「semiconductor array」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor memory device is provided with a refresh control part for performing a refresh operation of a memory cell array having dynamic memory cells.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、ダイナミック型のメモリセルを有するメモリセルアレイのリフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁

The cell and the array are formed in a semiconductor substrate having a plurality of separated trenches wherein a flat surface is formed between respective trenches.例文帳に追加

セル及びアレイは、離間した複数のトレンチを有し、各トレンチの間には平面が設けられている半導体基板内に形成される。 - 特許庁

To provide a land grid array module for improving the degree of integration of a circuit device by packaging a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路をパッケージングすることにおいて、回路装置の集積度を向上するためにランドグリッドアレイモジュールを提供する。 - 特許庁

SURFACE EMITTING LASER, SURFACE EMITTING LASER ARRAY AND SURFACE EMITTING LASER MODULE USING SURFACE EMITTING LASER, AND METHOD OF MANUFACTURING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

面発光レーザ、その面発光レーザを用いた面発光レーザアレイと面発光レーザモジュール、および面発光半導体レーザの製造方法 - 特許庁

A laser light source apparatus 12 is provided with a semiconductor laser array 20, a cylindrical lens 25, an optical wavelength conversion element 30 and a reflection mirror 40.例文帳に追加

レーザ光源装置１２は、半導体レーザアレイ２０、シリンドリカルレンズ２５、光波長変換素子３０および反射ミラー４０を備える。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a memory cell array 22, a row decoder 21, a column decoder 22, an error correction circuit 26, and output circuits 27, 28.例文帳に追加

半導体記憶装置２は、メモリセルアレイ２２、行デコーダ２１、列デコーダ２２、誤り訂正回路２６および出力回路２７，２８を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a single clock signal is supplied to output circuits corresponding to each memory cell array.例文帳に追加

単一のクロック信号が各メモリセルアレイに対応する出力回路に供給される半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

The circuit requiring the delay by the delay element is arranged within a gate array region 20 arranged at the center of the semiconductor substrate 10 designed by the gate array method, and at the same time, the plurality of deley elements are structured as a standard cell in the delay element arrangement region 40 outside of the gate array region 20.例文帳に追加

遅延素子による遅延を必要とする回路は、ゲートアレー方式で設計される半導体基板１０の中央に配置されたゲートアレー領域２０内に配置する一方、複数の遅延素子は、ゲートアレー領域２０の外側の遅延素子配置領域４０に、スタンダードセルとして構成される。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor memory includes sub-array decoders AD0 to AD63 which are arranged corresponding to the sub-arrays, state selecting switches SSS and SS0 to SS63 which are used to change the corresponding relationship between the sub-arrays, the spare sub-array and the sub-array decoders and a fuse element 14 in which the corresponding relationship is recorded.例文帳に追加

さらに、サブアレイに対応して設けられたサブアレイデコーダＡＤ０〜ＡＤ６３と、サブアレイ及びスペアサブアレイとサブアレイデコーダとの対応関係を変更する状態選択スイッチＳＳＳ、ＳＳ０〜ＳＳ６３と、前記対応関係が記録されたフューズ素子１４とを有する。 - 特許庁

In a diode laser array homogenization system, a laser beam having an uneven light intensity profile emitted from a diode pump array 100 constituted with a plurality of semiconductor diode laser bars disposed with an array configuration is homogenized by making it pass through a diffraction type homogenizer 410 to radiate it on a gain medium 420.例文帳に追加

アレイ構成で配設された複数の半導体ダイオードレーザバーにより構成されるダイオードポンプアレイ１００から出射する不均一な光強度プロファイルを持つレーザビームを、回折型ホモジナイザ４１０を通過させることで均一化し利得媒体４２０に照射する。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell array, an output buffer that receives data from the memory cell array and outputs the data received from the memory cell array in response to a latency signal, and a latency circuit that generates the latency signal in response to CAS latency and a read-out signal.例文帳に追加

メモリセルアレイ、メモリセルアレイからデータを受信し、レイテンシ信号に応答してメモリセルアレイから受信されたデータを出力する出力バッファ及びＣＡＳレイテンシと読出し信号に応答してレイテンシ信号を発生させるレイテンシ回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light emitting diode array with little variation in the luminescence intensity of each luminescent part, wherein a semiconductor substrate constituent re-adheres little to the luminescent part surface of the light emitting diode array, even in the case of division into an individual light emitting diode array region by using a laser processing apparatus.例文帳に追加

レーザ加工により個別の発光ダイオードアレイ領域に分割しても発光ダイオードアレイの発光部表面に半導体基板構成物が再付着することが少なく、各発光部の発光強度のバラツキが少ない発光ダイオードアレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a cooling process in jointing, a contraction amount difference due to the difference between a linear expansion coefficient of the heat sink 10 and that of the semiconductor laser array 11 is reduced by the reinforcing member 12, and stress caused by the contraction amount difference is hardly generated in the semiconductor laser array 11.例文帳に追加

接合時における冷却工程では、補剛部材１２により、ヒートシンク１０と半導体レーザアレイ１１の線膨張係数差に起因する収縮量の差が軽減され、半導体レーザアレイ１１には、この収縮量の差に起因する応力が発生しにくくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser array wherein remaining resonators continuously oscillate even when at least one resonator fails and falls into a short-circuit state and which can be achieved, a light emitting device, a manufacturing method of the semiconductor laser array and a manufacturing method of the light emitting device.例文帳に追加

少なくとも１つの共振器が故障して短絡状態となった場合においても残りの共振器が発振し続けるとともに、実現可能な半導体レーザアレイ、発光装置、半導体レーザアレイの製造方法および発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first memory array block consists of mask ROM cells to be programmed with predetermined data during a semiconductor manufacturing process, and the second memory array block consists of (EEPROM) cells or flash memory cells to be programmed or erased with predetermined data after the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

第１群のメモリアレイブロックは半導体製造工程中に所定データでプログラムされるマスクＲＯＭセルで構成され、第２群のメモリアレイブロックは半導体製造工程後に所定データでプログラムされるか、または消去されるＥＥＰＲＯＭセルまたはフラッシュメモリセルで構成される。 - 特許庁

The individual cooling tubes 3 each have a first cooling portion 31 for cooling semiconductor modules 2 belonging to one array, a second cooling portion 32 for cooling semiconductor modules 2 belonging to the other array, and a connection portion 33 connecting the first cooling portion 31 and the second cooling portion 32 to each other.例文帳に追加

個々の冷却チューブ３は、一方の列に属する半導体モジュール２を冷却する第１冷却部３１と、他方の列に属する半導体モジュール２を冷却する第２冷却部３２と、第１冷却部３１と第２冷却部３２とを接続する接続部３３とを有する。 - 特許庁

A photodiode array PDA1 includes a first conductivity type semiconductor, has first and second principal planes 1a and 1b facing each other, and includes a silicon substrate 1 including a plurality of second conductivity type semiconductor regions 3 formed in an array on the first principal plane 1a side.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の複数の半導体領域３がアレイ状に形成されたシリコン基板１を備えている。 - 特許庁

Groove parts 14i are formed in the part corresponding to each of twelve emitting zones 18g of the semiconductor laser array 18 among the semiconductor laser array mounting zone 14b of the platform 14, and groove parts 14j are formed in the part corresponding to each of twelve reflecting zones 18h.例文帳に追加

プラットフォーム１４の半導体レーザアレイ搭載領域１４ｂのうち、半導体レーザアレイ１８の１２個の出射領域１８ｇそれぞれに対応する部分には溝部１４ｉが形成され、１２個の反射領域１８ｈそれぞれに対応する部分には、溝部１４ｊが形成されている。 - 特許庁

When forming a memory cell array region having a high density convex part and a periphery circuit region having a low density convex part on the semiconductor substrate, after forming a two-dimensional arrangement of capacitor 216 as a memory cell in the memory cell array region, the insulating film 217 is formed all over the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に凸部の密度の高いメモリセルアレイ領域と、凸部の密度の低い周辺回路領域を形成する際、メモリセルアレイ領域にメモリセルであるキャパシタ216を2次元状に配置形成した後、半導体基板上全面に絶縁膜217を形成する。 - 特許庁

An LED array chip 2 (semiconductor light-emitting device) has an SiC substrate 4 and an LED array, composed of 36 LEDs (D1 to D36) formed on the SiC substrate 4 by a crystal growth.例文帳に追加

ＬＥＤアレイチップ２（半導体発光装置）は、ＳｉＣ基板４と、当該ＳｉＣ基板４上に結晶成長によって形成された３６個のＬＥＤ（Ｄ１〜Ｄ３６）からなるＬＥＤアレイを有している。 - 特許庁

To provide an accurate overdrive which stabilizes an internal array voltage, by allowing the amount of overdrive signal to track, for example, process, voltage, and temperature changes in an internal array voltage generator of a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置の内部アレイ電圧発生器において、オーバードライブ信号量が、例えば工程、電圧、温度変化に従うようにして、内部アレイ電圧を安定化させる正確なオーバードライブを提供する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide that can more efficiently converge each laser beam emitted from a plurality of light emitting sections of a semiconductor laser array and that can be more easily realized, and to provide an optical waveguide array and a laser light emitting device.例文帳に追加

半導体レーザアレイの複数の発光部から出射された各レーザ光を、より効率良く集光でき、且つより容易に実現できる光導波路、光導波路アレイ、及びレーザ発光装置を提供する。 - 特許庁

An electrode 106 is provided in the array waveguide 123 of the semiconductor array waveguide lattice 120-1, and a voltage is applied to the electrode 106 whereby an electric field can be applied to a core layer of the waveguide 123 to change a transmission refractive index.例文帳に追加

半導体アレイ導波路格子120-1のアレイ導波路123には電極106を設け、この電極106に電圧を印加することにより、導波路123のコア層に電界を印加して透過屈折率を変化させることができる。 - 特許庁

The base material layer is typically formed by a semiconductor material same as the photo detector array while doped in large quantities and conductive, and provides mechanical support and cathode contact to the photo detector array.例文帳に追加

基材層は典型的には、光検出器アレイと同じ半導体材料で形成されるが、多量にドープされ導電性であり、光検出器アレイに対し機械的な支持に加えてカソード接触を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device where a large-scale pixel array is made by planarly laminating plural sheets of semiconductor chips 16 having pixel arrays which is manufactured using semiconductor films made on insulating substrates 11 for the semiconductor film near the boundary face of the above lamination, the treatment of inactivating the property of the semiconductor is applied to it before the semiconductor chip 15 is cut out.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体薄膜を用いて製造した画素アレーを有する半導体チップを複数枚平面的に貼合せて大規模画素アレーを形成する半導体装置において、前記貼合せ境界面近傍の半導体薄膜は、前記半導体チップが切出される前に前記半導体の性質を不活性化する処理が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor devices, first and second semiconductor wafers having pixel arrays and logic circuits in respective half-produced states are bonded to each other, and the films of the first semiconductor wafers are made thin, and further, an electric connection is performed between each pixel array and each logic circuit.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、それぞれ半製品状態の画素アレイ及びロジック回路を備えた第１及び第２の半導体ウェハの貼り合わせ、第１の半導体ウェハの薄膜化、画素アレイ及びロジック回路間の電気的接続がなされる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an array type semiconductor device at the wafer level wherein a conductive paste is applied to both ends of a semiconductor chip to form electrodes instead of bonding a metal plate to the first principal plane of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの第一主面に金属板を接着させることなく半導体チップの両端に導電性ペーストを塗布する事によって電極を設置し、アレイ型半導体装置をウェハレベルで製造する方法を提供すること。 - 特許庁

When the thin film semiconductor device such as a TFT array substrate is manufactured, the hydrogen treatment is performed on a semiconductor film 301 and an insulating film 302 after a substrate 300 forming the semiconductor film 301 and the insulating film 302 is heated in a treatment chamber.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板などの薄膜半導体装置を製造する際、半導体膜３０１、および絶縁膜３０２を形成した基板３００を処理室内で加熱した後、半導体膜３０１および絶縁膜３０２に水素化処理を行う。 - 特許庁

To solve the problem in which the size of an optical element is increased when laser light beams emitted from a high output power matrix array type semiconductor laser are to be converted.例文帳に追加

高出力マトリックスアレイ型半導体レーザのレーザ光を変換しようとすると、光学素子が大型化するという課題を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser array, small in the threshold current of oscillation and low in the aspect ratio of radiation light by the increase of optical confinement in longitudinal direction.例文帳に追加

横方向に光閉じ込め増加により、発振閾値電流が小さい、放射光のアスベクト比は低い半導体レーザアレイを提供する。 - 特許庁

CONTACT PORTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DISPLAYING DEVICE INCLUDING THE CONTACT PORTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体素子の接触部及びその製造方法とそれを含む表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 - 特許庁

By being arranged a plurality of pads 50 in the outside of the large array 30 and the control circuit 40, the circuit 1 for measuring lots of semiconductor elements is constituted.例文帳に追加

そして、大アレイ３０及び制御回路４０の外側に複数のパッド５０が配置されて、多量測定回路１が構成される。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array, a plurality of work lines, a plurality of bit lines, a data line, a plurality of selector circuits, a precharge circuit, and a pull-down circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイと、複数のワード線と、複数のビット線と、データ線と、複数のセレクタ回路と、プリチャージ回路と、プルダウン回路とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, capable of reducing the power consumption of an overall memory cell array, and facilitating manufacture with high reliability.例文帳に追加

メモリセルアレイ全体の消費電力を削減することが可能であり、且つ製造が容易で信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage that redundant bit lines can be provided in a memory cell array being divided into plural erasing blocks.例文帳に追加

複数の消去ブロックに分割されているメモリセルアレイでのビット線の冗長を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Heat sinks 4c,..., 6c,... are provided on semiconductor chips 4b,..., 6b,... mounted on a glass array board 1 in a COG(chip on glass) system.例文帳に追加

ガラスからなるアレー基板１上にＣOＧ（チップオングラス）方式で実装された半導体チップ４ｂ…・６ｂ…上に放熱板４ｃ…・６ｃ…を設ける。 - 特許庁

To reduce a layout area of each cell of a standard cell system or a gate array cell system in a semiconductor integrated circuit including an optical sensor.例文帳に追加

光センサを有する半導体集積回路におけるスタンダードセル方式またはゲートアレイセル方式の各セルのレイアウト面積を低減する。 - 特許庁

To lessen a melt risk by suppressing heat generation at a terminal connected to a switch circuit in a semiconductor device of a grid array terminal structure.例文帳に追加

グリッドアレイ端子構造の半導体装置において、スイッチ回路がつながる端子の発熱を低減して溶解の危険性を少なくすること。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array, word lines, bit line pairs, a sense amplifier, a dummy cell row, an address control part and a timing generating circuit.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、ワード線、ビット線対、センスアンプ、ダミーセル列、アドレス制御部、タイミング発生回路を具備する。 - 特許庁

To provide a correction system of semiconductor laser array light equalizing the emitted light quantity in printing operation with that in light quantity adjustment.例文帳に追加

印刷動作時と光量調整時の発光量を同等にすることが可能な半導体レーザアレイの光量補正方式を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a memory cell array, a plurality of signal lines, and a plurality of signal-line drawing portions.例文帳に追加

１つの実施形態によれば、メモリセルアレイと、複数の信号線と、複数の信号線引き出し部とを備えた半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

A semiconductor memory 1000 is provided with a memory cell array MA, a pair of normal data line, a pair of redundant data line, and a data line switching circuit 105.例文帳に追加

半導体記憶装置１０００は、メモリセルアレイＭＡ、ノーマルデータ線対、冗長データ線対およびデータ線切替回路１０５を備える。 - 特許庁

To reduce the cost and improve the reliability of a BGA (Ball Grid Array) semiconductor device having ball-shaped conductive terminals.例文帳に追加

ボール状の導電端子を有するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型の半導体装置の低コスト化及び信頼性向上を図る。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a plurality of memory cell array blocks, a bit line sense amplifier circuit, the local sense amplifier circuit and a control part.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、複数のメモリセルアレイブロック、ビットラインセンス増幅回路、ローカルセンス増幅回路、データセンス増幅回路及び制御部を備える。 - 特許庁