルミナ質セラミックの見かけ密度が３．５〜３．９ｇ／ｃｍ^３に調整される。 - 特許庁

At least in either of the first member 14 and the second member 15, a part including a polishing surface (dynamic pressure clearance formation surface) facing to the dynamic pressure clearance 17 is constituted of ceramic and the average grain size of the ceramic crystal grains comprising a polishing-finished dynamic pressure clearance formation surface is adjusted to 1-7 μm.例文帳に追加

そして、第一部材１４及び第二部材１５の少なくともいずれかにおいて、動圧隙間１７に面する研磨表面（動圧隙間形成面）を含む部分が少なくともセラミックにて構成されるとともに、その研磨仕上げされた動圧隙間形成面を構成するセラミック結晶粒子の平均粒径が１〜７μｍに調整される。 - 特許庁

By measuring the sound pressure of a sound generated by the flow of an object to be treated such as tablets in a coating pan and a polishing drum, the level of the sound pressure elevated in association with the increase in weight by the growth of the coating layers or the change in the sound pressure in association with the surface smoothing is monitored to detect the terminal points of the coating operation or the polishing operation.例文帳に追加

コーティングパンや艶出しドラム内で錠剤等の処理対象物が流動することによって発生する音の音圧を測定することにより、上記被覆層の成長による重量増加に伴って上昇する上記音圧レベル、又は表面の平滑化に伴う音圧変化を監視して、コーティング操作や艶出し操作の終点を検知する。 - 特許庁

At least in either of the first member 14 and the second member 15, a part including a polishing surface (dynamic pressure clearance formation surface) facing to the dynamic pressure clearance 17 is constituted of ceramic and the content rate of AL components in terms of Al2O3 in alumina- based ceramic comprising a polishing-finished dynamic pressure clearance formation surface is adjusted to 90-99.5 mass%.例文帳に追加

そして、第一部材１４及び第二部材１５の少なくともいずれかにおいて、動圧隙間１７に面する研磨表面（動圧隙間形成面）を含む部分が少なくともセラミックにて構成されるとともに、その研磨仕上げされた動圧隙間形成面を構成するアルミナ質セラミックにおける、Ａｌ_２Ｏ_３換算したＡｌ成分の含有率が９０〜９９．５質量％に調整される。 - 特許庁

The water polishing step applies a pressure to columnar projections formed on a silicon epitaxial wafer enough to break them, and removes the projections from the wafer surface to lessen causes of damage before polishing using abrasives.例文帳に追加

水研磨工程においてシリコンエピタキシャルウェーハに形成されている柱状突起物に圧力をかけてこれを折るとともに、研磨剤を用いた研磨の前に、その柱状突起物をシリコンエピタキシャルウェーハの表面から除去し、キズ発生要因を減少させる。 - 特許庁

After the cap layer 4 is removed and the upper surfaces of the dummy gate electrode 3 and the interlayer dielectric 9 are aligned, polishing rate of the interlayer dielectric 9 lowers extremely due to pressure dependency of the ceria based slurry and thereby polishing of the interlayer dielectric 9 is suppressed.例文帳に追加

また、キャップ層４が除去されて、ダミーゲート電極３と層間絶縁膜９の上面位置が一致した後には、セリア系スラリーの圧力依存性により、層間絶縁膜９の研磨レートは極端に遅くなるため、層間絶縁膜９の研磨が抑制される。 - 特許庁

The spray 1 for the polishing pad is provided by filling a spray container 2 with a surface treatment agent for a polishing pad made of a dispersant 3 prepared by dispersing a thermosetting resin, such as urethane resin and epoxy resin, in a solvent and showing a viscosity of 1,000 cP (centipoise) or lower at 20°C and with a high-pressure gas.例文帳に追加

ウレタン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を溶剤に分散させた２０℃における粘度が１０００ｃＰ（センチポイズ）以下である分散液３からなる研磨パッド用表面処理剤を噴霧可能な容器２に高圧ガスと共に充填してなる研磨パッド用スプレー１。 - 特許庁

The objective method of producing polishing slurry comprises the step at which the aqueous dispersion of the abrasive grains (for example, silica particles and the like) in an aqueous medium is subjected to the dispersion treatment by means of a high-pressure homogenizer and the step at which a thickening agent is admixed to the resultant aqueous dispersion of the polishing particles.例文帳に追加

シリカ粒子等の砥粒が水系媒体中に分散された砥粒の水性分散体を、高圧ホモジナイザーで分散処理する工程と、得られた砥粒の水性分散体に増粘剤を添加混合する工程と、を包含する研磨スラリーの製造方法。 - 特許庁

This abrasive blasting device is provided with an injection device 10 for jetting rod-like polishing liquid at high pressure by pressurizing the polishing liquid containing abrasive material directly and a mesh member 20 provided between the injection device 10 and mesh member 20 to perform elliptic movement in the horizontal direction.例文帳に追加

研磨材を含んだ研磨液を直接に加圧して棒状の研磨液を高圧で噴射する噴射装置１０と、噴射装置１０とメッシュ部材２０との間に設けられて水平方向に楕円運動するメッシュ部材２０とを備えている。 - 特許庁

In the holding device for the optical element holding the optical element (2) during polishing treatment of the optical element (2), the optical element (2) contacts a pressure piece (9) constituted so as to distribute the force which is assumed inside of the optical element (2) during polishing treatment of the optical element (2).例文帳に追加

光学素子（２）の研磨処理の間、光学素子（２）を保持する光学素子用の保持装置において、光学素子（２）は、光学素子（２）の処理の間に光学素子（２）の内部に想定される力を配分するように構成された圧力片（９）に接している。 - 特許庁

A molten cellulose acylate resin is extruded in a sheetlike form from a die 24 to be supplied to the nip between a pair of polishing rollers 26 and 28, and the sheetlike extrudate is cooled while held between the pair of polishing rollers 26 and 28 under pressure to form the cellulose acylate film 12.例文帳に追加

セルロースアシレート系の溶融樹脂をダイ２４からシート状に押し出して、一対のポリシングローラ２６、２８の間に供給し、一対のポリシングローラ２６、２８で挟圧しながら冷却してセルロースアシレートフィルム１２を製膜する。 - 特許庁

Even if the rotational axis of the cup-shaped grinding wheel 10 deviates from the upper surface of the subject of polishing 100, the pressures of the pressure mechanisms 20, 20 are adjusted so that the surface of the grinding wheel 11 makes surface contact with the surface of the subject of polishing 100.例文帳に追加

カップ型砥石１０の回転中心軸が被研磨物１００の上面から外れた場合でも砥石１１表面が被研磨物１００の面上に面接触するように両加圧機構２０，２０の加圧圧力を各々調整する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of an amount of abrasive removal in a body to be polished encountered by a variation in working pressure between the polishing surface of a polishing tool and the surface to be polished of the body to be polished caused by a variation in the thickness of the body to be polished.例文帳に追加

被研磨体の厚さのバラツキに起因して研磨工具の研磨面と被研磨体の被研磨面との間の加工圧力が変化することにより発生する被研磨体の研磨除去量の均一性を向上させることができる研磨装置を提供する。 - 特許庁

The abrasive material is obtained by charging a core material prepared by granulating a hot-melt type pressure-sensitive adhesive with a hot air jet into a rotating drum, mixing the core material with a polishing fine powder together in the rotating drum and thereby applying the polishing fine powder to the core material.例文帳に追加

ホットメルト型粘着剤を熱空気ジェットにより粒化してなるコア材を回転ドラムに投入すると共に、該回転ドラム内にて前記コア材と研磨微粉を混ぜ合わせることによりコア材に研磨微粉を付着させる。 - 特許庁

The base 1 is pressed by a plurality of pressure control mechanisms 7 held against a disc-shaped carrier 2 enclosing the base 1, when the base is polished by rotating a polishing sheet 5 on a surface plate and rotating the base 1 while pressing the base 1 against the polishing sheet 5.例文帳に追加

研磨定盤上の研磨シート５を回転させるとともに基板１を研磨シート５に対して加圧しながら基板１を回転させて基板を研磨する際に、基板１を収容する円板状キャリア２に保持されている複数の加圧制御機構７により基板１を加圧する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry for copper wiring which polishes a copper film effectively in a short period of time even at a low applied pressure and does not generate dishing, erosion or the line when the copper wiring is formed by polishing the copper film wherein a low dielectric insulating film is formed in a lower layer by CMP.例文帳に追加

下層に低誘電性絶縁膜が形成された銅膜をＣＭＰによって研磨して銅配線を形成するにあたり、低い印加圧力でも、銅膜を効率良く短時間で研磨することができ、ディッシング、エロージョンなどが生じることもない銅配線用研磨スラリーを提供する。 - 特許庁

A precipitation trap 7 and an abrasive container 4 are respectively connected to both sides of a pipe 1 to be polished, and pressure is applied, alternately changing the direction to reciprocate and force-feed an abrasive 2 mixed in a polishing fluid 3 into the pipe 1 to perform polishing.例文帳に追加

研磨対象となる管１の両側にそれぞれ沈殿トラップ７と研磨材容器４を接続し、交互に向きを変えて加圧することにより、管１内に研磨液３中に混入させた研磨剤２を往復動圧送させ研磨を行う。 - 特許庁

Thus, a uniform polishing pressure is applied to the whole face of the flow channel forming substrate, and the possibilities of generating fluctuations of thickness in the flow channel forming substrate due to uneven polishing is reduced, so that an extremely thin flow channel forming substrate can be accurately manufactured.例文帳に追加

これにより、流路形成基板全面に均一な研磨圧力が掛かるようになり、流路形成基板には研磨加工むらによる厚さのばらつきは生じ難くなって、極薄の流路形成基板を精度良く製造することができる。 - 特許庁

When performing dressing by abutting a conditioner 5 on an polishing pad 1 which is pressed against a wafer 2 and rotated to polish the wafer, the force applied to the conditioner 5 from the polishing pad 1 is detected by pressure detectors 8a-8c via a conditioner drive unit 6 to hold the conditioner 5.例文帳に追加

ウエハ２に圧接し回転して研磨を行う研磨パッド１にコンディショナ５を当接させて目立てを行う際に、研磨パッド１からコンディショナ５に加わる力が、コンディショナ５を保持するコンディショナ駆動ユニット６を介して、圧力検出装置８ａ〜８ｃによって検出される。 - 特許庁

According to the substrate polishing device, downward air pressure of the cylinder 10, rotational speeds of the driving motors 4, 8, and a fed amount of the abrasive by the abrasive feeding pump are variably adjusted by a control microcomputer installed in a controller 14, based on polishing information detected by the current sensor and the temperature sensor 13.例文帳に追加

電流センサおよび温度センサ１３によって検知された研磨情報に基づき、コントローラ１４に設けられた制御マイクロコンピュータによってシリンダ１０の下降エア圧、駆動用モータ４，８の回転数および研磨剤供給ポンプによる研磨剤の供給量が変動調整される。 - 特許庁

In a first polishing process P5 of this polishing method for a glass substrate for an information recording medium, a combination of a load (pressure) to be applied to a main surface of the glass substrate by a polish pad, the number of relational rotation of the main surface and the polish pad, and a mean granular diameter of the abrasive grains is fixed.例文帳に追加

情報記録媒体用ガラス基板の研磨方法は、第１の研磨工程Ｐ５はポリッシュ用パッドによってガラス基板の主表面にかかる荷重（圧力）、主表面とポリッシュ用パッドとの相対回転数、及び砥粒の平均粒径の組合せは一定である。 - 特許庁

Since, with the wafer tightly contacting the wafer chucking device 130, a biasing force is applied evenly on a wafer-chucking member 134, independently of a force used for positioning the holding member 140 to the polishing pad, and since pressure acts on the polishing pad, a constant force on the wafer can be applied to the polishing pad.例文帳に追加

ウェーハがウェーハチャッキング装置１３０に密着され、研磨パッドに対して維持部材１４０を位置することに使用する力とは独立してウェーハチャッキング部材１３４に均一に印加されるバイアシング力によって研磨パッドに圧力が作用するため、研磨パッドに対してウェーハに均一な力を加えることができる。 - 特許庁

In a pad dressing means 30, at least either one of a pad dressing pressure and a time of applying a pad dressing can be varied in accordance with the position in a polishing pad 22, and a strength distribution of a dressing is formed in the polishing pad 22 to obtain the desired polishing shape.例文帳に追加

パッドドレッシング手段３０は、研磨パッド２２内の位置に応じて、少なくともパッドドレッシング圧力か又はパッドドレッシングを行う時間割合のうちどちらか一方を変化させることができるようにし、研磨パッド２２内においてドレッシングの強弱分布を形成させ、所望の研磨形状を得るようにした。 - 特許庁

The polishing composition manufacturing method comprises a step of filtering polishing composition before the refining by a depth-type filter to obtain intermediate filtrate (Step 1), and a step of filtering the intermediate filtrate by a pleat-type filter to obtain polishing composition (Step 2), wherein the fluctuation range of the filter inlet pressure in Step 1 is ≤ 50kPa.例文帳に追加

以下の精製工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、工程１におけるフィルター入口圧力の変動幅が５０ｋＰａ以下である研磨液組成物の製造方法：（工程１）精製前研磨液組成物をデプス型フィルターで濾過し中間濾過物を得る工程、及び（工程２）中間濾過物をプリーツ型フィルターで濾過し研磨液組成物を得る工程。 - 特許庁

The canvas 14 and polishing pads 58, 60 are relatively brought in proximity to press the glass plate G to the polishing pads 58, 60 by the pressure of compressed air, and the canvas 14 and the polishing pads 58, 60 are relatively moved along the polished surface of the glass plate G to polish the polished surface of the glass plate G.例文帳に追加

次いで、キャンバス１４と研磨パッド５８、６０とを相対的に近接させて、ガラス板Ｇを研磨パッド５８、６０に圧縮空気の圧力によって押し付けるとともに、キャンバス１４及び研磨パッド５８、６０をガラス板Ｇの研磨面に沿って相対的に移動させてガラス板Ｇの研磨面を研磨する。 - 特許庁

When the polishing pad is used, it is possible to divide an oscillation width into ten by using a polishing pad in realizable oscillation conditions, and to make a product of an integration value of relative linear velocity, an integration value of a pressure and an integration value of a contact time at each point in a wafer surface within ±30% inside each oscillation width, thus enabling uniform polishing.例文帳に追加

このような研磨パッドを用いると、実現可能な揺動条件において、研磨パッドを用いて、揺動幅を１０分割し、各揺動幅内において、ウェハ面内の各点における相対線速の積分値と圧力の積分値と接触時間の積分値の積が±３０％以内となるようにすることができ、均一な研磨が可能になる。 - 特許庁

The aqueous dispersing fluid for chemical-mechanical polishing, where the abrasives (1) and the heterocyclic compound with two or more carboxyl groups or the anhydride thereof (2) are mixed, is used for polishing the polishing surface under the condition that the grinder rotational velocity is 50 to 200 rpm and that the pressure of the pressing head is 700 to 18,000 Pa.例文帳に追加

化学機械研磨用水系分散体は、（１）砥粒および（２）２つ以上のカルボキシル基を有する複素環化合物またはその無水物が配合され、定盤回転数が５０〜２００ｒｐｍ、加圧ヘッドの押し付け圧が７００〜１８，０００Ｐａの条件で被研磨面を研磨するために用いるためのものである。 - 特許庁